[0089]在下文中，將參照圖3a至圖3j詳細地描述具有上述結構的太陽能電池100的制造方法。圖3a至圖3j是例示了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于制造太陽能電池的方法的截面圖。
[0090]首先，如圖3a所示，制備了包括具有第二導電類型摻雜劑的基區(qū)域110的半導體基板10。在本發(fā)明的實施方式中，半導體基板10可以是具有η型摻雜劑的硅基板(例如，硅晶片)。η型摻雜劑的示例包括但不限于諸如磷(P)、砷(As)、鉍(Bi)和銻(Sb)的V族元素。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，基區(qū)域110可以具有P型摻雜劑。
[0091]半導體基板10的正面和背面中的至少一個被紋理化，使得表面是不平表面(或具有突出部和/或凹陷部)。濕法紋理化方法或干法紋理化方法可以被用作半導體基板10的表面的紋理化?？梢酝ㄟ^將半導體基板10浸在紋理化溶液中來執(zhí)行濕法紋理化并且具有短工藝時間的優(yōu)點。干法紋理化是利用金剛石鉆、激光等來切割半導體基板10的表面的工藝并且使得能夠形成均勻的突出部和/或凹陷部，但是不利地具有長工藝時間并且導致對半導體基板10的損壞。另選地，可以通過反應性離子蝕刻(RIE)等來使半導體基板10紋理化。因此，可以通過各種方法來使半導體基板10紋理化。
[0092]例如，可以使半導體基板10的正面紋理化以具有突出部和/或凹陷部或為不平表面。此外，半導體基板10的背面可以是通過鏡面拋光等形成并且具有比半導體基板10的正面低的表面粗糙度的相對平滑且平坦的表面。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，進而，可以使用具有各種結構的半導體基板10。
[0093]接下來，如圖3b所示，隧道層20形成在半導體基板10的背面上。隧道層20可以完全地形成在半導體基板10的背面上。
[0094]在這種情況下，可以例如通過諸如熱生長或沉積(例如，等離子體增強化學汽相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD))等的方法形成隧道層20，但是本發(fā)明的實施方式不限于此，并且可以通過各種方法形成隧道層20。
[0095]然后，如圖3c和圖3d所示，第一導電類型區(qū)域32和第二導電類型區(qū)域34形成在隧道層20上。
[0096]如圖3c所示，半導體層30形成在隧道層20上。導電類型區(qū)域32和導電類型區(qū)域34可以由非晶半導體、微晶半導體或多晶半導體形成。在這種情況下，可以通過例如熱生長、沉積(例如，等離子體增強化學汽相沉積(PECVD))等的方法形成半導體層30。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，可以通過各種方法形成半導體層30。
[0097]接下來，如圖3d所示，第一導電類型區(qū)域32、第二導電類型區(qū)域34和勢皇區(qū)域36形成在半導體層30處。
[0098]例如，半導體層30的區(qū)域通過諸如離子注入法、熱擴散法或激光摻雜法的各種方法而摻雜有第一導電類型摻雜劑以形成第一導電類型區(qū)域32，并且半導體層30的另一區(qū)域通過諸如離子注入法、熱擴散法或激光摻雜法的各種方法而摻雜有第二導電類型摻雜劑以形成第二導電類型區(qū)域34。然后，勢皇區(qū)域36可以形成在半導體層30的在第一導電類型區(qū)域32與第二導電類型區(qū)域34之間的區(qū)域中。
[0099]然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。各種方法可以被用于用于形成導電類型區(qū)域32和導電類型區(qū)域34以及勢皇區(qū)域36的方法。并且，可以不形成勢皇區(qū)域36。也就是說，各種修改形式是可能的。
[0100]接下來，如圖3e所示，可以通過將第二導電類型摻雜劑摻雜至半導體基板10的正面來形成正面場區(qū)域130?？梢酝ㄟ^諸如離子注入法、熱擴散法或激光摻雜法的各種方法來形成正面場區(qū)域130。
[0101]接下來，如圖3f所示，鈍化層24和防反射層26依次形成在半導體基板10的正面上，并且絕緣層40依次形成在半導體基板10的背面上。也就是說，鈍化層24和防反射層26形成在半導體基板10的正面的整個部分上方，并且絕緣層40形成在半導體基板10的背面的整個部分上方?？梢酝ㄟ^諸如真空沉積、化學汽相沉積、旋涂、絲網(wǎng)印刷或噴涂的各種方法來形成鈍化層24、防反射層26和絕緣層40。鈍化層24和防反射層26以及絕緣層40的形成順序可以變化。
[0102]接下來，如圖3g所示，第一開口 402和第二開口 404形成在絕緣層40處?？梢酝ㄟ^各種方法形成第一開口 402和第二開口 404。
[0103]例如，在本發(fā)明的實施方式中，可以通過利用激光的激光燒蝕(激光蝕刻)形成第一開口 402和第二開口 404。利用激光燒蝕，能夠減小第一開口 402和第二開口 404的寬度，并且可以容易地形成具有各種圖案的第一開口 402和第二開口 404。
[0104]接下來，如圖3h所示，金屬層400形成在半導體基板10的背面的整個部分上方(更具體地，在用于形成第一導電類型區(qū)域32和第二導電類型區(qū)域34的半導體層的整個部分上方)以填充開口 402和開口 404。更具體地，第一金屬層400a和第二金屬層400b通過鍍制或濺射而依次形成。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，進而，第一金屬層400a和第二金屬層400b可以通過各種方法而形成。
[0105]接下來，如圖3i所示，印刷電極層42b形成在金屬層400上。印刷電極層42b被形成為對應于電極42和電極44。印刷電極層42b防止與電極42和電極44對應的金屬層400的一部分在蝕刻工藝期間被蝕刻。印刷電極層42b可以具有比開口 402或開口 404的寬度大的寬度。
[0106]印刷電極層42b可以通過涂覆膏并且經(jīng)由熱處理燒制印刷電極層42b以物理連接且電連接至金屬層400來形成。
[0107]用于印刷電極層42b的膏可以包括導電材料、溶劑、樹脂和其它各種添加劑。導電材料被包括以提供印刷電極層42b的導電性。溶劑被包括以使膏的各種材料混合并且具有適合于印刷的粘性。樹脂用作粘合劑并且使得印刷電極層42b能夠穩(wěn)定連接至金屬層400。添加劑被包括以增強各種特性。已知的各種材料可以被用于導電材料、溶劑、樹脂和添加劑，進而，將省略詳細描述。并且，如在上文所陳述的，印刷電極層42b可以不包括玻璃粉。
[0108]因為印刷電極層42b被布置在金屬層400上并且已經(jīng)形成了開口 402或開口 404，所以在印刷電極層42b的燒制時不需要通火。因此，在非常低溫度的大約200°C至大約250°C下執(zhí)行熱處理。因此，能夠省略用于燒制印刷電極層42b的高溫工藝，從而簡化制造工藝并且防止半導體基板10的特性被損壞。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，并且熱處理的溫度可以變化。
[0109]接下來，如圖3j所示，電極層42a通過消除未形成有印刷電極層42b的金屬層400的另一部分來形成。因此，形成了包括電極層42a和印刷電極層42b的電極42和電極44。
[0110]各種方法可以應用于蝕刻方法。例如，可以使用利用蝕刻溶液的濕法蝕刻工藝。酸溶液可以被用于蝕刻溶液，例如，氫氟酸、磷酸、硝酸或其組合。執(zhí)行了電極42和電極44的圖案化。通過像在上面那樣利用濕法蝕刻工藝，能夠通過簡單工藝執(zhí)行電極42和電極44的圖案化。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0111]在本發(fā)明的實施方式中，電極層42a通過經(jīng)由鍍制或濺射在絕緣層40上完全地形成金屬層400、形成印刷電極層42b并且利用印刷電極層42b作為掩模來使金屬層400圖案化而形成。從而，能夠消除形成附加掩模以用于使金屬層400圖案化的工藝以及去除附加掩模的工藝。因此，能夠簡化用于形成太陽能電池100的工藝。
[0112]在本發(fā)明的實施方式中，舉例說明形成隧道層20、導電類型區(qū)域32和導電類型區(qū)域34以及勢皇區(qū)域36，然后，形成正面場層130，并且然后，形成鈍化層24、防反射層26和絕緣層40，以及最后，形成第一電極42和第二電極44。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。因此，隧道層20、第一導電類型區(qū)域32和第二導電類型區(qū)域34、勢皇區(qū)域36、鈍化層24、防反射層26以及絕緣層40的形成順序可以變化。另外，可以不包括它們中的一些，并且各種修改形式是可能的。
[0113]在下文中，將詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的太陽能電池和用于這些太陽能電池的電極。將在本文中省略對與以上描述中的元件相同或相似的元件的詳細描述，并且將在本文中提供對僅不同元件的詳細描述。以上實施方式及其經(jīng)修改的實施方式以及以下實施方式及其經(jīng)修改的實施方式的組合落入本發(fā)明的實施方式的精神和范圍內(nèi)。
[0114]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的太陽能電池的電極的截面圖。
[0115]參照圖4，在本發(fā)明的實施方式中，電路板200可以附接至太陽能電池100。電路板200包括電路圖案212和電路圖案214以及基部構件210以連接多個太陽能電池100。在本發(fā)明的實施方式中，集成結構或單體的電路板200包括與多個太陽能電池100(例如，三個或更多個太陽能電池100)對應的電路圖案212和電路圖案214，這與用來連接兩個相鄰的太陽能電池100的與僅兩個太陽能電池100對應的帶狀物不同。因此，多個太陽能電池100 (例如，三個或更多個太陽能電池100)能夠通過附接太陽能電池100上的電路板200而彼此電連接。
[0116]電路板200的基部構件210可以是膜、板、基板等，其由具有透光性和絕緣特性并且能夠維持電路板200的機械強度的材料形成。電路板200的基部構件210可以由聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯-2，6-萘酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、聚芳酯、丙酸纖維素、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚醚酰亞胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚苯乙烯等中的至少一種形成。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此，并且基部構件210可以由與前述材料不同的各種其它材料形成。
[0117]電路圖案212和電路圖案214可以被設置在基部構件210的面向電極42和電極44的表面處。電路圖案212和電路圖案214可以具有用于電連接多個太陽能電池100的各種平面形狀。電路圖案212和電路圖案214可以包括電連接至第一電極42的第一電路圖案212以及電連接至第二電極44的第二電路圖案214。一個太陽能電池100的第一電路圖案212連接至在一側與一個太陽能電池100相鄰的另一太陽能電池100的第二電路圖案214，并且一個太陽能電池100的第二電路圖案214連接至在另一側與一個太陽能電池100相鄰的又一個太陽能電池100的第一電路圖案212。然后，能夠串聯(lián)連接多個太陽能電池100。然而，本發(fā)明的實施方式不限于此。電路圖案212和電路圖案214的形狀和連接結構以及多個太陽能電池100的連接結構可以不同地變化。
[0118]電路板200的電路圖案212和電路圖案214以及電極42和電極44分別在插置導電粘合層220的同時被接合并且固定。導電粘合層220可以由導電