本發(fā)明有關(guān)于降低電磁干擾，特別是關(guān)于不需要金屬屏蔽物的降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)及降低電磁干擾的方法。

背景技術(shù)：

連接器與其上連接的電子零件在運作時，其高頻電子信號的傳輸，會將產(chǎn)生的共模雜訊(噪聲)輻射到空間中，形成電磁干擾。電磁干擾使得其他裝置及元件受到干擾，輕則導(dǎo)致受干擾元件功能降低。因此，各國電磁相容法規(guī)對會對電磁干擾強度進(jìn)行規(guī)范。

傳統(tǒng)上，對于降低電子干擾的強度，主要是采用接地金屬屏蔽物來進(jìn)行遮蔽而降低共模雜訊輻射到空間中的強度。金屬屏蔽物雖然可以有效地降低電子干擾的強度，但是卻需要在電子裝置中占有一定的設(shè)置空間。

對于薄型電子裝置而言，其內(nèi)部空間小，不利于額外設(shè)置過多元件。此外，金屬屏蔽物對于被包覆物本身而言，也會產(chǎn)生不利于氣冷散熱的問題。所以，降低電磁干擾勢必找出新的解決方案，以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提出一種降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)，能夠使收斂于一封閉且路徑短的電磁回路的電磁波，不會向外發(fā)散到空間中，并且可應(yīng)用于薄型電子裝置，且不需額外增加金屬屏蔽物。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)，包括一電路板、一擴(kuò)充插槽以及一電性導(dǎo)體。電路板具有一上表面及一接地電路。擴(kuò)充插槽設(shè)置于電路板的上表面，且擴(kuò)充插槽具有至少一金屬引腳，電性連接于電路板。電性導(dǎo)體位于電路板的上表面之上，且電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽的金屬引腳之間保持一間隔距離而產(chǎn)生一電容。

于一具體實施例中，擴(kuò)充插槽具有互為反向的連接側(cè)及基底側(cè)，擴(kuò)充插槽 的開口位于該連接側(cè)，并且擴(kuò)充插槽的開口方向的指向，平行電路板，且金屬引腳對應(yīng)于基底側(cè)設(shè)置。

于一具體實施例中，電性導(dǎo)體與電路板上表面之間保持一間隔距離，而在電性導(dǎo)體與接地電路之間產(chǎn)生另一電容。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)更包含一絕緣體，包覆電性導(dǎo)體。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)更包含一絕緣體，設(shè)置于電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽之間以及電性導(dǎo)體與電路板的上表面之間。

于一具體實施例中，電路板上更設(shè)置一接地接點，位于電路板的上表面且電性連接于接地電路，電性導(dǎo)體接觸接地接點。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)更包含一金屬殼體，與上表面保持一間隔距離，金屬殼體接觸電性導(dǎo)體而產(chǎn)生電性導(dǎo)通。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)更包含一絕緣體，設(shè)置于電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽之間。

本發(fā)明更提出一種降低電磁干擾的方法，包括下列步驟：

設(shè)置一電路板，電路板具有一上表面，且使電路板以電性連接至一接地電路；

提供一具有至少一金屬引腳的擴(kuò)充插槽，設(shè)置于電路板的上表面，且金屬引腳電性連接于該電路板；

提供一電性導(dǎo)體，設(shè)置于電路板的上表面，且使電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽的金屬引腳之間保持一間隔距離而產(chǎn)生一電容。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，使電性導(dǎo)體與電路板的上表面之間，保持一間隔距離，而產(chǎn)生一電容。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，提供一絕緣體，包覆電性導(dǎo)體。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，提供一絕緣體，設(shè)置于電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽之間以及電性導(dǎo)體與電路板的上表面之間。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，提供一接地接點，設(shè)置于電路板上的上表面且電性連接于接地電路，使電性導(dǎo)體接觸于接地接點。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，提供一金屬殼體， 與上表面保持一間隔距離，且使金屬殼體接觸電性導(dǎo)體而產(chǎn)生電性導(dǎo)通。

于一具體實施例中，降低電磁干擾的方法更包含一步驟，提供一絕緣體，設(shè)置于電性導(dǎo)體與擴(kuò)充插槽的基底側(cè)之間。

本發(fā)明通過擴(kuò)充卡、擴(kuò)充插槽及電路板的相對位置設(shè)置，形成封閉且路徑短的電磁回路，使得記憶卡及擴(kuò)充插槽運作時產(chǎn)生在金屬引腳的電磁波，收斂于此一封閉且路徑短的電磁回路，而不會向外發(fā)散到空間中。相對位置的配置方式，可適用于對于高度極端限制的筆記型電腦、薄型電腦主機(jī)或其他形式的薄型電子裝置，且不需額外增加金屬屏蔽物，有效簡化EMI屏蔽屏架構(gòu)。

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例的側(cè)面示意圖；

圖2為本發(fā)明第一實施例的另一側(cè)面示意圖；

圖3為本發(fā)明第一實施例中，封閉電磁回路的側(cè)面示意圖；

圖4為本發(fā)明第一實施例的又一側(cè)面示意圖；

圖5為本發(fā)明第一實施例的又一側(cè)面示意圖；

圖6為本發(fā)明第一實施例的又一側(cè)面示意圖；

圖7為本發(fā)明第二實施例的側(cè)面示意圖；

圖8為本發(fā)明第二實施例中，封閉電磁回路的側(cè)面示意圖；

圖9為本發(fā)明降低電磁干擾的方法的流程圖；

圖10至圖12為本發(fā)明降低電磁干擾的方法的示意圖；

圖13為本發(fā)明降低電磁干擾的方法的另一流程圖；

圖14為本發(fā)明降低電磁干擾的方法的又一流程圖。

其中，附圖標(biāo)記

100 降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)

110 電路板

112 上表面

113 下表面

114 接地電路

116 接地接點

120 擴(kuò)充插槽

122 開口

124 連接側(cè)

126 基底側(cè)

128 金屬引腳

130 電性導(dǎo)體

140 絕緣體

200 記憶卡

300 金屬殼體

C 電容

P 中心線

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

請參閱圖1所示，為本發(fā)明第一實施例所提出的一種降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)100，包括一電路板110、一擴(kuò)充插槽120以及一電性導(dǎo)體130。

如圖1所示，電路板110可為但不限定于桌上型主機(jī)的主機(jī)板、筆記型電腦的主機(jī)板，或是任何具有擴(kuò)充插槽120的電路板110。電路板110具有一上表面112及一接地電路114。接地電路114位于電路板110眾多銅箔電路層其中之一。此外，電路板110依據(jù)功能需求，還會配置其他連接線路、連接端口、插接座、電子芯片等，前述元件為具有通常知識者的通常技術(shù)，且非本案新穎特征所在，于此不與贅述。

擴(kuò)充插槽120設(shè)置于電路板110的上表面112。于本發(fā)明實施例中，擴(kuò)充插槽120是以記憶卡插槽為例示，但不排除其他的擴(kuò)充卡插槽。擴(kuò)充插槽120具有至少一金屬引腳128，電性連接于電路板110。

于第一實施例中，擴(kuò)充插槽120采用橫向配置，亦即擴(kuò)充插槽120的開口122方向的指向，平行電路板110的上表面112。擴(kuò)充插槽120具有互為反向的連接側(cè)124及基底側(cè)126，擴(kuò)充插槽120的開口122位于連接側(cè)124。記憶卡200則采用橫向設(shè)置，插設(shè)于開口122內(nèi)，而電性連接于擴(kuò)充插槽120。而 擴(kuò)充插槽120的金屬引腳128對應(yīng)于基底側(cè)126。

但，擴(kuò)充插槽120不限定于橫向設(shè)置，也可以是直立設(shè)置，亦即基底側(cè)126設(shè)置于電路板110的上表面112，使得開口122朝上，而金屬引腳128則對應(yīng)于擴(kuò)充插槽120的一側(cè)邊設(shè)置。

電性導(dǎo)體130位于電路板110的上表面112之上，且電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120的金屬引腳128之間保持一間隔距離而不直接進(jìn)行電性連接，以在電性導(dǎo)體130與金屬引腳128之間產(chǎn)生一電容C。電性導(dǎo)體130可以是金屬或是導(dǎo)電泡綿。此外，電性導(dǎo)體130與電路板110上表面112之間也保持一間隔距離，而在電性導(dǎo)體130與接地電路114之間產(chǎn)生另一電容C。

電性導(dǎo)體130可以是L型截面結(jié)構(gòu)，一部分對應(yīng)于擴(kuò)充插槽120的基底側(cè)126，而另一部分對應(yīng)于電路板110的接地電路114。

如圖2所示，電性導(dǎo)體130也可以是具有矩形截面的金屬管或?qū)щ娕菥d，一面對應(yīng)于擴(kuò)充插槽120的基底側(cè)126，而另一面對應(yīng)于電路板110的接地電路114。

如圖3所示，當(dāng)一擴(kuò)充卡，例如一記憶卡200插入擴(kuò)充插槽120，記憶卡200的兩面、基底側(cè)126的金屬引腳128、兩組電容C、以及電路板110的接地電路114之間將形成一封閉且路徑短的電磁回路，使得記憶卡200及擴(kuò)充插槽120運作時在金屬引腳128產(chǎn)生的電磁波，收斂于此一封閉且路徑短的電磁回路，而不會向外發(fā)散到空間中，藉以降低電磁波對外的干擾，而不需要另外以金屬屏蔽物遮蔽電磁波。

如圖4所示，于第一實施例中，也可以采取兩個擴(kuò)充插槽120，沿一中心線P對稱設(shè)置，并共用同一個電性導(dǎo)體130及接地電路114，而形成兩個封閉且路徑短的電磁回路。

如圖5所示，于第一實施例中，也可以采取兩個擴(kuò)充插槽120，沿一電路板110對稱設(shè)置于電路板110的上表面112及下表面113。同時更設(shè)置另一個電性導(dǎo)體130，對應(yīng)于下表面113設(shè)置，而在電路板110的下表面形成另一個封閉且路徑短的電磁回路。

如圖1、2、3、4、5所示，降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)100更包含一絕緣體140，用于隔離于電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120之間以及電性導(dǎo)體130與電路板110的上表面112之間，用以確保電容C的形成，并且藉由介電特性提升電容值。

如圖1、3、5所示，絕緣體140可以是單純的片體、黏膠，黏貼于電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120之間以及電性導(dǎo)體130與電路板110的上表面112之間，藉以固定電性導(dǎo)體130，同時達(dá)成絕緣以及提升電容值的目的。絕緣體140也可以是采用局部包覆，使得電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120之間以及電性導(dǎo)體130與電路板110的上表面112之間都有絕緣體140，保持形成電容C所需要的間隔距離。

如圖2與圖4所示，于電性導(dǎo)體130是管體的情況下，絕緣體140也可以是完全或部分包覆電性導(dǎo)體130，使得絕緣體140接觸擴(kuò)充插槽120以及電路板110，保持形成電容C所需要的間隔距離。

于本發(fā)明中，絕緣體140的材質(zhì)，以介電常數(shù)高者為較佳材質(zhì)，以提高所產(chǎn)生的電容C，例如聚乙烯、聚苯乙烯、有機(jī)硅樹脂、硅膠、聚芳酰胺纖維紙、聚酯薄膜、聚酰亞胺薄膜或耐熱絕緣橡膠等。

如圖6所示，在采用金屬殼體300的電子裝置中，金屬殼體300與上表面112保持一間隔距離。金屬殼體300會進(jìn)行接地(例如電性連接至接地線路114)。此時，可以安排金屬殼體300與電性導(dǎo)體130接觸，如圖所示，電性導(dǎo)體130上端至少會保持一部分沒有被絕緣體140包覆，使得金屬殼體300接觸電性導(dǎo)體130而產(chǎn)生電性導(dǎo)通。而，電性導(dǎo)體130仍然與擴(kuò)充插槽120之間保持一間隔距離，并且通過絕緣體140設(shè)置于其等之間，以使得電性導(dǎo)體130與金屬引腳128之間產(chǎn)生電容C。

此外，在電路板110與電性導(dǎo)體130之間的相對位置可以允許的情況下，電性導(dǎo)體130與接地電路114之間的電容C可以省略，而直接讓電性導(dǎo)體130接地，例如讓電性導(dǎo)體130的下端至少有局部不被絕緣體140遮蔽，而可以接觸到接地接點116而電性連接接地電路114，而使得電性導(dǎo)體130直接電性接地。。

如圖7所示，為本發(fā)明第二實施例所揭露的一種降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)100，包含一電路板110、一擴(kuò)充插槽120、一電性導(dǎo)體130以及絕緣體140。

于第二實施例中，電路板110上設(shè)置一接地接點116，位于電路板110的上表面112且電性連接于接地電路114，電性導(dǎo)體130接觸接地接點116。如絕緣體140設(shè)置于電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120的基底側(cè)126之間，使得電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120的基底側(cè)126之間保持一間隔距離而產(chǎn)生一電容C。

如圖8所示，當(dāng)記憶卡200插入擴(kuò)充插槽120，記憶卡200的兩面、金屬引腳128、電容C、以及電路板110的接地電路114之間將形成一封閉且路徑短的電磁回路，使得記憶卡200及擴(kuò)充插槽120運作時載金屬引腳128產(chǎn)生的電磁波，收斂于此一封閉且路徑短的電磁回路，而不會向外發(fā)散到空間中。

如圖9所示，本發(fā)明還提出一種降低電磁干擾的方法，用以達(dá)成前述降低電磁干擾的結(jié)構(gòu)100。

如圖9與圖10所示，該方法是先設(shè)置一電路板110，電路板110具有一上表面112，且使電路板110電性連接至一接地電路114，如步驟Step 110所示。

如圖9與圖11所示，接著提供一具有至少一金屬引腳128的擴(kuò)充插槽120，設(shè)置于電路板110的上表面112，如步驟Step120所示。同時，金屬引腳128是連接于電路板110。

如圖9與圖12所示，接著提供一電性導(dǎo)體130，設(shè)置于電路板110的上表面112，且使電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120的金屬引腳128之間保持一間隔距離而產(chǎn)生一電容C，如步驟Step 130所示。

如圖9與圖12所示，于步驟Step 130之后，更可包含一步驟Step 140，使電性導(dǎo)體130與電路板110的上表面112之間，保持一間隔距離，而產(chǎn)生一電容C。

如圖9與圖12所示，于步驟Step 130之前或之后，更包含一步驟Step 132，提供一絕緣體140，設(shè)置于電性導(dǎo)體130與擴(kuò)充插槽120之間，以及另一步驟Step 134，將絕緣體140設(shè)置于電性導(dǎo)體130與電路板110的上表面112之間。

如圖13所示，若電性導(dǎo)體130為矩形截面金屬管，則步驟Step 132,Step 134可以改為包覆絕緣體140于電性導(dǎo)體130(步驟Step 136)。

如圖14所示，若電路板110為具有外露的接地接點116，且相對位置對應(yīng)于電性導(dǎo)體130，則步驟Step 134可以修改為提供一接地接點116，設(shè)置于電路板110上的上表面112且電性連接于接地電路114，使接地接點116接觸于接地接點116，如步驟Step 138，并刪除步驟Step 140。此外，更可提供一金屬殼體300(作為電子裝置的殼體，特別是上殼體部分)，與上表面112保持一間隔距離，且使金屬殼體300接觸電性導(dǎo)體130而產(chǎn)生電性導(dǎo)通。

藉由上述方法，即可組裝完成如第一實施例或第二實施例所述的降低電磁 干擾的結(jié)構(gòu)100。

本發(fā)明通過擴(kuò)充卡(記憶卡200)、擴(kuò)充插槽120及電路板110的相對位置設(shè)置，形成封閉且路徑短的電磁回路，使得記憶卡200及擴(kuò)充插槽120運作時在金屬引腳128產(chǎn)生的電磁波，收斂于此一封閉且路徑短的電磁回路，而不會向外發(fā)散到空間中。相對位置的配置方式，可適用于對于高度極端限制的筆記型電腦、薄型電腦主機(jī)或其他形式的薄型電子裝置，且不需額外增加金屬屏蔽物，有效簡化EMI屏蔽屏架構(gòu)。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。