半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法及接觸區(qū)域的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法及接觸區(qū)域。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝或凸點(diǎn)制造時(shí)，為了在晶圓表面形成設(shè)計(jì)凸點(diǎn)的金屬線路或金屬凸點(diǎn)，需要先在晶圓表面通過(guò)物理氣相沉積的方法形成一層電鍍所需要的金屬種子層。然后在金屬種子層上通過(guò)光刻圖形轉(zhuǎn)移方法形成有設(shè)計(jì)圖案的正性光阻，而為了電鍍工藝要求需要在這層正性光阻的晶圓邊緣形成無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域。
[0003]一般所公知的工藝步驟如圖1所示，其工藝流程的產(chǎn)品截面圖如圖2所示，其流程如下。參見(jiàn)圖1、圖2和圖3，S801:首先在半導(dǎo)體晶圓21上通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布的方法形成正性光阻22 ；S802:形成正性光阻22同時(shí)在邊緣噴出大量有機(jī)溶劑:通過(guò)在晶圓邊上內(nèi)噴有機(jī)清洗液的方法在半導(dǎo)體晶圓邊緣形成無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域；S803:涂布結(jié)束時(shí)把正性光租22的邊緣洗掉形成鋸齒邊緣22a ；S804:曝光，形成第一圖案22b ；S805:曝光后顯影前對(duì)中并顯影。S805:顯影后在正性光阻上形成設(shè)計(jì)第二圖案22c。
[0004]現(xiàn)有的方法在半導(dǎo)體晶圓邊緣形成的無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域?qū)挾确秶鸀?.0mm到1.8mm之間，容易造成電鍍時(shí)設(shè)備報(bào)警、電鍍高度不一致甚至是產(chǎn)品報(bào)廢。而且所形成的鋸齒狀邊緣光刻膠22a容易臟污電鍍治具的接觸電極，增加電鍍治具的預(yù)防性維護(hù)頻次。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種不會(huì)造成電鍍時(shí)設(shè)備報(bào)警，且減少電鍍治具的預(yù)防性維護(hù)頻次的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
[0008]一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0009]S801:在半導(dǎo)體晶圓上形成正性光阻；
[0010]S802:在形成正性光阻同時(shí)在邊緣噴射顯影液；
[0011]S803:把正性光阻未洗掉的邊緣形成弧形；
[0012]S804:曝光，邊緣經(jīng)過(guò)曝光形成第一圖案；
[0013]S805:顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)；
[0014]S806:在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元通過(guò)裝置邊緣曝光，在邊緣形成第二圖案；
[0015]S807:顯影后在正性光阻上形成第三圖案，同時(shí)通過(guò)顯影液的沖刷把邊緣第二圖案洗掉形成規(guī)則的邊緣。
[0016]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域，是按照上述的方法形成的。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
[0018]采用本發(fā)明的方法在半導(dǎo)體晶圓邊緣形成的無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域?qū)挾确秶鸀?.2mm到1.6mm之間，不會(huì)造成電鍍時(shí)設(shè)備報(bào)警、電鍍高度不一致甚至是產(chǎn)品報(bào)廢情況，所形成的電鍍高度共面性為正負(fù)7%。而且所形成的光滑垂直截面邊緣光刻膠不會(huì)臟污電鍍治具的接觸電極，大大減少了電鍍治具的預(yù)防性維護(hù)頻次。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的工藝流程圖；
[0021]圖2為現(xiàn)有技術(shù)提供的形成鋸齒狀晶圓光阻邊緣的產(chǎn)品截面示意圖；
[0022]圖3為現(xiàn)有技術(shù)提供的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的工藝流程圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成規(guī)則晶圓光阻邊緣的產(chǎn)品截面示意圖；
[0025]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。在本發(fā)明的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本發(fā)明無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027]參見(jiàn)圖4、圖5和圖6，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，包括以下步驟:
[0028]S801:在半導(dǎo)體晶圓21上形成正性光阻32 ；
[0029]優(yōu)選地，在半導(dǎo)體晶圓21上形成正性光阻32的方法為旋轉(zhuǎn)涂布的方法，即在半導(dǎo)體晶圓上通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布的方法形成正性光阻32 ;
[0030]S802:在形成正性光阻32同時(shí)在邊緣噴射有機(jī)溶劑；所述有機(jī)溶劑為丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯的混合物。
[0031]其中，丙二醇甲醚為混合物重量的60%?90%，所述丙二醇甲醚醋酸酯為混合物重量的10%?40%。本實(shí)施例優(yōu)選的，丙二醇甲醚為混合物重量的75%，所述丙二醇甲醚醋酸酯為混合物重量的25%。
[0032]在形成正性光阻32同時(shí)在邊緣噴射少量有機(jī)溶劑進(jìn)行洗邊，所述有機(jī)溶劑的噴射量為每分鐘50暈升到70暈升之間。優(yōu)選為每分鐘噴射60暈升。
[0033]S803:把正性光阻32未洗掉的邊緣形成弧形32a ；
[0034]涂布結(jié)束時(shí)把正性光阻32的邊緣未洗掉形成弧形32a ;
[0035]S804:曝光；
[0036]第一紫外光612a透過(guò)擋板611上的孔得到第一透過(guò)紫外光612b進(jìn)行曝光后得到第一圖案32b ；
[0037]S805:顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)；
[0038]在顯影前需要預(yù)對(duì)準(zhǔn)；
[0039]S806:在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元通過(guò)裝置邊緣曝光，在邊緣形成第二圖案；
[0040]在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)后，在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元通過(guò)裝置邊緣曝光形成第二圖案32e ;裝置包括擋塊715d，第二紫外光715c穿過(guò)擋塊715d的空隙得到第一透過(guò)紫外光715e進(jìn)行曝光，在邊緣形成第二圖案32e，在曝光的同時(shí)半導(dǎo)體晶原21旋轉(zhuǎn)360度最終形成環(huán)狀的第二圖案32e。
[0041]S807:顯影后在正性光阻上形成第三圖案，同時(shí)把邊緣第二圖案洗掉形成規(guī)則的邊緣。
[0042]顯影后在正性光阻32上形成第三圖案32g，同時(shí)把邊緣第二圖案32e用質(zhì)量百分比濃度為百分之二到百分之三的四甲基氫氧化銨水溶液溶解形成規(guī)則的邊緣32f。
[0043]采用本發(fā)明的方法形成的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域?qū)挾确秶鸀?.2mm到1.6mm之間，不會(huì)造成電鍍時(shí)設(shè)備報(bào)警、電鍍高度不一致甚至是產(chǎn)品報(bào)廢情況，所形成的邊緣32f，其為光滑垂直截面邊緣光刻膠，不會(huì)臟污電鍍治具的接觸電極，大大減少了電鍍治具的預(yù)防性維護(hù)頻次。
[0044]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域，是按照上述的方法形成的。
[0045]本發(fā)明的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域的寬度為1.2-1.6mm。
[0046]本發(fā)明適用于形成半導(dǎo)體晶圓級(jí)封裝或凸點(diǎn)制造顯影時(shí)在半導(dǎo)體晶圓邊緣形成無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域。
[0047]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，包括以下步驟: 5801:在半導(dǎo)體晶圓上形成正性光阻； 5802:在形成正性光阻同時(shí)在邊緣噴射有機(jī)溶劑； 5803:把正性光阻未洗掉的邊緣形成弧形； 5804:曝光，邊緣經(jīng)過(guò)曝光形成第一圖案； 5805:顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)； 5806:在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元通過(guò)裝置邊緣曝光，在邊緣形成第二圖案； 5807:顯影后在正性光阻上形成第三圖案，同時(shí)通過(guò)顯影液的沖刷把邊緣第二圖案洗掉形成規(guī)則的邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述S801中:在半導(dǎo)體晶圓上形成正性光阻的方法為旋轉(zhuǎn)涂布的方法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑的噴射量為每分鐘50-70暈升。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述丙二醇甲醚為混合物重量的60%?90%，所述丙二醇甲醚醋酸酯為混合物重量的10%?40%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述顯影液的噴射量為每分鐘250-550毫升。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法，其特征在于，所述顯影液為質(zhì)量百分比濃度為百分之二到百分之三的四甲基氫氧化銨水溶液。
8.一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域，其特征在于，是按照權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域，其特征在于，所述半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域的寬度為1.2-1.6mm。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域形成的方法及接觸區(qū)域，包括以下步驟：在半導(dǎo)體晶圓上形成正性光阻；在形成正性光阻同時(shí)在邊緣噴射有機(jī)溶劑；把正性光阻未洗掉的邊緣形成弧形；曝光，邊緣經(jīng)過(guò)曝光形成第一圖案；顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)；在顯影預(yù)對(duì)準(zhǔn)單元通過(guò)裝置邊緣曝光，在邊緣形成第二圖案；顯影后在正性光阻上形成第三圖案，同時(shí)通過(guò)顯影液的沖刷把邊緣第二圖案洗掉形成規(guī)則的邊緣。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體制造電鍍治具電極接觸區(qū)域，是按照上述的方法形成的。采用本發(fā)明的方法在半導(dǎo)體晶圓邊緣形成的無(wú)光刻膠電鍍陰極金屬環(huán)接觸區(qū)域，不會(huì)造成電鍍時(shí)設(shè)備報(bào)警，而且大大減少了電鍍治具的預(yù)防性維護(hù)頻次。
【IPC分類(lèi)】H01L21-60
【公開(kāi)號(hào)】CN104576422
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410729670
【發(fā)明人】施建根
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年12月3日