一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝的制作方法
【專利說明】一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝
[0001]
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明涉及薄膜領(lǐng)域，特別涉及一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0003]鋁作為一種穩(wěn)定的低電阻率的金屬，被廣泛用于芯片后段的金屬互連線路或者與后續(xù)封裝線連接的接觸墊；其中，晶須是指在顆粒(grain)邊緣由于應(yīng)力效應(yīng)凸起的須狀的缺陷。
[0004]雖然高溫的鋁顆粒(grain)大、電阻率低，且填充性能與可靠性好，但在沉積較厚(大于1000埃)的鋁薄膜時，由于鋁(Al)薄膜與Si02層的熱膨脹系數(shù)存在較大差異，而沉積過程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力會隨著膜厚的增加不斷累積，當達到到一定程度時在鋁顆粒邊緣會有鋁鉆出來，形成晶須狀的缺陷(晶須)，從而造成產(chǎn)品良率的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導致的上述多項缺陷。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下的技術(shù)方案:一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其工藝步驟如下:
(1)依次采用低溫沉積第一銅薄膜和第一氮化銅薄膜覆蓋所述硅襯底的上表面；
(2)采用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層；
(3)采用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層；
(4)用壓輥進行平整；
(5)暈處理機進行電暈處理；
(6)將鋁薄膜兩邊廢邊切除并卷取包裝。
[0007]優(yōu)選的，所述步驟(I)中，所述低溫為30_45°C。
[0008]優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述低溫為35-50°C，高溫為60-75°C。
[0009]采用以上技術(shù)方案的有益效果是:本發(fā)明提出一種鋁薄膜制備工藝，通過優(yōu)化鋁薄膜的沉積條件，改善了鋁顆粒(grain)的成長過程，從而有效的減少晶須缺陷的產(chǎn)生，進而提尚廣品的良率。
【具體實施方式】
[0010]下面詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0011]出示本發(fā)明的【具體實施方式】: 一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其工藝步驟如下:
(1)依次采用低溫沉積第一銅薄膜和第一氮化銅薄膜覆蓋所述硅襯底的上表面；
(2)用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層；
(3)用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層；
(4)壓輥進行平整；
(5)處理機進行電暈處理；
(6)鋁薄膜兩邊廢邊切除并卷取包裝。
[0012]優(yōu)選的，所述步驟(I)中，所述低溫為30-45°C。
[0013]優(yōu)選的，所述步驟(2)中，所述低溫為35-50°C，高溫為60_75°C。
[0014]采用以上技術(shù)方案的有益效果是:，本發(fā)明提出一種鋁薄膜制備工藝，通過優(yōu)化鋁薄膜的沉積條件，改善了鋁顆粒(grain)的成長過程，從而有效的減少晶須缺陷的產(chǎn)生，進而提尚廣品的良率。
[0015]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，其工藝步驟如下: 依次采用低溫沉積第一銅薄膜和第一氮化銅薄膜覆蓋所述硅襯底的上表面； 采用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層； 采用低溫沉積第一鋁薄膜后，采用高溫沉積第二鋁薄膜覆蓋所述第一鋁薄膜的上表面，形成鋁層； 使用壓輥進行平整； 電暈處理機進行電暈處理； 將鋁薄膜兩邊廢邊切除并卷取包裝。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟(I)中，所述低溫為30-45 °C。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟(2)中，所述低溫為35-50 °C，高溫為60-75 °C。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種銅鋁復(fù)合薄膜生產(chǎn)工藝，其工藝步驟如下：原材料篩選：選取35%PET塑料、25%聚丙烯、30%乙酰乙酸乙酯樹脂和10%甲酸乙二醇酯,融化、改性、擠出流延、冷卻、電暈處理、切除廢邊卷取，制成PET保護膜，本發(fā)明工藝合理、簡潔，大大縮短工藝流程，效率高，速度快，原料選擇合理，成本較低，可快速降解，減少環(huán)境污染。
【IPC分類】H01L21/48, H01L21/768
【公開號】CN104934332
【申請?zhí)枴緾N201510211251
【發(fā)明人】焦國平, 齊繼業(yè), 方興旺
【申請人】安徽松泰包裝材料有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年4月29日