本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路器件，更具體地，涉及用于嵌入式閃存的無(wú)氮化物間隔件或氧化物間隔件。

背景技術(shù)：

閃存是可以快速地電擦除和重新編程的電子非易失性計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存介質(zhì)。它用于各種電子器件和設(shè)備中。常見(jiàn)類型的閃存單元包括堆疊柵極存儲(chǔ)單元和分裂柵極存儲(chǔ)單元。與堆疊柵極存儲(chǔ)單元相比，分裂柵極存儲(chǔ)單元具有更高的注入效率、對(duì)短溝道效應(yīng)的更小的易感性以及更好的過(guò)擦除免疫。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種包括分裂閃存單元的集成電路，包括：半導(dǎo)體襯底，包括通過(guò)溝道區(qū)域彼此分隔開(kāi)的第一源極/漏極區(qū)域和第二源極/漏極區(qū)域，其中，所述溝道區(qū)域包括鄰近所述第一源極/漏極區(qū)域的第一部分和鄰近所述第二源極/漏極區(qū)域的第二部分；選擇柵極，間隔在所述溝道區(qū)域的所述第一部分上方并且通過(guò)選擇柵極電介質(zhì)與所述溝道區(qū)域的所述第一部分分隔開(kāi)；存儲(chǔ)柵極，間隔在所述溝道區(qū)域的所述第二部分上方并且通過(guò)電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)與所述溝道區(qū)域的所述第二部分分隔開(kāi)；以及氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件，布置在最靠近所述第二源極/漏極區(qū)域并且直接位于所述溝道區(qū)域的所述第二部分上方的所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁凹槽中。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種包括一對(duì)分裂柵極閃存單元的集成電路，包括：半導(dǎo)體襯底，包括共同的源極/漏極區(qū)域以及通過(guò)第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域分別與所述共同的源極/漏極區(qū)域分隔開(kāi)的第一單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域和第二單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域；第一選擇柵極和第二選擇柵極，分別間隔在所述第一溝道區(qū)域和所述第二溝道區(qū)域上方，并且通過(guò)第一選擇柵極電介質(zhì)和第二選擇柵極電介質(zhì)分別與所述第一溝道區(qū)域和所述第二溝道區(qū)域分隔開(kāi)；第一存儲(chǔ)柵極和第二存儲(chǔ)柵極，分別間隔在所述第一溝道區(qū)域和所述第二溝道區(qū)域上方，并且通過(guò)電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體襯底分隔開(kāi)，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)沿著所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極的外部側(cè)壁向上延伸以分隔開(kāi)所述選擇柵極的所述外部側(cè)壁和所述存儲(chǔ)柵極的內(nèi)部側(cè)壁；以及氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件，布置在最靠近所述第一單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域或所述第二單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域的所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁凹槽中。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種形成分裂柵極存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體襯底上方形成一對(duì)選擇柵極；在所述半導(dǎo)體襯底上方并且沿著所述選擇柵極的外部側(cè)壁形成電荷捕獲層；在所述電荷捕獲層上方形成存儲(chǔ)柵極，所述存儲(chǔ)柵極鄰近所述一對(duì)選擇柵極的所述外部側(cè)壁并且通過(guò)所述電荷捕獲層與所述一對(duì)選擇柵極的所述外部側(cè)壁分隔開(kāi)；沿著所述存儲(chǔ)柵極的外部側(cè)壁形成存儲(chǔ)柵極間隔件；去除未由所述存儲(chǔ)柵極和所述存儲(chǔ)柵極間隔件覆蓋的部分所述電荷捕獲層并且在所述存儲(chǔ)柵極間隔件的外部側(cè)壁下方的所述電荷捕獲層中留下側(cè)壁凹槽；以及形成氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件沿著所述存儲(chǔ)柵極間隔件的所述外部側(cè)壁延伸并且延伸至所述電荷捕獲層中的所述側(cè)壁凹槽內(nèi)。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例的一對(duì)分裂柵極閃存單元的截面圖。

圖2示出了形成分裂柵極存儲(chǔ)單元的方法的一些實(shí)施例的流程圖。

圖3至圖19示出了處于形成分裂柵極閃存單元的方法的各個(gè)制造階段的截面圖的一些實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

以下公開(kāi)內(nèi)部容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外部的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)例。此外部，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)施例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外部，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。

現(xiàn)代集成電路(IC)通常包括設(shè)置在單個(gè)襯底或管芯上的邏輯器件和嵌入式存儲(chǔ)器。在這樣的IC中包括的一個(gè)類型的嵌入式存儲(chǔ)器是分裂柵極閃存。分裂柵極存儲(chǔ)單元包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域，該源極區(qū)域和漏極區(qū)域設(shè)置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)并且通過(guò)溝道區(qū)域彼此分隔開(kāi)。選擇柵極(SG)設(shè)置在最靠近漏極的溝道區(qū)域的第一部分上方，并且通過(guò)SG電介質(zhì)與溝道區(qū)域分隔開(kāi)。存儲(chǔ)柵極(MG)設(shè)置為鄰近SG的側(cè)壁并且設(shè)置在最靠近源極的溝道區(qū)域的第二部分上方，并且通過(guò)電荷捕獲介電層與溝道區(qū)域分隔開(kāi)。氮化物間隔件，可以在管芯上的邏輯器件的形成期間形成為邊，可以設(shè)置為沿著電荷捕獲介電層的側(cè)壁并且設(shè)置在最靠近源極的溝道區(qū)域上方。

在操作期間，可以活化SG以使電流流經(jīng)溝道區(qū)域(例如，引起帶負(fù)電荷的電子流在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間流動(dòng))。當(dāng)活化SG時(shí)，可以將大的正電壓施加至MG，從而吸引電子從溝道區(qū)域朝向MG。這些電子的一些停留在電荷捕獲層中，從而改變了存儲(chǔ)單元的閾值電壓(Vt)。產(chǎn)生的Vt對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在單元中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。例如，如果超過(guò)預(yù)定量的電荷停留在電荷捕獲層上(例如，Vt的大小大于一些預(yù)定的Vt)，則該單元稱為儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯“0”)；然而，如果小于預(yù)定量的電荷停留在電荷捕獲層上(例如，Vt的大小小于預(yù)定的Vt)，則該單元稱為儲(chǔ)存第二數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如，邏輯“1”)。通過(guò)向單元施加合適的偏置條件，電子可以放置在電荷捕獲層上(或從電荷捕獲層剝離)以為單元設(shè)定相應(yīng)的數(shù)據(jù)狀態(tài)。這樣，數(shù)據(jù)可以被寫入存儲(chǔ)單元或從存儲(chǔ)單元讀取。

不幸地，設(shè)置在電荷捕獲電介質(zhì)旁邊并且設(shè)置在溝道區(qū)域上方的氮化物間隔件可以引起電荷異常儲(chǔ)存和異常刪除。當(dāng)單元經(jīng)受更多讀取和寫入操作時(shí)，這些異常趨向于更為明顯。例如，由于溝道區(qū)域上方的氮化物間隔件的存在，氮化物間隔件可以趨向于不期望地捕獲電荷和從預(yù)期值偏移單元的Vt，特別是當(dāng)單元老化并且在其上實(shí)施了更多的讀取和寫入操作時(shí)。

本發(fā)明涉及無(wú)氮化物間隔件或氧化物間隔件的分裂柵極閃存單元，相對(duì)不受電荷捕獲影響的一個(gè)被插入在最靠近源極的電荷捕獲層的側(cè)壁凹槽中。因此，這個(gè)插入的間隔件可以直接在溝道區(qū)域的外部邊緣上方沿著電荷捕獲層的側(cè)壁凹槽延伸，并且可以沿著MG側(cè)壁(或沿著MG間隔件側(cè)壁)向上延伸，從而限制了不期望的電荷捕獲。在一些實(shí)施例中，如果仍存在用于分裂柵極閃存的氮化物間隔件，則插入的間隔件有效地“推動(dòng)”氮化物側(cè)壁間隔件向外，使得氮化物間隔件不再殘留在溝道區(qū)域上方。這樣，無(wú)氮化物間隔件或氧化物間隔件限制了不期望地捕獲的電荷并且提供了在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)具有良好性能的閃存單元。

圖1示出了設(shè)置在半導(dǎo)體襯底108上的包括一對(duì)分裂柵極存儲(chǔ)單元的集成電路100的一些實(shí)施例的截面圖。一對(duì)分裂柵極存儲(chǔ)單元包括第一存儲(chǔ)單元102a和第二存儲(chǔ)單元102b，第一存儲(chǔ)單元102a和第二存儲(chǔ)單元102b配置為儲(chǔ)存單獨(dú)的數(shù)據(jù)狀態(tài)并且一般是關(guān)于對(duì)稱軸103的彼此的鏡像。通常，集成電路100包括數(shù)百、數(shù)千、數(shù)百萬(wàn)、數(shù)十億等這樣的存儲(chǔ)單元，但是為了簡(jiǎn)單和清楚的說(shuō)明，僅示出了一對(duì)。

第一存儲(chǔ)單元102a和第二存儲(chǔ)單元102b分別包括第一單獨(dú)的源極區(qū)域104a和第二單獨(dú)的源極區(qū)域104b以及在第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元之間共有的共同的漏極區(qū)域106。應(yīng)該理解，雖然區(qū)域106描述為“共同的漏極區(qū)域”，并且區(qū)域104a、區(qū)域104b描述為“單獨(dú)的源極區(qū)域”，但是在一些操作模式和/或在一些其它實(shí)施方式中，這些區(qū)域的功能可以翻轉(zhuǎn)，從而使得“共同的漏極106”可以用作共同的源極區(qū)域，并且“單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b”可以用作單獨(dú)的漏極區(qū)域。因此，術(shù)語(yǔ)“源極”和“漏極”在這方面可以互換，并且可以統(tǒng)稱為“源極/漏極”區(qū)域。

第一存儲(chǔ)單元102a和第二存儲(chǔ)單元102b也分別包括第一選擇柵極110a和第二選擇柵極110b，并且分別包括第一存儲(chǔ)柵極112a和第二存儲(chǔ)柵極112b。第一選擇柵極110a和第一存儲(chǔ)柵極112a布置在第一溝道區(qū)域114a上方，第一溝道區(qū)域114a分隔開(kāi)第一單獨(dú)的源極區(qū)域104a和共同的漏極區(qū)域106。第二選擇柵極110b和第二存儲(chǔ)柵極112b布置在第二溝道區(qū)域114b上方，第二溝道區(qū)域114b分隔開(kāi)第二單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106。

諸如二氧化硅或高k介電材料的選擇柵極電介質(zhì)116a、選擇柵極電介質(zhì)116b布置在第一選擇柵極110a和第二選擇柵極110b下方，并且分隔開(kāi)第一選擇柵極和半導(dǎo)體襯底108以及第二選擇柵極和半導(dǎo)體襯底108。電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b分隔開(kāi)第一存儲(chǔ)柵極112a和半導(dǎo)體襯底108以及第二存儲(chǔ)柵極112b和半導(dǎo)體襯底108。因此，第一存儲(chǔ)柵極112a、第二存儲(chǔ)柵極112b設(shè)置在對(duì)應(yīng)于電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b的上表面的壁架上。電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b也可以在相鄰的第一選擇柵極110a和第一存儲(chǔ)柵極112a的側(cè)壁之間以及相鄰的第二選擇柵極110b和第二存儲(chǔ)柵極112b的側(cè)壁之間垂直向上延伸，以提供它們之間的隔離。

在一些實(shí)施例中，電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b包括夾在介電層117、介電層121(例如，氧化物層)之間的電荷捕獲層119(例如，氮化物層或隨機(jī)布置的球狀硅點(diǎn)層)。在第一存儲(chǔ)單元102a和第二存儲(chǔ)單元102b的操作期間，結(jié)構(gòu)化介電層117、介電層121以促進(jìn)電子隧穿至電荷捕獲層119和從電荷捕獲層119隧穿，從而使得電荷捕獲層119可以保留捕獲的電子，以對(duì)應(yīng)于儲(chǔ)存在分裂柵極閃存單元102a、分裂柵極閃存單元102b中的不同數(shù)據(jù)狀態(tài)的離散方式，捕獲的電子改變分裂柵極閃存單元102a、分裂柵極閃存單元102b的閾值電壓。

存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120a、存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120b布置在由電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b的上表面形成的壁架的外部邊緣上。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120a、存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120b包括內(nèi)部第一存儲(chǔ)柵極間隔件122和外部第二存儲(chǔ)柵極間隔件124。第一存儲(chǔ)柵極間隔件122布置在第一存儲(chǔ)柵極112a和第二存儲(chǔ)柵極112b的壁架上并且沿著第一存儲(chǔ)柵極112a和第二存儲(chǔ)柵極112b的外部側(cè)壁延伸。第二存儲(chǔ)柵極間隔件124布置在電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電子捕獲介電結(jié)構(gòu)118b上并且沿著第一存儲(chǔ)柵極間隔件122的外部側(cè)壁延伸。

無(wú)氮化物或氧化物間隔件126a、無(wú)氮化物或氧化物間隔件126b形成在電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b的側(cè)壁凹槽中，并且沿著最靠近單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b的溝道區(qū)域114a、溝道區(qū)域114b的外部邊緣上方的第二存儲(chǔ)柵極間隔件124的外部側(cè)壁向上延伸。無(wú)氮化物或氧化物間隔件126a、無(wú)氮化物或氧化物間隔件126b的材料也可以設(shè)置為沿著選擇柵極110a、選擇柵極110b的內(nèi)部側(cè)壁(見(jiàn)128a、128b)延伸，并且可以延伸至SG電介質(zhì)116a、SG電介質(zhì)116b內(nèi)的側(cè)壁凹槽中。無(wú)氮化物或氧化物間隔件126a、無(wú)氮化物或氧化物間隔件126b均可以具有錐形的上表面，該上表面具有處于存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120a、存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件120b處的第一高度和更靠近第一單獨(dú)的源極區(qū)域104a和第二單獨(dú)的源極區(qū)域104b的減小的第二高度。

諸如由氮化硅(例如，Si₃N₄)或氮氧化硅(SiO_xN_y)制成的氮化物側(cè)壁間隔件130a、氮化物側(cè)壁間隔件130b可以沿著無(wú)氮化物或氧化物間隔件126a、無(wú)氮化物或氧化物間隔件126b的外部側(cè)壁延伸。諸如二氧化硅或低k介電材料的層間電介質(zhì)(ILD)132設(shè)置在結(jié)構(gòu)上方，并且接觸件134穿過(guò)ILD層132向下延伸以使其與單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106的上部區(qū)域上的硅化物層136接觸。

通過(guò)在溝道區(qū)域114a、溝道區(qū)域114b的邊緣部分上方放置氧化物間隔件層或無(wú)氮化物間隔件126a、氧化物間隔件層或無(wú)氮化物間隔件126b；間隔件126a、間隔件126b“推動(dòng)”氮化物側(cè)壁間隔件130a、氮化物側(cè)壁間隔件130b向外，由于氮化物側(cè)壁間隔件130a、氮化物側(cè)壁間隔件130b，限制了不期望的電荷捕獲。因此，限制了存儲(chǔ)單元102a、存儲(chǔ)單元102b的使用期中的Vt退化。

參照?qǐng)D2，提供了用于制造集成電路的方法200的一些實(shí)施例的流程圖。

在步驟202中，在半導(dǎo)體襯底上方形成一對(duì)選擇柵極。

在步驟204中，在一對(duì)選擇柵極上方和半導(dǎo)體襯底上方形成電荷捕獲層。之后，在電荷捕獲層上方形成存儲(chǔ)柵極層。

在步驟206中，在存儲(chǔ)柵極層上方共形地形成第一存儲(chǔ)柵極間隔件層。

在步驟208中，回蝕刻第一存儲(chǔ)柵極間隔件層和存儲(chǔ)柵極層以建立存儲(chǔ)柵極前體和第一存儲(chǔ)柵極間隔件。存儲(chǔ)柵極前體形成為沿著一對(duì)選擇柵極的外部側(cè)壁并且在相鄰的選擇柵極的側(cè)壁之間。第一存儲(chǔ)柵極間隔件設(shè)置為沿著存儲(chǔ)柵極前體中的壁架，其中，該壁架位于存儲(chǔ)柵極前體的外部側(cè)壁上。

在步驟210中，使存儲(chǔ)柵極前體凹進(jìn)以暴露電荷捕獲層的側(cè)壁并且形成沿著一對(duì)選擇柵極的外部側(cè)壁的存儲(chǔ)柵極。

在步驟212中，沿著第一存儲(chǔ)柵極間隔件并且沿著電荷捕獲層的暴露的側(cè)壁形成第二存儲(chǔ)柵極間隔件。

在步驟214中，從相鄰的選擇柵極的相鄰的側(cè)壁之間去除保留的存儲(chǔ)柵極材料。

在步驟216中，去除未由存儲(chǔ)柵極和存儲(chǔ)柵極間隔件覆蓋的部分電荷捕獲層。

在步驟218中，沿著第二存儲(chǔ)柵極間隔件的外部側(cè)壁并且沿著電荷捕獲層的外部側(cè)壁形成氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件。氧化物或無(wú)氮化物間隔件在第二存儲(chǔ)柵極間隔件下方延伸。

在步驟220中，沿著選擇柵極的內(nèi)部側(cè)壁和氧化物或無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁形成氮化物側(cè)壁間隔件。

在步驟222中，實(shí)施離子注入操作以形成源極/漏極區(qū)域。例如，在源極/漏極區(qū)域上方形成諸如硅化鎳的硅化物層。

在步驟224中，在結(jié)構(gòu)上方形成ILD層。之后，平坦化該結(jié)構(gòu)，并且形成穿過(guò)ILD層以歐姆連接至源極/漏極區(qū)域的接觸件。

雖然公開(kāi)的方法200在此處示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時(shí)發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對(duì)于實(shí)施此處描述的一個(gè)或多個(gè)方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個(gè)或多個(gè)步驟可以在一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。

參照?qǐng)D3至圖19，提供了根據(jù)一些實(shí)施例的形成一對(duì)分裂柵極存儲(chǔ)單元的方法的截面圖。雖然描述的圖3至圖19涉及方法200，但是應(yīng)該理解，圖3至圖19中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)不限于這樣的方法。

圖3示出了對(duì)應(yīng)于步驟202的截面圖300的一些實(shí)施例。

如截面圖300所示，提供了半導(dǎo)體襯底108。在半導(dǎo)體襯底108上形成選擇柵極介電層116’，并且在選擇柵極介電層116’上方形成選擇柵極層。之后，在選擇柵極層上方形成選擇柵極(SG)硬掩模302a、選擇柵極(SG)硬掩模302b，并且在SG硬掩模位于適當(dāng)?shù)奈恢脮r(shí)實(shí)施蝕刻以形成一對(duì)選擇柵極110a、選擇柵極110b。在一些實(shí)施例中，通過(guò)光刻工藝形成SG硬掩模302a、302b，其中，光刻膠液體層旋至選擇柵極層并且光刻膠通過(guò)光刻選擇性地暴露于光。之后，顯影曝光的光刻膠并且可以構(gòu)成SG硬掩模302a、SG硬掩模302b，或可以用于圖案化氮化物層或另一層以構(gòu)成SG硬掩模302a、SG硬掩模302b。

例如，半導(dǎo)體襯底108可以是n-型或p-型并且可以是諸如Si塊狀晶圓或絕緣體上硅(SOI)晶圓的硅晶圓。如果存在，SOI襯底包括通過(guò)埋氧層與處理晶圓分隔開(kāi)的高質(zhì)量硅的有源層。選擇柵極介電層116’可以是諸如二氧化硅的氧化物或高k介電材料。選擇柵極110a、選擇柵極110b由諸如摻雜的多晶硅的導(dǎo)電材料制成。SG硬掩模302a、SG硬掩模302b通常包括氮，并且在一些實(shí)施例中，可以是氮化硅。

圖4示出了對(duì)應(yīng)于步驟204的截面圖400的一些實(shí)施例。

如截面圖400所示，在SG硬掩模302a、SG硬掩模302b的上表面上方，沿著SG硬掩模302a、SG硬掩模302b的側(cè)壁；沿著選擇柵極110a、選擇柵極110b的側(cè)壁以及沿著SG介電層116’的側(cè)壁形成電荷捕獲層118’。之后，在電荷捕獲層118’的上表面和側(cè)壁上方形成存儲(chǔ)柵極(MG)層112’。

在一些實(shí)施例中，電荷捕獲層118’可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)形成。在一些實(shí)施例中，電荷捕獲層118’包括夾在兩個(gè)二氧化硅層之間的電荷捕獲氮化硅層以創(chuàng)建通常稱為“ONO”層的三層堆疊件。在其它實(shí)施例中，電荷捕獲層118’可以包括富硅氮化物膜或硅納米點(diǎn)層，或包括但是不限于各個(gè)化學(xué)計(jì)量的硅、氧和氮的任何膜。例如，在一些實(shí)施例中，MG層112’可以是摻雜的多晶硅或金屬。例如，MG層112’可以通過(guò)諸如化學(xué)汽相沉積(CVD)或物理汽相沉積(PVD)的沉積技術(shù)形成。

圖5示出了對(duì)應(yīng)于步驟206的截面圖500的一些實(shí)施例。

如截面圖500所示，在存儲(chǔ)柵極層112’的上表面和側(cè)壁上方形成第一存儲(chǔ)柵極間隔層122’。例如，第一存儲(chǔ)柵極間隔層122’可以是由氮化硅制成的共形層。在一些實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)柵極間隔件層122’可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)或物理汽相沉積(PVD)形成。

圖6示出了對(duì)應(yīng)于步驟208的截面圖600的一些實(shí)施例。

如截面圖600所示，直接沿著存儲(chǔ)柵極前體112a’、存儲(chǔ)柵極前體112b’的側(cè)壁形成第一MG間隔件122。在一些實(shí)施例中，第一存儲(chǔ)柵極間隔件122通過(guò)實(shí)施各向異性蝕刻602回蝕刻第一存儲(chǔ)柵極間隔件層122’和存儲(chǔ)柵極層112’以形成第一MG間隔件122和存儲(chǔ)柵極前體112a’、存儲(chǔ)柵極前體122b’來(lái)形成。

圖7示出了對(duì)應(yīng)于步驟210的截面圖700的一些實(shí)施例。

如截面圖700所示，實(shí)施第二蝕刻702以使存儲(chǔ)柵極前體112a’、存儲(chǔ)柵極前體112b’凹進(jìn)，從而形成存儲(chǔ)柵極112a、存儲(chǔ)柵極112b。在第二蝕刻702期間，第一存儲(chǔ)柵極間隔件122保護(hù)存儲(chǔ)柵極112a、存儲(chǔ)柵極112b的上隅角。在一些實(shí)施例中，第二蝕刻702可以使用干蝕刻劑(例如，RIE蝕刻、等離子體蝕刻等)或濕蝕刻劑(例如，氫氟酸)實(shí)施。第二蝕刻702使存儲(chǔ)柵極前體凹進(jìn)至基本等于選擇柵極110a、選擇柵極110b的高度水平。用于第二蝕刻702的蝕刻劑可以是對(duì)電荷捕獲層118’具有高度選擇性的，以便不損壞電荷捕獲層118’。

圖8示出了對(duì)應(yīng)于步驟212的截面圖800的一些實(shí)施例。

如截面圖800所示，直接在第一存儲(chǔ)柵極間隔件122的外部側(cè)壁上以及直接在電荷捕獲層118’上方形成第二MG間隔件124。第二MG間隔件124沿著第一MG間隔件122的外部側(cè)壁延伸。在一些實(shí)施例中，通過(guò)在整個(gè)結(jié)構(gòu)上方沉積氮化物層以及實(shí)施各向異性蝕刻以形成第二MG間隔件124來(lái)形成第二存儲(chǔ)柵極間隔件124。在一些實(shí)施例中，第二MG間隔件124包括氮化硅。MG間隔件的材料可以殘留在存儲(chǔ)柵極112a、存儲(chǔ)柵極112b上方和電荷捕獲介電層118’的暴露的側(cè)壁上。

圖9至圖10示出了對(duì)應(yīng)于步驟214的截面圖900、截面圖1000的一些實(shí)施例。

如截面圖900所示(圖9)，在結(jié)構(gòu)上方圖案化掩摸904，并且在掩模904位于適當(dāng)?shù)奈恢脮r(shí)，實(shí)施第三蝕刻902以去除相鄰的選擇柵極110a、選擇柵極110b之間的剩余的MG材料；產(chǎn)生了圖10的結(jié)構(gòu)。在各個(gè)實(shí)施例中，用于第三蝕刻902的蝕刻劑可以是干蝕刻劑(例如，RIE蝕刻、等離子體蝕刻等)或濕蝕刻劑(例如，氫氟酸)。

圖10至圖11示出了對(duì)應(yīng)于步驟216的截面圖1000、截面圖1100的一些實(shí)施例。

如截面圖1000所示(圖10)，已經(jīng)去除了掩模904，并且之后實(shí)施第四蝕刻1002以去除電荷捕獲層118’的暴露的部分(即，未由存儲(chǔ)柵極112a、存儲(chǔ)柵極112b覆蓋并且未由第一MG間隔件122和第二MG間隔件124覆蓋的部分電荷捕獲層118’)。在一些實(shí)施例中，第四蝕刻1002可以使用干蝕刻劑(例如，RIE蝕刻、等離子體蝕刻等)或濕蝕刻劑(例如，氫氟酸)實(shí)施，從而產(chǎn)生了圖11的結(jié)構(gòu)。

從圖11可以看出，第四蝕刻1002可以去除部分電荷捕獲介電層118’以暴露半導(dǎo)體襯底108的上表面。第四蝕刻1002也可以在電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b中形成外部側(cè)壁凹槽1102。這些外部側(cè)壁凹槽1102可以具有圓形的截面輪廓或凹形的截面輪廓。在一些實(shí)施例中，第四蝕刻1002也可以在SG電介質(zhì)116a、SG電介質(zhì)116b中形成內(nèi)部側(cè)壁凹槽1104。這些側(cè)壁凹槽底切覆蓋結(jié)構(gòu)的底切的量可以相差很大。例如，在一些實(shí)施例中，外部側(cè)壁凹槽1102可以具有直接終止在第一MG間隔件122下方的最內(nèi)部表面，但是在其它實(shí)施例中，外部側(cè)壁凹槽1102可以具有直接終止在第二MG間隔件124下方的最內(nèi)部表面。

圖12示出了對(duì)應(yīng)于步驟218的截面圖1200的一些實(shí)施例。

如圖12所示，在結(jié)構(gòu)上方形成氧化物間隔層或無(wú)氮化物間隔件層126’。氧化物間隔層或無(wú)氮化物間隔件層126’可以是全部或部分地填充內(nèi)部側(cè)壁凹槽1102、外部側(cè)壁凹槽1104的共形層。在一些實(shí)施例中，氧化物間隔層由二氧化硅制成并且通過(guò)化學(xué)汽相沉積(CVD)、等離子體汽相沉積(PVD)、旋涂技術(shù)或其它合適的技術(shù)形成。無(wú)氮化物間隔件層是顯示和缺乏氮化物的介電層。

圖13示出了對(duì)應(yīng)于步驟218的截面圖1300的一些實(shí)施例。

如圖13所示，實(shí)施第五蝕刻1302以形成沿著第二MG間隔件124的外部側(cè)壁的氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件126a、氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件126b。第五蝕刻也可以在選擇柵極110a、選擇柵極110b的內(nèi)部側(cè)壁上留下氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件128a、氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件128b。在一些實(shí)施例中，第五蝕刻1302是諸如高垂直等離子體蝕刻的各向異性蝕刻。

圖14示出了對(duì)應(yīng)于步驟220的截面圖1400的一些實(shí)施例。

如截面圖1400所示，在結(jié)構(gòu)上方形成氮化物間隔件材料130’。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁間隔件材料130’可以是氮化硅。在一些實(shí)施例中，氮化物間隔件材料130’與沿著半導(dǎo)體襯底108的邏輯區(qū)域上的柵電極的側(cè)壁形成的側(cè)壁間隔件同時(shí)形成。邏輯區(qū)域可以與形成分裂柵極存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)區(qū)域分隔開(kāi)。

圖15示出了對(duì)應(yīng)于步驟220的截面圖1500的一些實(shí)施例。

如截面圖1500所示，蝕刻氮化物間隔件材料130’以形成沿著氧化物間隔件層或無(wú)氮間隔件層126的外部側(cè)壁延伸的氮化物側(cè)壁間隔件130a、氮化物側(cè)壁間隔件130b。通過(guò)在源極/漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域上方放置氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件126a、氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件126b，間隔件126a、間隔件126b“推動(dòng)”氮化物側(cè)壁間隔件130a、氮化物側(cè)壁間隔件130b向外；從而限制了最終器件中的不期望的電荷捕獲。

圖16示出了對(duì)應(yīng)于步驟222的截面圖1600的一些實(shí)施例。

如截面圖1600所示，實(shí)施離子注入1602以在半導(dǎo)體襯底108中形成單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b以及共同的漏極區(qū)域106。在單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106上方形成硅化物層136以促進(jìn)歐姆連接至單獨(dú)的源極區(qū)域和共同的漏極區(qū)域?？蛇x地，可以通過(guò)在結(jié)構(gòu)上方形成重?fù)诫s層形成單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106，而不是離子注入，并且，摻雜劑可以從重?fù)诫s層外擴(kuò)散至襯底以形成單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106。在一些實(shí)施例中，單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106與氮化物間隔件130a、氮化物間隔件130b或無(wú)氮化物或氧化物間隔件126、無(wú)氮化物或氧化物間隔件128的邊緣自對(duì)準(zhǔn)。

圖17示出了對(duì)應(yīng)于步驟224的截面圖1700的一些實(shí)施例。

如截面圖1700所示，形成層間介電(ILD)層132(例如，低k材料)以填充硅化物136上方的間隔并且覆蓋工件。如圖17至圖18所示，也對(duì)圖17的結(jié)構(gòu)實(shí)施平坦化工藝以達(dá)到CMP平面1702。

圖18示出了對(duì)應(yīng)于步驟224的截面圖1800的一些實(shí)施例。

如圖18所示，實(shí)施平坦化工藝以形成選擇柵極110a、選擇柵極110b；存儲(chǔ)柵極112a、存儲(chǔ)柵極112b；電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118a、電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)118b；第一存儲(chǔ)柵極間隔件122和第二存儲(chǔ)柵極間隔件124。這些結(jié)構(gòu)具有沿著水平面1702平坦化的上表面。同樣見(jiàn)圖17，圖17示出了在實(shí)施平坦化之前的水平面1702。應(yīng)該恰當(dāng)指出，半導(dǎo)體襯底108的上表面上方的水平面1702的間隔可以根據(jù)實(shí)施方式而相差很大。例如，在一些其它實(shí)施例中，完成圖案化的水平面1702可以高于示出的，使部分或全部SG硬掩模302a、SG硬掩模302b留在最終制造的結(jié)構(gòu)中的適當(dāng)?shù)奈恢?。然而，在其它?shí)施例中，水平面1702可以低于示出的，例如，去除更大部分的示出的結(jié)構(gòu)，可能去除間隔件126a、間隔件126b的上部以留下具有平坦的上表面的間隔件126a、間隔件126b。

圖19示出了對(duì)應(yīng)于步驟224的截面圖1900的一些實(shí)施例。

如截面圖1900所示，形成穿過(guò)ILD層132、延伸至單獨(dú)的源極區(qū)域104a、單獨(dú)的源極區(qū)域104b和共同的漏極區(qū)域106的接觸件134。在一些實(shí)施例中，接觸件134包括諸如銅、金或鎢的金屬。在一些實(shí)施例中，通過(guò)實(shí)施圖案化的蝕刻以在ILD層132中創(chuàng)建開(kāi)口，隨后用金屬填充開(kāi)口來(lái)形成接觸件134。

因此，本發(fā)明涉及包括分裂柵極閃存單元的集成電路。在一些實(shí)施例中，集成電路包括具有第一源極/漏極區(qū)域和第二源極/漏極區(qū)域的半導(dǎo)體襯底，該第一源極/漏極區(qū)域和第二源極/漏極區(qū)域通過(guò)溝道區(qū)域彼此分隔開(kāi)。溝道區(qū)域包括鄰近第一源極/漏極區(qū)域的第一部分和鄰近第二源極/漏極區(qū)域的第二部分。選擇柵極間隔在溝道區(qū)域的第一部分上方并且通過(guò)選擇柵極電介質(zhì)與溝道區(qū)域的第一部分分隔開(kāi)。存儲(chǔ)柵極間隔在溝道區(qū)域的第二部分上方并且通過(guò)電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)與溝道區(qū)域的第二部分分隔開(kāi)。電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以使選擇柵極和存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)。氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件布置在最靠近第二源極/漏極區(qū)域的電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁凹槽中。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在所述存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以將所述選擇柵極和所述存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)，并且在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述存儲(chǔ)柵極的側(cè)壁橫向延伸以建立壁架。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在所述存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以將所述選擇柵極和所述存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)，并且在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述存儲(chǔ)柵極的側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述存儲(chǔ)柵極的所述側(cè)壁旁邊向上延伸。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在所述存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以將所述選擇柵極和所述存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)，并且在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述存儲(chǔ)柵極的側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述存儲(chǔ)柵極的所述側(cè)壁旁邊向上延伸，其中，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件沿著所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件的外部側(cè)壁向上延伸，并且具有錐形的上表面，所述上表面在所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件處具有第一高度和靠近所述第二源極/漏極區(qū)域具有減小的第二高度。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在所述存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以將所述選擇柵極和所述存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)，并且在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述存儲(chǔ)柵極的側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述存儲(chǔ)柵極的所述側(cè)壁旁邊向上延伸，其中，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件沿著所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件的外部側(cè)壁向上延伸，并且具有錐形的上表面，所述上表面在所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件處具有第一高度和靠近所述第二源極/漏極區(qū)域具有減小的第二高度，布置所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件的所述側(cè)壁凹槽在所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件下方延伸。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在所述存儲(chǔ)柵極旁邊向上延伸以將所述選擇柵極和所述存儲(chǔ)柵極的相鄰的側(cè)壁彼此分隔開(kāi)，并且在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述存儲(chǔ)柵極的側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述存儲(chǔ)柵極的所述側(cè)壁旁邊向上延伸，其中，所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件包括布置在所述壁架上的內(nèi)部第一側(cè)壁間隔件和布置在所述壁架上并且接觸所述內(nèi)部第一側(cè)壁間隔件的外部第二側(cè)壁間隔件。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)包括夾在第一介電層和第二介電層之間的氮化物層，或其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)包括夾在所述第一介電層和所述第二介電層之間的球形硅點(diǎn)層。

在上述集成電路中，其中，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件由二氧化硅制成，并且所述側(cè)壁凹槽具有凹形的截面輪廓或圓形的截面輪廓。

在上述集成電路中，其中，所述集成電路還包括：氮化物間隔件，設(shè)置為沿著接近所述第二源極/漏極區(qū)域的所述氧化物間隔件的外部側(cè)壁。

在其它實(shí)施例中，本發(fā)明涉及包括一對(duì)分裂柵極閃存單元的集成電路。該集成電路包括半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底具有共同的源極/漏極區(qū)域和通過(guò)第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域分別與共同的源極/漏極區(qū)域分隔開(kāi)的第一單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域和第二單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域。第一選擇柵極和第二選擇柵極分別間隔在第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域上方并且通過(guò)第一選擇柵極電介質(zhì)和第二選擇柵極電介質(zhì)分別與第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域分隔開(kāi)。第一存儲(chǔ)柵極和第二存儲(chǔ)柵極分別間隔在第一溝道區(qū)域和第二溝道區(qū)域上方并且通過(guò)電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底分隔開(kāi)。電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)沿著第一選擇柵極和第二選擇柵極的外部側(cè)壁向上延伸以分隔開(kāi)選擇柵極的外部側(cè)壁和存儲(chǔ)柵極的內(nèi)部側(cè)壁。氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件布置在最靠近第一單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域或第二單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域的電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁凹槽中。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述第一存儲(chǔ)柵極或所述第二存儲(chǔ)柵極的外部側(cè)壁橫向延伸以建立壁架。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述第一存儲(chǔ)柵極或所述第二存儲(chǔ)柵極的外部側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述第一存儲(chǔ)柵極或所述第二存儲(chǔ)柵極的所述外部側(cè)壁旁邊向上延伸。

在上述集成電路中，其中，所述電荷捕獲介電結(jié)構(gòu)在終止于所述側(cè)壁凹槽處之前，越過(guò)所述第一存儲(chǔ)柵極或所述第二存儲(chǔ)柵極的外部側(cè)壁橫向延伸以建立壁架，所述集成電路還包括：存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件，設(shè)置在所述壁架上并且在所述第一存儲(chǔ)柵極或所述第二存儲(chǔ)柵極的所述外部側(cè)壁旁邊向上延伸，其中，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件沿著所述存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件的外部側(cè)壁向上延伸并且持續(xù)向下延伸至直接接觸所述半導(dǎo)體襯底的上表面。

在上述集成電路中，還包括：氮化物間隔件，設(shè)置為沿著所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁并且設(shè)置為接近所述第一單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域或所述第二單獨(dú)的源極/漏極區(qū)域。

在又另一實(shí)施例中，本發(fā)明涉及形成分裂柵極存儲(chǔ)器件的方法。在這個(gè)方法中，在半導(dǎo)體襯底上方形成一對(duì)選擇柵極。在半導(dǎo)體襯底上方并且沿著選擇柵極的外部側(cè)壁形成電荷捕獲層。在電荷捕獲層上方形成存儲(chǔ)柵極。該存儲(chǔ)柵極鄰近一對(duì)選擇柵極的外部側(cè)壁并且通過(guò)電荷捕獲層與一對(duì)選擇柵極的外部側(cè)壁分隔開(kāi)。沿著存儲(chǔ)柵極的外部側(cè)壁形成存儲(chǔ)柵極間隔件。去除未由存儲(chǔ)柵極和存儲(chǔ)柵極間隔件覆蓋的部分電荷捕獲層以在存儲(chǔ)柵極間隔件的外部側(cè)壁下方的電荷捕獲層中留下側(cè)壁凹槽。之后，沿著存儲(chǔ)柵極間隔件的外部側(cè)壁形成氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件。該氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件延伸至電荷捕獲層中的側(cè)壁凹槽。

在上述方法中，還包括：沿著所述氧化物間隔件的外部側(cè)壁或沿著所述無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁形成氮化物間隔件。

在上述方法中，還包括：沿著所述氧化物間隔件的外部側(cè)壁或沿著所述無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁形成氮化物間隔件，其中，沿著所述氧化物間隔件的所述外部側(cè)壁或沿著所述無(wú)氮化物間隔件的所述外部側(cè)壁形成的所述氮化物間隔件與沿著所述半導(dǎo)體襯底的邏輯區(qū)域上的柵電極的側(cè)壁形成的側(cè)壁間隔件同時(shí)形成，所述邏輯區(qū)域不同于形成所述分裂柵極存儲(chǔ)器件的所述半導(dǎo)體襯底的存儲(chǔ)區(qū)域。

在上述方法中，還包括：沿著所述氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁形成氮化物間隔件。

在上述方法中，還包括：沿著所述氧化物間隔件或無(wú)氮化物間隔件的外部側(cè)壁形成氮化物間隔件，在已經(jīng)形成所述氮化物間隔件之后，形成與所述氮化物間隔件的邊緣自對(duì)準(zhǔn)的源極/漏極區(qū)域。

在上述方法中，其中，所述氧化物間隔件或所述無(wú)氮化物間隔件沿著存儲(chǔ)柵極側(cè)壁間隔件的外部側(cè)壁向上延伸并且持續(xù)向下延伸至所述側(cè)壁凹槽的底部以直接接觸所述半導(dǎo)體襯底的上表面。

應(yīng)該理解，在這個(gè)書面描述以及下面的聲明中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等一般僅僅是便于描述以區(qū)分圖的不同元件或一系列圖之間的不同。而它們本身，這些術(shù)語(yǔ)并不意味著任何時(shí)間順序或接近這些元件的結(jié)構(gòu)，并且不旨在描述不同示出的實(shí)施例和/或未示出的實(shí)施例中的相應(yīng)的元件。例如，關(guān)于第一圖描述的“第一介電層”可能不一定對(duì)應(yīng)于關(guān)于第二圖描述的“第一介電層”(例如，甚至可能對(duì)應(yīng)于第二圖中的“第二介電層”)，并且不一定對(duì)應(yīng)于未示出實(shí)施例中的“第一介電層”。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本人所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。