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一種聚吡咯復(fù)合石墨烯泡沫電極片的制備方法與流程

文檔序號(hào):11835591閱讀:290來源:國知局

技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于超級(jí)電容器
技術(shù)領(lǐng)域
,特別是涉及一種聚吡咯復(fù)合石墨烯泡沫電極片的制備方法。
背景技術(shù)
:石墨烯是一種新型碳納米材料,由單層sp2碳原子緊密堆積成二維蜂窩狀結(jié)構(gòu)。石墨烯具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能。同時(shí)石墨烯高的理論比表面積和優(yōu)異的電導(dǎo)率決定了其作為電極材料在電化學(xué)儲(chǔ)能器件的巨大潛力。石墨烯獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)和出色的物理特性,使其在超級(jí)電容器中的應(yīng)用具有極大地潛力。與傳統(tǒng)德爾多孔碳材料相比,石墨烯具有非常高的導(dǎo)電性,大的比表面積及大量的層間構(gòu)造,從而成為雙電層電容器較有前景的電極材料的選擇。但是石墨烯在制備過程中容易發(fā)生堆疊,影響石墨烯材料在電解質(zhì)中的分散性和表面可浸潤性,降低了石墨烯材料的有效比表面積和電導(dǎo)率。因此,避免石墨烯堆疊是制備高能量密度和高功率密度石墨烯超級(jí)電容器的技術(shù)難題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種超級(jí)電容器電極片的制備方法,該方法制備的高比表面積、高導(dǎo)電石墨烯泡沫復(fù)合電極片既可以充當(dāng)集流體,又可以充當(dāng)活性材料,負(fù)載聚吡咯后又可以增加電極的容量,同時(shí)還可以簡化了超級(jí)電容器制備的工藝過程,降低了其工藝成本。本發(fā)明提供一種聚吡咯復(fù)合石墨烯泡沫電極片的制備方法為:步驟(1)將氧化石墨和聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨30-60min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水的混合溶液中超聲分散,形成濃度1-20g/L的懸浮液。步驟(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡10-60min,蒸干溶劑,再放入氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)800-1100℃反應(yīng)1-10h,反應(yīng)完全后自然冷卻。步驟(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于1-3mol/L的鹽酸中,60-80℃反應(yīng)5-10h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。步驟(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。進(jìn)一步地,所述步驟(1)中球磨時(shí)間為30-60min;進(jìn)一步地,所述步驟(1)中聚丙烯晴的質(zhì)量為氧化石墨質(zhì)量的0.01-5%;進(jìn)一步地,所述步驟(1)中乙醇與水的混合溶液中乙醇與水的體積比為0.25-4;進(jìn)一步地,所述步驟(1)在氧化石墨懸浮液的濃度為1-20g/L的懸浮液;進(jìn)一步地,所述步驟(2)中泡沫鎳浸泡在氧化石墨懸浮液中的時(shí)間為10-60min;進(jìn)一步地,所述步驟(2)中馬弗爐內(nèi)的氣氛為含5%氫氣的氫氮混合氣;進(jìn)一步地,所述步驟(2)在馬弗爐內(nèi)的反應(yīng)溫度為800-1100℃,反應(yīng)時(shí)間為1-10h;進(jìn)一步地,所述步驟(3)中鹽酸濃度為1-3mol/L;進(jìn)一步地,所述步驟(3)在鹽酸中的反應(yīng)溫度為60-80℃,反應(yīng)時(shí)間為5-10h;進(jìn)一步地,所述步驟(4)中吡咯溶液的質(zhì)量濃度為20-70%;進(jìn)一步地,所述步驟(4)中所述引發(fā)劑采用過硫酸銨、重鉻酸鉀和氯化鐵中的一種;進(jìn)一步地,所述步驟(4)中得到的電極片的厚度為100-500um。本發(fā)明具有如下有益效果:(1)高比表面積、高導(dǎo)電率的石墨烯泡沫既作為集流體又作為活性材料,簡化了制備工藝,降低了成本;(2)聚吡咯負(fù)載后石墨烯和聚吡咯都可以發(fā)揮容量,可以有效增加電極的容量;(3)石墨烯泡沫的多孔結(jié)構(gòu)能夠提供有效的電子和離子傳導(dǎo)通道,實(shí)現(xiàn)高能量密度和高功率密度;(4)該方法制備的電極片不需要像常規(guī)電極片中添加粘結(jié)劑和導(dǎo)電劑,降低了材料的成本。附圖說明圖1是本發(fā)明制備工藝流程圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明的較優(yōu)的實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明:以下實(shí)施例是用于說明本發(fā)明,以指導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。本實(shí)施例不以任何方式限制本發(fā)明。實(shí)施例1(1)將10g氧化石墨和0.001g聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨30min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水體積比為0.25的混合溶液中超聲分散,形成濃度1g/L的懸浮液。(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡10min,蒸干溶劑,再放入含5%氫氣的氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)800℃反應(yīng)10h,反應(yīng)完全后自然冷卻。(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于1mol/L的鹽酸中,60℃反應(yīng)10h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,形成質(zhì)量濃度為20%吡咯溶液,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑過硫酸銨,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。(5)按照通常超級(jí)電容器的制備工藝將電極片、隔膜和電極片通過疊層的方式組成電芯,然后注入電解液,注入的電解液為1mol/LEt4NBF4的AN溶液,封口,得到超級(jí)電容器。實(shí)施例2(1)將10g氧化石墨和0.5g聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨60min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水體積比為4的混合溶液中超聲分散,形成濃度20g/L的懸浮液。(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡60min,蒸干溶劑,再放入含5%氫氣的氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)1100℃反應(yīng)1h,反應(yīng)完全后自然冷卻。(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于3mol/L的鹽酸中,80℃反應(yīng)5h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,形成質(zhì)量濃度為70%吡咯溶液,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑重鉻酸鉀,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。(5)按照通常超級(jí)電容器的制備工藝將電極片、隔膜和電極片通過疊層的方式組成電芯,然后注入電解液,注入的電解液為1mol/LEt4NBF4的AN溶液,封口,得到超級(jí)電容器。實(shí)施例3(1)將10g氧化石墨和0.1g聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨45min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水體積比為0.5的混合溶液中超聲分散,形成濃度3g/L的懸浮液。(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡30min,蒸干溶劑,再放入含5%氫氣的氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)900℃反應(yīng)5h,反應(yīng)完全后自然冷卻。(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于2mol/L的鹽酸中,75℃反應(yīng)7h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,形成質(zhì)量濃度為50%吡咯溶液,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑氯化鐵,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。(5)按照通常超級(jí)電容器的制備工藝將電極片、隔膜和電極片通過疊層的方式組成電芯,然后注入電解液,注入的電解液為1mol/LEt4NBF4的AN溶液,封口,得到超級(jí)電容器。實(shí)施例4(1)將10g氧化石墨和3g聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨40min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水體積比為2的混合溶液中超聲分散,形成濃度10g/L的懸浮液。(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡50min,蒸干溶劑,再放入含5%氫氣的氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)1000℃反應(yīng)3h,反應(yīng)完全后自然冷卻。(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于1.5mol/L的鹽酸中,65℃反應(yīng)9h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,形成質(zhì)量濃度為60%吡咯溶液,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑重鉻酸鉀,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。(5)按照通常超級(jí)電容器的制備工藝將電極片、隔膜和電極片通過疊層的方式組成電芯,然后注入電解液,注入的電解液為1mol/LEt4NBF4的AN溶液,封口,得到超級(jí)電容器。實(shí)施例5(1)將10g氧化石墨和1g聚丙烯晴加入到球磨機(jī)中球磨40min,然后將球磨后的混合物加入到乙醇與水體積比為1的混合溶液中超聲分散,形成濃度5g/L的懸浮液。(2)將泡沫鎳在上述懸浮液中浸泡20min,蒸干溶劑,再放入含5%氫氣的氫氮混合氣保護(hù)的馬弗爐內(nèi)950℃反應(yīng)80h,反應(yīng)完全后自然冷卻。(3)將上述的產(chǎn)物浸漬于2.5mol/L的鹽酸中,75℃反應(yīng)4h,反應(yīng)完全后得到泡沫石墨烯。(4)將吡咯加入水中攪拌均勻,形成質(zhì)量濃度為40%吡咯溶液,然后將泡沫石墨烯放入吡咯溶液中,然后加入引發(fā)劑過氯化鐵,攪拌、靜置、過濾、真空烘干,錕壓后得到石墨烯/聚吡咯電極片。(5)按照通常超級(jí)電容器的制備工藝將電極片、隔膜和電極片通過疊層的方式組成電芯,然后注入電解液,注入的電解液為1mol/LEt4NBF4的AN溶液,封口,得到超級(jí)電容器。其效果如表1所示,由表1可知:本發(fā)明制備電極片質(zhì)量比容量達(dá)到了256.4-272.8F/g。表1實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例4實(shí)施例5質(zhì)量比容量(F/g)256.4272.8260.2268.4271.5以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域
的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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