本發(fā)明屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種凸塊結(jié)構(gòu)、封裝組件及其形成方法。

背景技術(shù)：

凸塊結(jié)構(gòu)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于倒裝芯片封裝工藝中，在倒裝芯片封裝工藝中，凸塊結(jié)構(gòu)直接結(jié)合到封裝基板中的導(dǎo)電跡線上。凸塊結(jié)構(gòu)作為倒裝芯片封裝件的內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，具有連線密度高、封裝尺寸小、電性能及熱性能較好的特點(diǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中的凸塊結(jié)構(gòu)如圖1所示，所述凸塊結(jié)構(gòu)11包括凸塊下金屬層114、位于所述凸塊下金屬層114上的銅柱111、位于所述銅柱111上的Ni層112及位于所述Ni層112上的SnAg層113；所述凸塊結(jié)構(gòu)11通過所述凸塊下金屬層114設(shè)置于一基座12上的金屬焊墊13上，所述基座12的表面設(shè)有鈍化層14，所述鈍化層14對(duì)應(yīng)所述金屬焊墊13的地方設(shè)有開口。由圖1可知，所述銅柱111的頂部為平面，所述Ni層112覆蓋于所述銅柱111的頂部，作為焊料層的所述SnAg層113覆蓋于所述Ni層112上，且所述SnAg層113的寬度與所述Ni層112及所述銅柱111的寬度相同。

在倒裝芯片封裝工藝過程中，圖1中所示的結(jié)構(gòu)倒置，且經(jīng)由所述SnAg層113貼置于另一基座(未示出)的導(dǎo)電跡線15上，形成的封裝組件如圖2所示。然而，在倒裝芯片回流工藝后，在高溫條件下，位于所述銅柱111及所述導(dǎo)電跡線15之間的所述SnAg層113會(huì)融化并塌陷，融化的所述SnAg層113會(huì)從其原有的位置凸出，即如圖2中所示，所述SnAg層113在所述銅柱111及所述導(dǎo)電跡線15的兩側(cè)形成有凸出。如果導(dǎo)電跡線的間距非常小，相鄰?fù)蛊鸾Y(jié)構(gòu)就會(huì)相互接觸導(dǎo)致短路，進(jìn)而對(duì)器件造成損壞。為了避免短路，現(xiàn)有的倒裝芯片封裝件中導(dǎo)電跡線的間距必須保持足夠的間距，這就限制了器件尺寸的小型化，進(jìn)而增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種凸塊結(jié)構(gòu)、封裝組件及其形成方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在倒裝芯片封裝件中，由于焊料層在高溫下從原有位置凸出而導(dǎo)致間距較小的導(dǎo)電跡線短路，從而限制了器件尺寸的小型化，增加了生產(chǎn)成本的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)包括：

導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂部形成有凹面；

覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述導(dǎo)電柱的頂部；

焊料層，所述焊料層位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述覆蓋層的寬度等于所述導(dǎo)電柱的寬度；所述焊料層的寬度小于或等于所述導(dǎo)電柱寬度的四分之三。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述導(dǎo)電柱包括銅柱；所述覆蓋層包括Ni層；所述焊料層包括SnAg層。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述凸塊結(jié)構(gòu)還包括凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層位于所述導(dǎo)電柱的底部。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層及所述焊料層均呈凹面狀。

本發(fā)明還提供一種封裝組件，所述封裝組件包括：

第一基底，所述第一基底表面設(shè)有金屬焊墊；

如上述方案中所述的凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)位于所述金屬焊墊上；

第二基底，所述第二基底表面設(shè)有導(dǎo)電跡線；所述凸塊結(jié)構(gòu)通過所述焊料層貼置于所述導(dǎo)電跡線上。

作為本發(fā)明的封裝組件的一種優(yōu)選方案，所述第一基底表面還設(shè)有鈍化層，所述鈍化層對(duì)應(yīng)于所述金屬焊墊的位置處設(shè)有開口，所述凸塊結(jié)構(gòu)經(jīng)由所述開口與所述金屬焊墊相連接。

本發(fā)明還提供一種凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，所述凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

提供一基體；

在所述基體上形成凸塊下金屬層；

通過電鍍工藝在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱；

在所述導(dǎo)電柱頂部形成覆蓋層；

在位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成焊料層。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的一種優(yōu)選方案，通過電鍍工藝在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱包括：

提供電鍍液，所述電鍍液包括主鹽、導(dǎo)電鹽、添加劑；

將所述基體與陰極接通，使所述凸塊下金屬層完全接觸所述電鍍液，在陰極攪拌的情況下進(jìn)行電鍍，即可在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的一種優(yōu)選方案，所述添加劑包括整平劑，電鍍液中所述整平劑的濃度為20ml/L～28ml/L。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的一種優(yōu)選方案，電鍍過程中，所述電鍍液的溫度為30℃～50℃。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的一種優(yōu)選方案，所述添加劑還包括光亮劑。

作為本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的一種優(yōu)選方案，在位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成焊料層包括：

在所述覆蓋層表面制作圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層上設(shè)有開口以暴露出位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層；

在所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成所述焊料層；

去除所述圖形化光刻膠層。

本發(fā)明還提供一種封裝組件的形成方法，所述封裝組件的形成方法包括：

提供第一基底，所述第一基底包括金屬焊墊；

以所述金屬焊墊作為基體，采用上述方案中所述的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法在所述金屬焊墊上形成所述凸塊結(jié)構(gòu)；

提供第二基底，所述第二基底表面設(shè)有導(dǎo)電跡線；

將表面形成有所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述第一基底倒裝，并通過回流工藝使所述焊料層與所述導(dǎo)電跡線相連接。

如上所述，本發(fā)明的凸塊結(jié)構(gòu)、封裝組件及其形成方法，具有以下有益效果：通過在導(dǎo)電柱的頂部設(shè)置凹面，并將焊料層設(shè)置于所述凹面內(nèi)，使得所述焊料層在倒裝芯片回流工藝后，即使在高溫條件下，所述焊料層會(huì)被限制在所述凹面內(nèi)，不會(huì)從其原有的位置凸出至所述導(dǎo)電柱的兩側(cè)，可以有效地避免相鄰焊料層接觸發(fā)生短路；本發(fā)明可以使得倒裝芯片封裝件的尺寸更小、更輕，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的凸塊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的封裝組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明實(shí)施例一中提供的凸塊結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明實(shí)施例二中提供的封裝組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明實(shí)施例三中提供的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法的流程圖。

圖6顯示為本發(fā)明實(shí)施例四中提供的封裝組件的形成方法的流程圖。

元件標(biāo)號(hào)說明

11 凸塊結(jié)構(gòu)

111 銅柱

112 Ni層

113 SnAg層

114 凸塊下金屬層

12 基底

13 金屬焊墊

14 鈍化層

15 導(dǎo)電跡線

21 凸塊結(jié)構(gòu)

211 導(dǎo)電柱

212 覆蓋層

213 焊料層

214 凸塊下金屬層

22 第一基底

23 金屬焊墊

24 鈍化層

25 導(dǎo)電跡線

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖3至圖6。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，雖圖示中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)，所述凸塊結(jié)構(gòu)21包括：導(dǎo)電柱211，所述導(dǎo)電柱211的頂部形成有凹面；覆蓋層212，所述覆蓋層212覆蓋所述導(dǎo)電柱211的頂部；焊料層213，所述焊料層213位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層212上。

作為示例，所述凹面的寬度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，所述凹面的寬度可以小于或等 于所述導(dǎo)電柱211的寬度，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面的寬度小于所述導(dǎo)電柱211的寬度。

作為示例，所述凹面位于所述導(dǎo)電柱211的中心，即所述凹面的中心線與所述導(dǎo)電柱211的中心線相重合。

作為示例，所述凹面縱截面的形狀可以為半圓形、半橢圓形、矩形等等，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面縱截面的形狀為半橢圓形。

作為示例，所述覆蓋層212覆蓋于所述凹面的表面及所述凹面周圍的所述導(dǎo)電柱211的頂部表面上，所述覆蓋層212的寬度等于所述導(dǎo)電柱211的寬度。

作為示例，所述覆蓋層212的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，但所述覆蓋層212的厚度應(yīng)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度，以確保所述覆蓋層212未填滿所述凹面，使得位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層212呈凹面狀；優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述覆蓋層212的厚度遠(yuǎn)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度。

作為示例，所述焊料層213的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，但所述焊料層213所述覆蓋層212所形成的凹面，使得所述焊料層213呈凹面狀；優(yōu)選地，所述焊料層213的厚度遠(yuǎn)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度；更為優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述焊料層213的寬度小于或等于所述導(dǎo)電柱211的寬度的四分之三。

作為示例，所述導(dǎo)電柱211包括但不限于銅柱；所述覆蓋層212包括但不限于Ni層；所述焊料層213包括但不限于SnAg層。

作為示例，所述導(dǎo)電柱211橫截面的形狀可以為圓形、長方形或橢圓形，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電柱211橫截面的形狀為橢圓形；所述導(dǎo)電柱211縱截面的形狀為長方形的柱狀。

作為示例，所述凸塊結(jié)構(gòu)21還包括凸塊下金屬層214，所述凸塊下金屬層214位于所述導(dǎo)電柱211的底部，即所述凸塊下金屬層214位于所述形成有所述凹面的一端的相對(duì)端。

在所述導(dǎo)電柱211的頂部形成凹面，并將所述焊料層213設(shè)置于所述凹面內(nèi)，且所述焊料層213呈凹面狀，在倒裝芯片封裝工藝中，所述焊料層213在倒裝芯片回流工藝后，即使在高溫條件下，所述焊料層213會(huì)被限制在所述凹面內(nèi)，不會(huì)從其原有的位置凸出至所述導(dǎo)電柱211的兩側(cè)，可以有效地避免短路；本發(fā)明的所述凸塊結(jié)構(gòu)可以使得倒裝芯片封裝件的尺寸更小、更輕，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

作為示例，如圖3所示，所述凸塊結(jié)構(gòu)21可以位于一第一基底22上，所述第一基底22表面形成有金屬焊墊23及鈍化層24，所述鈍化層24覆蓋所述第一基底22的表面，且在所述金屬焊墊23對(duì)應(yīng)的位置形成有開口，所述凸塊結(jié)構(gòu)21中的所述凸塊下金屬層214經(jīng)由所 述開口于所述金屬焊墊23相連接。

實(shí)施例二

請(qǐng)參閱圖4，本發(fā)明還提供一種封裝組件，所述封裝組件包括：第一基底22，所述第一基底22的表面設(shè)有金屬焊墊23；如實(shí)施例一所述的凸塊結(jié)構(gòu)21，所述凸塊結(jié)構(gòu)21位于所述金屬焊墊23上；第二基底(未示出)，所述第二基底表面設(shè)有導(dǎo)電跡線25；所述凸塊結(jié)構(gòu)21通過所述焊料層213貼置于所述導(dǎo)電跡線25上。

作為示例，所述第一基底22的表面還設(shè)有鈍化層24，所述鈍化層24覆蓋所述第一基底22的表面，且在所述金屬焊墊23對(duì)應(yīng)的位置形成有開口，所述凸塊結(jié)構(gòu)21中的所述凸塊下金屬層214經(jīng)由所述開口于所述金屬焊墊23相連接。

本實(shí)施例中所述凸塊結(jié)構(gòu)21的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)與實(shí)施例一中所述凸塊結(jié)構(gòu)21的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)完全相同，具體請(qǐng)參閱實(shí)施例一，這里不再累述。

由圖4可知，在所述凸塊結(jié)構(gòu)21中，所述導(dǎo)電柱211的頂部形成有凹面，并將所述焊料層213設(shè)置于所述凹面內(nèi)，且所述焊料層213呈凹面狀，所述焊料層213在倒裝芯片回流工藝后，所述焊料層213在表面張力的作用下形成橢球形與所述導(dǎo)電跡線25相連接，形成如圖4所示的封裝組件，即使在高溫條件下，所述焊料層213會(huì)被限制在所述凹面內(nèi)，不會(huì)從其原有的位置凸出至所述導(dǎo)電柱211及所述導(dǎo)電跡線25的兩側(cè)，可以有效地避免短路，相鄰的所述導(dǎo)電跡線25之間的間距可以安全的縮小，進(jìn)而可以使得整個(gè)封裝器件的尺寸變??；本發(fā)明的所述凸塊結(jié)構(gòu)21可以使得倒裝芯片封裝件的尺寸更小、更輕，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

實(shí)施例三

請(qǐng)參閱圖5，本發(fā)明還提供一種凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，所述凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法包括：

S1：提供一基體；

S2：在所述基體上形成凸塊下金屬層；

S3：通過電鍍工藝在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱；

S4：在所述導(dǎo)電柱頂部形成覆蓋層；

S5：在位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成焊料層。

在步驟S1中，請(qǐng)參閱圖5中的S1步驟，提供一基體。

作為示例，所述基體可以為現(xiàn)有任一種半導(dǎo)體基底。

在步驟S2中，請(qǐng)參閱圖5中的S2步驟，在所述基體上形成凸塊下金屬層。

作為示例，可以采用如沉積、電鍍等工藝在所述基體上形成所述凸塊下金屬層，優(yōu)選地，本實(shí)施中，采用等離子體濺射工藝在所述基體上形成所述凸塊下金屬層。

在步驟S3中，請(qǐng)參閱圖5中的S3步驟，通過電鍍工藝在所述凸塊下金屬層上形成頂部 具有凹面的導(dǎo)電柱。

作為示例，通過電鍍工藝在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱包括以下步驟：

S31：提供電鍍液，所述電鍍液包括主鹽、導(dǎo)電鹽、添加劑；所述添加劑包括整平劑；

S32：將所述基體與陰極接通，使所述凸塊下金屬層完全接觸所述電鍍液，在陰極攪拌的情況下進(jìn)行電鍍，即可在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱。

在所述電鍍液中加入所述整平劑，所述整平劑是一種有機(jī)添加劑，用于在電鍍工藝中調(diào)節(jié)銅電鍍的表面形貌；所述整平劑對(duì)攪拌濃度非常敏感，會(huì)自動(dòng)吸附在攪拌最充分的區(qū)域，進(jìn)而減緩該區(qū)域金屬的形成速度。同時(shí)，所述電鍍液中所述整平劑的濃度以及電鍍工藝中電鍍的溫度都會(huì)對(duì)所述金屬的形成速度有明顯的影響，所述電鍍液中所述整平劑的濃度越高，減緩所述金屬形成的效果越明顯，所述電鍍液的溫度越高，減緩所述金屬形成的效果越明顯，因此，我們可以通過提高所述電鍍液中所述整平劑的濃度及提高電鍍液的溫度來強(qiáng)化減緩所述金屬形成。在所述電鍍液中加入適當(dāng)濃度的整平劑，并將所述電鍍液的溫度調(diào)整至合適的溫度方位，在電鍍工藝中，中部區(qū)域金屬的形成會(huì)受到抑制，該區(qū)域金屬形成的速度明顯小于周邊區(qū)域金屬形成的速度，進(jìn)而可以在電鍍工藝過程中在所述凸塊下金屬層上形成頂部具有凹面的導(dǎo)電柱。調(diào)整所述電鍍液中的所述整平劑的濃度及所述電鍍液的溫度，可以對(duì)所述凹面的形狀進(jìn)行調(diào)整。

作為示例，所述整平劑的濃度為20ml/L～28ml/L。

作為示例，電鍍過程中，所述電鍍液的溫度為30℃～50℃。

作為示例，所述添加劑中還包括光亮劑；所述光亮劑為一種有機(jī)添加劑，在所述電鍍液中添加光亮劑，有利于電鍍過程中形成的所述導(dǎo)電柱內(nèi)的應(yīng)力的釋放，可以使得電鍍形成的所述導(dǎo)電柱的形狀更加光滑有亮澤。

作為示例，所述凹面的寬度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，所述凹面的寬度可以小于或等于所述導(dǎo)電柱的寬度，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面的寬度小于所述導(dǎo)電柱的寬度。

作為示例，所述凹面位于所述導(dǎo)電柱的中心，即所述凹面的中心線與所述導(dǎo)電柱的中心線相重合。

作為示例，所述凹面縱截面的形狀可以為半圓形、半橢圓形、矩形等等，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述凹面縱截面的形狀為半橢圓形。

作為示例，所述導(dǎo)電柱包括但不限于銅柱。

作為示例，所述導(dǎo)電柱的形狀可以為圓柱形、長方形等等，優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電柱的形狀為長方形。

在步驟S4中，請(qǐng)參閱圖5中的S4步驟，在所述導(dǎo)電柱頂部形成覆蓋層。

作為示例，可以采用如沉積、電鍍等工藝在所述導(dǎo)電柱頂部形成所述覆蓋層，優(yōu)選地，本實(shí)施中，采用電鍍工藝在所述導(dǎo)電柱頂部形成所述覆蓋層。

作為示例，所述覆蓋層包括但不限于Ni層。

作為示例，所述覆蓋層覆蓋于所述凹面的表面及所述凹面周圍的所述導(dǎo)電柱的頂部表面上，所述覆蓋層的寬度等于所述導(dǎo)電柱的寬度。

作為示例，所述覆蓋層的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，但所述覆蓋層的厚度應(yīng)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度，以確保所述覆蓋層未填滿所述凹面，使得位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層呈凹面狀；優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述覆蓋層的厚度遠(yuǎn)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度。

在步驟S5中，請(qǐng)參閱圖5中的S5步驟，在位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成焊料層。

作為示例，在位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成焊料層包括以下步驟：

S51：在所述覆蓋層表面制作圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層上設(shè)有開口以暴露出位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層；

S52：采用電鍍或沉積工藝在所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上形成所述焊料層；

S53：去除所述圖形化光刻膠層。

作為示例，所述焊料層的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，但所述焊料層所述覆蓋層所形成的凹面，使得所述焊料層呈凹面狀；優(yōu)選地，所述焊料層的厚度遠(yuǎn)小于所述凹面的深度及所述凹面的寬度；更為優(yōu)選地，本實(shí)施例中，所述焊料層的寬度小于或等于所述導(dǎo)電柱的寬度的四分之三。

實(shí)施例四

請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明還提供一種封裝組件的形成方法，所述封裝組件的形成方法包括以下步驟：

S1：提供第一基底，所述第一基底包括金屬焊墊；

S2：以所述金屬焊墊作為基體，采用實(shí)施例三中所述的凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法在所述金屬焊墊上形成所述凸塊結(jié)構(gòu)；所述凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法具體請(qǐng)參閱實(shí)施例三，此處不再累述；

S3：提供第二基底，所述第二基底表面設(shè)有導(dǎo)電跡線；

S4：將表面形成有所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述第一基底倒裝，并通過回流工藝使所述焊料層與所述導(dǎo)電跡線相連接。

綜上所述，本發(fā)明提供一種凸塊結(jié)構(gòu)、封裝組件及其形成方法，所述凸塊結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂部形成有凹面；覆蓋層，所述覆蓋層覆蓋所述導(dǎo)電柱的頂部；焊料層， 所述焊料層位于所述凹面內(nèi)的所述覆蓋層上。通過在導(dǎo)電柱的頂部設(shè)置凹面，并將焊料層設(shè)置于所述凹面內(nèi)，使得所述焊料層在倒裝芯片回流工藝后，即使在高溫條件下，所述焊料層會(huì)被限制在所述凹面內(nèi)，不會(huì)從其原有的位置凸出至所述導(dǎo)電柱的兩側(cè)，可以有效地避免相鄰焊料層接觸發(fā)生短路；本發(fā)明可以使得倒裝芯片封裝件的尺寸更小、更輕，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。