帶焊絲線圈凹槽的晶片座的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及晶片座領域，特別是涉及一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座。
【背景技術】
[0002]半導體或芯片是由硅生產出來的。晶圓片上刻蝕出數以百萬計的晶體管，這些晶體管比人的頭發(fā)要細小上百倍。半導體通過控制電流來管理數據，形成各種文字、數字、聲音、圖象和色彩。它們被廣泛用于集成電路，并間接被地球上的每個人使用。這些應用有些是日常應用，如計算機、電信和電視，還有的應用于先進的微波傳送、激光轉換系統(tǒng)、醫(yī)療診斷和治療設備、防御系統(tǒng)和NASA航天飛機。而作為承載晶片的載體，晶片座在實際加工中也是相當重要的部件，但傳統(tǒng)的晶片座在與晶片焊合時粘合度不夠，很容易造成兩者脫離，并且焊合時錫液會溢出晶片座帶來一定的問題。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型主要解決的技術問題是提供一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結構和增設的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內而不會溢出晶片座。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型采用的一個技術方案是:提供一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面上開設有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結構，所述線圈凹槽內嵌入線圈絲，所述線圈絲上設有凸焊點。
[0005]在本實用新型一個較佳實施例中，所述線圈凹槽上的環(huán)形槽體之間間距相同。
[0006]在本實用新型一個較佳實施例中，所述凸焊點等間距分布設置于所述線圈絲上。
[0007]在本實用新型一個較佳實施例中，所述凸焊點高度凸出高于所述線圈凹槽端面高度設置。
[0008]本實用新型的有益效果是:本實用新型能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結構和增設的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內而不會溢出晶片座。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中:
[0010]圖1是本實用新型帶焊絲線圈凹槽的晶片座一較佳實施例的結構示意圖；
[0011]附圖中各部件的標記如下:1、晶片座本體；2、線圈凹槽；3、線圈絲；4、凸焊點。
【具體實施方式】
[0012]下面將對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0013]請參閱圖1，本實用新型實施例包括:
[0014]一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體1，所述晶片座本體I上端面上開設有線圈凹槽2，所述線圈凹槽2為封閉型多圈環(huán)形結構，所述線圈凹槽2內嵌入線圈絲3，所述線圈絲3上設有凸焊點4。
[0015]另外，所述線圈凹槽2上的環(huán)形槽體之間間距相同。
[0016]另外，所述凸焊點4等間距分布設置于所述線圈絲3上。
[0017]另外，所述凸焊點4高度凸出高于所述線圈凹槽2端面高度設置。
[0018]本實用新型的工作原理為在晶片座本體I上端面上開設線圈凹槽2，線圈凹槽2為封閉型多圈環(huán)形結構，線圈凹槽2上的環(huán)形槽體之間間距相同，線圈凹槽2內嵌入線圈絲3，線圈絲3上設有凸焊點4，凸焊點4等間距分布設置于線圈絲3上，凸焊點4高度凸出高于線圈凹槽2端面高度設置，在將晶片和晶片座本體I焊合時，只要將晶片對準線圈凹槽2焊合即可，此時多圈結構的線圈凹槽2和多個凸焊點4增加了與晶片的接觸范圍，使得晶片與晶片座本體I的粘合度大大提高，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽2內而不會溢出晶片座本體I。
[0019]以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，其特征在于，所述晶片座本體上端面上開設有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結構，所述線圈凹槽內嵌入線圈絲，所述線圈絲上設有凸焊點。
2.根據權利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述線圈凹槽上的環(huán)形槽體之間間距相同。
3.根據權利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述凸焊點等間距分布設置于所述線圈絲上。
4.根據權利要求1所述的帶焊絲線圈凹槽的晶片座，其特征在于，所述凸焊點高度凸出高于所述線圈凹槽端面高度設置。
【專利摘要】本實用新型公開了一種帶焊絲線圈凹槽的晶片座，包括晶片座本體，所述晶片座本體上端面上開設有線圈凹槽，所述線圈凹槽為封閉型多圈環(huán)形結構，所述線圈凹槽內嵌入線圈絲，所述線圈絲上設有凸焊點。通過上述方式，本實用新型能夠增加晶片與晶片座在焊合時的粘合度，環(huán)形線圈式的結構和增設的凸焊點大大提高了接觸范圍，同時焊合時多余錫液能落入線圈凹槽內而不會溢出晶片座。
【IPC分類】H01L23-13, H01L23-488
【公開號】CN204424239
【申請?zhí)枴緾N201420803116
【發(fā)明人】黃根友
【申請人】無錫科諾達電子有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2014年12月18日