發(fā)光器件封裝裝置及照明裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光器件封裝裝置及照明裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting d1de，LED)是一種半導(dǎo)體器件，其通過(guò)化合物半導(dǎo)體的PN結(jié)構(gòu)成發(fā)光源，并可以發(fā)出各種顏色的光線。LED具有較長(zhǎng)的使用壽命，易于制造成小尺寸且質(zhì)量輕，具有較強(qiáng)的光方向性，，抗沖擊和抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，因而得到廣泛地應(yīng)用。通常情況下LED單獨(dú)封裝，并包括正極和負(fù)極，當(dāng)需要用LED制造成一定功能的電路時(shí)，比如，需要用多個(gè)LED制造成并聯(lián)的電路時(shí)，要同引線將所有LED的正極連接在一起，再用另外的引線將所有LED的負(fù)極連接在一起。由此可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中，若使用多個(gè)LED形成一定功能的電路時(shí)，LED的制備和電路的制作是分開(kāi)的，給用戶造成了一定的不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種發(fā)光器件封裝裝置，所述發(fā)光器件封裝裝置包括引線框架及多個(gè)發(fā)光器件芯片，所述引線框架用于支撐所述發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件芯片用于發(fā)光，所述引線框架包括第一子框架及第二子框架，所述第一子框架加載第一極性電壓，所述第二子框架加載第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為正電壓及負(fù)電壓，或者，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為負(fù)電壓及正電壓，所述第一子框架鄰近所述第二子框架設(shè)置，所述第一子框架包括多個(gè)第一凸出部，相鄰的第一凸出部之間設(shè)置第一間隙，所述第二框架包括多個(gè)第二凸出部，相鄰的第二凸出部之間設(shè)置第二間隙，當(dāng)所述引線框架組裝時(shí)，所述第一凸出部設(shè)置于所述第二間隙，所述第二凸出部設(shè)置于所述第一間隙，以使得所述第一子框架與所述第二子框架相鄰的部分相吻合，所述發(fā)光器件芯片設(shè)置在相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。
[0004]其中，所述發(fā)光器件封裝裝置還包括多個(gè)反射槽，所述反射槽設(shè)置相鄰的第一凸出部及第二凸出部上，所述反射槽用于將自所述發(fā)光器件芯片發(fā)出的光線朝向預(yù)設(shè)方向反射，所述發(fā)光器件芯片設(shè)置在所述發(fā)射槽內(nèi)，以通過(guò)所述反射槽設(shè)置在相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。
[0005]其中，相鄰的第一凸出部及第二凸出部之間通過(guò)結(jié)合件結(jié)合，所述結(jié)合件的材料為絕緣材料。
[0006]其中，所述結(jié)合件與所述反射槽一體成型。
[0007]其中，相鄰的第一凸出部及第二凸出部之間涂布絕緣材料。
[0008]其中，所述發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu)還包括發(fā)光樹(shù)脂層，所述發(fā)光樹(shù)脂層覆蓋在所述反射槽內(nèi)并覆蓋所述發(fā)光器件芯片。
[0009]其中，所述發(fā)光器件封裝裝置還包括保護(hù)透鏡，所述保護(hù)透鏡覆蓋在所述發(fā)光樹(shù)脂層上。
[0010]其中，所述保護(hù)透鏡包括多個(gè)透鏡子單元，每個(gè)透鏡子單元對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光器件芯片設(shè)置，所述透鏡子單元的入光面與所述發(fā)光器件的出光面的結(jié)構(gòu)相同。
[0011]其中，所述第一凸出部的形狀為矩形，所述第二凸出部的形狀為矩形；或者，所述第一凸出部的形狀為波浪形，所述第二凸出部的形狀為波浪形；或者，所述第一凸出部的形狀為鋸齒形，所述第二凸出部的形狀為鋸齒形。
[0012]本發(fā)明還提供了一種照明裝置，所述照明裝置包括前述各個(gè)實(shí)施方式所述的發(fā)光器件封裝裝置。
[0013]本發(fā)明提供的發(fā)光器件封裝裝置包括引線框架及多個(gè)發(fā)光器件芯片。所述引線框架用于支撐所述發(fā)光器件芯片，所述發(fā)光器件用于發(fā)光，所述引線框架包括第一子框架及第二子框架，所述第一子框架及所述第二子框架分別加載第一極性電壓及第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性分別為所述發(fā)光器件芯片提供正電壓及負(fù)電壓或者負(fù)電壓及正電壓。所述第一子框架鄰近所述第二子框架設(shè)置，所述第一子框架包括多個(gè)第一凸出部，相鄰的第一凸出部之間設(shè)置第一間隙。所述第二子框架包括第二凸出部，相鄰的第二凸出部之間設(shè)置第二間隙。當(dāng)所述引線框架組裝時(shí)，所述第一凸出部設(shè)置于所述第二間隙，所述第二凸出部設(shè)置于所述第一間隙，以使得所述第一子框架與所述第二子框架相鄰的部分相吻合，所述發(fā)光器件芯片設(shè)置在所述相鄰的第一凸出部及第二凸出部上。當(dāng)所述發(fā)光器件封裝裝置制作完成時(shí)，所述發(fā)光器件芯片形成了一并聯(lián)的電路。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將多個(gè)發(fā)光器件芯片設(shè)置于引線框架上，從而使得發(fā)光器件芯片的制作和電路的制作是同時(shí)進(jìn)行的，由此，方便了用戶的使用。
【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的立體分解圖。
[0016]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的組裝圖。
[0017]圖3為本發(fā)明圖1中提供的發(fā)光器件封裝裝置中除保護(hù)透鏡外的俯視圖。
[0018]圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的等效電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0020]請(qǐng)一并參閱圖1、圖2和圖3，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的立體分解圖；圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式提供的發(fā)光器件封裝裝置的組裝圖；圖3為本發(fā)明圖1中提供的發(fā)光器件封裝裝置中除保護(hù)透鏡外的俯視圖。所述發(fā)光器件封裝裝置10包括引線框架100及多個(gè)發(fā)光器件芯片200，所述引線框架100用于支撐所述發(fā)光器件芯片200，所述發(fā)光器件200用于發(fā)光。所述引線框架100包括第一子框框110和第二子框架130，第一子框架110加載第一極性電壓，所述第二子框架130加載第二極性電壓，其中，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為正電壓及負(fù)電壓，或者，所述第一極性電壓及所述第二極性電壓分別為負(fù)電壓及正電壓。所述第一極性電壓及所述第二極性電壓用于提供給所述發(fā)光器件芯片200，以作為所述發(fā)光器件芯片200的工作電壓。所述第一子框框110鄰近所述第二子框架130設(shè)置，所述第一子框架110包括多個(gè)第一凸出部111，相鄰的第一凸出部111之間設(shè)置第二間隙113。所述第二子框架130包括多個(gè)第二凸出部131，相鄰的第二凸出部之間設(shè)置第二間隙133。當(dāng)所述引線框架100組裝時(shí)，所述第一凸出部111設(shè)置于所述第二間隙133，所述第二凸出部133設(shè)置于所述第一間隙111，以使得所述第一子框架110與所述第二子框架130相鄰的部分吻合。所述發(fā)光器件芯片200設(shè)置在相鄰的第一凸出部111和所述第二凸出部131上。換句話說(shuō)，所述發(fā)光器件芯片200的一端設(shè)置在所述第一凸出部111上，所述發(fā)光器件芯片200的另一端設(shè)置在所述第二凸出部131上。優(yōu)選地，相鄰的兩發(fā)光器件芯片200之間間隔預(yù)設(shè)距離。
[0021]所示引線框架100可以使用諸如鋁或銅的金屬材料通過(guò)擠壓或蝕刻來(lái)形成。
[0022]所述發(fā)光器件芯片200可以是包括正電極和負(fù)電極的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片可以而根據(jù)所述發(fā)光二極管芯片的化合物半導(dǎo)體的材料而發(fā)射藍(lán)光、綠光和紅光。而且，所述發(fā)光二極管芯片可以涂覆有熒光材料，由此可以發(fā)射白光。比如，所述藍(lán)光發(fā)光二極管可以包括具有多個(gè)量子阱結(jié)構(gòu)的有源層，在該量子阱結(jié)構(gòu)中交替地形成GaN和InGaN0在本實(shí)施方式中，所述發(fā)光器件芯片200可以是發(fā)光二極管芯片，然而，本發(fā)明中所述的發(fā)光二極管芯片200并不僅限于此，所述發(fā)光二極管芯片200也可以是，比如為UV光二極管芯片、激光二極管芯片或者有機(jī)發(fā)光二極管芯片。
[0023]所述發(fā)光器件芯片200被排列成行且形成并聯(lián)的電路結(jié)構(gòu)。
[0024]所述發(fā)光器件封裝裝置10還包括多個(gè)反射槽300，所述反射槽300設(shè)置在相鄰的第一凸出部111以及第二凸出部131上，所述反射槽300用于將自所述發(fā)光器件芯片200發(fā)出的光線朝向預(yù)設(shè)方向反射，所述發(fā)光器件芯片200設(shè)置在所述反射槽300內(nèi)，以通過(guò)所述反射槽300設(shè)置在相鄰的第一凸出部111及所述第二凸出部131上。比如，所述發(fā)光器件芯片200可以通過(guò)引線結(jié)合安裝在所述反射槽300中。所述發(fā)光器件芯片200發(fā)出的光線的出射效率可以由于所述反射槽300的設(shè)置而得到改善。
[0025]優(yōu)選地，所示第一凸出部111及所述第二凸出部131上設(shè)置相應(yīng)的安裝部用于安裝所述反射槽300。
[0026]在一實(shí)施方式中，相鄰的