帶焊絲線圈凹槽的晶片座的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶片座領(lǐng)域，特別是涉及一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體或芯片是由硅生產(chǎn)出來的。晶圓片上刻蝕出數(shù)以百萬計的晶體管，這些晶體管比人的頭發(fā)要細(xì)小上百倍。半導(dǎo)體通過控制電流來管理數(shù)據(jù)，形成各種文字、數(shù)字、聲音、圖象和色彩。它們被廣泛用于集成電路，并間接被地球上的每個人使用。這些應(yīng)用有些是日常應(yīng)用，如計算機、電信和電視，還有的應(yīng)用于先進的微波傳送、激光轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、醫(yī)療診斷和治療設(shè)備、防御系統(tǒng)和NASA航天飛機。而作為承載晶片的載體，晶片座在實際加工中也是相當(dāng)重要的部件，但傳統(tǒng)的晶片座在與晶片焊合時粘合度不夠，很容易造成兩者脫離，并且焊合時錫液會溢出晶片座帶來一定的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結(jié)構(gòu)和增設(shè)的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內(nèi)而不會溢出晶片座。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面上開設(shè)有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述線圈凹槽內(nèi)嵌入線圈絲，所述線圈絲上設(shè)有凸焊點。
[0005]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述線圈凹槽上相互環(huán)形槽壁間的間隔長度相同。
[0006]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述凸焊點等間距分布設(shè)置于所述線圈絲上。
[0007]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述凸焊點高度凸出高于所述線圈凹槽端面高度設(shè)置。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結(jié)構(gòu)和增設(shè)的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內(nèi)而不會溢出晶片座。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發(fā)明帶焊絲線圈凹槽的晶片座一較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖中各部件的標(biāo)記如下:1、晶片座本體；2、線圈凹槽；3、線圈絲；4、凸焊點。
【具體實施方式】
[0010]下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0011]請參閱圖1，本發(fā)明實施例包括:
一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體1，所述晶片座本體I上端面上開設(shè)有線圈凹槽2，所述線圈凹槽2為封閉型多圈環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述線圈凹槽2內(nèi)嵌入線圈絲3，所述線圈絲3上設(shè)有凸焊點4。
[0012]另外，所述線圈凹槽2上相互環(huán)形槽壁間的間隔長度相同。
[0013]另外，所述凸焊點4等間距分布設(shè)置于所述線圈絲3上。
[0014]另外，所述凸焊點4高度凸出高于所述線圈凹槽2端面高度設(shè)置。
[0015]本發(fā)明的工作原理為在晶片座本體I上端面上開設(shè)線圈凹槽2，線圈凹槽2為封閉型多圈環(huán)形結(jié)構(gòu)，線圈凹槽2上相互環(huán)形槽壁間的間隔長度相同，線圈凹槽2內(nèi)嵌入線圈絲3，線圈絲3上設(shè)有凸焊點4，凸焊點4等間距分布設(shè)置于線圈絲3上，凸焊點4高度凸出高于線圈凹槽2端面高度設(shè)置，在將晶片和晶片座本體I焊合時，只要將晶片對準(zhǔn)線圈凹槽2焊合即可，此時多圈結(jié)構(gòu)的線圈凹槽2和多個凸焊點4增加了與晶片的接觸范圍，使得晶片與晶片座本體I的粘合度大大提高，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽2內(nèi)而不會溢出晶片座本體I。
[0016]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，其特征在于，所述晶片座本體上端面上開設(shè)有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述線圈凹槽內(nèi)嵌入線圈絲，所述線圈絲上設(shè)有凸焊點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述線圈凹槽上相互環(huán)形槽壁間的間隔長度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述凸焊點等間距分布設(shè)置于所述線圈絲上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述凸焊點高度凸出高于所述線圈凹槽端面高度設(shè)置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面上開設(shè)有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述線圈凹槽內(nèi)嵌入線圈絲，所述線圈絲上設(shè)有凸焊點。通過上述方式，本發(fā)明能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結(jié)構(gòu)和增設(shè)的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內(nèi)而不會溢出晶片座。
【IPC分類】H01L23-488, H01L23-13
【公開號】CN104576549
【申請?zhí)枴緾N201410785671
【發(fā)明人】黃根友
【申請人】無錫科諾達電子有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月18日