本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示裝置tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay)的制作過(guò)程當(dāng)中，需要制作各種類(lèi)型的薄膜，例如sinx(氮化硅)、a-si(非晶硅)、n+a-si(摻雜非晶硅)、alnd(鋁釹合金)、ito(納米銦錫金屬氧化物)等金屬層或非金屬薄膜，上述不同的薄膜在進(jìn)行工藝過(guò)程中受升溫、降溫、薄膜應(yīng)力等影響，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶格之間的總間距(totalpitch，簡(jiǎn)稱(chēng)tp)產(chǎn)生變化，進(jìn)而帶動(dòng)薄膜所覆蓋的襯底(例如玻璃)產(chǎn)生相應(yīng)的形變。

在陣列工藝(array)完成后，間距存在一定的收縮量，并且由于不同產(chǎn)品工藝不同，間距的收縮量受到掩模板(mask)數(shù)量、各膜層的厚度、成膜溫度及成膜時(shí)間、刻蝕溫度及刻蝕時(shí)間等因素的影響。逐工序間距測(cè)試實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)致玻璃形變量最大的膜層為柵絕緣層(gi)和鈍化層(pvx)，玻璃產(chǎn)生向外擴(kuò)張的形變可達(dá)4μm；而沉積al、ito等金屬層時(shí)，玻璃產(chǎn)生向內(nèi)收縮的形變量?jī)H為1μm以內(nèi)。只要顯示基板產(chǎn)生了形變，陣列基板和彩膜基板上的圖形就很難保持嚴(yán)格的一致性，因此間距是一個(gè)關(guān)鍵參考因素，其相對(duì)設(shè)計(jì)間距(designtp)的偏差影響tft-lcd中陣列基板與彩膜基板的對(duì)盒(cell)，間距偏差過(guò)大會(huì)導(dǎo)致顯示漏光等一系列問(wèn)題，也會(huì)縮小設(shè)計(jì)對(duì)盒裕量(margin)，對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和品質(zhì)都帶來(lái)負(fù)面影響。

目前對(duì)此的解決方法通常從補(bǔ)正的角度來(lái)降低玻璃形變對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)造成的影響，但未能從根本上防止玻璃形變。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中上述不足，提供一種顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置，將引起上述收縮量的柵絕緣層(gi)和鈍化層(pvx)進(jìn)行分割處理，在分割邊緣處釋放工藝帶來(lái)的膜層形變應(yīng)力，從而減小膜層形變帶來(lái)的玻璃襯底形變。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是顯示基板，包括襯底，還至少包括依次層疊設(shè)置于所述襯底上方的第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層，所述第一絕緣圖形層和所述第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu)，所述第一金屬圖形層和所述第二金屬圖形層至少局部相連接。

優(yōu)選的是，所述第一絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一通孔，所述第二絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔在所述襯底的正投影方向上互相交錯(cuò)、但互不重疊。

優(yōu)選的是，所述第一通孔在所述第一絕緣圖形層中均勻分布，所述第二通孔在所述第二絕緣圖形層中均勻分布。

優(yōu)選的是，所述第一通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣圖形層中的多條第一長(zhǎng)條孔和多條第二長(zhǎng)條孔，所述第二通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第二絕緣圖形層中的多條第三長(zhǎng)條孔和多條第四長(zhǎng)條孔；并且，所述第一長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相交叉，所述第二長(zhǎng)條孔與所述第三長(zhǎng)條孔互相交叉。

優(yōu)選的是，所述第一長(zhǎng)條孔與所述第三長(zhǎng)條孔互相平行，所述第二長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相平行；所述第一長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相垂直。

優(yōu)選的是，相鄰的所述第一長(zhǎng)條孔和所述第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米，相鄰的所述第三長(zhǎng)條孔和所述第四長(zhǎng)條孔的之間的間距范圍為2-3微米；兩兩相鄰的所述第一長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米，兩兩相鄰的所述第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米。

優(yōu)選的是，所述第一長(zhǎng)條孔和所述第二長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米，所述第三長(zhǎng)條孔和所述第四長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米。

優(yōu)選的是，所述第一絕緣圖形層為柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述襯底之間設(shè)置有包括柵極和柵線的圖形；

所述第一金屬圖形層為包括源極和數(shù)據(jù)線/漏極的圖形，所述源極/漏極與所述柵絕緣層之間設(shè)置有包括有源層的圖形；

所述第二絕緣圖形層為鈍化層，所述鈍化層設(shè)置于所述源極/漏極遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)；

所述第二金屬圖形層為包括像素電極的圖形，所述像素電極設(shè)置于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述源極/漏極的一側(cè)，所述漏極與所述像素電極通過(guò)貫通所述柵絕緣層和所述鈍化層的過(guò)孔相連接。

一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。

一種顯示基板的制備方法，包括依次在襯底上方層疊設(shè)置第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層的步驟，其中：所述第一絕緣圖形層和所述第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu)，所述第一金屬圖形層和所述第二金屬圖形層至少局部相連接。

本發(fā)明的有益效果是：

該顯示基板及其相應(yīng)的制備方法，通過(guò)將引起玻璃襯底收縮量的柵絕緣層(gi)和鈍化層(pvx)進(jìn)行分割處理，在分割邊緣處釋放工藝帶來(lái)的膜層形變應(yīng)力，從而從根本上減小膜層形變帶來(lái)的玻璃襯底形變，進(jìn)而可以增大對(duì)盒裕量(margin)，降低因?qū)衅钸^(guò)大引起的串色等不良。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中顯示基板的剖視圖；

圖2a和圖2b分別為圖1中顯示基板中包括交錯(cuò)分割面狀結(jié)構(gòu)的局部剖視圖和平面示意圖；

圖3a-圖3i為本發(fā)明實(shí)施例1中顯示基板的制備方法各流程對(duì)應(yīng)的剖視圖；

圖4a-圖4i為本發(fā)明實(shí)施例1中顯示基板的制備方法各流程對(duì)應(yīng)的平面圖；

附圖標(biāo)識(shí)中：

1－襯底，2－柵極，3－柵絕緣層，30－柵絕緣膜層，31－第一通孔，4－有源層，40－有源膜層，5－源極，50－源漏膜層，51－數(shù)據(jù)線，6－漏極，7－鈍化層，71－第二通孔，8－像素電極。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

由于在顯示基板的制作工藝中，柵絕緣層(gi)和鈍化層(pvx)引起的玻璃形變是最大的，其中的通孔為面狀局部打孔結(jié)構(gòu)，即除了需要過(guò)孔搭接的位置打孔，其他位置全部都是連在一起的、平鋪于整個(gè)玻璃襯底上方的面狀結(jié)構(gòu)。這樣就造成柵絕緣層及鈍化層在高溫工藝中的形變應(yīng)力帶動(dòng)玻璃形變。因此，本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思在于，將柵絕緣層和鈍化層設(shè)計(jì)為交錯(cuò)分割((division))的面狀結(jié)構(gòu)，高溫工藝導(dǎo)致這兩層形變時(shí)就可以分割位置得到應(yīng)力釋放，防止帶動(dòng)玻璃變形。

本發(fā)明中，光刻工藝，是指包括曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等進(jìn)行刻蝕形成圖形的工藝；構(gòu)圖工藝，包括光刻工藝，還包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝。

實(shí)施例1：

本發(fā)明提出了一種弱化或消除玻璃形變的顯示基板以及相應(yīng)的制備方法，根據(jù)柵絕緣層和鈍化層是導(dǎo)致玻璃形變的主要因素的測(cè)試結(jié)果，通過(guò)將柵絕緣層和鈍化層設(shè)計(jì)為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu)，使得工藝過(guò)程中導(dǎo)致這兩層形變時(shí)可以在分割位置得到應(yīng)力釋放，防止膜層形變帶動(dòng)玻璃襯底變形；同時(shí)，由于應(yīng)力釋放作用，還可以防止膜層產(chǎn)生微裂紋。

該顯示基板包括襯底，還至少包括依次層疊設(shè)置于襯底上方的第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層，第一絕緣圖形層和第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu)，第一金屬圖形層和第二金屬圖形層至少局部相連接。該顯示基板中襯底通常為玻璃，通過(guò)分割柵絕緣層和鈍化層的方式來(lái)弱化顯示基板在制備過(guò)程中的應(yīng)力釋放，從而消除工藝過(guò)程對(duì)玻璃襯底引起的形變量。

作為一個(gè)完整的結(jié)構(gòu)，顯示基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示，從圖1可見(jiàn)，第一絕緣圖形層為柵絕緣層3，柵絕緣層3與襯底1之間設(shè)置有包括柵極2和柵線的圖形，即柵絕緣層3的下方還設(shè)置有包括柵極2和柵線(圖1中未示出)的圖形；

第一金屬圖形層為包括源極5和數(shù)據(jù)線(圖1中未示出)/漏極6的圖形，源極5/漏極6與柵絕緣層3之間設(shè)置有包括有源層4的圖形，即源極5/漏極6的下方、柵絕緣層3的上方設(shè)置有有源層4；

第二絕緣圖形層為鈍化層7，鈍化層7設(shè)置于源極/漏極遠(yuǎn)離有源層4的一側(cè)，即鈍化層7位于源極5/漏極6的上方；

第二金屬圖形層為包括像素電極8的圖形，像素電極8設(shè)置于鈍化層遠(yuǎn)離源極5/漏極6的一側(cè)，即像素電極8位于鈍化層7的上方，漏極6與像素電極8通過(guò)貫通柵絕緣層3和鈍化層7的過(guò)孔相連接。

上述結(jié)構(gòu)均設(shè)置在襯底1的上方，形成完整的薄膜晶體管+像素電極結(jié)構(gòu)，形成陣列基板結(jié)構(gòu)。

請(qǐng)參考圖2a和圖2b，第一絕緣圖形層(即柵絕緣層3)中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一通孔31，第二絕緣圖形層(即鈍化層7)中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第二通孔71，第一通孔31和第二通孔71在襯底1的正投影方向上互相交錯(cuò)、但互不重疊。第一通孔31和第二通孔71交錯(cuò)、但互不重疊，保證層間金屬材料之間的絕緣的效果。為能更突出地示意本實(shí)施例中柵絕緣層3中第一通孔31和鈍化層7中第二通孔71的位置關(guān)系，平面示意圖(圖2b)中的鈍化層7設(shè)置為具有一定透明度，并且將第一通孔31和第二通孔71分別以黑色和白色進(jìn)行區(qū)分。

優(yōu)選的是，第一通孔31在第一絕緣圖形層中均勻分布，第二通孔71在第二絕緣圖形層中均勻分布。

具體的，第一通孔31包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在第一絕緣圖形層中的多條第一長(zhǎng)條孔和多條第二長(zhǎng)條孔，第二通孔71包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在第二絕緣圖形層中的多條第三長(zhǎng)條孔和多條第四長(zhǎng)條孔；并且，第一長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相交叉，第二長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔互相交叉。基于上述第一長(zhǎng)條孔、第二長(zhǎng)條孔、第三長(zhǎng)條孔和第四長(zhǎng)條孔的排列位置，第一通孔31和第二通孔71交錯(cuò)設(shè)置，從而使得第一通孔31和第二通孔71不存在交疊區(qū)域，起到保護(hù)金屬層間的絕緣作用。

優(yōu)選的是，第一長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔互相平行，第二長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相平行；第一長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相垂直。也即，第一長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔可以沿與柵線相同的方向延伸排列，第二長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔可以沿與柵線垂直的數(shù)據(jù)線的方向延伸排列；或者，第一長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔可以沿與數(shù)據(jù)線相同的方向延伸排列，第二長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔可以沿與數(shù)據(jù)線垂直的柵線的方向延伸排列，這里不做限制。

其中，相鄰的第一長(zhǎng)條孔和第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米，相鄰的第三長(zhǎng)條孔和第四長(zhǎng)條孔的之間的間距范圍為2-3微米。

類(lèi)似的，兩兩相鄰的第一長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米，兩兩相鄰的第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米。

第一長(zhǎng)條孔和第二長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米，第三長(zhǎng)條孔和第四長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米。

相應(yīng)的，本實(shí)施例中的顯示基板的制備方法，包括依次在襯底上方層疊設(shè)置第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層的步驟，其中：第一絕緣圖形層和第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu)，第一金屬圖形層和第二金屬圖形層至少局部相連接。該顯示基板的制備方法通過(guò)形成分割柵絕緣層和鈍化層7消除對(duì)玻璃襯底引起的形變量。

如圖3a-圖3h以及對(duì)應(yīng)的圖4a-圖4h所示，第一絕緣圖形層為柵絕緣層3，第一金屬圖形層為包括源極5和數(shù)據(jù)線/漏極6的圖形，第二絕緣圖形層為鈍化層7，第二金屬圖形層為包括像素電極8的圖形，該制備方法包括步驟：

形成柵膜層，如圖3a和圖4a所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括柵極2和數(shù)據(jù)線(圖3a和圖4a未示出)的圖形，即通過(guò)鍍膜→曝光→顯影→刻蝕工藝形成包括柵極2和數(shù)據(jù)線圖形。

如圖3b、3c和圖4b、4c所示，形成柵絕緣膜層30和有源膜層40；如圖3d和圖4d所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝將有源膜層40形成包括有源層4的圖形，即通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝形成柵絕緣膜層30及以a-si材料為主的有源膜層40，然后進(jìn)行曝光→顯影→刻蝕工藝，形成包括有源層4的圖形。

如圖3e和圖4e所示，形成源漏膜層50；如圖3f和圖4f所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝將源漏膜層50形成包括源極5和數(shù)據(jù)線/漏極6的圖形，即通過(guò)濺射工藝沉積源漏膜層50，通過(guò)曝光→顯影→刻蝕工藝形成包括源極5(同時(shí)還包括圖4f所示的數(shù)據(jù)線51)和漏極6的金屬圖形。

如圖3g和圖4g所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝將柵絕緣膜層30形成包括柵絕緣層3的圖形，柵絕緣層3的圖形包括開(kāi)設(shè)的第一通孔31，優(yōu)選第一通孔31在柵絕緣層3中均勻分布。即通過(guò)曝光→顯影→刻蝕工藝形成柵絕緣層3的分割結(jié)構(gòu)。這里應(yīng)該理解的是，柵絕緣層可能包括圖形或不包括圖形(就是說(shuō)整層?xùn)沤^緣膜層即為柵絕緣層)，包括圖形的柵絕緣層的掩模板通常用于窄邊框類(lèi)顯示基板的掩膜工藝中，其圖形僅用于周邊電路區(qū)域形成孔狀圖形，而在顯示區(qū)不形成圖形。本實(shí)施例顯示基板的制備工藝中形成帶有通孔的柵絕緣層的掩模板，可以在現(xiàn)有的正常窄邊框產(chǎn)品的通用掩模板的基礎(chǔ)上增加像素區(qū)的通孔版圖設(shè)計(jì)，并不需要額外增加掩模板的制作費(fèi)用，不會(huì)增加工藝成本。

形成鈍化膜層，如圖3h和圖4h所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層7的圖形，鈍化層7的圖形包括開(kāi)設(shè)的第二通孔71，第一通孔31和第二通孔71在正投影方向上互相交錯(cuò)、但互不重疊，用來(lái)保證絕緣的效果；并且，優(yōu)選第二通孔71在鈍化層7中均勻分布。即通過(guò)鍍膜→曝光→顯影→刻蝕工藝形成鈍化層7的圖形。

上述顯示基板中，第一通孔31包括多條垂直交叉開(kāi)設(shè)的第一長(zhǎng)條孔和第二長(zhǎng)條孔，第二通孔71包括多條垂直交叉開(kāi)設(shè)的第三長(zhǎng)條孔和第四長(zhǎng)條孔，第一長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相交叉，第二長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔互相交叉。

優(yōu)選的是，第一長(zhǎng)條孔與第三長(zhǎng)條孔互相平行，第二長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相平行；第一長(zhǎng)條孔與第四長(zhǎng)條孔互相垂直。

形成像素膜層，如圖3i和圖4i所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝包括形成包括像素電極8的圖形，即通過(guò)鍍膜→曝光→顯影→刻蝕工藝形成像素電極8的圖形。

本實(shí)施例中的顯示基板，雖然柵絕緣層3和鈍化層7的通孔中實(shí)質(zhì)上在鍍膜或成膜過(guò)程中可能會(huì)金屬材料填入，即此時(shí)柵線、數(shù)據(jù)線即使和與其相鄰的絕緣層中的通孔位置對(duì)應(yīng)，或者像素電極材料填入鈍化層7的第二通孔71中，但由于柵絕緣層3的第一通孔和鈍化層7中的第二通孔交錯(cuò)設(shè)置，保證金屬材料之間有絕緣材料存在，因此能有效避免不同層之間的金屬材料同時(shí)處于分割位置無(wú)絕緣層分隔而造成短路，從而起到絕緣作用。并且，本實(shí)施例可以在膜層分割位置進(jìn)行應(yīng)力釋放，防止柵絕緣層和鈍化層的微裂紋產(chǎn)生，進(jìn)而減小玻璃襯底的形變并防止微裂紋。

當(dāng)然，柵絕緣層和鈍化層中通孔的分割結(jié)構(gòu)不僅限于前述的形狀和尺寸，其他可在一定程度上進(jìn)行應(yīng)力釋放的分割面狀結(jié)構(gòu)也可以，這里不做限定，只要不影響柵絕緣層與鈍化層之間的絕緣效果即可。

測(cè)試結(jié)果表明，在相同的工藝環(huán)境下，現(xiàn)有工藝中玻璃形變量約為4微米，而采用本發(fā)明實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制備方法，該玻璃形變量控制在1.5微米以內(nèi)，從根本上使得玻璃襯底形變量減小，從而大大增大了對(duì)盒裕量(margin)，能降低因?qū)衅钸^(guò)大引起的串色等不良。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括實(shí)施例1中的顯示基板。

該顯示裝置可以為：臺(tái)式電腦、平板電腦、筆記本電腦、手機(jī)、pda、gps、車(chē)載顯示、投影顯示、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子手表、計(jì)算器、電子儀器、儀表、液晶面板、電子紙、電視機(jī)、顯示器、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，可應(yīng)用于公共顯示和虛幻顯示等多個(gè)領(lǐng)域。

該顯示裝置具有較佳的顯示效果。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。