陣列基板、平面顯示面板及陣列基板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、平面顯示面板及陣列基板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有的邊緣場開關(guān)模式(fringe-field switching，F(xiàn)FS)的陣列基板包括:一基板I ;一公共電極2，設(shè)置在基板I上；一絕緣層3，設(shè)置在公共電極2上；以及多個像素電極4，間隔設(shè)置在絕緣層3上，從圖1中可以看出，現(xiàn)有的陣列基板的設(shè)計使得像素電極之間的電場強(qiáng)度和像素電極上方的電場強(qiáng)度之間形成較大的差異。
[0003]當(dāng)該陣列基板應(yīng)用至平面顯示面板中時，由于像素電極上方和像素電極之間的電場強(qiáng)度不同，使得像素電極上方和像素電極之間這兩部分出現(xiàn)亮暗交替的情況，導(dǎo)致平面顯示面板呈現(xiàn)水波紋現(xiàn)象，直接影響到平面顯示面板的畫質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、平面顯示面板及陣列基板的制造方法，能夠調(diào)整像素電極之間的電場強(qiáng)度和像素電極上方的電場強(qiáng)度，從而為提高平面顯不面板的畫質(zhì)提供基礎(chǔ)。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，其包括:
[0006]基板；
[0007]公共電極，設(shè)置在所述基板上；
[0008]絕緣層，設(shè)置在所述公共電極上，其中，所述絕緣層包括多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域交替地進(jìn)行設(shè)置；
[0009]多個像素電極，分別設(shè)置在所述絕緣層的所述第一區(qū)域上；
[0010]其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的厚度不同。
[0011]其中，所述第一區(qū)域的厚度大于所述第二區(qū)域的厚度。
[0012]其中，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的厚度差設(shè)定為使得所述像素電極之間的電場強(qiáng)度和所述像素電極上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)。
[0013]其中，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的厚度差設(shè)定為使得像素電極之間的電場強(qiáng)度和所述像素電極上方的電場強(qiáng)度之間的差異為零。
[0014]其中，所述公共電極和所述像素電極采用透明導(dǎo)電材質(zhì)制成。
[0015]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種平面顯示面板，包括:
[0016]彩色濾光片基板；
[0017]陣列基板，與所述彩色濾光片基板相對；
[0018]液晶層，設(shè)置在所述彩色濾光片基板與所述陣列基板之間；
[0019]其中，所述陣列基板包括:
[0020]基板；
[0021]公共電極，設(shè)置在所述基板上；
[0022]絕緣層，設(shè)置在所述公共電極上，其中，所述絕緣層包括多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域交替地進(jìn)行設(shè)置；
[0023]多個像素電極，分別設(shè)置在所述絕緣層的所述第一區(qū)域上；
[0024]其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的厚度不同。
[0025]其中，所述第一區(qū)域的厚度大于所述第二區(qū)域的厚度。
[0026]其中，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的厚度差設(shè)定為使得所述像素電極之間的電場強(qiáng)度和所述像素電極上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)。
[0027]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0028]在基板上依次形成公共電極、絕緣層和像素電極層；
[0029]在所述像素電極層上涂布光阻層；
[0030]對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影以形成圖案化的光阻層；
[0031]利用圖案化的光阻層并采用第一蝕刻方式對所述像素電極層進(jìn)行蝕刻，以形成間隔的多個像素電極；
[0032]利用圖案化的光阻層并采用第二蝕刻方式對所述絕緣層進(jìn)行蝕刻，以使所述絕緣層形成交替的多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，其中，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的厚度不同。
[0033]其中，所述第一蝕刻方式為濕蝕刻，而所述第二蝕刻方式為干蝕刻。
[0034]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過將陣列基板上的絕緣層設(shè)置成包括多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域交替地進(jìn)行設(shè)置，且第一區(qū)域和第二區(qū)域的厚度不同，再將多個像素電極分別設(shè)置在該絕緣層的第一區(qū)域上，由于絕緣層的第一區(qū)域和第二區(qū)域的厚度不同，通過這種方式，能夠通過調(diào)整絕緣層的第一區(qū)域和第二區(qū)域的厚度從而調(diào)整像素電極之間的電場強(qiáng)度和像素電極上方的電場強(qiáng)度，根據(jù)需要，進(jìn)一步可以使得像素電極之間的電場強(qiáng)度和像素電極上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)，從而可以使得像素電極之間和像素電極上方的亮度保持在均勻狀態(tài)，能夠避免平面顯示面板出現(xiàn)水波紋現(xiàn)象，提高畫質(zhì)，提高用戶的體驗(yàn)舒適度。
【附圖說明】
[0035]圖1是現(xiàn)有陣列基板在置于電場中時的電場分布不意圖。
[0036]圖2是本發(fā)明平面顯示面板的一實(shí)施方式的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖3是圖2的平面顯示面板中的陣列基板在置于電場中時的電場分布示意圖。
[0038]圖4是本發(fā)明陣列基板的制造方法的一實(shí)施方式的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0040]請參閱圖2，圖2是本發(fā)明平面顯示面板的一實(shí)施方式的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]平面顯示面板100包括陣列基板10、彩色濾光片基板30以及設(shè)置在彩色濾光片30和陣列基板10之間的液晶層20。
[0042]陣列基板10包括基板12、公共電極14、絕緣層16以及多個像素電極18。
[0043]基板12形成在該陣列基板10的最底層(以圖2的視圖作為參考)。
[0044]公共電極14設(shè)置在基板12上，該公共電極14可以采用透明導(dǎo)電材質(zhì)制成或者其他現(xiàn)有制成公共電極的任何材質(zhì)制成，例如金屬材料等材質(zhì)。
[0045]絕緣層16包括多個第一區(qū)域162和多個第二區(qū)域164，第一區(qū)域162和第二區(qū)域164交替地進(jìn)行設(shè)置，其中第一區(qū)域162和第二區(qū)域164的厚度不同。其中，第一區(qū)域162和第二區(qū)域164的材質(zhì)可由相同的材質(zhì)制成，也可由不同的材質(zhì)制成。
[0046]多個像素電極18分別設(shè)置在絕緣層16的第一區(qū)域162上，以使得每一像素電極18間隔設(shè)置在絕緣層16上。這些像素電極18可采用透明導(dǎo)電材質(zhì)制成或者其他現(xiàn)有制成像素電極的任何材質(zhì)制成，例如多晶硅等材料。
[0047]液晶層20設(shè)置在彩色濾光片基板30和陣列基板10之間，液晶層20填充有液晶。其中，現(xiàn)有平面顯示面板中填充的液晶和彩色濾光片基板的材質(zhì)均可適用于本發(fā)明填充的液晶和彩色濾光片基板30。
[0048]本實(shí)施方式中通過將陣列基板10上的絕緣層16設(shè)置成包括多個第一區(qū)域162和多個第二區(qū)域164，其中，第一區(qū)域162和第二區(qū)域164交替地進(jìn)行設(shè)置，且第一區(qū)域162和第二區(qū)域164的厚度不同，再將多個像素電極18分別設(shè)置在該絕緣層16的第一區(qū)域162上，由于絕緣層16的第一區(qū)域162和第二區(qū)域164的厚度不同，通過這種方式，能夠通過調(diào)整絕緣層16的第一區(qū)域162和第二區(qū)域164的厚度從而調(diào)整像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度，從而為提高平面顯示面板的畫質(zhì)提供基礎(chǔ)。
[0049]進(jìn)一步地，該第一區(qū)域162與第二區(qū)域164的厚度差可設(shè)定為使像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)。所述預(yù)定范圍是指根據(jù)實(shí)際需要，調(diào)整像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異在可控的電場強(qiáng)度范圍之內(nèi)，在該電場強(qiáng)度的預(yù)定范圍內(nèi)，第一區(qū)域162與第二區(qū)域164的厚度差也是一個范圍區(qū)間。例如，為了使像素電極18之間和像素電極18上方這兩部分不出現(xiàn)明顯的亮暗交替的情況，平面顯示面板不呈現(xiàn)明顯的水波紋現(xiàn)象，調(diào)整第一區(qū)域162與第二區(qū)域164的厚度差范圍，從而使得像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)。更進(jìn)一步地，第一區(qū)域162與第二區(qū)域164的厚度差設(shè)定為使得像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異為零，此時，像素電極18之間和像素電極18上方這兩部分沒有亮暗交替的情況，平面顯示面板沒有水波紋現(xiàn)象。
[0050]其中，對于第一區(qū)域162和第二區(qū)域164各自的厚度的大小并不限定，只要該第一區(qū)域162與第二區(qū)域164的厚度差能夠?qū)崿F(xiàn)像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)即可。
[0051]具體地，請參閱圖3，圖3是圖2中平面顯示面板100中的陣列基板10在置于電場中時的電場分布示意圖。該陣列基板100的絕緣層16的第一區(qū)域162的厚度為hi，第二區(qū)域164的厚度為匕，其中，第一區(qū)域162的厚度與第二區(qū)域164的厚度差為Ah。
[0052]該第一區(qū)域162與第二區(qū)域164形成的厚度差Δ h，一方面可調(diào)節(jié)像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異保持在預(yù)定范圍內(nèi)，甚至差異為零，這樣使得像素電極18之間和像素電極18上方的電場分布均勻一致，提升顯示效果；另一方面提升像素電極18之間的開口率，使得像素電極18之間的光線的穿透率也相應(yīng)提升，從而提升位于像素電極18之間的平面顯示面板區(qū)域的亮度，這樣從整體上使得該平面顯示面板100的顯示亮度增加。
[0053]當(dāng)然，在其他一些實(shí)施例中，該陣列基板100的絕緣層16的第一區(qū)域162的厚度4可小于第二區(qū)域164的厚度h 2，即具體地，制成該絕緣層16的第一區(qū)域162的材料與第二區(qū)域164的材料不同，第一區(qū)域162材料的介電常數(shù)遠(yuǎn)大于第二區(qū)域164的介電常數(shù)，由于電介常數(shù)與電場強(qiáng)度呈反比關(guān)系，因此當(dāng)具有足夠高的介電常數(shù)的第一區(qū)域162和具有足夠低的介電常數(shù)的第二區(qū)域164置于電場中時，即便第一區(qū)域162的厚度Ii1小于第二區(qū)域164的厚度h2，設(shè)置在絕緣層16上的像素電極18之間的電場強(qiáng)度和像素電極18上方的電場強(qiáng)度之間的差異也可保持在預(yù)定范圍內(nèi)。
[0054]本發(fā)明的平面顯示面板通過將陣列基板上的絕緣層設(shè)置成包括多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域交替地進(jìn)行設(shè)置，且第一區(qū)域和第二區(qū)域的厚度不同，再將多個