像素)的膜。在其它像素上的最后彩色濾光片的重疊在圖4K中所示的后續(xù)彩色濾光片的朝下的蝕除工藝期間被移除。
[0075]參考圖4G，該等凹部210提供自動對準特征，用以自動對準該彩色濾光片材料與第二光導130。該等凹部210可寬于對應的掩膜開口。為給定像素節(jié)距與所要的第二光導開口來縮減該支撐壁212的厚度，可提高等離子體反應室中的壓力，用以增強側(cè)向(也就是，等向性)蝕刻作用(通過提高離子散射)，以便下切該掩膜。
[0076]如圖4K中所示，彩色濾光片114B、114G被朝下蝕刻而露出支撐壁212，其為支撐膜134的一部分。接著會如圖4L中所示般地移除該支撐膜134的一部分，使得對于該等彩色濾光片114B、114G而言，有一空氣/材料界面?？扇鐖D4L中所示般地移除該支撐膜134的另一部分，使得對于第二光導130而言，有一空氣/材料界面，以便更有助于內(nèi)反射(通過讓較靠近該界面的法線的光線產(chǎn)生全內(nèi)反射)。第一間隙422具有足夠小的寬度，0.45um或更小，使得照射在第一間隙422中的入射紅光和更小波長的光轉(zhuǎn)向到彩色濾光片114B或114G，從而會改進光接收效果。光會沿著彩色濾光片114B、114G和光導130與116進行內(nèi)反射。彩色濾光片114B、114G的折射率高于空氣，因此彩色濾光片114B、114G提供內(nèi)反射。同樣地，第二光導130具有會改進光導的內(nèi)反射性質(zhì)的空氣界面。如果支撐膜134未被完全移除，只要該支撐膜的折射率(舉例來說，氧化硅，1.46)低于光導材料(舉例來說，氮化硅，2.0)，則第二光導130與支撐膜134之間的界面具有良好的內(nèi)反射。同樣地，第一光導116與第一絕緣膜110之間的界面也會有良好的內(nèi)反射。圖7為像素陣列的四個像素200的俯視圖。對包含第一光導與第二光導兩者的實施例來說，區(qū)域B可為第二光導頂表面的區(qū)域，而區(qū)域C則代表第一光導底表面的區(qū)域。區(qū)域A扣除區(qū)域B則可為彩色濾光片之間的第一間隙422的區(qū)域。
[0077]圖8所示的是替代實施例，其在形成該支撐膜134后使用同一掩膜來蝕刻第二與第一光導兩者且在一步驟中利用光導材料填充兩者。圖9A到M中展示用于制造此替代實施例的一過程。該過程類似于圖4A到L中展示的過程，除了第一光導的開口是在第二光導的開口之后形成，如圖9F中所示，其中不需要任何額外掩膜，因為保護膜410與上方的支撐膜134會充當硬掩膜，用以阻擋蝕刻劑。兩個光導均在圖9G中所示的相同步驟中被填充。
[0078]圖1OA到H為用以曝光圖像傳感器的結(jié)合墊214的過程。如圖1OA到B中所示，在覆蓋結(jié)合墊214的第一絕緣材料110中形成開口 216。如圖1OC到D中所示，施加第一光導材料116且移除大部分的材料116，留下較薄層，用以密封下面的第一絕緣材料110。如圖1OE到F中所示，施加支撐膜材料134且在其中形成對應開口 218。如圖1OG中所示，施加第二光導材料130。如圖1OH中所示，用無掩膜蝕刻步驟來形成露出結(jié)合墊214的開口220。該蝕刻劑優(yōu)選具有侵蝕光導材料116與130 (舉例來說，氮化硅)的速度快過絕緣材料110與134 (舉例來說，氧化硅)和彩色濾光片114 (光致抗蝕劑)的特性。在CH3F/02*對氮化硅進行干式蝕刻的蝕刻速率會比對彩色濾光片或氧化硅進行干式蝕刻大5到10倍。
[0079]圖11展示抗反射(AR)堆疊的一實施例，其包含頂端AR膜236、第二 AR膜234、以及覆蓋轉(zhuǎn)換單元102的第三AR膜232。該抗反射堆疊會改進光從第一光導116到該等轉(zhuǎn)換單元102的透射。AR堆疊中的部件可共同構(gòu)成層230，其還會覆蓋襯底106、轉(zhuǎn)換單元102、以及電極104，以保護該等組件，防止化學污染物與濕氣。舉例來說，第二 AR膜234可為CMOS晶片制造中常用的接觸蝕刻停止氮化物膜，其為阻止接觸孔的氧化物蝕刻以防止多晶硅接點(其接觸孔通常會比源極/漏極接點淺2，000埃)的過度蝕刻。第三AR膜232可為氧化硅。該氧化硅膜可為柵極電極104下方的柵極絕緣膜；或是在常用的深亞微米CMOS工藝中在該柵極電極與間隙壁(未顯示)之間，延著柵極電極104的側(cè)邊向下延伸的間隙壁襯料氧化物(spacer liner oxide)膜；在接點娃化之前所沉積的娃化物阻擋(silicide-blocking)氧化物膜，用以阻止接點娃化；或是前述的組合；或是在娃化物阻擋氧化物蝕刻(其會蝕除和光導116的底部一致的區(qū)域中的所有氧化物)之后所沉積的毯覆式氧化物膜。使用既有的氮化硅接觸蝕刻停止膜作為AR堆疊的一部分會節(jié)省成本。相同的接觸蝕刻停止膜還可在該光導的制造中用來阻止蝕刻絕緣體110中的開口。最后，在以光導材料填充絕緣體110中的開口之前，在該開口中先形成頂端AR膜236。
[0080]頂端AR膜236的折射率低于光導116。第二 AR膜234的折射率高于頂端AR膜236。第三AR膜232的折射率低于第二 AR膜234。
[0081]頂端AR膜236可為氧化硅或氮氧化硅，其折射率約為1.46，厚度介于750埃與2000埃之間，優(yōu)選為800埃。第二 AR膜234可為氮化硅(Si3N4)，其折射率約為2.0，厚度介于300埃與900埃之間，優(yōu)選為500埃。第三AR膜232可為氧化硅或氮氧化硅(S1xNy，其中，0〈x〈2且0〈y〈4/3)，其折射率約為1.46，厚度介于25埃與170埃之間，優(yōu)選為75埃。第三AR膜232可包含圖2柵極電極104下方和襯底106上方的柵極氧化物，如美國專利申請?zhí)柕?1/009，454號圖3中所示。第三AR膜232可進一步包含同案圖3中所示的柵極襯料氧化物?；蛘?，第三AR膜232可通過在硅化物阻擋蝕刻移除美國專利申請案第61/009，454號的圖2中所示的硅化物阻擋氧化物64、柵極襯料氧化物55、以及柵極氧化物54之后(其使用具有和光導116的底部一致的掩膜開口的硅化物阻擋蝕刻掩膜)，毯覆式氧化硅沉積(blanket silicon oxide deposit1n)在晶片的每一個地方而形成。
[0082]圖11中所示的抗反射結(jié)構(gòu)可通過在該襯底上分別形成第三AR膜232與第二 AR膜234來制成。接著可在第二 AR膜234上形成絕緣體110。氮化硅膜可通過PECVD被沉積在該第一絕緣體110上，其沉積的方式會覆蓋與密封該絕緣體和下方的層，用以形成厚度介于10，000埃與4，000埃之間，優(yōu)選為7，000埃的保護膜410。舉例來說，支撐膜134可通過HDP氧化硅沉積而形成在保護膜410上。
[0083]掩蔽支撐膜134且施加第一蝕刻劑以蝕刻支撐膜134中的開口。選擇第一蝕刻劑為對保護膜材料具有很高的選擇性。舉例來說，如果支撐膜134包含HDP氧化硅而保護膜410包含氮化硅，則第一蝕刻劑便可為CHF3,其蝕刻HDP氧化硅會比氮化硅快5倍。接著，施加第二蝕刻劑以蝕穿氮化硅保護膜410。第二蝕刻劑可為CH3F/02。接著，再次施加第一蝕刻劑以蝕刻第一絕緣體110并且停止在包含氮化硅的接觸蝕刻停止膜234上。接觸蝕刻停止層234充當蝕刻劑停止層，用以界定開口的底部。接著通過各向異性沉積法(舉例來說，PECVD或HDP氧化硅沉積)在該開口中形成頂端AR膜236，其主要沉積到開口的底部而非側(cè)壁。可施加蝕刻劑以蝕除在該開口的側(cè)壁中延伸的任何殘留的頂端AR膜材料，舉例來說，使用第一蝕刻劑進行干式蝕刻并且讓晶片襯底保持一傾角且繞著平行于外來離子束的軸線旋轉(zhuǎn)。接著通過例如氮化硅PECVD在該等開口中形成光導材料。彩色濾光片可形成在該光導上方，而相鄰彩色濾光片之間的一部分支撐膜和相鄰光導之間的另一部分則可被蝕刻以產(chǎn)生圖5中所示的結(jié)構(gòu)。
[0084]圖12A到E展示用以在光導116與襯底202之間制造另一抗反射堆疊實施例的過程。參考圖12E，在此實施例中，在光導116以及包含頂端AR膜236、第二 AR膜234、和第三AR膜232的抗反射(AR)堆疊之間插設(shè)蝕刻停止膜238。該光導蝕刻停止膜238可為由和光導116相同的材料構(gòu)成，且可為氮化硅，其厚度介于100埃與300埃之間，優(yōu)選為150埃。本實施例中形成該AR堆疊的優(yōu)點為:可更精確地控制第二 AR膜234的厚度，其代價為多一道沉積步驟以及蝕穿接觸孔開口(未顯示)的氧化物-氮化物-氧化物-氮化物-氧化物堆疊而非氧化物-氮化物-氧化物堆疊的復雜度會略增。先前實施例使用第二 AR膜234作為光導蝕刻停止膜并且會在最后的絕緣體凹槽蝕刻過