專利名稱：氧化鋅陶瓷線性電阻及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電阻器及制造方法。
已有的碳陶瓷線性電阻，一般都是用傳統(tǒng)的陶瓷工藝制造的，由于制造時(shí)的添加氧化物均為高熔點(diǎn)氧化物，因此燒結(jié)溫度高于1300℃。已有碳陶瓷線性電阻的電阻率為236歐姆·厘米，耐受浪涌能量為196焦耳/厘米3，電阻溫度系數(shù)為4.5×10-2l/℃。
本發(fā)明的目的是，不僅要制備出性能優(yōu)良的氧化鋅陶瓷線性電阻，還要降低制備時(shí)的燒結(jié)溫度。
本發(fā)明是以氧化鋅(ZnO)為主要成份，氧化鎂(MgO)和氧化鋁(Al2O3)為基本成份，添加氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)以及氧化釔(Y2O3)中的至少一種、二種或三種。
本發(fā)明的制備方法是用60～95％克分子的氧化鋅為主要成份，1～15％克分子的氧化鎂，1～25％克分子的氧化鋁為基本成份，添加1～15％克分子的氧化鈦、氧化硅、氧化釔中的至少一種，二種或三種稱量出來，放進(jìn)振磨機(jī)中濕法混合6～9小時(shí)后，將得到的粉料混合物干燥，把10％重量計(jì)含水5％的聚乙烯醇(PVA)溶液加入到干燥的粉料混合物中進(jìn)行造粒，將混合后的料粒制成顆粒狀，再在模具壓力為50～80兆帕(MPa)下對顆粒模壓成圓柱形，將模壓成型的坯體在溫度為1000～1200℃溫度下大氣壓中焙燒3.5～4.5小時(shí)，升溫和降溫速度為150℃/小時(shí)，得到的燒結(jié)產(chǎn)品中形成晶體顆粒，燒結(jié)產(chǎn)品的密度是氧化鋅理論密度的71～95％。將燒結(jié)后的產(chǎn)品用研磨機(jī)拋光兩端表面，再用清水洗凈后烘干，再在燒結(jié)產(chǎn)品的兩端面上涂燒銀或噴鋁，在其側(cè)面涂環(huán)氧釉，即制成本發(fā)明產(chǎn)品氧化鋅陶瓷線性電阻。
用本發(fā)明方法制備的氧化鋅陶瓷線性電阻，經(jīng)700℃大氣壓中加熱30分鐘處理后，其電阻率為1歐姆·厘米，耐受能量為680焦耳/厘米3，電阻溫度系數(shù)為+1.5×10-3l/℃，電壓非線性系數(shù)為1.26。
用本發(fā)明方法制備的氧化鋅陶瓷線性電阻，可廣泛應(yīng)用于電力變壓器中性點(diǎn)接地電阻，SF6斷路器合閘電阻，電感儲能、穩(wěn)壓電源、空氣等離子切害機(jī)放電電阻等，有著極好的應(yīng)用前景。
實(shí)施例1.稱取66～90％克分子的氧化鋅，2～10％克分子的氧化鎂，4～15克分子的氧化鋁以及1～4％克分子的氧化硅，放入振磨機(jī)中濕法混合8小時(shí)，造粒、成型、焙燒溫度為1100℃～1300℃，再在大氣壓中焙燒4小時(shí)，升溫和降溫速度為150℃/小時(shí)，得到燒結(jié)產(chǎn)品的密度是氧化鋅理論密度的71～95％，將其兩端面拋光，并涂燒銀或噴鋁，在其側(cè)面涂環(huán)氧釉。
2.稱取61～85％克分子的氧化鋅，2～10％克分子的氧化鎂，4～15％克分子的氧化鋁，1～4％克分子的氧化硅以及1～5％克分子的氧化鈦，放入振磨機(jī)中濕法混合8小時(shí)，造粒、成型、焙燒溫度為1000～1200℃，在大氣壓中焙燒4小時(shí)，升溫和降溫速度為150℃/小時(shí)，以下與實(shí)施例1同。
權(quán)利要求
1.一種以氧化鋅、氧化鎂以及氧化鋁為主要成份的氧化鋅陶瓷線性電阻的制造方法，其特征在于，用60～95％克分子的氧化鋅，1～15％克分子的氧化鎂，1～25％克分子的氧化鋁，添加1～15％的氧化硅、氧化鈦、氧化釔、放進(jìn)振磨機(jī)中濕法混合6～9小時(shí)，將得到的粉料混合物干燥，再把10％重量計(jì)含水5％的聚乙烯醇溶液加入到干燥的粉料混合物中進(jìn)行造粒，將混合后的料粒制成顆粒狀，在模具壓力為50～80兆帕(MPa)下將顆粒壓成圓柱形，將模壓成型的坯體在溫度為1000～1200℃溫度下大氣壓中焙燒3.5～4.5小時(shí)，升溫和降溫速度為150℃/小時(shí)，得到燒結(jié)產(chǎn)品，將其兩端面拋光、清洗烘干后涂燒銀，在其側(cè)面涂環(huán)氧釉。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述添加1～15％的氧化硅、氧化鈦、氧化釔，至少添加一種。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，燒結(jié)產(chǎn)品兩端面拋光清洗烘干后還可以噴鋁。
全文摘要
本發(fā)明涉及電阻器及制造方法。本發(fā)明方法是以氧化鋅、氧化鎂、氧化鋁為主成分,添加氧化硅、氧化鈦、氧化釔中的一種、二種或三種,混合振磨、造粒、成型、焙燒溫度1000～1200℃,燒結(jié)出的產(chǎn)品電阻率為1歐姆·厘米,耐受能量為680焦耳/厘米
文檔編號H01C7/02GK1187013SQ9612350
公開日1998年7月8日 申請日期1996年12月31日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月31日
發(fā)明者徐業(yè)彬, 袁方利, 程杰, 馮士芬, 季幼章 申請人:中國科學(xué)院等離子體物理研究所