本實用新型屬于光電探測器設(shè)計領(lǐng)域，涉及硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器。

背景技術(shù)：

目前，光學(xué)跟蹤中普遍采用位置傳感器多采用象限探測器（Quadrant detector,QD）、橫向探測器（Lateral Effect Detectors）和多元探測器（如CCD），而四象限探測器作為一種常見的光電傳感器，在光電信號檢測、光電定向、光電準直、光電跟蹤定位、激光制導(dǎo)、激光對準等方面得到廣泛應(yīng)用。其中激光制導(dǎo)主要部件為導(dǎo)引頭和激光照射器，而導(dǎo)引頭中的核心部件是四象限探測器。而在通用的光電探測器和普通四象限探測中因結(jié)構(gòu)缺陷的原因，內(nèi)部串擾較為嚴重，從而使跟蹤效果大大降低。而低串擾自校正硅基四象限復(fù)合光電探測器正好彌補了其不足之處。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供了硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器的新型結(jié)構(gòu)，可以解決目前四象限光電探測器自身串擾大，定位不準確等問題。使探測器具有更高的靈敏度和快速定位等特點。本實用新型技術(shù)方案如下：

硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器，包括：如圖1所示, 圓形雪崩光電二極管APD制作1 、弧形象限元組PIN制作3 、和P+型環(huán)形二極管2、以及弧形象限元組PIN間防串擾trench多晶隔離槽6的制造。如圖2所示PIN 采用P+擴散作為象限區(qū)8，圓形雪崩光電二極管APD縱向結(jié)構(gòu)依次是P+型重摻雜陽極區(qū)7，P-型耗盡層形成的雪崩倍增區(qū)6，N+重摻雜層組成的電場控制區(qū)5和P+型隔離區(qū)3，摻雜外延層形成的吸收區(qū)2，陰極區(qū)為APD與PIN共用，并設(shè)有金屬電極12。

附圖說明

圖1為本實用新型采用硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器的結(jié)構(gòu)剖面圖；

具體實施方式

以下將結(jié)合附圖，對本實用新型的具體實施方式和實施例加以詳細說明。

本實用新型的核心思想在于提供硅基APD/PIN低串擾自校正復(fù)合光電探測器的新型結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，其中1為圓形雪崩光電二極管APD，用于完成對微弱高頻信號的探測，實現(xiàn)激光測距的功能；3為弧形象限組成的光敏面，其用于實現(xiàn)激光準直，跟蹤等功能；2為擴散二極管，其用于PIN與APD間隔離作用，降低象限間串擾。

首先，如圖2，在硅基襯底的外延層2上采用光刻、氧化、鈍化、平坦化處理制作trench 多晶硅隔離槽（如結(jié)構(gòu) 10），其寬度1um，深度采用14um結(jié)構(gòu)，并采用氧化、多晶鈍化等工藝進行trench槽的填充。

其次，如圖2，在通過氧化、光刻、離子注入、擴散等工藝形成保護環(huán)二極管P+ （如結(jié)構(gòu)3）。

再次，如圖2，在同一硅基襯底的外延層2上采用光刻、離職注入形成象限弧形組PIN 的P+區(qū)（如結(jié)構(gòu) 8）。

再次，如圖2，在同一硅基襯底的外延層2上采用光刻、離子注入、擴散工藝形成圓形雪崩光電二極管APD的陽極P+區(qū)（如結(jié)構(gòu) 7 ）。

再其次，如圖2，在通過氧化、光刻、離子注入、擴散等工藝形成電場控制N+區(qū)（如結(jié)構(gòu) 5）。

進一步，通過鈍化、光刻、金屬化等工藝形成低串擾自校正硅基四象限復(fù)合光電探測器鈍化層和器件電極（如結(jié)構(gòu)4、9、11、12）。

最后，所述四個象限組元和圓形光電二極管為兩種不同類型的光電二極管。

硅基APD/PIN復(fù)合光電探測器接收光信號時，各象限單元根據(jù)光斑的偏移量轉(zhuǎn)換為光電流，經(jīng)后續(xù)自動增益控制放大電路和自校正處理電路輸出相應(yīng)坐標（X，Y）。根據(jù)輸出坐標參數(shù)調(diào)整四象限探測器對準角度，使光斑照射在象限中心位置。