本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種觸控基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

觸摸屏因具有易操作性、直觀性和靈活性等優(yōu)點(diǎn)，已成為個(gè)人移動(dòng)通訊設(shè)備和綜合信息終端，如平板電腦、智能手機(jī)，以及超級(jí)筆記本電腦等主要人機(jī)交互手段。

同時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Diode；OLED)作為一種高檔消費(fèi)類產(chǎn)品，是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器(Liquid Crystal Display；LCD)相比，OLED具有低能耗、生產(chǎn)成本低、白發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域。OLED已經(jīng)開始取代傳統(tǒng)的液晶顯示屏。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中，在OLED顯示器中增加觸控功能的制成中，通常是先現(xiàn)制作OLED顯示器件結(jié)構(gòu)，之后再制備觸控功能器件(例如：觸控感光器件)，工藝步驟復(fù)雜，因此提供一種工藝步驟簡(jiǎn)單的觸控基板的制備方法是亟需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單的觸控基板的制備方法、觸控基板及顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種觸控基板的制備方法，包括：在基底上方的依次形成發(fā)光器件的第一極、發(fā)光材料層、第二極；在所述基底上方依次形成觸控感光器件的第一電極、感光功能層、第二電極；所述觸控感光器件的第一電極和第二電極中的一者與所述發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備。

優(yōu)選的是，所述觸控感光器件的第一電極與所述發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備；所述觸控感光器件的第二電極與所述發(fā)光器件的第二極采用一次構(gòu)圖工藝制備。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，在所述基底上形成所述發(fā)光器件和所述觸控感光器件之前還包括：

在所述基底上形成開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、讀取晶體管；

形成平坦化層，并在與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第一過(guò)孔，在與所述讀取晶體管的第二極對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第二過(guò)孔；所述發(fā)光器件的第一極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極直接連接；所述觸控感光器件的第一電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述讀取晶體管的第二極直接連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，形成所述發(fā)光器件和所述觸控感光器件的具體包括：

在形成所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔的基底上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括所述觸控感光器件的第一電極與所述發(fā)光器件的第一極；

形成感光功能層；

形成像素限定層，并在與所述發(fā)光器件的第一極對(duì)應(yīng)的位置形成第一容納槽，在與所述觸控感光器件的感光功能層對(duì)應(yīng)的位置形成第二容納槽；

在所述第一容納槽中形成發(fā)光材料層；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括所述發(fā)光器件的第二極和位于第二容納槽中的所述觸控感光器件的第二電極的圖形。

優(yōu)選的是，所述觸控感光器件的第二電極與所述發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備；在所述基底上形成所述發(fā)光器件和所述觸控感光器件之前還包括：

在所述基底上形成開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、讀取晶體管；

在完成上述步驟的基底上，形成平坦化層，并在與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第一過(guò)孔，在與所述讀取晶體管的第二極對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第二過(guò)孔；

通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接電極和所述觸控感光器件的第一電極的圖形；其中，所述連接電極通過(guò)所述第一過(guò)孔將所述發(fā)光器件的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接；所述觸控感光器件的第一電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述讀取晶體管的第二極直接連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，在形成所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔的同時(shí)，還在所述平坦化層與所述讀取晶體管的第一極對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成有第三過(guò)孔；

在形成所述連接電極和所述觸控感光器件的第一極的同時(shí)，還形成有讀取信號(hào)線；所述讀取信號(hào)線通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述讀取晶體管的第一極連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，形成所述發(fā)光器件和所述觸控感光器件的感光功能層、第二電極的步驟具體包括：

在形成有連接電極和所述觸控感光器件的第一電極的基底上，形成感光功能層；

形成層間絕緣層，并在與所述連接電極對(duì)應(yīng)的位置形成第四過(guò)孔，在與所述觸控感光器件的感光功能層對(duì)應(yīng)的位置形成第五過(guò)孔；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括位于所述第四過(guò)孔中的所述發(fā)光器件的第一極和位于第五過(guò)孔中的所述觸控感光器件的第二電極的圖形；

形成像素限定層，并在與所述發(fā)光器件的第一極對(duì)應(yīng)的位置形成第一容納槽；

在所述第一容納槽中形成發(fā)光材料層；

通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括所述發(fā)光器件的第二極的圖形。

優(yōu)選的是，形成所述感光功能層的步驟包括：

在沿背離所述基底方向，依次沉積N型a-si層、本征型a-si層、P型a-si層，以及輔助層，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在與所述觸控感光器件的第一電極對(duì)應(yīng)的位置形成包括感光功能層的圖形。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種觸控基板，包括：基底，設(shè)置在基底上的發(fā)光器件和觸控感光器件；其中，所述發(fā)光器件包括依次設(shè)置在基底上方的第一極、發(fā)光材料層、第二極；所述觸控感光器件包括依次設(shè)置在基底上方的第一電極、感光功能層、第二電極；所述觸控感光器件的第一電極和第二電極中的一者與所述發(fā)光器件的第一極同層設(shè)置且材料相同。

優(yōu)選的是，所述觸控感光器件的第一電極與所述發(fā)光器件的第一極同層設(shè)置且材料相同；所述觸控感光器件的第二電極與所述發(fā)光器件的第二極同層設(shè)置且材料相同。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述觸控基板還包括：設(shè)置在基底上的開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、讀取晶體管；

設(shè)置在所述開關(guān)晶體管、所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述讀取晶體管所在層上方的平坦化層，且在所述平坦化層與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一過(guò)孔，在與所述讀取晶體管的第二極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第二過(guò)孔；所述發(fā)光器件的第一極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極直接連接；所述觸控感光器件的第一電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述讀取晶體管直接連接。

優(yōu)選的是，所述觸控感光器件的第二電極與所述發(fā)光器件的第一極同層設(shè)置且材料相同；所述觸控基板還包括：

設(shè)置在基底上的開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、讀取晶體管；

設(shè)置在所述開關(guān)晶體管、所述驅(qū)動(dòng)晶體管、所述讀取晶體管所在層上方的平坦化層，且在所述平坦化層與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二電極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一過(guò)孔，在與所述讀取晶體管的第二極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第二過(guò)孔；

覆蓋所述第一過(guò)孔的連接電極，所述觸控感光器件的第一電極覆蓋所述第二過(guò)孔；其中，所述連接電極通過(guò)所述第一過(guò)孔將所述發(fā)光器件的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接；所述觸控感光器件的第一電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述讀取晶體管的第二極直接連接。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，在所述平坦化層中還設(shè)置有與所述讀取晶體管的第一極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第三過(guò)孔；

在所述第三過(guò)孔上方覆蓋有讀取信號(hào)線；所述讀取信號(hào)線通過(guò)所述第三過(guò)孔與所述讀取晶體管的第一極連接。

優(yōu)選的是，所述感光功能層包括：在沿背離所述基底方向，依次設(shè)置的N型a-si層、本征型a-si層、P型a-si層，以及輔助層。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的觸控基板。

本發(fā)明具有如下有益效果：

由于在本發(fā)明的觸控基板的制備方法中觸控感光器件的第一電極和第二電極中的一者是與發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備的，故可以簡(jiǎn)化觸控基板的制備工藝，提高生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種和第二優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟一所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟二所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟三所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟四所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟五所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟六所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟七所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖9為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法的流程圖；

圖10為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟二所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖11為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟三所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖12為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟四所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖13為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟五所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖14為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟六所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖15為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟七所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖16為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟八所形成結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖17為本發(fā)明的實(shí)施例1的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式的觸控基板的制備方法中步驟九所形成結(jié)構(gòu)的示意圖。

其中附圖標(biāo)記為：10、基底；1、開關(guān)晶體管；2、驅(qū)動(dòng)晶體管；3、讀取晶體管；4、平坦化層；41、第一過(guò)孔；42、第二過(guò)孔；5、發(fā)光器件/OLED器件；51、第一極/陽(yáng)極；52、發(fā)光材料層；53、第二極/陰極；6、觸控感光器件；61、第一電極；62、感光功能層；63、第二電極；621、N型a-si層；622、本征型a-si層；623、P型a-si層；624、輔助層；7、像素限定層；71、第一容納槽；72、第二容納槽；8、連接電極；9、讀取信號(hào)線；11、層間絕緣層；111、第四過(guò)孔；112、第五過(guò)孔。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供一種觸控基板的制備方法，包括在基底上形成發(fā)光器件和觸控感光器件的步驟；其中，形成發(fā)光器件的步驟包括：在基底上依次形成發(fā)光器件的第一極、發(fā)光材料層、第二電極的步驟；形成觸控感光器件的步驟包括在基底上依次形成第一電極、感光功能層、第二電極的步驟。特別的是，本實(shí)施例中的觸控感光器件的第一電極和第二電極中的一者與發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備。

由于在本實(shí)施例的觸控基板的制備方法中觸控感光器件的第一電極和第二電極中的一者是與發(fā)光器件的第一極采用一次構(gòu)圖工藝制備的，故可以簡(jiǎn)化觸控基板的制備工藝，提高生產(chǎn)效率。

在此需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的發(fā)光器件優(yōu)選為有機(jī)電致發(fā)光器件，即OLED器件，發(fā)光器件的第一極為OLED器件的陽(yáng)極，第二極為OLED器件的陰極。當(dāng)然，這并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)施例中的發(fā)光器件的限制，其他發(fā)光器件也是可行的。以下，均以觸控基板中的每個(gè)觸控單元由觸控感光器件和讀取晶體管構(gòu)成；驅(qū)動(dòng)OLED器件發(fā)光的像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管和開關(guān)晶體管；發(fā)光器件為OLED器件，第一極為陽(yáng)極，第二極為陰極為例進(jìn)行說(shuō)明。

為更清楚的理解本實(shí)施例的觸控基板的制備方法，具體結(jié)合下述兩種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式對(duì)該制備方法進(jìn)行說(shuō)明。其中，在以下步驟中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過(guò)程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。形成薄膜通常有沉積、涂敷、濺射等多種方式。

本實(shí)施例中的第一種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式，也即，觸控感光器件6的第一電極61與OLED器件的陽(yáng)極51采用一次構(gòu)圖工藝制備。

結(jié)合圖1所示，該觸控基板的制備方法具體包括如下步驟：

步驟一、在基底10上，通過(guò)圖工藝形成包括用于驅(qū)動(dòng)OLED器件5發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管2、開關(guān)晶體管1，以及觸控單元中的讀取晶體管3的各層結(jié)構(gòu)的步驟，如圖2所示。

以該步驟中所形成的驅(qū)動(dòng)晶體管2、開關(guān)晶體管1、讀取晶體管3為底柵型薄膜晶體管為例，該步驟具體為：柵極/柵線/→柵極絕緣層→有源層→源極/漏極。

步驟二、在完成步驟一的基底10上，涂覆形成平坦化層4，通過(guò)刻蝕工藝，，并在與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二電極63對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第一過(guò)孔41，在與所述讀取晶體管3的第二極對(duì)應(yīng)的位置形成第二過(guò)孔42，如圖3所示，。

步驟三、在完成步驟二的基底10上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括OLED器件的陽(yáng)極51(第一極)和觸控感光器件6的第一電極61的圖形；其中，OLED器件的陽(yáng)極51通過(guò)所述第一過(guò)孔41與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二極直接連接；所述觸控感光器件6的第一電極61通過(guò)所述第二過(guò)孔42與所述讀取晶體管3的第二極直接連接，如圖4所示。

步驟四、在完成步驟三的基底10上，形成觸控感光器件6的感光功能層62，如圖5所示。

該步驟具體可以包括：在沿背離所述基底10方向，依次沉積N型a-si層621、本征型a-si層622、P型a-si層623，以及輔助層624，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在與所述觸控感光器件6的第一電極61對(duì)應(yīng)的位置形成包括感光功能層62的圖形。在此需要說(shuō)明的是，之所以形成輔助層624(ITO cap層)是由于之后所形成第五過(guò)孔112較小，輔助層624可以更好的俘獲電荷，若第五過(guò)孔112尺寸足夠大，也可以不用形成輔助層624。

步驟五、在完成步驟四的基底10上，形成像素限定層7，并在與所述發(fā)光器件的第一極51對(duì)應(yīng)的位置形成第一容納槽71，在與所述觸控感光器件6的感光功能層62對(duì)應(yīng)的位置形成第二容納槽72，如圖6所示。

步驟六、在完成步驟五的基底10上，在所述第一容納槽71中形成OLED器件的發(fā)光材料層52，如圖7所示；優(yōu)選的，形成發(fā)光材料層52的方式為噴墨打印的方式。此時(shí)所形成的發(fā)光層僅在第一容納槽71中，在觸控感光器件6上方并沒(méi)有發(fā)光材料層52，此時(shí)可以增加入射至觸控感光器件6的光的通量，從而可以提高光學(xué)觸控精度。當(dāng)然，也可以采用蒸鍍的方式形成OLED器件5的發(fā)光材料層52。

步驟七、在完成步驟六的基底10上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括OLED器件的陰極53(第二極)和位于第二容納槽72中的觸控感光器件6的第二電極63的圖形，如圖8所示。當(dāng)然，OLED器件的陰極53和觸控感光器件的第二電極63也可以采用兩次工藝制備。

至此完成觸控基板的制備，當(dāng)然，該觸控基板的制備方法還可以包括在OLED器件的陰極53和觸控感光器件6的第二電極63所在層上方形成封裝層的步驟。

相應(yīng)的，本實(shí)施例提供了一種可上述的制備方法制備的觸控基板。其中，本實(shí)施例中的所述的“同層設(shè)置”并非是宏觀上的同層，而是指在一次構(gòu)圖工藝中所形成的圖形為同層設(shè)置。

具體的，如圖8所示，該觸控基板包括：基底10，設(shè)置在基底10上的開關(guān)晶體管1、驅(qū)動(dòng)晶體管2、讀取晶體管3，且開關(guān)晶體管1、驅(qū)動(dòng)晶體管2、讀取晶體管3可以同時(shí)制備；也即，開關(guān)晶體管1的控制極與驅(qū)動(dòng)晶體管2的控制極和讀取晶體管3的控制極同層設(shè)置且材料相同，這三者的源、漏極同層設(shè)置且材料相同。該觸控基板還包括：設(shè)置在所述開關(guān)晶體管1、所述驅(qū)動(dòng)晶體管2、所述讀取晶體管3所在層上方的平坦化層4，且在所述平坦化層4與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二電極63對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一過(guò)孔41，在與所述讀取晶體管3的第二極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第二過(guò)孔42；在第一過(guò)孔41對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置發(fā)光器件的第一極51，在第二過(guò)孔42對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置觸控感光器件6的第一電極61；其中，發(fā)光器件的第一極51通過(guò)所述第一過(guò)孔41與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二極直接連接；觸控感光器件6的第一電極61通過(guò)所述第二過(guò)孔42與所述讀取晶體管3直接連接。在觸控感光器件6的第一電極61上設(shè)置感光功能層62(該感光功能包括：在沿背離所述基底10方向，依次設(shè)置的N型a-si層621、本征型a-si層622、P型a-si層623，以及輔助層624)；在感光功能層62所在層上方設(shè)置像素限定層7，并在該像素限定層7與發(fā)光器件的第一極51對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置第一容納槽71，在與觸控感光器件6的感光功能層62對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置第二容納槽72；在第一容納槽71中色設(shè)置有發(fā)光材料層52；在設(shè)置發(fā)光材料層52的基底10上設(shè)置發(fā)光器件的第二極53和位于第二容納槽72中的觸控感光器件6的第二電極63；其中，第二電極63覆蓋發(fā)光材料層52，且與觸控感光器件6的第二電極63同層設(shè)置且材料相同。

當(dāng)然，該觸控基板上還可以包括覆蓋在發(fā)光器件的第二極53和觸控感光器件的第二電極63所在層上方的封裝層等其他結(jié)構(gòu)，在此不再一一列舉。

本實(shí)施例中的第二種優(yōu)選實(shí)現(xiàn)方式，也即，觸控感光器件6的第二電極63與所述發(fā)光器件的第一極51采用一次構(gòu)圖工藝制備。

結(jié)合圖9所示，該觸控基板的制備方法具體包括如下步驟：

步驟一、在基底10上，通過(guò)圖工藝形成包括用于驅(qū)動(dòng)OLED器件5發(fā)光的驅(qū)動(dòng)晶體管2、開關(guān)晶體管1，以及觸控單元中的讀取晶體管3的各層結(jié)構(gòu)的步驟，如圖2所示，。

以該步驟中所形成的驅(qū)動(dòng)晶體管2、開關(guān)晶體管1、讀取晶體管3為底柵型薄膜晶體管為例，該步驟具體為：柵極/柵線/→柵極絕緣層→有源層→源極/漏極。

步驟二、在完成步驟一的基底10上，形成平坦化層4，并在與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二電極63對(duì)應(yīng)的位置刻蝕形成第一過(guò)孔41，在與所述讀取晶體管3的第二極對(duì)應(yīng)的位置形成第二過(guò)孔42，與所讀取晶體管3的第一極對(duì)應(yīng)的位置形成有第三過(guò)孔43，如圖10所示。

步驟三、在完成步驟二的基底10上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括連接電極8、觸控感光器件6的第一極、讀取信號(hào)線9的圖形，如圖11所示；其中，所述連接電極8通過(guò)所述第一過(guò)孔41將OLED器件的陽(yáng)極51與驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二極連接；觸控感光器件6的第一電極61通過(guò)第二過(guò)孔42與讀取晶體管3直接連接；讀取信號(hào)線9通過(guò)第三過(guò)孔43與讀取晶體管3的第一極連接。連接電極8、觸控感光器件6的第一極、讀取信號(hào)線9的材料優(yōu)選為金屬材料。

步驟四、在完成步驟三的基底10上，形成觸控感光器件6的感光功能層62，如圖12所示。

該步驟具體可以包括：在沿背離所述基底10方向，依次沉積N型a-si層621、本征型a-si層622、P型a-si層623，以及輔助層624，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在與所述觸控感光器件6的第一電極61對(duì)應(yīng)的位置形成包括感光功能層62的圖形。在此需要說(shuō)明的是，之所以形成輔助層624是由于之后所形成第五過(guò)孔112較小，輔助層624可以更好的俘獲電荷，若第五過(guò)孔112尺寸足夠大，也可以不用形成輔助層624。

步驟五、在完成步驟四的基底10上，形成層間絕緣層11，并在與連接電極8對(duì)應(yīng)的位置形成第四過(guò)孔111，在與觸控感光器件6的感光功能層62對(duì)應(yīng)的位置形成第五過(guò)孔112，如圖13所示。

步驟六、在完成步驟五基底10上，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括位于第四過(guò)孔111中的OLED器件的陽(yáng)極51和位于第五過(guò)孔112中的觸控感光器件6的第二電極63的圖形，如圖14所示。

步驟七、在完成步驟六的基底10上，形成像素限定層7，并在與所述發(fā)光器件的第一極51對(duì)應(yīng)的位置形成第一容納槽71，如圖15所示。

步驟八、在完成步驟七的基底10上，在所述第一容納槽71中形成OLED器件5的發(fā)光材料層52，如圖16所示；其中，形成OLED器件5的發(fā)光材料層52所采用的方式為蒸鍍，當(dāng)然也可以采用噴墨打印的方式。

步驟九、在完成步驟八的基底10上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括OLED器件的陰極53的圖形，如圖17所示。

至此完成觸控基板的制備，當(dāng)然，該觸控基板的制備方法還可以包括在OLED器件的陰極53和觸控感光器件6的第二電極63所在層上方形成封裝層的步驟。

相應(yīng)的，本實(shí)施例提供了一種可上述的制備方法制備的觸控基板。具體的，如圖17所示，該觸控基板包括：基底10，設(shè)置在基底10上的開關(guān)晶體管1、驅(qū)動(dòng)晶體管2、讀取晶體管3，且開關(guān)晶體管1、驅(qū)動(dòng)晶體管2、讀取晶體管3可以同時(shí)制備；也即，開關(guān)晶體管1的控制極與驅(qū)動(dòng)晶體管2的控制極和讀取晶體管3的控制極同層設(shè)置且材料相同，這三者的源、漏極同層設(shè)置且材料相同。該觸控基板還包括：設(shè)置在所述開關(guān)晶體管1、所述驅(qū)動(dòng)晶體管2、所述讀取晶體管3所在層上方的平坦化層4，且在所述平坦化層4與所述驅(qū)動(dòng)晶體管2的第二電極63對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第一過(guò)孔41，在與所述讀取晶體管3的第二極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第二過(guò)孔42，在與所述讀取晶體管3的第一極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置有第三過(guò)孔43；在與第一過(guò)孔41對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置連接電極8，在與第二過(guò)孔42對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置觸控感光器件6的第一電極61，在于第三過(guò)孔43位置對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置讀取信號(hào)線9，且連接電極8、觸控感光器件6的第一電極61、讀取信號(hào)線9同層設(shè)置且材料相同；在觸控感光器件6的第一電極61上方設(shè)置感光功能層62(該感光功能包括：在沿背離所述基底10方向，依次設(shè)置的N型a-si層621、本征型a-si層622、P型a-si層623，以及輔助層624)；在感光功能層62所在層上方設(shè)置層間絕緣層11，并在該層間絕緣層11與發(fā)光器件的第一極51對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置第四過(guò)孔111，在與觸控感光器件6的感光功能層62對(duì)應(yīng)的位置形成第五過(guò)孔112；在與第四過(guò)孔111對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置發(fā)光器件的第一極51，在與所述第五過(guò)孔112對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置觸控感光器件6的第二電極63；且該發(fā)光器件的第一極51與觸控感光器件6的第二電極63同層設(shè)置且材料相同；在發(fā)光器件的第一極51與觸控感光器件6的第二電極63所在層上方形成像素限定層7，并在該像素限定層7與發(fā)光器件的第一極51對(duì)應(yīng)的位置形成第一容納槽71；所述第一容納槽71中設(shè)置發(fā)光材料層52；在發(fā)光材料層52所在層上方設(shè)置發(fā)光器件的第二極53。

當(dāng)然，該觸控基板上還可以包括覆蓋在發(fā)光器件的第二極53和觸控感光器件6的第二電極63所在層上方的封裝層等其他結(jié)構(gòu)，在此不再一一列舉。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例1所述的觸控基板，此處不詳細(xì)描述。

當(dāng)然本實(shí)施例中該顯示裝置可以為：OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

由于本實(shí)施例的顯示裝置具有上述的觸控基板，故其可以制備工藝簡(jiǎn)單，產(chǎn)能較高。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。