本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體元件被廣泛應(yīng)用于人們的日常生活和工作中。

在車載空調(diào)風(fēng)扇的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中，使用多個(gè)分體式半導(dǎo)體裝置。專利文件1(JP特開(kāi)10-335541A)公開(kāi)了一種分立式半導(dǎo)體裝置，圖1是專利文件1的分立式半導(dǎo)體裝置的示意圖。如圖1所示，半導(dǎo)體元件4載置于框架1上，半導(dǎo)體元件4的連接端子通過(guò)引線8與框架1的引線端子10和框架1上的其他元件2進(jìn)行電連接，并且，密封材料9對(duì)半導(dǎo)體元件4、框架1、其他元件2以及引線8進(jìn)行密封，并使框架1的下表面從密封材料9中露出，由此，半導(dǎo)體裝置成為半模制型封裝體。

應(yīng)該注意，上面對(duì)技術(shù)背景的介紹只是為了方便對(duì)本申請(qǐng)的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說(shuō)明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本申請(qǐng)的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了使半導(dǎo)體裝置小型化，需要將多個(gè)分立式半導(dǎo)體裝置集成到一個(gè)封裝體中形成集成的半導(dǎo)體裝置，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，集成的半導(dǎo)體裝置的封裝結(jié)構(gòu)難以直接使用原有的分立式半導(dǎo)體裝置的封裝結(jié)構(gòu)，原因在于：1、原有的分立式半導(dǎo)體裝置的封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗大、散熱性低；2、原有的分立式半導(dǎo)體裝置的封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部采用細(xì)絲狀的引線進(jìn)行電連接，該細(xì)絲狀的引線在流過(guò)大電流的情況下容易發(fā)生熔斷。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有良好的散熱特性，并且其內(nèi)部的電連接通道不易斷裂。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置具有：

至少一個(gè)半導(dǎo)體元件；

框體，其上表面載置有所述半導(dǎo)體元件；

導(dǎo)電體，其與所述半導(dǎo)體元件的上表面連接；

密封體，其對(duì)所述半導(dǎo)體元件、所述導(dǎo)電體以及所述框體進(jìn)行密封，并使所述框體的至少部分下表面、以及所述導(dǎo)電體的至少部分上表面從所述密封體露出，其中，所述導(dǎo)電體是板狀的金屬構(gòu)件。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，其中，所述導(dǎo)電體包括：

第一導(dǎo)電體，其與所述框體的第一端子連接；以及

第二導(dǎo)電體，其與所述框體的第二端子連接，其中，所述第一導(dǎo)電體的延伸方向和所述第二導(dǎo)電體的延伸方向垂直。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第三方面，其中，所述第一端子是電連接所述半導(dǎo)體元件的源極的源極端子，所述第二端子是電連接所述半導(dǎo)體元件的漏極的漏極端子。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第四方面，其中，所述第一導(dǎo)電體的厚度和所述第二導(dǎo)電體的厚度都大于所述框體的厚度。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第五方面，其中，所述第一導(dǎo)電體從所述密封體露出的表面的面積大于所述第一導(dǎo)電體與所述半導(dǎo)體元件的接觸面的面積；和/或

所述第二導(dǎo)電體從所述密封體露出的表面的面積大于所述第二導(dǎo)電體與所述半導(dǎo)體元件的接觸面的面積。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第六方面，其中，與所述第一導(dǎo)電體連接的所述半導(dǎo)體元件的發(fā)熱量大于與所述第二導(dǎo)電體連接的所述半導(dǎo)體元件的發(fā)熱量，并且，所述第一導(dǎo)電體的面積大于所述第二導(dǎo)電體的面積。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第七方面，其中，所述導(dǎo)電體具有第一端和與所述第一端相對(duì)的第二端，其中，所述第一端的寬度小于所述第二端的寬度。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第八方面，其中，所述導(dǎo)電體為環(huán)狀。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第九方面，其中，所述導(dǎo)電體的從所述密封體露出的表面上具有絕緣膜。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第十方面，提供一種電子設(shè)備，其具有如上述第一-第九方面中的任一方面所述的半導(dǎo)體裝置。

本申請(qǐng)的有益效果在于：半導(dǎo)體裝置能夠具有良好的散熱特性，并且其內(nèi)部的電連接通道不易斷裂。

參照后文的說(shuō)明和附圖，詳細(xì)公開(kāi)了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，指明了本申請(qǐng)的原理可以被采用的方式。應(yīng)該理解，本申請(qǐng)的實(shí)施方式在范圍上并不因而受到限制。在所附權(quán)利要求的精神和條款的范圍內(nèi)，本申請(qǐng)的實(shí)施方式包括許多改變、修改和等同。

針對(duì)一種實(shí)施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方式中使用，與其它實(shí)施方式中的特征相組合，或替代其它實(shí)施方式中的特征。

應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，術(shù)語(yǔ)“包括/包含”在本文使用時(shí)指特征、整件、步驟或組件的存在，但并不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整件、步驟或組件的存在或附加。

附圖說(shuō)明

所包括的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例的進(jìn)一步的理解，其構(gòu)成了說(shuō)明書的一部分，用于例示本申請(qǐng)的實(shí)施方式，并與文字描述一起來(lái)闡釋本申請(qǐng)的原理。顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1是專利文件1的分立式半導(dǎo)體裝置的一個(gè)示意圖；

圖2是本申請(qǐng)實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)俯視透視圖；

圖3是圖2的A-A位置的一個(gè)橫截面示意圖；

圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)仰視圖；

圖5是圖2的B-B位置的一個(gè)橫截面示意圖；

圖6是本申請(qǐng)實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)俯視圖。

具體實(shí)施方式

參照附圖，通過(guò)下面的說(shuō)明書，本申請(qǐng)的前述以及其它特征將變得明顯。在說(shuō)明書和附圖中，具體公開(kāi)了本申請(qǐng)的特定實(shí)施方式，其表明了其中可以采用本申請(qǐng)的原則的部分實(shí)施方式，應(yīng)了解的是，本申請(qǐng)不限于所描述的實(shí)施方式，相反，本申請(qǐng)包括落入所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的全部修改、變型以及等同物。

實(shí)施例1

本申請(qǐng)實(shí)施例1提供一種半導(dǎo)體裝置。

圖2是該半導(dǎo)體裝置的一個(gè)俯視透視圖，圖3是圖2的A-A位置的一個(gè)橫截面示意圖，圖4是該半導(dǎo)體裝置的一個(gè)仰視圖，圖5是圖2的B-B位置的一個(gè)橫截面示意圖，圖6是該半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)俯視圖。

如圖2、圖3所示，該半導(dǎo)體裝置200包括半導(dǎo)體元件201、框體202、導(dǎo)電體203和密封體204。

在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件201的數(shù)量至少為一個(gè)，圖中2所示為6個(gè)半導(dǎo)體元件；框體202的上表面可以用來(lái)載置半導(dǎo)體元件201；導(dǎo)電體203可以與半導(dǎo)體元件201的上表面連接；密封體204可以對(duì)半導(dǎo)體元件201、導(dǎo)電體203以及框體202進(jìn)行密封。

在本實(shí)施例中，如圖2和圖3所示，導(dǎo)電體203的至少部分上表面可以從密封體204露出。如圖2和圖4所示，框體202的至少部分下表面可以從密封體204露出。

在本實(shí)施例中，如圖2所示，導(dǎo)電體201可以是板狀的金屬構(gòu)件，導(dǎo)電體203的截面積大于現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體裝置內(nèi)部引線的截面積。

根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電體與半導(dǎo)體元件連接，并且導(dǎo)電體的上表面從密封體露出，因此，半導(dǎo)體元件能夠經(jīng)由該導(dǎo)電體而向半導(dǎo)體裝置200的外部散熱；并且，導(dǎo)電體為板狀，其具有較大的截面積，在利用導(dǎo)電體進(jìn)行半導(dǎo)體裝置內(nèi)的電連接時(shí)，即使流過(guò)大電流，該導(dǎo)電體也不易熔斷。所以，本實(shí)施例提供了一種具有散熱性優(yōu)異、且能夠流過(guò)大電流的密封封裝型半導(dǎo)體裝置。

在本實(shí)施例中，如圖2和圖3所示，導(dǎo)電體203可以包括第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032。其中，第一導(dǎo)電體2031可以與框體202的第一端子2021連接，第二導(dǎo)電體2032可以與框體202的第二端子2022連接。在本實(shí)施例中，該第一端子2021例如可以是源極端子，其與半導(dǎo)體元件201的源極電連接，該第二端子2022例如可以是漏極端子，其與半導(dǎo)體元件201的漏極電連接，當(dāng)然，本實(shí)施例并不限于此，第一端子和第二端子也可以是其它端子。

在本實(shí)施例中，如圖2所示，第一導(dǎo)電體2031的延伸方向Y和第二導(dǎo)電體2032的延伸方向X垂直。由此，在第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體受熱時(shí)，將沿不同的方向產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而使半導(dǎo)體裝置200所受到的熱應(yīng)力的方向分散，防止半導(dǎo)體裝置200產(chǎn)生劇烈的變形。與之相對(duì)，如果第一導(dǎo)電體2031的延伸方向和第二導(dǎo)電體的延伸方向相同，那么，在第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體受熱時(shí)，將沿相同的方向產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而使半導(dǎo)體裝置200在特定方向上受到的熱應(yīng)力較為集中，容易使半導(dǎo)體裝置200的可靠性受到影響。

在本實(shí)施例中，如圖3所示，第一導(dǎo)電體2031的厚度和第二導(dǎo)電體2032的厚度都大于框體202的厚度。由于第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032可以作為半導(dǎo)體元件201的散熱板，其厚度越大，熱容量也越大，越有利于為半導(dǎo)體元件201散熱。此外，為了使半島裝置小型化，第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032的面積需要被控制，所以，將第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032的厚度設(shè)置得較厚，能夠在控制面積的情況下提高第一導(dǎo)電體和第二導(dǎo)電體的熱容量。

如圖5所示，在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電體2032從密封體204露出的表面S1的面積大于第二導(dǎo)電體2032與半導(dǎo)體元件201的接觸面S2的面積，由此，能夠提高經(jīng)由露出面S1進(jìn)行散熱的能力。此外，在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電體2031從密封體露出的表面的面積可以大于第一導(dǎo)電體2031與半導(dǎo)體元件201的接觸面的面積。需要說(shuō)明的是，第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032中的一方可以具備漏出的表面的面積大于接觸的表面的面積這一特征，也可以第一導(dǎo)電體2031和第二導(dǎo)電體2032雙方都具備該特征。

在本實(shí)施例中，與第一導(dǎo)電體2031連接的半導(dǎo)體元件201的發(fā)熱量可以大于與第二導(dǎo)電體2032連接的半導(dǎo)體元件201的發(fā)熱量，并且，第一導(dǎo)電體2031的上表面的面積可以大于第二導(dǎo)電體2032的上表面的面積，由此，發(fā)熱量較大的半導(dǎo)體元件可以通過(guò)上表面的面積較大的導(dǎo)電體而進(jìn)行散熱，能夠提高散熱效率。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體201可以具有第一端和與該第一端相對(duì)的第二端，并且，該第一端的寬度小于該第二端的寬度，由此，可以保證導(dǎo)電體的第一端與相鄰的引線或框架之間具有足夠的絕緣寬度。例如，在圖2中，第二導(dǎo)電體2032的第一端2033的寬度可以小于第二端2034的寬度，由此，第一端2033可以與相鄰的引線206之間具有足夠的絕緣距離。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體201可以是環(huán)狀，由此，進(jìn)一步增大導(dǎo)電體203的表面積，提高導(dǎo)電體201的散熱能力。例如，如圖6所示，第一導(dǎo)電體2031可以是圍繞框架202的內(nèi)周而設(shè)置的環(huán)狀，并且，在導(dǎo)電體2031所覆蓋的區(qū)域中，在不希望導(dǎo)電體2031與框架202或半導(dǎo)體元件201產(chǎn)生電連接的部位，可以設(shè)置絕緣層進(jìn)行電絕緣。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體203的從密封體204露出的表面上可以具有絕緣膜，由此，能夠使導(dǎo)電體203的從密封體204露出的表面與外界電絕緣。

在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件201可以經(jīng)由粘接材料載置于框體202的上表面并固定于框體的上表面。

在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件201可以是硅半導(dǎo)體元件，但是如果是大電力用半導(dǎo)體元件的話，也可以是由和硅半導(dǎo)體相比能夠進(jìn)行高溫狀態(tài)下的動(dòng)作，并且開(kāi)關(guān)速度迅速、低損耗的化合物半導(dǎo)體元件，例如碳化硅(SiC)半導(dǎo)體元件和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體元件等。在本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體元件201例如可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，也可以是其它的元件。

在本實(shí)施例中，框體202的上表面可以經(jīng)由粘接材料來(lái)載置半導(dǎo)體元件201，框體202的下表面從密封體上露出。

在本實(shí)施例中，框體202可以包括第一框體2023和第二框體2024，其中，第一框體2023可以經(jīng)由導(dǎo)電性粘結(jié)劑，與半導(dǎo)體元件201的漏極電連接，第二框體2024可以經(jīng)由導(dǎo)電性粘結(jié)劑，與半導(dǎo)體元件201的源極電連接，其中，該導(dǎo)電性粘結(jié)劑例如可以是焊錫等。當(dāng)然，框體202和半導(dǎo)體元件201之間也可以是其它的連接方式。

在本實(shí)施例中，框體202可以是將平板狀材料進(jìn)行沖壓穿孔加工和化學(xué)蝕刻加工等工藝得到，該平板狀材料厚度例如可以是0.2毫米?？蝮w202的材料可以是銅(Cu)或者銅合金，其表面可以鍍有銀(Ag)等。

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體203可以是將平板狀材料進(jìn)行沖壓穿孔加工和化學(xué)蝕刻加工等工藝得到，該平板狀材料厚度例如可以是0.8毫米。導(dǎo)電體203的材料可以是銅(Cu)或者銅合金，其表面可以鍍有鎳(Ni)或者銀(Ag)等

在本實(shí)施例中，導(dǎo)電體203可以作為半導(dǎo)體元件201等的提取電極來(lái)發(fā)揮作用，例如，第一導(dǎo)電性2031可以經(jīng)由導(dǎo)電性粘結(jié)劑，與半導(dǎo)體元件201的源極電連接，第二導(dǎo)電性2032可以經(jīng)由導(dǎo)電性粘結(jié)劑，與半導(dǎo)體元件201的漏極電連接，其中，該導(dǎo)電性粘結(jié)劑例如可以是焊錫等。當(dāng)然，導(dǎo)電體203和半導(dǎo)體元件201之間也可以是其它的連接方式。

在本實(shí)施例中，密封體204可以由物理性質(zhì)變化隨著溫度變化小的耐熱性較好的樹(shù)脂來(lái)形成，例如，該樹(shù)脂可以是硅系樹(shù)脂等。

根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例1，半導(dǎo)體元件能夠經(jīng)由導(dǎo)電體而向半導(dǎo)體裝置的外部散熱；并且，導(dǎo)電體為板狀，其具有較大的截面積，在利用導(dǎo)電體進(jìn)行半導(dǎo)體裝置內(nèi)的電連接時(shí)，即使流過(guò)大電流，該導(dǎo)電體也不易熔斷。所以，本實(shí)施例提供了一種具有散熱性優(yōu)異、且能夠流過(guò)大電流的密封封裝型半導(dǎo)體裝置。

實(shí)施例2

本申請(qǐng)實(shí)施例2還提供一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括如實(shí)施例1所述的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例2，由于半導(dǎo)體裝置能夠利用導(dǎo)電體向外部散熱，并且，導(dǎo)電體為板狀，其具有較大的截面積，即使流過(guò)大電流也不易熔斷，所以，提高了半導(dǎo)體裝置的散熱特性以及大電流特性，進(jìn)而提高了該電子設(shè)備的可靠性。

以上結(jié)合具體的實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚，這些描述都是示例性的，并不是對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型的精神和原理對(duì)本實(shí)用新型做出各種變型和修改，這些變型和修改也在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。