用于集成電路制造的物品、工藝、系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】
[0001] 本分案申請(qǐng)的母案申請(qǐng)日為2007年6月12日、申請(qǐng)?zhí)枮?00780022560. 5、發(fā)明名 稱為"塊體金屬玻璃焊料、發(fā)泡塊體金屬玻璃焊料、芯片封裝中的發(fā)泡焊料接合墊、裝配其 的方法及包含其的系統(tǒng)"。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 實(shí)施例一般涉及集成電路制造。更具體地說，實(shí)施例涉及集成電路制造中的電連 接。
【背景技術(shù)】
[0003] 電連接是封裝的集成電路（IC)的重要部分。IC管芯經(jīng)常制造成諸如處理器等微 電子設(shè)備。電連接在IC管芯操作期間遇到熱應(yīng)力。此外，在制造和處理期間，封裝的IC管 芯可遇到會(huì)損害電連接完整性的物理震擊（shock)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 技術(shù)方案1. 一種用于集成電路制造的物品，包括：
[0005] 塊體金屬玻璃，其中所述塊體金屬玻璃在從電凸塊、金屬化互連、跡線和接合墊中 選擇的宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型中，其中，在所述接合墊上形成中間焊料層，所述中間焊料層是塊體金 屬玻璃預(yù)發(fā)泡。
[0006] 技術(shù)方案2.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃具有從多泡孔泡沫 和網(wǎng)狀泡沫選擇的微觀結(jié)構(gòu)發(fā)泡構(gòu)型。
[0007] 技術(shù)方案3.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從ZrAlCuO、 ZrAlNiCuO, ZrAlNiCuO, ZrTiAlNiCuO, ZrAlNiCu (Cr, Mo) , ZrAlNiCu (Ag, Pd, Au, Pt), ZrAlNiCu (Nb, Ta, V)、ZrAlNi (Ag, Pd, Au, Pt)、ZrAlCuPcU ZrNi (Fe, Co)、ZrNi (Pd, Au, Pt)、 ZrCuPd、ZrPd、ZrPt或其組合中選擇的錯(cuò)合金。
[0008] 技術(shù)方案4.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從HfAlNiCu、 HfAlNiCuPcU HfAlNiAg、HfCu (Pd, Pt)或其組合中選擇的鉿合金。
[0009] 技術(shù)方案5.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是從TiZrNi、 TiZrNiCu或其組合中選擇的鈦合金。
[0010] 技術(shù)方案6.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃是鐵合金。
[0011] 技術(shù)方案7.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述塊體金屬玻璃從鋯合金、鉿合金、 鈦合金、鐵合金或其組合中選擇。
[0012] 技術(shù)方案8.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是具有凸塊直徑在 大約1 μπι到大約300 μπι范圍的電凸塊。
[0013] 技術(shù)方案9.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是電凸塊，包括：
[0014] 發(fā)泡焊料核第一材料；以及
[0015] 焊料襯底第二材料，所述焊料襯底第二材料上布置有所述發(fā)泡焊料核第一材料。
[0016] 技術(shù)方案10.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是電凸塊，包括：
[0017] 發(fā)泡焊料核第一材料；以及
[0018] 焊料殼第二材料，所述焊料殼第二材料覆蓋所述發(fā)泡焊料核第一材料。
[0019] 技術(shù)方案11.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是金屬化互連，并 且其中所述塊體金屬玻璃具有從多泡孔泡沫和網(wǎng)狀泡沫中選擇的微觀結(jié)構(gòu)發(fā)泡構(gòu)型。
[0020] 技術(shù)方案12.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是包括第一電凸 塊和與所述第一電凸塊間隔分開的第二電凸塊的電凸塊。
[0021] 技術(shù)方案13.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型包括第一電凸塊 和與所述第一電凸塊間隔分開的第二電凸塊，以及其中所述第一電凸塊與所述第二電凸塊 相鄰并且以少于或等于〇. 8毫米的間距間隔分開。
[0022] 技術(shù)方案14.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是成形在安裝襯 底上其板側(cè)的電凸塊。
[0023] 技術(shù)方案15.如技術(shù)方案1所述的物品，其中所述宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型是成形在安裝襯 底上其管芯側(cè)的電凸塊。
[0024] 技術(shù)方案16. -種用于集成電路制造的物品，包括：
[0025] 在集成電路設(shè)備中的接合墊，其中所述接合墊具有發(fā)泡金屬微觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型，其中， 所述接合墊包含塊體金屬玻璃，其中，在所述接合墊上形成中間焊料層，所述中間焊料層是 塊體金屬玻璃預(yù)發(fā)泡。
[0026] 技術(shù)方案17.如技術(shù)方案16所述的物品，其中所述接合墊包括從鋯合金、鉿合金、 鈦合金、鐵合金及其組合中選擇的塊體金屬玻璃。
[0027] 技術(shù)方案18.如技術(shù)方案16所述的物品，其中所述發(fā)泡金屬微觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型從多泡 孔發(fā)泡和網(wǎng)狀發(fā)泡中選擇。
[0028] 技術(shù)方案19.如技術(shù)方案16所述的物品，其中所述接合墊成形在安裝襯底其板 側(cè)。
[0029] 技術(shù)方案20.如技術(shù)方案16所述的物品，其中所述接合墊成形在安裝襯底其管芯 側(cè)。
[0030] 技術(shù)方案21. -種用于集成電路制造的工藝，包括：
[0031] 共沉積塊體金屬玻璃前驅(qū)物顆粒與成孔劑顆粒，其中所述塊體金屬玻璃在從電凸 塊、金屬化互連、跡線和接合墊中選擇的宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型中，其中，在所述接合墊上形成中間 焊料層，所述中間焊料層是塊體金屬玻璃預(yù)發(fā)泡。
[0032] 技術(shù)方案22.如技術(shù)方案21所述的工藝，其中所述成孔劑顆粒是多孔顆粒，以及 其中共沉積是從電凸塊、金屬化互連、跡線及接合墊中選擇的宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型的共沉積。
[0033] 技術(shù)方案23.如技術(shù)方案21所述的工藝，其中所述成孔劑顆粒是發(fā)泡劑顆粒，以 及其中共沉積是從電凸塊、金屬化互連、跡線及接合墊中選擇的宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型的共沉積。
[0034] 技術(shù)方案24. -種用于集成電路制造的系統(tǒng)，包括：
[0035] 管芯；
[0036] 在集成電路設(shè)備中的接合墊，其中所述接合墊具有發(fā)泡金屬微觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型，其中， 所述接合墊包含塊體金屬玻璃，其中，在所述接合墊上形成中間焊料層，所述中間焊料層是 塊體金屬玻璃預(yù)發(fā)泡；以及
[0037] 通過所述接合墊耦合到所述管芯的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
[0038] 技術(shù)方案25.如技術(shù)方案24所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)布置在計(jì)算機(jī)、無線通信 器、手持式裝置、汽車、機(jī)車、航空器、水運(yùn)工具或航天器之一中。
[0039] 技術(shù)方案26.如技術(shù)方案24所述的系統(tǒng)，其中所述管芯是從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、數(shù)字 信號(hào)處理器、微控制器、專用集成電路或微處理器中選擇。
[0040] 技術(shù)方案27. -種用于集成電路制造的系統(tǒng)，包括：
[0041] 管芯；
[0042] 耦合到所述管芯的塊體金屬玻璃，其中所述塊體金屬玻璃在從電凸塊、金屬化互 連、跡線和接合墊中選擇的宏觀結(jié)構(gòu)構(gòu)型中，其中，在