本發(fā)明涉及材料領(lǐng)域，尤其是太陽能電池領(lǐng)域，具體地涉及一種濕法制備圓角化(rounding)金字塔的方法。
背景技術(shù)：
：在太陽能電池領(lǐng)域中，為了得到較好的陷光效果，常利用堿對單晶硅進(jìn)行各向異性腐蝕制備金字塔陷光結(jié)構(gòu)，提高器件的短路電流密度，進(jìn)而提升器件的效率。隨后采用等離子體增強(qiáng)氣相沉積(pecvd)在制絨硅片表面沉積鈍化膜(非晶硅、氮化硅、或氧化硅等)，以降低表面復(fù)合。制絨表面的形貌對鈍化效果的優(yōu)劣產(chǎn)生顯著影響。下文以hit(heterojunctionwithintrinsicthinlayer)電池為例具體說明問題。對于hit電池，通常采用等離子體增強(qiáng)氣相沉積(pecvd)在硅片表面沉積高質(zhì)量的非晶硅鈍化薄膜。然而5-15nm厚度的非晶硅的質(zhì)量的好壞受到沉積溫度、沉積速率和硅片表面形貌等的影響。具體來說，經(jīng)過圓角化重構(gòu)的金字塔，有利于提升薄膜的鈍化質(zhì)量，降低表面復(fù)合速率。一般來說，經(jīng)過圓角化處理的表面，器件的隱含開路電壓(ivoc)可以提高10-30mv。針對硅表面形貌對非晶硅質(zhì)量的影響，現(xiàn)有技術(shù)常采用氫氟酸/硝酸(hf/hno3)水溶液對單晶硅各向同性腐蝕或者等離子體刻蝕的方法對形成的金字塔進(jìn)行二次重構(gòu)，平滑金字塔的尖端、底端，從而制備厚度相對均一、鈍化效果優(yōu)異的非晶硅薄膜。具體地，hit電池金字塔圓角化結(jié)構(gòu)通常采用等離子體刻蝕和濕化學(xué)法制備。其中，采用等離子體刻蝕的方法，不僅成本較高且會(huì)產(chǎn)生有害的產(chǎn)物，還會(huì)對硅表面造成一定的損傷，使得表面缺陷增加?，F(xiàn)階段濕法圓角化的溶液通常是hf/hno3的水溶液，使用此類溶液處理的不足在于溶液處理之后金字塔形貌并沒有形成明顯圓角化，從而不利于后續(xù)非晶硅薄膜的均勻生長及鈍化，造成器件相關(guān)性能降低?；诖?，本領(lǐng)域急需開發(fā)一種可有效制備圓角化金字塔的處理方法。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種可有效制備圓角化金字塔的處理方法。本發(fā)明的第一方面，提供了一種濕法制備圓角化金字塔的方法，所述方法包括如下步驟：1)提供圓角化處理液和具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片；2)在所述圓角化處理液中濕法處理所述具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，得到具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，其中，所述圓角化處理液包含如下組分：氫氟酸(hf)、硝酸(hno3)和醋酸(ch3cooh)，其中，氫氟酸和硝酸的體積比為1-7：35-100，醋酸在所述圓角化處理液中的體積含量為7-77％。在另一優(yōu)選例中，在所述圓角化處理液中，氫氟酸和硝酸的體積比為1-6：20-70，較佳地1-5：30-65，更佳地1-3：35-60。在另一優(yōu)選例中，在所述圓角化處理液中，醋酸在所述圓角化處理液中的體積含量為10-77％，較佳地20-77％。在另一優(yōu)選例中，在所述圓角化處理液中，氫氟酸、硝酸和醋酸的體積比為1-7：35-100：15-120，較佳地1-6：35-80：20-120。在另一優(yōu)選例中，所述圓角化處理液還包含表面活性劑，所述表面活性劑選自下組：離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑、或其組合。在另一優(yōu)選例中，所述離子型表面活性劑選自下組：檸檬酸、月桂醇硫酸鈉、或其組合。在另一優(yōu)選例中，所述非離子型表面活性劑選自下組：聚氧化乙烯(peo)、烷基酚聚氧乙烯醚、或其組合。在另一優(yōu)選例中，所述表面活性劑為聚氧化乙烯(peo)。在另一優(yōu)選例中，在所述圓角化處理液中，所述表面活性劑的添加量為0.001-0.05g/ml，較佳地0.002-0.03g/ml，更佳地0.003-0.01g/ml。在另一優(yōu)選例中，所述具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片是將n型單晶硅經(jīng)堿制絨處理得到的。在另一優(yōu)選例中，所述濕法處理的處理時(shí)間為5-600s，較佳地10-500s，更佳地40-300s，最佳地50-200s。在另一優(yōu)選例中，所述濕法處理的處理溫度為10-50℃，較佳地20-45℃，更佳地25-40℃。在另一優(yōu)選例中，所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片具有選自下組的一個(gè)或多個(gè)特征：1)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片的頂端和底端具有明顯的圓角化結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述“底端具有明顯的圓角化結(jié)構(gòu)”指底端具有如圖2右圖所示的結(jié)構(gòu)；2)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片的水接觸角為5-66°，較佳地5-55°，更佳地5-50°；3)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片在沉積本征非晶硅薄膜后的ivoc為705-750mv，較佳地720mv－750mv，更佳地730-750mv。本發(fā)明的第二方面，提供了一種具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片是采用本發(fā)明第一方面所述的方法制備的。在另一優(yōu)選例中，所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片具有選自下組的一個(gè)或多個(gè)特征：1)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片的頂端和底端具有明顯的圓角化結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述“底端具有明顯的圓角化結(jié)構(gòu)”指底端具有如圖2右圖所示的結(jié)構(gòu)；2)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片的水接觸角為5-66°，較佳地5-55°，更佳地5-50°；3)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片在沉積本征非晶硅薄膜后的ivoc為705-750mv，較佳地715mv－750mv，更佳地730-750mv。本發(fā)明的第三方面，提供了一種制品，所述制品包含本發(fā)明第二方面所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片。在另一優(yōu)選例中，所述制品包含：i)本發(fā)明第二方面所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片,作為基底；ii)沉積于所述基底上的非晶硅薄膜。應(yīng)理解，在本發(fā)明范圍內(nèi)中，本發(fā)明的上述各技術(shù)特征和在下文(如實(shí)施例)中具體描述的各技術(shù)特征之間都可以互相組合，從而構(gòu)成新的或優(yōu)選的技術(shù)方案。限于篇幅，在此不再一一累述。附圖說明圖1為實(shí)施例1中金字塔圓角化處理前的sem圖。圖2為實(shí)施例1中金字塔圓角化處理后的sem圖。圖3為實(shí)施例1中金字塔圓角化前后的反射率圖。圖4為實(shí)施例1中金字塔圓角化前后的接觸角變化圖，其中，左圖為金字塔未圓角化的接觸角圖，右圖為金字塔圓角化后的接觸角圖。圖5為對比例6中圓角化處理后的sem圖。圖6為對比例6中圓角化處理后的反射率圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明人經(jīng)過長期而深入的研究，通過優(yōu)化圓角化處理溶液的組成和配方，得到一種特別適合于制備圓角化金字塔的方法。所述方法可有效圓角化金字塔的底部，并降低所得產(chǎn)物表面的粗糙度和缺陷態(tài)。在此基礎(chǔ)上，發(fā)明人完成了本發(fā)明。圓角化方法本發(fā)明提供了一種濕法制備圓角化金字塔的方法，所述方法包括如下步驟：1)提供圓角化處理液和具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片；2)在所述圓角化處理液中濕法處理所述具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，得到具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，其中，所述圓角化處理液包含如下組分：氫氟酸(hf)、硝酸(hno3)和醋酸(ch3cooh)，其中，氫氟酸和硝酸的體積比為1-7：35-100，醋酸在所述圓角化處理液中的體積含量為7-77％。具體地，以聚氧化乙烯(peo)為例，本發(fā)明采用hf/hno3/ch3cooh/聚氧化乙烯(peo)表面活性劑的混合溶液作為圓角化處理液，所述圓角化處理液可以在常溫(如25℃)、短時(shí)間(如60s)內(nèi)制備反射率稍微增加、處理后表面粗糙度降低及硅表面潤濕性增加的圓角化結(jié)構(gòu)。該混合溶液的組成和使用方法如下：金字塔圓角化處理液由質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40％的氫氟酸、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％的濃硝酸、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99.99％的冰醋酸(ch3cooh)及peo混合而成，hf與hno3兩者的體積比范圍是1:35－1:80；接著，將hf與hno3組成的溶液與醋酸及peo混合形成圓角化拋光腐蝕液，醋酸在其中占用的體積比例范圍是10％-70％，peo的濃度為0.002-0.05g/ml。當(dāng)hf與hno3兩者的體積比范圍為1:50－1:60，醋酸在混合液中體積比例范圍是20％-40％，peo的濃度為0.003-0.01g/ml時(shí)，圓角化溶液能獲得最優(yōu)的效果。采用混合溶液制備圓角化結(jié)構(gòu)的方法如下：①硅片清洗及制絨方法如下：首先將硅片放置到nh3.h2o、h2o2和h2o的混合溶液中(體積比為1:1:5)在80℃下反應(yīng)10min去除表面的有機(jī)物；用h2o沖洗硅片表面后，將硅片放置到hcl、h2o2和h2o的混合溶液中(體積比為1:1:5)在80℃下反應(yīng)10min去除金屬離子；接著采用10％hf水溶液去除表面氧化層；②將硅片置入溫度為85℃2.5wt％naoh及1.25wt％tb141表面活性劑的水溶液中反應(yīng)15min，制備隨機(jī)正金字塔結(jié)構(gòu)；③將制備的隨機(jī)正金字塔放進(jìn)圓角化的混合溶液中在室溫下處理1-10min，可以制備底端圓角化的金字塔結(jié)構(gòu)?？偟膩碚f，采用hf/hno3/ch3cooh/表面活性劑來制備底端圓角化的金字塔結(jié)構(gòu)，不僅提高了非晶硅厚度的均勻性，還提高了硅表面的潤濕性及降低了硅表面的粗糙度，從而制備出高效的hit電池。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)歸納如下：1)提出了優(yōu)化的hf/hno3/ch3cooh/表面活性劑圓角化配方，有效提升了圓角化質(zhì)量；2)良好的表面潤濕性，可以對金字塔底部進(jìn)行更加有效的圓角化；3)由于ch3cooh及peo等表面活性劑的空間位阻作用，使得反應(yīng)速率顯著降低，有效降低表面粗糙度，降低表面缺陷態(tài)；4)ch3cooh調(diào)節(jié)反應(yīng)的ph值，反應(yīng)更加溫和；5)peo等表面活性劑在硅表面的很好的潤濕性使得反應(yīng)溶液與硅片的表面張力降低，更有利于反應(yīng)過程中生成氣泡的及時(shí)均勻排放。具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片及其應(yīng)用本發(fā)明還提供了一種具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片，所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片是采用所述的方法制備的。本發(fā)明還提供了一種制品，所述制品包含所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片。具體地，所述制品包含：i)所述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片,作為基底；ii)沉積于所述基底上的非晶硅薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下主要優(yōu)點(diǎn)：(1)所述圓角化處理液具有良好的表面潤濕性，因此使用所述圓角化處理液的所述處理方法可有效圓角化金字塔的底部；(2)由于ch3cooh及peo等表面活性劑的空間位阻作用，使得所述圓角化處理液的反應(yīng)速率顯著降低，可有效降低所得產(chǎn)物的表面粗糙度，并降低所得產(chǎn)物的表面缺陷態(tài)；(3)所述圓角化處理液中ch3cooh可調(diào)節(jié)反應(yīng)的ph值，使得反應(yīng)更加溫和；(4)所述圓角化處理液中表面活性劑在硅表面的很好的潤濕性使得反應(yīng)溶液與硅片的表面張力降低，更有利于反應(yīng)過程中生成氣泡的及時(shí)均勻排放。下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。下列實(shí)施例中未注明具體條件的實(shí)驗(yàn)方法，通常按照常規(guī)條件或按照制造廠商所建議的條件。除非另外說明，否則百分比和份數(shù)按重量計(jì)算。除非另行定義，文中所使用的所有專業(yè)與科學(xué)用語與本領(lǐng)域熟練人員所熟悉的意義相同。此外，任何與所記載內(nèi)容相似或均等的方法及材料皆可應(yīng)用于本發(fā)明方法中。文中所述的較佳實(shí)施方法與材料僅作示范之用。原料本發(fā)明所用nh3.h2o(25-28wt％)、hcl(36-38wt％)、h2o2(30wt％)、hf(40wt％)、hno3(65-68wt％)、ch3cooh(99.9wt％)、peo等均為普通市售的國藥試劑。本發(fā)明所用非離子表面活性劑聚氧化乙烯(peo)完全溶于水，其水溶液呈中性或弱堿性，室溫下密度為0.93g/ml，其既是一種新型水溶性樹脂，又是一種非離子表面活性劑，具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性，既耐酸，又耐堿，且耐細(xì)菌侵蝕不會(huì)腐敗，并且其在大氣中吸濕性小，并且其毒性極低，對皮膚也無刺激性。本發(fā)明中使用的拋光單晶硅片均購于蘇州銳材有限公司，硅片使用前的清洗、烘干等步驟均采用常規(guī)方法進(jìn)行。通用測試方法反射率采用audiodevgmbh的helioslab-re型反射率測試儀測得。sem采用hitachi的s4800場發(fā)射掃描電鏡冷場測試。鈍化參數(shù)采用wct-120設(shè)備測試。實(shí)施例11)實(shí)驗(yàn)所采用的硅片為4cm*4cm，電阻率為0.5-2ω.cm的單晶硅片；2)硅片清洗及制絨方法如下：①首先將硅片放置到nh3.h2o、h2o2和h2o的混合溶液中(體積比為1:1:5)在80℃下反應(yīng)10min去除表面的有機(jī)物；用h2o沖洗硅片表面后，將硅片放置到hcl、h2o2和h2o的混合溶液中(體積比為1:1:5)在80℃下反應(yīng)10min去除金屬離子；接著采用hf去除表面氧化層；②將硅片置入溫度為85℃2.5wt％naoh及相關(guān)制絨表面活性劑(如tb141)的水溶液(naoh和制絨表面活性劑tb141的質(zhì)量比為2：1)中反應(yīng)15min，制備隨機(jī)正金字塔結(jié)構(gòu)；3)制絨液及圓角化的配方及具體操作步驟如下：將堿制絨后具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1放入溫度為室溫(25℃)的圓角化處理液1(其組成為40％的hf、68％的硝酸、99.99％的ch3cooh和微量peo，前三者按體積比為1:60:20進(jìn)行混合，所得混合液的體積為81ml，最后加入的peo的質(zhì)量為0.405g)中，處理時(shí)間為1min，得到具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’。4)在具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1和步驟3)所得具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’上分別采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(pecvd)沉積10-15nm的本征非晶硅薄膜，得到沉積有本征非晶硅薄膜的具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1-1和沉積有本征非晶硅薄膜的具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’-1。經(jīng)測試，上述具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1的接觸角為75.13°，反射率為12.8％，上述具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’的接觸角為50.1°，反射率為13.0％，因此，經(jīng)上述圓角化處理液1處理后，所述硅片的接觸角降低25.03°，說明所述圓角化處理液1處理能有效降低溶液接觸界面的表面張力。采用wct120分別表征沉積有本征非晶硅薄膜的具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1-1和沉積有本征非晶硅薄膜的具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’-1的ivoc。經(jīng)測試，沉積有本征非晶硅薄膜的具有金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1-1的ivoc為705mv，沉積有本征非晶硅薄膜的具有圓角化金字塔結(jié)構(gòu)的硅片1’-1的ivoc為737mv，表明圓角化之后的ivoc增加32mv，說明圓角化的金字塔更有利于非晶硅的均勻沉積，缺陷態(tài)降低，鈍化性能提升。圖1為實(shí)施例1中金字塔圓角化處理前的sem圖。圖2為實(shí)施例1中金字塔圓角化處理后的sem圖。從圖1和圖2可以看出：金字塔織構(gòu)的硅片在圓角化溶液中處理后，金字塔的尖端和底端(尤其是底端)明顯比未圓角化處理的結(jié)構(gòu)圓滑。圖3為實(shí)施例1中金字塔圓角化前后的反射率圖。從圖3可以看出：金字塔織構(gòu)的硅片在圓角化溶液中處理后，由于金字塔尖端和底端被進(jìn)行平滑，反射率略微增加。圖4為實(shí)施例1中金字塔圓角化前后的接觸角變化圖，其中，左圖為金字塔未圓角化的接觸角圖，右圖為金字塔圓角化后的接觸角圖。從圖4可以看出：金字塔織構(gòu)的硅片在圓角化溶液中處理后，接觸角明顯變小，表面張力降低。表1和表2為實(shí)施例1中金字塔圓角化前后的sinton測試結(jié)果，其中，表1為金字塔未圓角化的sinton測試結(jié)果，表2為金字塔圓角化后的sinton測試結(jié)果。表1表2少子壽命(μs)j0(a/cm2)隱含voc(v)隱含ff(％)935.801.02e-150.73779.19結(jié)合表1和表2可以看出：圓角化的金字塔更有利于非晶硅的均勻沉積，缺陷態(tài)降低，鈍化性能提升。實(shí)施例2同實(shí)施例1，區(qū)別在于：所述圓角化處理液1不包含peo，但包含0.405g檸檬酸添加劑。實(shí)施例3同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c1三者體積比為1:35:120，所得混合液的體積為156ml，最后加入的peo的質(zhì)量為0.78g，處理時(shí)間為520s。對比例1(hf含量較高)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c1三者體積比為1:40:10，所得混合液的體積為51ml，最后加入的peo的質(zhì)量為0.255g，處理時(shí)間為60s。對比例2(未添加peo)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c3中未添加peo。對比例3(未添加peo+hf含量較高)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c4三者體積比為1:3:3，所得混合液的體積為70ml。對比例4(peo含量較高)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c5加入的peo的質(zhì)量為8.1g。對比例5(peo含量較低)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：所得混合液體積為81ml，peo添加量為0.0081g。對比例6(hf含量更高)同實(shí)施例1，區(qū)別在于：圓角化處理液c7的組成為40％的hf、70％的硝酸、99.5％的ch3cooh，三者按體積比為1:3:3進(jìn)行混合，peo的質(zhì)量為0.255g。圖5為對比例6中圓角化處理后的sem圖。圖6為對比例6中圓角化處理后的反射率圖。從圖5和圖6可以看出：由于圓角化處理液c7中hf含量明顯更高，因此所述圓角化處理會(huì)過腐蝕金字塔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致反射率明顯增大。實(shí)施例1-2和對比例1-6的實(shí)驗(yàn)參數(shù)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果匯總?cè)缦卤?所示。表3結(jié)合上表3數(shù)據(jù)可知：實(shí)施例1是本發(fā)明較優(yōu)的技術(shù)方案，其中，圓角化處理所得硅片的反射率、接觸角和ivoc數(shù)值均很優(yōu)異；實(shí)施例3是本發(fā)明反應(yīng)時(shí)間較長的技術(shù)方案，其中，醋酸含量較高，使得反應(yīng)濃度較低，反應(yīng)時(shí)間較長，圓角化處理所得硅片的反射率、接觸角和ivoc數(shù)值相對優(yōu)異；實(shí)施例2是添加檸檬酸的技術(shù)方案，其中，圓角化處理所得硅片的反射率、接觸角和ivoc數(shù)值比較優(yōu)異；相對于實(shí)施例1和實(shí)施例3，對比例1中hf所占比例較高，過腐蝕導(dǎo)致圓角化處理所得硅片的反射率較高；對比例2和對比例3是沒有添加劑peo的圓角化溶液，其中對比例4中hf比例很高，造成過腐蝕，導(dǎo)致圓角化處理所得硅片的接觸角明顯更高且ivoc明顯更低；對比例4中添加劑peo含量太高，溶液過于粘稠，其圓角化效果很差；對比例5中添加劑peo含量很低，使得硅表面沒有較好的潤濕性，對后續(xù)金字塔圓角化液與金字塔底端不能充分接觸，圓角化效果較差；對比例6中hf含量較高，由于添加劑peo表面潤濕及空間位阻作用，使得金字塔有一定程度的圓角化。進(jìn)一步地，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)：peo在硅表面很好的潤濕性可使得反應(yīng)溶液與硅片的表面張力降低，溶液與硅表面的接觸角降低，更有利于反應(yīng)過程中生成氣泡的及時(shí)均勻排放，從而使得金字塔更好程度的圓角化，進(jìn)而利于后續(xù)工藝中非晶硅薄膜的沉積，以有效提高鈍化水平，增加開路電壓(voc)；hf濃度或者h(yuǎn)no3濃度的過大或者過小則會(huì)導(dǎo)致腐蝕不當(dāng)，造成反射率較高，使得后續(xù)制備器件的短路電流密度(jsc)降低。此外，從接觸角來看，對比例2和對比例3中由于未添加添加劑peo，其圓角化溶液不能很好與金字塔織構(gòu)硅片進(jìn)行充分接觸反應(yīng)。而就添加劑peo而言，由于表面活性劑peo在硅表面很好的潤濕性使得反應(yīng)溶液與硅片的表面張力降低，相比于沒有添加劑peo的接觸角小約20°，使得圓角化溶液能與金字塔織構(gòu)的硅片進(jìn)行充分反應(yīng)，得到明顯的圓角化金字塔結(jié)構(gòu)；相反，未添加添加劑peo的圓角化溶液與硅片之間的表面張力較大，不能很好與金字塔織構(gòu)硅片進(jìn)行充分接觸反應(yīng)。但是，當(dāng)添加劑peo的添加濃度過高時(shí)，其較強(qiáng)的增稠能力則會(huì)使得反應(yīng)溶液變稠，增加溶液的粘度.降低液體的流動(dòng)性，這是不利于圓角化溶液與金字塔織構(gòu)的硅片反應(yīng)的，且反應(yīng)后會(huì)有大量的殘留物質(zhì)；具體地，當(dāng)peo添加量超過0.1g/ml(如對比例4)，將會(huì)使得溶液變得粘稠，不利于反應(yīng)的進(jìn)行。在本發(fā)明提及的所有文獻(xiàn)都在本申請中引用作為參考，就如同每一篇文獻(xiàn)被單獨(dú)引用作為參考那樣。此外應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明的上述講授內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的范圍。當(dāng)前第1頁12