本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種薄膜折射率獲取方法及裝置。
背景技術(shù)：
：隨著工農(nóng)業(yè)和科技的發(fā)展，人民生活水平的不斷提高，各種新能源的開(kāi)發(fā)及利用已經(jīng)成為了當(dāng)今時(shí)代的主題。其中，包括對(duì)太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)及利用，例如采用太陽(yáng)能電池板對(duì)太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)及利用。由于太陽(yáng)能電池片中的薄膜的折射率直接影響到電池的效果。為了提高電池的鈍化效果，降低對(duì)太陽(yáng)光的反射，對(duì)薄膜的折射率有嚴(yán)格的要求，因此，生產(chǎn)雙層膜、多層膜勢(shì)在必行。其中，雙層膜或多層膜中的每層薄膜的折射率直接影響其透光性和鈍化效果，從而影響電池的短路電流(Short－circuitCurrent，ISC)和開(kāi)路電壓(Open－circuitVoltage，VOC)，折射率的情況對(duì)于組件也有影響，例如薄膜的折射率要與組件鋼化玻璃的折射率相匹配，這樣才能讓更多的光到達(dá)電池表面。現(xiàn)有技術(shù)僅能監(jiān)控單層膜和雙層膜或多層膜總的折射率，而不能測(cè)出雙層膜或多層膜中的每層膜的折射率；同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)在獲得薄膜的折射率時(shí)候，計(jì)算工序繁瑣，效率低下，十分不便。但是，在生產(chǎn)中，監(jiān)控雙層膜或多層膜中的每層膜的折射率非常重要。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜折射率獲取方法及裝置，以有效地改善上述問(wèn)題。本發(fā)明的實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜折射率獲取方法，所述方法應(yīng)用于PECVD鍍膜工藝中，所述方法包括：根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)；根據(jù)電壓與折射率對(duì)照表獲得每個(gè)電壓參數(shù)對(duì)應(yīng)的折射率；根據(jù)獲得的每個(gè)折射率和每個(gè)折射率相對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)占總鍍膜參數(shù)的時(shí)間占比，利用折射率公式獲得薄膜的總折射率，其中，所述總鍍膜參數(shù)為所有的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)的總和。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述的根據(jù)電壓與折射率對(duì)照表獲得每個(gè)電壓參數(shù)對(duì)應(yīng)的折射率的步驟之前，所述方法還包括：利用橢偏儀對(duì)不同預(yù)設(shè)參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量；根據(jù)測(cè)得的不同預(yù)設(shè)參數(shù)下的薄膜折射率和對(duì)應(yīng)該參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)關(guān)系，獲得電壓與折射率對(duì)照表。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述的利用橢偏儀對(duì)不同預(yù)設(shè)參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量的步驟包括：根據(jù)預(yù)設(shè)工藝獲得每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜；利用橢偏儀對(duì)所述每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述的根據(jù)預(yù)設(shè)工藝獲得每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜的步驟包括：將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)，對(duì)所述PECVD鍍膜工藝腔進(jìn)行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理，根據(jù)輸入的參數(shù)進(jìn)行鍍膜，鍍膜工藝結(jié)束后，依次進(jìn)行抽真空、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂?，將所述石墨舟移出所述PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述折射率公式為：n＝T1＊n1+T2＊n2+...+TN＊nN，其中，n為薄膜總的折射率，n1為第一層薄膜的折射率，nN為第N層薄膜的折射率，T1為第一層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的占比，TN為第N層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的占比。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述的根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的步驟包括：將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)，根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述的將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)的步驟包括：對(duì)所述PECVD鍍膜工藝腔進(jìn)行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)均包括：鍍膜時(shí)間。另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜折射率獲取裝置，所述裝置包括：處理器和爐管，所述處理器用于根據(jù)上述的方法獲取所述爐管內(nèi)的電壓參數(shù)。在本發(fā)明較佳的實(shí)施例中，所述處理器包括：獲取單元，用于根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)。本發(fā)明實(shí)施例的有益效果是：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜折射率獲取方法，只需要通過(guò)簡(jiǎn)單直觀的電壓參數(shù)，就能很好的知道單層膜的折射率情況，或者知道兩層膜或多層膜中的每層膜的折射率情況；該方法可以提前預(yù)知薄膜的折射率情況，能及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，早做調(diào)整，具有監(jiān)控的及時(shí)性，從而生產(chǎn)出的薄膜可以提高電池的轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)該方法不需要繁瑣的測(cè)試計(jì)算，既節(jié)約了人力、物力、財(cái)力和時(shí)間，又簡(jiǎn)化了步驟，提高了效率，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本，便于推廣應(yīng)用。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在所寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。通過(guò)附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜折射率獲取方法的流程示意圖。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1中的步驟S111中的電壓與折射率對(duì)照表的獲取方法的流程示意圖。圖3示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的圖2中的步驟S120的流程示意圖。圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的方法獲得第一預(yù)設(shè)參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的顯示界面示意圖。圖5示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的方法獲得第二預(yù)設(shè)參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的顯示界面示意圖。圖6示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜折射率獲取裝置。圖標(biāo)：100－薄膜折射率獲取裝置；110－計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)；120－壓力檢測(cè)裝置；130－溫度檢測(cè)裝置；140－高頻電源發(fā)生器；150－爐管。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。在本發(fā)明的描述中，還需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”、“耦合”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜折射率的獲取方法，如圖1所示，所述方法包括：步驟S110－S112。步驟S110：根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)。所述的根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的步驟，包括，將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。于本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述石墨舟為6列20行的石墨舟，其中，片與片之間間距相同，優(yōu)選地，該間距為11.5mm。在獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)時(shí)，需要先將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。其中，還包括：對(duì)PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)的環(huán)境進(jìn)行調(diào)試等，優(yōu)選地，包括：對(duì)所述PECVD鍍膜工藝腔進(jìn)行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理。例如，需要將PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)的空氣抽空，呈真空狀；還需對(duì)PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)的的壓力和溫度進(jìn)行調(diào)試，避免壓力和溫度對(duì)每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的影響，從而影響生產(chǎn)的薄膜的效果。獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)，進(jìn)一步地，可以通過(guò)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)等讀出所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)。其中，包括只有一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)時(shí)，即單層膜，有兩個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)時(shí)，即雙層膜，有兩個(gè)以上預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)時(shí)，即多層膜。當(dāng)只有一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)時(shí)，即單層膜，通過(guò)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)等讀出預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)；當(dāng)有至少兩個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)時(shí)，通過(guò)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)等讀出每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)，即鍍每一層膜時(shí)的電壓參數(shù)。其中，所述的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)為人為自定義的鍍膜參數(shù)，例如，生產(chǎn)者根據(jù)實(shí)際需要，設(shè)置不同的鍍膜參數(shù)來(lái)生成與該鍍膜參數(shù)相對(duì)應(yīng)的薄膜。于本實(shí)施例中，優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)包括鍍膜時(shí)間(即預(yù)沉積的時(shí)間)、充入的混合氣體的比例值和輝光功率，于本實(shí)施例中，充入的混合氣體以硅烷和氨氣進(jìn)行舉例說(shuō)明。其中，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明中所列舉的石墨舟的行列數(shù)、行列間距、混合氣體的種類(lèi)等僅僅是為了使本發(fā)明更加清楚明了而舉的例子而已，因此該石墨舟的行列數(shù)、行列間距、混合氣體的種類(lèi)等不應(yīng)理解成是對(duì)本發(fā)明的限制，即本發(fā)明還可以采用其它規(guī)格的石墨舟和其它種類(lèi)的混合氣體。步驟S111：根據(jù)電壓與折射率對(duì)照表獲得每個(gè)電壓參數(shù)對(duì)應(yīng)的折射率。根據(jù)獲得的電壓參數(shù)和電壓與折射率對(duì)照表可以獲得與該電壓參數(shù)對(duì)應(yīng)的折射率。其中，獲得電壓與折射率對(duì)照表的方法，如圖2所示，該方法包括步驟S120－S121。步驟S120：利用橢偏儀對(duì)不同預(yù)設(shè)參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量。所述的利用橢偏儀對(duì)不同預(yù)設(shè)參數(shù)下獲得的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量的步驟，如圖3所示，包括步驟：S130－S131。步驟S130：根據(jù)預(yù)設(shè)工藝獲得每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜。根據(jù)預(yù)設(shè)工藝獲得薄膜，其中，不同的預(yù)設(shè)參數(shù)下，生成的薄膜不同。其中，根據(jù)預(yù)設(shè)工藝獲得每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜的步驟包括：將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)，對(duì)所述PECVD鍍膜工藝腔進(jìn)行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理，根據(jù)輸入的參數(shù)進(jìn)行鍍膜，鍍膜工藝結(jié)束后，依次進(jìn)行抽真空、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂螅瑢⑺鍪垡瞥鏊鯬ECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。根據(jù)該步驟，可以獲得不同的預(yù)設(shè)參數(shù)下生成的薄膜。其中，預(yù)設(shè)工藝為PECVD鍍膜工藝，即包括：將加裝有硅片的石墨舟放入PECVD鍍膜工藝腔內(nèi)，對(duì)所述PECVD鍍膜工藝腔進(jìn)行抽真空、壓力調(diào)試、溫度調(diào)試處理，根據(jù)輸入的參數(shù)進(jìn)行鍍膜，鍍膜工藝結(jié)束后，依次進(jìn)行抽真空、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂螅瑢⑺鍪垡瞥鏊鯬ECVD鍍膜工藝腔內(nèi)。其中，輸入?yún)?shù)為生產(chǎn)者根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要，而設(shè)定的鍍膜參數(shù)。步驟S131：利用橢偏儀對(duì)所述每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量。由于不同的預(yù)設(shè)參數(shù)下生成的薄膜的折射率不同，需要利用橢偏儀對(duì)每個(gè)預(yù)設(shè)參數(shù)對(duì)應(yīng)的薄膜的折射率進(jìn)行測(cè)量。便可以得到不同的預(yù)設(shè)參數(shù)下生成的薄膜的折射率。其中，預(yù)設(shè)參數(shù)為生產(chǎn)者根據(jù)實(shí)際需要而設(shè)定的參數(shù)。步驟S121：根據(jù)測(cè)得的不同預(yù)設(shè)參數(shù)下的薄膜折射率和對(duì)應(yīng)該參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)關(guān)系，獲得電壓與折射率對(duì)照表。由于在輝光時(shí)，石墨舟中的片與片之間的電性相反，可以等價(jià)于多組平行板電容器并聯(lián)在一起。根據(jù)電容的固有公式：C＝εS/4πkd。其中，ε為電容極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為電容極板的正對(duì)面積，d為電容極板間的距離，k為靜電力常量。由于該石墨舟處于真空中，可以等價(jià)于常見(jiàn)的平行板電容器，即C＝εS/d，其中，ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為極板面積，d為極板間的距離。又由電容公式：C＝Q/U，即可以得到Q/U＝εS/d，由于，極板面積S、極板間距d均為定值，即電容C與極板間相應(yīng)介電常數(shù)ε有關(guān)；當(dāng)正常生產(chǎn)高頻輝光時(shí)，功率P＝UI，由于P為定值，即極板間電壓與極板間相應(yīng)介電常數(shù)ε有關(guān)。例如，極板間介質(zhì)為硅烷與氨氣的混合氣體，則相應(yīng)介電常數(shù)ε會(huì)隨混合氣體的比例變化而變化，介于此，可以通過(guò)電壓與電流反饋得到混合氣體比例變化，進(jìn)而評(píng)價(jià)每層膜的折射率情況。其中，為了更好的說(shuō)明極板間電壓U與極板間相應(yīng)介電常數(shù)ε之間的變化關(guān)系，特以極板間介質(zhì)為硅烷與氨氣的混合氣體為例，進(jìn)行說(shuō)明。表1示出了生產(chǎn)雙層膜的薄膜時(shí)，極板間電壓U與極板間相應(yīng)介電常數(shù)ε之間的變化關(guān)系。表2中示出了生產(chǎn)三層膜時(shí)，極板間電壓U與極板間相應(yīng)介電常數(shù)ε之間的變化關(guān)系。表1表2從表1和表2中，可以看出硅烷與氨氣的比例不同，電壓、電流也隨之不同，硅烷比例越高，電壓越高，電流越低；反之，硅烷比例越低，電壓越低，電流越高。實(shí)驗(yàn)表明，由于硅烷比例越大，折射率越大，所以通過(guò)輝光時(shí)電壓高低能很好的斷定每層膜的折射率?；谏鲜鲈?，根據(jù)測(cè)得的不同預(yù)設(shè)參數(shù)下的薄膜折射率和對(duì)應(yīng)該參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)關(guān)系，獲得電壓與折射率對(duì)照表。當(dāng)輝光功率一定時(shí)，為了更加清楚的了解電壓與折射率的關(guān)系，請(qǐng)參閱表3所示。該表給出了輝光功率在6.5－6.7KW時(shí)，電壓與折射率之間的變化關(guān)系。表3電壓(v)428426424422420418416414412410408折射率2.392.3752.362.3452.332.3152.32.2852.272.2552.24電壓(v)406404402400398396394392390388386折射率2.2252.212.1952.182.1652.152.1352.122.1052.092.075電壓(v)384382380378376374372370368366364折射率2.062.0452.032.01521.9851.971.9551.941.9251.91其中，獲得預(yù)設(shè)參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)的方法在前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，為了避免累贅，此處不再一一舉例說(shuō)明。步驟S112：根據(jù)獲得的每個(gè)折射率和每個(gè)折射率相對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)占總鍍膜參數(shù)的時(shí)間占比，利用折射率公式獲得薄膜的總折射率，其中，所述總鍍膜參數(shù)為所有的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)的總和。根據(jù)獲得的每個(gè)折射率和每個(gè)折射率相對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)占總鍍膜參數(shù)的時(shí)間占比，利用折射率公式獲得薄膜的總折射率。其中，假設(shè)第一層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的比為T(mén)1，第二層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的比為T(mén)2.....第N層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的比為T(mén)N。根據(jù)電壓和折射率對(duì)照表可以獲得每一層膜的折射率，假設(shè)第一層膜的折射率為n1，第二層膜的折射率為n2......第N層膜的折射率為nN。則根據(jù)折射率公式：n＝T1＊n1+T2＊n2+...+TN＊nN便可以求出，其中，n為薄膜總的折射率，n1為第一層薄膜的折射率，nN為第N層薄膜的折射率，T1為第一層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的占比，TN為第N層鍍膜時(shí)間占總鍍膜時(shí)間的占比。為了便于更好的理解上述的方法，下面特以求雙層薄膜和三層薄膜的總折射率的例子進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。PECVD雙層膜工藝步驟請(qǐng)參閱表4，假設(shè)該P(yáng)ECVD雙層膜工藝在爐管1中進(jìn)行。其中，通硅烷(SiH4)和氨氣(NH3)以及同時(shí)加功率的步驟為鍍膜步，其余為輔助步驟。表4中第5步淀積1(鍍第一層膜)的時(shí)間為160秒，第7步淀積2(鍍第二層膜)的時(shí)間為350秒，總成膜時(shí)間為510秒。根據(jù)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)獲得工藝運(yùn)行到第5步時(shí)的電壓值，如圖4所示。根據(jù)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)獲得工藝運(yùn)行到第7步時(shí)的電壓值，如圖5所示。從圖4中讀出鍍第一層膜時(shí)的電壓值為419v，參照電壓和折射率對(duì)照表(表3)獲得第一層的折射率為2.323；從圖5中獲得鍍第二層膜時(shí)的電壓值為377v，參照電壓和折射率對(duì)照表(表3)獲得第二層的折射率為2.0075，通過(guò)折射率計(jì)算公式，可以計(jì)算出爐管1中的SiNx薄膜的折射率為：n＝160/510＊2.323+350/510＊2.0075＝2.1064。表4其它爐管(如爐管2、爐管3和爐管4)也可以通過(guò)同樣的方法獲得每個(gè)爐管中的SiNx薄膜的折射率，為了避免累贅，此處直接給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果，請(qǐng)參閱表5。表5從表5中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得出通過(guò)該方法得出的折射率的誤差范圍為－0.003－0.003，小于目標(biāo)值0.03，實(shí)驗(yàn)表明該方法方便可行。PECVD三層膜工藝步驟請(qǐng)參閱表6，假設(shè)該P(yáng)ECVD雙層膜工藝在爐管1中進(jìn)行。其中，通硅烷(SiH4)和氨氣(NH3)以及同時(shí)加功率的步驟為鍍膜步，其余為輔助步驟。表6中第5步淀積1(鍍第一層膜)的時(shí)間為60秒，第7步淀積2(鍍第二層膜)的時(shí)間為155秒，第7步淀積3(鍍第三層膜)的時(shí)間為355秒，總成膜時(shí)間為570秒。根據(jù)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)獲得工藝運(yùn)行到第5步時(shí)的電壓值為426V，參照電壓和折射率對(duì)照表(表3)獲得第一層的折射率為2.375；根據(jù)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)獲得工藝運(yùn)行到第7步時(shí)的電壓值為400V，參照電壓和折射率對(duì)照表(表3)獲得第一層的折射率為2.18；根據(jù)設(shè)備顯示屏、高頻電源發(fā)生器或計(jì)算機(jī)獲得工藝運(yùn)行到第9步時(shí)的電壓值為378V，參照電壓和折射率對(duì)照表(表3)獲得第三層的折射率為2.015。通過(guò)折射率計(jì)算公式，可以計(jì)算出爐管1中的SiNx薄膜的折射率為：n＝60/570＊2.375+155/570＊2.18+355/570＊2.015＝2.0978。表6其它爐管(如爐管2、爐管3和爐管4)也可以通過(guò)同樣的方法獲得每個(gè)爐管中的SiNx薄膜的折射率，為了避免累贅，此處直接給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果，請(qǐng)參閱表7。表7從表7中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以得出通過(guò)該方法得出的折射率的誤差范圍為0.0142－0.02，小于目標(biāo)值0.03，實(shí)驗(yàn)表明該方法方便可行。其中，應(yīng)當(dāng)理解是，本發(fā)明中所列舉的SiNx薄膜僅僅是為了使本發(fā)明更加清楚明了而舉的例子而已，因此該薄膜的種類(lèi)不應(yīng)理解成是對(duì)本發(fā)明的限制，即本發(fā)明還可以適用于其它種類(lèi)的薄膜。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜折射率獲取裝置100，如圖6所示。所述薄膜折射率獲取裝置100包括：爐管150、溫度檢測(cè)裝置130、壓力檢測(cè)裝置120、高頻電源發(fā)生器140和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)110。所述溫度檢測(cè)裝置130用于檢測(cè)爐管150內(nèi)的溫度，并將檢測(cè)到的溫度信息傳遞給所述計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)110中的計(jì)算機(jī)。進(jìn)一步，所述溫度檢測(cè)裝置130與所述計(jì)算機(jī)連接。所述壓力檢測(cè)裝置120用于檢測(cè)爐管150內(nèi)的壓力，并將檢測(cè)到的壓力信息傳遞給所述計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)110中的計(jì)算機(jī)。進(jìn)一步，所述壓力檢測(cè)裝置120與所述計(jì)算機(jī)連接。所述高頻電源發(fā)生器140用于產(chǎn)生射頻電場(chǎng)，進(jìn)一步地，所述高頻電源發(fā)生器140與所述計(jì)算機(jī)連接，該高頻電源發(fā)生器140根據(jù)計(jì)算機(jī)發(fā)送的控制指令，來(lái)產(chǎn)生射頻電場(chǎng)。所述計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)110用于根據(jù)上述的方法獲取所述爐管150內(nèi)的電壓參數(shù)。進(jìn)一步的，所述計(jì)算機(jī)內(nèi)的處理器用于根據(jù)上述的方法獲取所述爐管150內(nèi)的電壓參數(shù)。所述處理器包括：獲取單元，用于根據(jù)至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)獲得所述至少一個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)中的每個(gè)預(yù)設(shè)鍍膜參數(shù)在輝光時(shí)的電壓參數(shù)。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜折射率獲取方法及裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜折射率獲取方法，只需要通過(guò)簡(jiǎn)單直觀的電壓參數(shù)，就能很好的知道單層膜的折射率情況，或者知道兩層膜或多層膜中的每層膜的折射率情況；該方法可以提前預(yù)知薄膜的折射率情況，能及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，早做調(diào)整，具有監(jiān)控的及時(shí)性，從而生產(chǎn)出的薄膜可以提高電池的轉(zhuǎn)化效率。同時(shí)該方法不需要繁瑣的測(cè)試計(jì)算，既節(jié)約了人力、物力、財(cái)力和時(shí)間，又簡(jiǎn)化了步驟，提高了效率，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本，便于推廣應(yīng)用。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3