技術(shù)特征：

1.一種生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，包括下述步驟：

a、在Si基片(1)上制作Si基片孔陣列(4)；

b、在上述的Si基片孔陣列(4)的孔中填充催化劑，形成催化劑點(diǎn)陣(5)；

c、利用氣相沉積，使AlN在催化劑處優(yōu)先成核，之后沿該核在空氣中自組織生長(zhǎng)形成一維錐狀結(jié)構(gòu)的AlN納米線(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，所述的Si基片孔陣列(4)的制作為：在Si基片(1)上濺射沉積Al膜(2)，在該Al膜(2)上制備具有孔間距為I_D、孔直徑為P_D的孔陣列的AAO模板(3)，之后以AAO模板(3)為掩?？涛gSi基片(1)，即能將AAO模板(3)上的孔間距為I_D、孔直徑為P_D的孔陣列刻蝕到Si基片(1)上形成Si基片孔陣列(4)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，所述的Al膜(2)的制作為：以Ar氣為工作氣體，在功率10～300w、氣壓1×10^-5～5×10^-4Pa、常溫條件下，在Si基片(1)上濺射沉積1～2μm厚的Al膜(2)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，所述的AAO模板(3)的制作為：以草酸為電解液，在25V～195V下，使用CrO₃和H₃PO₄的混酸液腐蝕Al膜(2)形成引導(dǎo)孔，之后使用H₃PO₄繼續(xù)擴(kuò)大引導(dǎo)孔，最終形成具有孔間距I_D＝100～500nm、孔直徑P_D＝30～200nm的孔陣列的AAO模板(3)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，所述的Si基片孔陣列(4)的制作為：以Ar和O₂的混合氣為工作氣，在50～500w的功率下以AAO模板(3)為掩?？涛gSi基片(1)，進(jìn)而形成Si基片孔陣列(4)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于，所述的催化劑點(diǎn)陣(5)的制作為：Si基片孔陣列(4)制成后，使用NaOH清除殘余在Si基片(1)上的AAO模板(3)，清除后，將Si基片(1)在真空下放入Au(CH₃COO)溶液中浸泡，取出并烘干，烘干后再次浸泡，如此重復(fù)數(shù)次，最后一次烘干后，去除Si基片(1)表面的殘留、烘干，則Si基片孔陣列(4)的孔內(nèi)附著有Au，進(jìn)而形成以Au為催化劑的催化劑點(diǎn)陣(5)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的生長(zhǎng)可控AlN有序納米陣列的方法，其特征在于：所述的AlN納米線(6)在自組織生長(zhǎng)時(shí)，以Al(NO₃)₃為Al源、NH₃和N₂混合氣體為氮源。