元304可以包括:第二規(guī)格界限獲取子單元(圖中未示出)，用于對不能通過集成電路通用模擬模型確定規(guī)格界限的相關(guān)參數(shù)，將接收到的行業(yè)標準參數(shù)、工藝范圍數(shù)據(jù)參數(shù)或者客戶需求參數(shù)的至少其中之一，作為所述各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限。
[0084]在具體實例中，上述的晶圓質(zhì)量管控裝置還可以包括，更新單元309，用于當滿足預設(shè)條件時，更新所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限或者規(guī)格界限的設(shè)置信息。
[0085]在上述的具體實例中，所述更新條件包括:完成預設(shè)批次產(chǎn)品檢測，或者達到預設(shè)時間的至少其中之一。
[0086]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲于一計算機可讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括:ROM、RAM、磁盤或光盤等。
[0087]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。
【主權(quán)項】
1.一種晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，包括: 根據(jù)測量得到的各片晶圓的可接受測試參數(shù)和參考對象的對應(yīng)值，生成所述可接受測試參數(shù)與所述參考對象的擬合函數(shù)； 根據(jù)所述擬合函數(shù)生成所述可接受測試參數(shù)與所述參考對象的擬合系數(shù)； 當所述擬合系數(shù)大于設(shè)定值時，判定所述可接受測試參數(shù)為相關(guān)參數(shù)； 獲取并存儲針對各相關(guān)參數(shù)的控制界限和規(guī)格界限的設(shè)置信息；所述設(shè)置信息包括針對各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限和控制界限； 對晶圓進行WAT測試，并得到所述相關(guān)參數(shù)的測試值； 當所述相關(guān)參數(shù)的測試值落在所述規(guī)格界限外時，判定晶圓未通過WAT測試； 當所述相關(guān)參數(shù)的測試值落在所述控制界限外時，判定所述相關(guān)參數(shù)發(fā)生參數(shù)異常。2.如權(quán)利要求1所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，所述參考對象包括:良率、in-line制程參數(shù)或者可靠性參數(shù)。3.如權(quán)利要求1所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，所述控制界限外為所述相關(guān)參數(shù)的異常范圍；所述規(guī)格界限為所述相關(guān)參數(shù)的最大許可范圍。4.如權(quán)利要求1所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，獲取針對所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限的設(shè)置信息包括: 對于符合正態(tài)分布的所述相關(guān)參數(shù)，將預設(shè)分布區(qū)間作為所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限。5.如權(quán)利要求4所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，所述預設(shè)分布區(qū)間為(-4sigma, +4sigma);所述sigma為所述相關(guān)參數(shù)根據(jù)原始數(shù)據(jù)計算得到的標準差。6.如權(quán)利要求1或4所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，獲取針對各相關(guān)參數(shù)的控制界限的設(shè)置信息還包括: 對于不符合正態(tài)分布的所述相關(guān)參數(shù)，將接收到的工藝窗口參數(shù)、歷次測試問題和自定義規(guī)則的至少其中之一，作為所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限。7.如權(quán)利要求1所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，獲取針對各相關(guān)參數(shù)的所述規(guī)格界限的設(shè)置信息包括: 通過集成電路通用模擬模型計算所述各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限。8.如權(quán)利要求1或7所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，獲取針對各相關(guān)參數(shù)的所述規(guī)格界限的設(shè)置信息包括: 對不能通過集成電路通用模擬模型確定規(guī)格界限的參數(shù)，將接收到的行業(yè)標準參數(shù)、工藝范圍數(shù)據(jù)參數(shù)或者客戶需求參數(shù)的至少其中之一，作為所述各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限。9.如權(quán)利要求1所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，還包括當滿足預設(shè)條件時，更新所述各相關(guān)參數(shù)的設(shè)置信息。10.如權(quán)利要求9所述的晶圓質(zhì)量管控方法，其特征在于，所述預設(shè)條件包括以下至少其中之一:完成預設(shè)批次產(chǎn)品檢測，和達到預設(shè)時間。11.一種晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，包括: 擬合函數(shù)生成單元，用于根據(jù)測量得到的各片晶圓的可接受測試參數(shù)和參考對象的對應(yīng)值，生成所述可接受測試參數(shù)與所述參考對象的擬合函數(shù)； 擬合系數(shù)生成單元，用于根據(jù)所述擬合函數(shù)生成所述可接受測試參數(shù)與所述參考對象的擬合系數(shù)； 第一判定單元，用于當所述擬合系數(shù)大于設(shè)定值時，判定所述可接受測試參數(shù)為相關(guān)參數(shù)； 獲取單元，用于獲取針對各相關(guān)參數(shù)的控制界限和規(guī)格界限的設(shè)置信息； 所述設(shè)置信息包括針對各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限和控制界限； 存儲單元，用于存儲針對各相關(guān)參數(shù)的控制界限和規(guī)格界限的設(shè)置信息； 測試單元，用于對晶圓進行WAT測試，并得到所述相關(guān)參數(shù)的測試值； 第二判定單元，用于當所述相關(guān)參數(shù)的測試值落在所述規(guī)格界限外時，判定晶圓未通過WAT測試； 第三判定單元，用于當所述相關(guān)參數(shù)的測試值落在所述控制界限外時，判定所述相關(guān)參數(shù)發(fā)生參數(shù)異常。12.如權(quán)利要求11所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述控制界限外為所述相關(guān)參數(shù)的異常范圍；所述規(guī)格界限為所述相關(guān)參數(shù)的最大許可范圍。13.如權(quán)利要求11所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述獲取單元包括: 第一控制界限獲取子單元，用于對于符合正態(tài)分布的所述相關(guān)參數(shù)，將預設(shè)分布區(qū)間作為所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限。14.如權(quán)利要求13所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述預設(shè)分布區(qū)間為(-4sigma, +4sigma);所述sigma為所述相關(guān)參數(shù)根據(jù)原始數(shù)據(jù)計算得到的標準差。15.如權(quán)利要求11或13所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述獲取單元包括: 第二控制界限獲取子單元，用于對于不符合正態(tài)分布的所述相關(guān)參數(shù)，將接收到的工藝窗口參數(shù)、歷次測試問題和自定義規(guī)則的至少其中之一，作為所述各相關(guān)參數(shù)的控制界限。16.如權(quán)利要求11所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述獲取單元還包括:第一規(guī)格界限獲取子單元，用于通過集成電路通用模擬模型計算各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限。17.如權(quán)利要求11或16所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，所述獲取單元包括: 第二規(guī)格界限獲取子單元，用于對不能通過集成電路通用模擬模型確定規(guī)格界限的相關(guān)參數(shù)，將接收到的行業(yè)標準參數(shù)、工藝范圍數(shù)據(jù)參數(shù)或者客戶需求參數(shù)的至少其中之一，作為所述各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限。18.如權(quán)利要求11所述的晶圓質(zhì)量管控裝置，其特征在于，還包括:更新單元，用于當滿足預設(shè)條件時，更新所述各相關(guān)參數(shù)的設(shè)置信息。
【專利摘要】一種晶圓質(zhì)量管控方法和裝置，所述方法包括：根據(jù)測量得到的各片晶圓的可接受測試參數(shù)和參考對象的對應(yīng)值，生成可接受測試參數(shù)與參考對象的擬合函數(shù)；根據(jù)擬合函數(shù)生成可接受測試參數(shù)與參考對象的擬合系數(shù)；當擬合系數(shù)大于設(shè)定值時，判定可接受測試參數(shù)為相關(guān)參數(shù)；獲取并存儲針對各相關(guān)參數(shù)的控制界限和規(guī)格界限的設(shè)置信息；設(shè)置信息包括針對各相關(guān)參數(shù)的規(guī)格界限和控制界限；對晶圓進行WAT測試，并得到相關(guān)參數(shù)的測試值；當相關(guān)參數(shù)的測試值落在規(guī)格界限外時，判定晶圓未通過WAT測試；當相關(guān)參數(shù)的測試值落在控制界限外時，判定相關(guān)參數(shù)發(fā)生參數(shù)異常。所述方法和裝置，可以減少查找問題的過程中無關(guān)因素的干擾。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號】CN104900551
【申請?zhí)枴緾N201410077174
【發(fā)明人】周欣潔, 簡維廷, 張凱元, 侯大維, 葉景良
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年3月4日