據(jù)是通過如下方式獲得的數(shù)據(jù):
[0070]將第一探針固定在電致發(fā)光層測試區(qū)的第一測試線1202，將第二探針固定在電致發(fā)光層測試區(qū)的第二測試線1204，將第三探針放在TFT測試區(qū)，并在TFT測試區(qū)內(nèi)移動(dòng)第三探針，每移動(dòng)一次第三探針得到一個(gè)數(shù)據(jù)。
[0071]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中計(jì)算TFT的電學(xué)特性，例如短程均勻性的方法與現(xiàn)有技術(shù)的方法相同。此處不再贅述。
[0072]當(dāng)然，可以利用三個(gè)探針實(shí)現(xiàn)對本發(fā)明實(shí)施例中提供的顯示面板的TFT特性的測量，也可以利用別的工具進(jìn)行測量TFT特性。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的制造方法，包括:在制造顯示區(qū)域的同時(shí)在顯示區(qū)域的外圍制造外圍區(qū)域，其中，在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極時(shí)，形成開關(guān)引線和第二測試線；
[0074]在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極時(shí)，形成第一測試線；
[0075]在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源漏金屬層和TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的源漏金屬層時(shí)，形成引出線。
[0076]因?yàn)楸景l(fā)明實(shí)施例提供的外圍區(qū)域，用于測試顯示區(qū)域中的電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性等，所以外圍區(qū)域中的薄膜晶體管和電致發(fā)光層必須和顯示區(qū)域相同，才能保證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此，顯示面板的顯示區(qū)域和外圍區(qū)域同時(shí)制造，且薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)也相同。
[0077]較佳地，形成電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，包括:
[0078]在外圍區(qū)域的電致發(fā)光層測試區(qū)的陣列基板上依次形成基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發(fā)光層。
[0079]較佳地，形成TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管，包括:
[0080]在外圍區(qū)域的TFT測試區(qū)的陣列基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層。
[0081]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板包括顯示區(qū)域和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，該外圍區(qū)域包括:電致發(fā)光層測試區(qū)、TFT測試區(qū)、以及引出線；電致發(fā)光層測試區(qū)包括多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，連接多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極的開關(guān)引線和第二測試線；TFT測試區(qū)包括多個(gè)薄膜晶體管；引出線有多根，且每一根引出線用于連接電致發(fā)光層測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層和TFT測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層。用以綜合評(píng)價(jià)顯示面板中的電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括短程均勻性等。
[0082]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示面板，包括顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，其特征在于，所述外圍區(qū)域包括:電致發(fā)光層測試區(qū)、TFT測試區(qū)、以及引出線；其中， 所述電致發(fā)光層測試區(qū)包括多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，連接所述多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接所述多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極的開關(guān)引線和第二測試線； 所述TFT測試區(qū)包括多個(gè)薄膜晶體管； 所述引出線有多根，且每一根引出線用于連接所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層和所述TFT測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管與所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管個(gè)數(shù)相同，且一一對應(yīng)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管從下向上依次包括:基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發(fā)光層； 其中，所述具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的材料與所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的材料相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管從下向上依次包括:緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層； 其中，所述TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的材料與所述顯示區(qū)域中的薄膜晶體管的材料相同。5.一種利用如權(quán)利要求1提供的顯示面板測試TFT特性的方法，其特征在于，該方法包括: 在所述開關(guān)引線施加第一電壓，使得所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管和所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，所述電致發(fā)光層發(fā)光； 在所述開關(guān)引線施加第二電壓，使得所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的薄膜晶體管截止，所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管導(dǎo)通，測量所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管的電學(xué)特性； 其中，所述第一電壓為使得薄膜晶體管導(dǎo)通的電壓，所述第二電壓為使得薄膜晶體管截止的電壓。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試TFT特性的方法，其特征在于，測量所述TFT測試區(qū)的薄膜晶體管的電學(xué)特性，包括: 根據(jù)多個(gè)數(shù)據(jù)計(jì)算所述TFT測試區(qū)中薄膜晶體管的短程均勻性，其中，每一數(shù)據(jù)是通過如下方式獲得的數(shù)據(jù): 將第一探針固定在所述電致發(fā)光層測試區(qū)的第一測試線，將第二探針固定在所述電致發(fā)光層測試區(qū)的第二測試線，將第三探針放在所述TFT測試區(qū)，并在所述TFT測試區(qū)內(nèi)移動(dòng)所述第三探針，每移動(dòng)一次所述第三探針得到一個(gè)數(shù)據(jù)。7.—種權(quán)利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，包括:在制造所述顯示區(qū)域的同時(shí)在所述顯示區(qū)域外圍制造所述外圍區(qū)域，其中， 在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極時(shí)，形成開關(guān)引線和第二測試線； 在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極時(shí)，形成第一測試線； 在形成具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源漏金屬層和TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管的源漏金屬層時(shí)，形成引出線。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成電致發(fā)光層測試區(qū)中的具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，包括: 在外圍區(qū)域的電致發(fā)光層測試區(qū)的陣列基板上依次形成基板、緩沖層、低溫多晶硅、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層、像素定義層和電致發(fā)光層。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成TFT測試區(qū)中的薄膜晶體管，包括: 在外圍區(qū)域的TFT測試區(qū)的陣列基板上依次形成緩沖層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏金屬電極、平坦層和像素定義層。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種顯示面板及其制造方法、TFT測試方法，用以綜合評(píng)價(jià)顯示面板中的電致發(fā)光層的顯示效果、以及薄膜晶體管的電學(xué)特性，如短程均勻性等。該顯示面板包括顯示區(qū)域和顯示區(qū)域的外圍區(qū)域，該外圍區(qū)域包括：電致發(fā)光層測試區(qū)、TFT測試區(qū)、以及引出線；電致發(fā)光層測試區(qū)包括多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管，連接所述多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的源極的第一測試線，以及，連接所述多個(gè)具有電致發(fā)光層的薄膜晶體管的柵極的開關(guān)引線和第二測試線；TFT測試區(qū)包括多個(gè)薄膜晶體管；引出線有多根，且每一根引出線用于連接所述電致發(fā)光層測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層和所述TFT測試區(qū)中的一個(gè)薄膜晶體管的源漏金屬層。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/32, H01L21/66, H01L23/544
【公開號(hào)】CN104992960
【申請?zhí)枴緾N201510310072
【發(fā)明人】王祖強(qiáng), 李光, 孫亮, 陸小勇
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月8日