專利名稱：一種Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于涉及ZnSe基II-VI族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù)。
ZnSe與GaAs有好的晶格匹配和可進(jìn)行大面積集成的優(yōu)點，因此ZnSe基量子阱或超晶格通常是生長在GaAs襯底上。但GaAs對可見光不透明，這對進(jìn)行ZnSe基半導(dǎo)體材料在可見光，特別是藍(lán)-綠波段的光電器件研究帶來困難，因此需要在GaAs襯底上腐蝕通光窗口，使窗口上僅保留ZnSe基薄膜。采用的方法是用H2O2+NH3.H2O腐蝕GaAs的工藝(D.R.Andersen等人，Appl.phys.Lett.，48，1559(1986))，而這種腐蝕液對ZnSe基材料同樣有腐蝕作用，使得窗口無法開的很大，只能在1mm2，即使這樣，也出現(xiàn)對II-VI族膜表面的腐蝕，這就直接影響該材料的光電特性，并由于窗口孔徑小，給測量帶來困難。
本發(fā)明的目的是提供一種II-VI族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù)，這種技術(shù)可獲得大面積、表面光亮的II-VI族半導(dǎo)體膜。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是用30-50％的KOH溶液，也可用同濃度的NaOH溶液作電解液，直流電壓6-15V，GaAs電阻率≤100Ω·cm。
由于GaAs襯底的電阻率遠(yuǎn)大于ZnSe基超晶格層的電阻率，因此在電解液中電流集中于GaAs襯底，使之電解，而ZnSe基超晶格層不受影響。
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作具體說明。
實施例1.外延超晶格ZnCdSe/ZnSe，GaAs襯底4Ω·cm，帶有外延膜的一面用無色環(huán)氧樹脂粘附于玻璃基片上，襯底作為陽極引出電極線，放入來40％KOH電解液中，直流電壓8V。
實施例2.將外延II-VI族超晶格層的GaAs襯底作為陽極引出電極線，留出待電解的區(qū)域，其余用石蠟密封，其余條件同實施例1。
實施例3.電解液為40％NaOH溶液，其余條件同實施例1。
實施例4.外延超晶格ZnS/ZnSe，其余條件同實施例1。
實施例5.外延超晶格ZnTe/ZnSe，其余條件同實施例1。
實施例6.外延超晶格ZnTe/ZnS，其余條件同實施例1。
權(quán)利要求
1.一種II-VI族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù)，其特征在于用30一50％的KOH溶液，也可用同濃度的NaOH溶液作電解液，直流電壓6-15V，GaAs電阻率≤100Ω·cm。
全文摘要
本發(fā)明屬于涉及ZnSe基Ⅱ－Ⅵ族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù)。本發(fā)明提供了一種Ⅱ－Ⅵ族半導(dǎo)體膜的制備技術(shù),這種技術(shù)可獲得大面積、表面光亮的Ⅱ－Ⅵ族半導(dǎo)體膜。用30—50%的KOH溶液,也可用同濃度的NaOH溶液作電解液,直流電壓6—15V,GaAs電阻率≤100Ω·cm。由于GaAs襯底的電阻率遠(yuǎn)大于ZnSe基超晶格層的電阻率,因此在電解液中電流集中于GaAs襯底,使之電解,而ZnSe基超晶格層不受影響。
文檔編號H01L21/00GK1185651SQ9612229
公開日1998年6月24日 申請日期1996年12月17日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月17日
發(fā)明者孫甲明, 張吉英 申請人:中國科學(xué)院長春物理研究所