本發(fā)明構(gòu)思涉及一種噴嘴和包括該噴嘴的基板處理設(shè)備，尤其涉及一種雙流體噴嘴和包括該雙流體噴嘴的基板處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

基板表面上的諸如顆粒、有機污染物和金屬污染物的污染物顯著影響半導(dǎo)體器件的特性和成品率。由此，清除附著到基板表面的各種污染物的清洗工藝是非常重要的，且清洗基板的工藝在用于制造半導(dǎo)體的單元工藝之前或之后被執(zhí)行。通常，清洗基板的工藝包括：使用諸如化學(xué)品的處理液去除留在基板上的金屬物質(zhì)、有機物質(zhì)和顆粒的化學(xué)處理工藝；使用純水去除殘留在基板上的化學(xué)品的清洗工藝；和使用干燥氣體干燥基板的干燥工藝。

根據(jù)清洗工藝中待清洗的對象選擇噴嘴。噴嘴可分類為滴落化學(xué)品以注入化學(xué)品的類型和將氣體注入到化學(xué)品以注入霧狀化學(xué)品的雙流體類型。在雙流體類型中，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙流體噴嘴如圖17和圖18所示。參見圖17和圖18，液體從其內(nèi)排出的液體排出孔1000具有單通道，以形成粗的液柱。即使從氣體排出孔2000排出的氣體與液體碰撞，該液體也未充分霧化。因此，導(dǎo)致具有大尺寸的液滴損壞基板的圖案。此外，由于液柱相對較粗，因此即使氣體與液體碰撞霧化了液體，各液滴的尺寸也是不同的且不均勻的。因此，掉落到基板上的液體的散布是不平衡的。因此，基板的圖案被損壞且清洗變得不均勻，從而降低清洗效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種噴嘴和基板處理設(shè)備，該噴嘴可通過減少雙流體噴嘴中液滴的分散程度來防止對基板圖案的損壞并可提高清洗效率。

本發(fā)明構(gòu)思的方面不限于此，本發(fā)明其他未提及的方面可通過以下 描述被本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚地理解。

本發(fā)明構(gòu)思提供了一種噴嘴。

關(guān)于發(fā)明構(gòu)思的一方面，提出了一種用于將流體供應(yīng)到基板的噴嘴，所述噴嘴包括主體，所述主體具有液體排出管線和氣體排出管線，液體流過所述液體排出管線，所述氣體排出管線圍繞所述液體排出管線，且氣體流過所述氣體排出管線，其中，所述主體包括：多個液體排出孔，所述多個液體排出孔排出流過所述液體排出管線的液體；和氣體排出孔，所述氣體排出孔排出流過所述氣體排出管線的氣體。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔可被組合為圍繞所述液體排出管線的中心軸。

根據(jù)一個實施例，所述氣體排出管線可包括出口管線，所述氣體通過所述出口管線排出到外部，所述出口管線可在朝向所述液體排出管線的中心軸的方向上向下傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述氣體排出管線還可包括：入口管線，所述氣體通過所述入口管線引入；和中間管線，所述中間管線連接所述入口管線和所述出口管線，所述入口管線可在朝向所述液體排出管線的中心軸的方向上向下傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的橫截面積可隨所述出口管線向下行進而變大。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的內(nèi)表面可關(guān)于所述液體排出管線的中心軸形成銳角。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的內(nèi)表面可關(guān)于所述液體排出管線的中心軸形成60-70度的角。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的外表面可從所述中間管線的外表面在相同方向上延伸。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的外表面可平行于所述液體排出管 線的中心軸。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔和所述氣體排出孔可彼此間隔開，且所述液體排出孔與所述氣體排出孔之間的距離可不超過0.5mm。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔的直徑可不超過500μm。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔具有圓形形狀，且所述氣體排出孔具有環(huán)形形狀。

根據(jù)一個實施例，所述噴嘴還可包括緩沖器，所述緩沖器防止所述氣體偏向時被排放，所述緩沖器可包括：凸緣，所述凸緣從所述液體排出管線的外表面突起；和多個凹槽，所述多個凹槽沿所述凸緣的圓周豎直形成，所述凹槽可從所述凸緣的外周表面傾斜到所述凸緣的內(nèi)部，并關(guān)于所述凸緣的豎直方向向下傾斜。

關(guān)于本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括：杯狀物，所述杯狀物提供用于處理所述基板的處理空間；支撐單元，所述支撐單元設(shè)置在所述處理空間中以支撐所述處理空間中的基板；和噴射單元，所述噴射單元具有將流體排出到所述基板的噴嘴。所述噴嘴可包括主體，所述主體具有液體排出管線和氣體排出管線，液體通過所述液體排出管線流動，所述氣體排出管線圍繞所述液體排出管線，且氣體通過所述氣體排出管線流動，所述主體可包括：多個液體排出孔，所述多個液體排出孔排出流過所述液體排出管線的液體；和氣體排出孔，所述氣體排出孔排出流過所述氣體排出管線的氣體。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔可被組合為圍繞所述液體排出管線的中心軸。

根據(jù)一個實施例，所述氣體排出管線可包括出口管線，所述氣體通過所述出口管線排出到外部，所述出口管線可在朝所述液體排出管線的中心軸的方向上向下傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述氣體排出管線還可包括：入口管線，所述氣體通過所述入口管線引入；和中間管線，所述中間管線連接所述入口管 線和所述出口管線，所述入口管線可在朝所述液體排出管線的中心軸的方向上向下傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的橫截面積可隨所述出口管線向下行進而變大。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的內(nèi)表面可關(guān)于所述液體排出管線的中心軸以銳角傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的內(nèi)表面可關(guān)于所述液體排出管線的中心軸形成60-70度的角以向下傾斜。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的外表面可從所述中間管線的外表面在相同方向上延伸。

根據(jù)一個實施例，所述出口管線的外表面可平行于所述液體排出管線的中心軸。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔和所述氣體排出孔可彼此間隔開，且所述液體排出孔與所述氣體排出孔之間的距離可不超過0.5mm。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔的直徑可不超過500μm。

根據(jù)一個實施例，所述液體排出孔可具有圓形形狀，且所述氣體排出孔具有環(huán)形形狀。

根據(jù)一個實施例，所述噴嘴還可包括緩沖器，所述緩沖器防止氣體偏向時被排放，所述緩沖器可包括：凸緣，所述凸緣從所述液體排出管線的外表面突起；和多個凹槽，所述多個凹槽沿所述凸緣的圓周豎直形成，所述凹槽可從所述凸緣的外周表面傾斜到所述凸緣的內(nèi)部，并關(guān)于所述凸緣的豎直方向向下傾斜

附圖說明

根據(jù)以下參照附圖的說明書，上述對象和特征以及其他對象和特征將變得明顯，其中，貫穿各附圖，相同的附圖標記指代相同的部件，除非另有說明，其中，

圖1為示意性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的基板處理系統(tǒng)的平面圖；

圖2為示出了圖1的基板處理設(shè)備的實施例的示意圖；

圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的噴嘴的剖視圖；

圖4為示出了圖3的噴嘴的端部的放大剖視圖；

圖5為示出了圖4的噴嘴的端部的仰視圖；

圖6和圖7為描繪了設(shè)置有單個液體排出孔和多個液體排出孔時液滴的索特爾平均直徑(SMD)的對比的曲線；

圖8為描繪了根據(jù)液體排出孔的直徑的SMD的曲線；

圖9和圖10為描繪了根據(jù)液體排出孔和氣體排出孔之間的距離的SMD的對比的曲線；

圖11和圖12為示出了可損壞基板圖案的液滴的散布的分布圖；

圖13和圖14為示出了噴嘴的緩沖器的立體圖；

圖15為示出了緩沖器的平面圖；

圖16為描繪了當凹槽豎直形成和當凹槽向下傾斜時SMD的曲線；

圖17為現(xiàn)有技術(shù)的雙流體噴嘴的剖視圖；

圖18為示出了圖17的噴嘴的端部的仰視圖。

具體實施方式

下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例。本發(fā)明構(gòu)思的實施例可以以任何形式進行修改，且本發(fā)明構(gòu)思的范圍不應(yīng)被解釋為由以下實施例所限制。本發(fā)明構(gòu)思的實施例被提供為，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言更完整地描述本發(fā)明構(gòu)思。因此，附圖中部件的形狀被放大以著重更清晰的說明。

在下文中，將參照圖1-圖16對本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例進行描述。

圖1是示意性示出基板處理系統(tǒng)1的俯視圖。

參見圖1，基板處理系統(tǒng)1包括索引模塊100和工藝處理模塊200。索引模塊100包括多個裝載端口120和傳輸框架140。裝載端口120、傳輸框架140和工藝處理模塊200可以順序排成一排。下文中，裝載端口120、傳輸框架140和工藝處理模塊200排布的方向?qū)⒈环Q為第一方向 12。從頂部看時垂直于第一方向12的方向?qū)⒈环Q為第二方向14，且垂直于包含第一方向12和第二方向14的平面的方向?qū)⒈环Q為第三方向16。

在其內(nèi)容納基板W的載體130坐落于裝載端口120上。提供有多個裝載端口120，且該多個裝載端口沿第二方向14排成一排。圖1示出了提供有四個裝載端口120。但是，裝載端口120的數(shù)量可根據(jù)條件增加或減少，該條件例如為工藝處理模塊200的工藝效率或占地(footprint)。載體130中形成有設(shè)置為支撐基板W周邊的多個狹槽(未示出)。多個狹槽在第三方向16上設(shè)置。基板W堆疊在載體130中，同時沿第三方向16彼此間隔開。前置式晶圓傳送盒(FOUP)可用作載體130。

工藝處理模塊200包括緩沖單元220、傳輸腔室240和多個工藝腔室260。傳輸腔室240設(shè)置為其長度方向平行于第一方向12。工藝腔室260沿第二方向14設(shè)置在傳輸腔室240的相對兩側(cè)。位于傳輸腔室240一側(cè)的工藝腔室260與位于傳輸腔室240另一側(cè)的工藝腔室260關(guān)于傳輸腔室240彼此對稱。一些工藝腔室260沿傳輸腔室240的長度方向布置。此外，一些工藝腔室260彼此堆疊布置。也就是說，具有A乘B(A和B為自然數(shù))陣列的工藝腔室260可設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)。此處，A是沿第一方向12成排設(shè)置的工藝腔室260的數(shù)量，B是沿第三方向16成排設(shè)置的工藝腔室260的數(shù)量。當傳輸腔室240的一側(cè)設(shè)置有四個或六個工藝腔室260時，工藝腔室260可以以2乘2或者3乘2的陣列排布。工藝腔室260的數(shù)量可增加或減少。與以上所述不同，工藝腔室260可以僅設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)。此外，與以上所述不同，工藝腔室260可以設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)或相對兩側(cè)，以形成單層。

緩沖單元220位于傳輸框架140和傳輸腔室240之間。緩沖單元220在傳輸腔室240和傳輸框架140之間提供了基板W在被傳送之前所停留的空間。緩沖單元220中設(shè)置有放置基板W的狹槽(未示出)，且多個狹槽(未示出)可設(shè)置為沿第三方向16彼此間隔開。緩沖單元220的面對傳輸框架140的面和緩沖單元220的面對傳輸腔室240的面是開放的。

傳輸框架140將基板W在坐置于裝載端口120上的載體130與緩沖單元220之間進行傳送。傳輸框架140中設(shè)置有索引軌道142和索引機械手144。索引軌道142以其長度方向平行于第二方向14的方式設(shè)置。索引機械手144安裝在索引軌道142上，且在第二方向14上沿索引軌道142線性移動。索引機械手144具有基部144a、主體144b和多個索引臂144c?；?44a安裝為沿索引軌道142移動。主體144b耦合到基部144a。主體144b設(shè)置為在基部144a上沿第三方向16移動。主體144b設(shè)置為在基部144a上旋轉(zhuǎn)。索引臂144c耦合到主體144b，并設(shè)置為關(guān)于主體144b向前和向后移動。多個索引臂部144c設(shè)置為被分別驅(qū)動。索引臂144c堆疊布置，以便沿第三方向16彼此間隔開。當基板W被在工藝處理模塊200中傳送到載體130時使用一些索引臂144c，當基板W被從載體130傳送到工藝處理模塊200時可使用另一些索引臂144c。這種結(jié)構(gòu)可以防止在索引機械手144將基板W運進或運出的過程中，基板W在工藝處理之前所產(chǎn)生的顆粒附著到工藝處理之后的基板W上。

傳輸腔室240將基板W在緩沖單元220與工藝腔室260之間、各工藝腔室260之間進行傳送。傳輸腔室240中設(shè)置有導(dǎo)軌242和主機械手244。導(dǎo)軌242以其長度方向平行于第一方向12的方式設(shè)置。主機械手244安裝在導(dǎo)軌242上，并在導(dǎo)軌242上沿第一方向12線性移動。主機械手244具有基部244a、主體244b和多個主臂244c?；?44a安裝為沿導(dǎo)軌242移動。主體244b耦合到基部244a。主體244b設(shè)置為在基部244a上沿第三方向16移動。主體244b設(shè)置為在基部244a上旋轉(zhuǎn)。主臂244c耦合到主體244b，并設(shè)置為關(guān)于主體244b向前和向后移動。多個主臂244c設(shè)置為被分別驅(qū)動。主臂244c堆疊布置，以便沿第三方向16彼此間隔開。將基板W從緩沖單元220傳送到工藝腔室260時所使用的主臂244c與將基板W從工藝腔室260傳送到緩沖單元220時所使用的主臂244c可以是不同的。

工藝腔室260中設(shè)置有在基板W上執(zhí)行清洗工藝的基板處理設(shè)備 300。根據(jù)所執(zhí)行的清洗工藝的類型，工藝腔室260中設(shè)置的基板處理設(shè)備300可具有不同結(jié)構(gòu)。可選地，工藝腔室260中的基板處理設(shè)備300可具有相同結(jié)構(gòu)。可選地，工藝腔室260可以以這種方式分為多組：屬于相同組的工藝腔室260中設(shè)置的基板處理設(shè)備300具有相同結(jié)構(gòu)，且屬于不同組的工藝腔室260中設(shè)置的基板處理設(shè)備300具有不同結(jié)構(gòu)。例如，當工藝腔室260被分為兩組時，第一組工藝腔室260可設(shè)置在傳輸腔室240的一側(cè)，且第二組工藝腔室260可設(shè)置在傳輸腔室240的相對側(cè)?？蛇x地，第一組工藝腔室260可設(shè)置在傳輸腔室240的相對兩側(cè)上較低的一側(cè)，第二組工藝腔室260可設(shè)置在傳輸腔室240的相對兩側(cè)上較高的一側(cè)。第一組工藝腔室260和第二組工藝腔室260可根據(jù)所使用的化學(xué)品的種類或者清洗方法的類型而進行分類。

下文中，將對處理基板W的基板處理設(shè)備300的示例進行描述。圖2為示出基板處理設(shè)備300的示例的示意圖。

參見圖2，基板處理設(shè)備300包括杯狀物320、支撐單元340、升降單元360和噴射單元380。該杯狀物320具有執(zhí)行基板處理工藝的空間，且該杯狀物320的上側(cè)是開放的。該杯狀物320具有內(nèi)部回收容器322、中間回收容器324和外部回收容器326?；厥杖萜?22、324和326回收工藝中所用到的不同處理液。內(nèi)部回收容器322具有圍繞支撐單元340的環(huán)形形狀，中間回收容器324具有圍繞內(nèi)部回收容器322的環(huán)形形狀，且外部回收容器具有圍繞中間回收容器324的環(huán)形形狀。內(nèi)部回收容器322的內(nèi)部空間322a、內(nèi)部回收容器322與中間回收容器324之間的空間324a、和中間回收容器324與外部回收容器326之間的空間326a用作入口，處理液通過這些入口被引入到內(nèi)回收容器322、中間回收容器324和外回收容器326中。自回收容器322、324和326從其下表面的下游方向垂直延伸的回收管線322b、324b和326b分別連接到回收容器322、324和326?；厥展芫€322b、324b和326b分別排放通過回收容器322、324和326引入的處理液。通過外部處理液回收系統(tǒng)(未示出)，所排 放的處理液可以再次使用。

支撐單元340設(shè)置在杯狀物320的處理空間中。支撐單元340在工藝期間支撐并旋轉(zhuǎn)基板。支撐單元340具有旋轉(zhuǎn)頭342、多個支撐銷344、多個卡盤銷346、驅(qū)動軸348和驅(qū)動器349。旋轉(zhuǎn)頭342具有從頂部看呈大致圓形形狀的上表面?？捎沈?qū)動器349旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動軸348固定耦合到旋轉(zhuǎn)頭342的底部。如果驅(qū)動軸348旋轉(zhuǎn)，則旋轉(zhuǎn)頭342旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)頭342包括支撐銷344和卡盤銷346以支撐基板。提供有多個支撐銷344。該多個支撐銷344可布置為在旋轉(zhuǎn)頭342的上表面的周邊彼此間隔開，并從旋轉(zhuǎn)頭342向上突出。該多個支撐銷344布置為這些支撐銷相互組合后具有一般環(huán)形形狀。支撐銷344以這樣的方式支撐基板背面的周邊：基板與旋轉(zhuǎn)頭342的上表面以預(yù)設(shè)距離間隔開。提供有多個卡盤銷346?？ūP銷346布置為與旋轉(zhuǎn)頭342中心的距離比與支撐銷344的距離遠。卡盤銷346設(shè)置為從旋轉(zhuǎn)頭342向上突出。卡盤銷346支撐基板的側(cè)表面，以便當支撐單元340旋轉(zhuǎn)時，基板不會橫向離開合適的位置?？ūP銷346設(shè)置為在待機位置和支撐位置之間沿旋轉(zhuǎn)頭342的徑向線性移動。待機位置為比支撐位置更遠離旋轉(zhuǎn)頭342中心的位置。當將基板裝載到支撐單元340上或從支撐單元340卸載時，卡盤銷346位于待機位置；當在基板上執(zhí)行工藝時，卡盤銷346位于支撐位置?？ūP銷346在支撐位置時與基板的側(cè)面接觸。

升降單元360向上和向下線性移動杯狀物320。升降單元360可移動杯狀物320的多個回收容器322、324和326。雖然未示出，但是回收容器可單獨移動。當杯狀物320向上和向下移動時，杯狀物320與支撐單元340之間的相對高度改變。升降單元360具有支架362、可移動軸364和驅(qū)動器366。支架362固定安裝在杯狀物320的外壁上，且由驅(qū)動器366驅(qū)動向上和向下移動的可移動軸364固定耦合到支架362。當基板W被放置到支撐單元340上或者從支撐單元340上抬起時，杯狀物320被降低，這樣，支撐單元340突出到杯狀物320的上面。當執(zhí)行工藝時， 調(diào)節(jié)杯狀物320的高度，這樣，根據(jù)供應(yīng)到基板W的處理液的種類，處理液被引入到預(yù)設(shè)的回收容器內(nèi)。例如，基板由第一處理液處理時，該基板位于與內(nèi)回收容器322的內(nèi)部空間322a相對應(yīng)的高度處。此外，基板由第二處理液和第三處理液處理時，基板可位于與內(nèi)部回收容器322與中間回收容器324之間的空間324a相對應(yīng)的高度處以及與中間回收容器324與外部回收容器326之間的空間326a相對應(yīng)的高度處。不同于以上所述，升降單元360可向上和向下移動支撐單元340，而不是杯狀物320。

噴射單元380將處理液噴射到基板W上。該處理液可以是化學(xué)品。該處理液可以是超純水。噴射單元380可以旋轉(zhuǎn)?？商峁┯幸粋€或多個噴射單元380。噴射單元380具有噴嘴支架382、支架386、驅(qū)動器388和噴嘴400。支架386的長度方向沿第三方向16設(shè)置，且驅(qū)動器388耦合到支架386的下端。驅(qū)動器388使支架386旋轉(zhuǎn)和升降。噴嘴支架382以垂直于支架386的方式耦合到支架386的端部，該端部與支架386耦合到驅(qū)動器388的端部相對。噴嘴400安裝在噴嘴支架382的端部的底表面上。噴嘴400由驅(qū)動器388移動到工藝位置和待機位置。工藝位置為噴嘴400設(shè)置在杯狀物320的豎直上部的位置，待機位置為偏離杯狀物320的豎直上部的位置。

下文中，將參照圖3-圖5對根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思實施例的噴嘴進行描述。圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例的噴嘴的剖視圖。圖4為示出了圖3的噴嘴的端部的放大剖視圖。圖5為示出了圖4的噴嘴的端部的仰視圖。箭頭表示氣體或液體的流動。

噴嘴400包括主體410和緩沖器460。主體410的內(nèi)部形成有液體排出管線420和氣體排出管線430。主體410的端部設(shè)置有多個液體排出孔440和多個氣體排出孔450。

諸如化學(xué)品或處理液的液體流過液體排出管線420。液體排出管線420可沿主體410的長度方向豎直地形成。

氣體流過氣體排出管線430的內(nèi)部。該氣體可為氮氣(N₂)。氣體排出管線430可設(shè)置為圍繞液體排出管線420。

氣體排出管線430包括入口管線432、出口管線436和中間管線434。入口管線432設(shè)置為在朝液體排出管線420的中心軸Q的方向上向下傾斜。

出口管線436的端部形成有氣體排出孔450。出口管線436設(shè)置為在朝液體排出管線420的中心軸Q的方向上向下傾斜。因此，氣體可朝向從液體排出孔440掉落的液滴排放。氣體可進一步霧化液滴。入口管線432和出口管線436可具有相同的傾角。出口管線436的內(nèi)表面可關(guān)于液體排出管線420的中心軸Q形成銳角。例如，出口管線436的內(nèi)表面可關(guān)于液體排出管線420的中心軸Q形成60度-70度的角。出口管線436的外表面可以自中間管線434的外表面在相同方向上延伸。出口管線436的外表面可平行于液體排出管線420的中心軸Q。出口管線436的外表面可垂直于主體410的端部。

由于出口管線436的內(nèi)表面向下傾斜且出口管線436的外表面豎直形成，因此出口管線436的橫截面積隨出口管線向下行進而變寬。也就是說，出口管線436的橫截面積隨其朝氣體排出孔450靠近而變大。氣體從氣體排出孔450排出同時擴散。已被廣泛擴散和排出的氣體可進一步霧化正掉落的液體。

中間管線434連接入口管線432和出口管線436。中間管線434可在主體410的長度方向上形成在主體410的內(nèi)部。中間管線434可設(shè)置為平行于液體排出管線420。

諸如處理液或化學(xué)品的液體從液體排出孔440排出。液體排出孔440可具有圓形形狀?？商峁┯卸鄠€液體排出孔440。該多個液體排出孔440可被組合成圍繞液體排出管線420的中心軸Q。液體排出孔440沿氣體排出孔450的圓周布置。

圖6和圖7為描繪設(shè)置有單個液體排出孔440和多個液體排出孔440 時液滴的索特爾平均直徑(SMD)的對比的曲線。

圖6描繪了根據(jù)液滴的滴落距離，正從單個液體排出孔和多個液體排出孔440掉落的液滴的直徑。具有單個液體排出孔的噴嘴對應(yīng)于現(xiàn)有技術(shù)。多個液體排出孔440的直徑小于單個液體排出孔的直徑。因此，從多個液體排出孔440排出的液體的液柱所具有的直徑小于從單個液體排出孔排出的液體的液柱的直徑。

參見圖6，隨著液滴掉落，與單個液體排出孔處的氣體碰撞的液滴的SMD為24μm-40μm。同時，在多個液體排出孔440的情況下，與氣體碰撞的液滴的SMD為不超過30μm。因此，液滴可被霧化?？稍诓粨p壞基板圖案的情況下提高清洗效率。

圖7描繪了根據(jù)關(guān)于液體排出管線420的中心軸Q水平的徑向距離的、正從單個液體排出孔和多個液體排出孔440掉落的液滴的直徑。參見圖7，單個液體排出孔中的SMD大都不低于30μm。并且，單個液體排出孔中心區(qū)域的SMD和單個液體排出孔周邊區(qū)域的SMD分別為30μm和40μm，這兩者明顯不同。以這種方式，液滴的尺寸變得不均勻。同時，在多個液體排出孔440的情況下，液滴的平均尺寸不超過30μm。液滴的尺寸(SMD)根據(jù)水平方向上的徑向距離是相對均勻的。因此，液滴可均勻地霧化，并因此可在不損壞基板圖案的情況下提高清洗效率。

液體排出孔440的直徑可不超過500μm。圖8為描繪根據(jù)液體排出孔440的直徑的SMD的曲線圖。當液體排出孔440的直徑為500μm和600μm時，對根據(jù)液滴滴落距離的SMD進行比較。

參見圖8，當液體排出孔440的直徑是600μm時，SMD為20μm-24μm。同時，當液體排出孔440的直徑是500μm時，SMD為18μm-20μm。液滴可被霧化。因此，可防止損壞基板圖案，并可提高清洗效率。

參見圖3-圖5，氣體從氣體排出孔450排出。氣體排出孔450可具有環(huán)形形狀。氣體朝正掉落的液體排出并霧化該液體。多個液體排出孔 440沿氣體排出孔450的圓周布置。氣體排出孔450與各液體排出孔440之間的各距離L可以是相同的。距離L是指液體排出孔440與氣體排出孔450之間的最短距離。氣體排出孔450與各液體排出孔440之間的距離L可不超過0.5mm。優(yōu)選地，距離L可為0.1mm-0.5mm。

圖9和圖10為描繪根據(jù)液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離的SMD的對比的曲線圖。

圖9根據(jù)液滴掉落的距離比較了SMD。當液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離為0.6mm時，SMD的尺寸大約為27μm-33μm。同時，當液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離為0.5mm時，SMD的尺寸大約為21μm，以便液體可被霧化。此外，各液滴的尺寸是相對均勻的。因此，可防止損壞基板的圖案，并可提高清洗效率。

圖10根據(jù)關(guān)于液體排出管線420的中心軸Q水平的徑向距離比較了SMD。當液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離為0.6mm時，SMD的尺寸大約為27μm-33μm。當液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離為0.5mm時，SMD的尺寸大約為24μm，以便液體可被霧化。此外，各液滴的尺寸是相對均勻的。因此，可防止損壞基板的圖案，并可提高清洗效率。

圖11和圖12為示出了可損壞基板圖案的液滴的散布的分布圖。圖案損壞閾值線表示損壞基板圖案的液滴的分布的閾值線。分布在閾值線下面的液滴不會損壞基板的圖案，而分布在閾值線上面的液滴損壞基板的圖案。也就是說，液滴的尺寸(SMD)是大的且液滴的滴落速度是快的，可損壞基板的圖案。

圖11示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的噴嘴具有單個液體排出孔440時損壞圖案的液滴的分布。位于圖案損壞閾值線上面的液滴，即損壞基板圖案的液滴，顯示了大約56.5％的分布。接著，SMD大約為26μm。此外，液滴分布的標準差具有8μm的寬分布。寬分布意味著非均勻尺寸的液滴以非均勻的速度滴落。因此，基板圖案被損壞且清洗效率降低。

圖12示出了根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的噴嘴具有多個液體排出孔440時損壞圖案的液滴的分布。噴嘴具有6個液體排出孔440，液體排出孔440與氣體排出孔450之間的距離為0.18mm，且液體排出孔440的直徑為250μm。參見圖12，液滴可被霧化，且液滴的滴落速度變慢。損壞基板圖案的液滴的分布降低至大約0.45％。接著，SMD為15μm且標準差為4μm。與圖11的具有單個液體排出孔440的噴嘴相比，數(shù)值增加了大約50％。液滴的分布窄于排出孔440是單個的情況下液滴的分布，且具有均勻尺寸的液滴以勻速滴落。因此，可防止損壞基板的圖案，并可提高清洗效率。

圖13和圖14為示出噴嘴400的緩沖器460的立體圖。圖15為示出緩沖器460的平面圖。箭頭表示氣體的流動。

緩沖器460防止氣體偏向時被排出。緩沖器460設(shè)置在主體410的內(nèi)部。緩沖器460可設(shè)置在氣體排出管線430的內(nèi)部。如果氣體偏向時被排出，則正滴落的液體可能被非均勻地霧化。因此，優(yōu)選從氣體排出孔450排出的氣體不被偏向到一側(cè)，并被均勻地排出。

緩沖器460包括凸緣462和凹槽464。凸緣462從液體排出管線420的外表面突起。凸緣462可具有環(huán)形形狀同時圍繞液體排出管線420。凸緣462形成在氣體排出管線430的內(nèi)部。

凹槽464提供氣體在其內(nèi)通過的空間。凹槽464可在凸緣462的豎直方向上形成。凹槽464從凸緣462的上表面穿過凸緣462到達凸緣462的下表面?？商峁┯卸鄠€凹槽464。如圖13所示，凹槽464可形成為垂直于凸緣。此外，如圖14和圖15所示，凹槽464可形成為關(guān)于凸緣462傾斜。凹槽464可螺旋狀地形成在凸緣462中。參見圖14，當垂直地看時，凹槽464可形成為關(guān)于凸緣462的豎直方向向下傾斜。參見圖15，當水平地看時，凹槽464可形成為從凸緣462的外周表面朝凸緣462的內(nèi)側(cè)傾斜。凹槽464可以以等間隔形成。氣體穿過凹槽464流入到凸緣462下面的氣體排出管線430中。均勻的氣體被朝向液體排出，以便不 會通過氣體排出孔450而偏向。因此，液滴可被霧化。

圖16為描繪了當凹槽464向下傾斜(情況1)和當凹槽464豎直形成(情況2)時SMD的對比的曲線。參見圖16，當凹槽464豎直形成(情況2)時，SMD為42μm。同時，當凹槽464向下傾斜(情況1)時，根據(jù)滴落距離，SMD為24μm-40μm。因此，液滴可被霧化。可在不損壞基板圖案的情況下提高清洗效率。

下文為通過基板處理設(shè)備300的噴嘴400處理基板的工藝。

氣體和液體通過噴射單元380的噴嘴400排出。液體通過多個液體排出孔400排出。氣體穿過緩沖器460、入口管線430、中間管線434和出口管線436，并通過氣體排出孔450排出。排出的氣體在正朝多個液體排出孔400掉落的液體的方向行進。液滴被氣體霧化，從而正掉落的液體減少。則與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有單個液體排出孔的噴嘴400相比，正掉落的液滴的尺寸和掉落速度是均勻地。掉落的液滴被供應(yīng)到基板上以處理該基板。因此，可防止損壞基板的圖案，并可提高清洗效率。

雖然用于清洗和處理基板的設(shè)備作為示例被描述，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此，而是可具有與用于清洗和處理一基板的設(shè)備的結(jié)構(gòu)相同或相似的結(jié)構(gòu)，該基板將被應(yīng)用到具有雙流體噴嘴的基板處理設(shè)備。

雖然在以上示例中已經(jīng)描述了出口管線的外周表面在與中間管線的外周表面相同的方向上延伸，但是出口管線的外周表面可在不同于中間管線的外周表面的方向上延伸。例如，出口管線的外周表面可在朝液體排出管線的中心軸的方向上向下傾斜。那么，出口管線的外周表面的傾角可大于出口管線的內(nèi)表面的傾角。因此，出口管線的橫截面積可隨其向下行進而變大。此外，出口管線的外周表面可在與液體排出管線中心軸的方向相背的方向上向下傾斜。

雖然以上示例中已經(jīng)描述了出口管線的橫截面積隨其向下行進而變大，但是出口管線的橫截面積可以是恒定的。那么，出口管線的外表面和內(nèi)表面以關(guān)于液體排出管線中心軸相同的傾角傾斜。

雖然已經(jīng)描述了噴嘴包括緩沖器，但是該緩沖器可被省略。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例，可通過減少雙流體噴嘴中液滴的散布來防止損壞基板圖案。

根據(jù)實施例，可提高雙流體噴嘴的清洗效率。

以上描述舉例說明了本發(fā)明構(gòu)思。此外，以上所述內(nèi)容描述了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，且本發(fā)明構(gòu)思可以在各種其他組合、變型和環(huán)境中使用。也就是說，本發(fā)明構(gòu)思可在不脫離說明書所公開的本發(fā)明構(gòu)思的范圍、書面公開的等同范圍和/或本領(lǐng)域技術(shù)人員的技術(shù)和知識范圍內(nèi)被修改和修正。所寫實施例描述了實施本發(fā)明構(gòu)思技術(shù)精神的最好狀態(tài)，且本發(fā)明構(gòu)思的詳細應(yīng)用領(lǐng)域和目的中所需的各種變化可被做出。因此，本發(fā)明構(gòu)思的詳細描述不旨在限制所公開的實施例情況中的發(fā)明構(gòu)思。此外，應(yīng)當理解的是所附的權(quán)利要求書包括其他實施例。