晶片裝配抗氧化裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶片裝配抗氧化裝置，高溫密封裝配艙（1）內(nèi)設(shè)置有用于放置接料引線（2）的支架（3），晶片（4）裝配在接料引線（2）上；高溫密封裝配艙（1）的壁上設(shè)置有至少一個(gè)抗氧化氣體導(dǎo)入口（5），抗氧化氣體導(dǎo)入口（5）通過安裝組件（6）固定安裝在高溫密封裝配艙（1）的壁上。本實(shí)用新型在裝配晶片時(shí)向高溫密封裝配艙內(nèi)注入氫氣、氮?dú)獾瓤寡趸瘹怏w，可有效避免晶片在高溫環(huán)境下被氧化；換氣方式采用抽真空泵，先將高溫密封裝配艙內(nèi)的空氣排空形成負(fù)壓，再通過抗氧化氣體導(dǎo)入口注入抗氧化氣體，氣密性好；安裝組件采用法蘭結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單、成本低，且設(shè)置了密封墊圈，進(jìn)一步提高了高溫密封裝配艙的氣密性。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種晶片裝配裝置，特別是涉及一種晶片裝配抗氧化裝置。 晶片裝配抗氧化裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 在電子電路中經(jīng)常用到半導(dǎo)體二極管，它在許多電路中起著重要的作用，是誕生 最早的半導(dǎo)體器件之一，常用于整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等 電路中，應(yīng)用非常廣泛。晶體三極管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，并且具有放大功能的特殊器件， 晶體三極管在電路中對(duì)信號(hào)具有放大和開關(guān)作用，應(yīng)用也十分廣泛。
[0003] 二極管晶片和三極管晶片在生產(chǎn)的過程中，需要將晶片原料盤中的晶片取出并裝 配到接料引線上。裝配時(shí)，需要提供高溫環(huán)境，這樣一來高溫會(huì)導(dǎo)致晶片的氧化，會(huì)直接影 響成品的合格率。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種新型的晶片裝配抗氧化裝 置，在裝配晶片時(shí)向高溫密封裝配艙內(nèi)注入氫氣、氮?dú)獾瓤寡趸瘹怏w，避免晶片在高溫環(huán)境 下被氧化。
[0005] 本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：晶片裝配抗氧化裝置，它包括 高溫密封裝配艙，高溫密封裝配艙內(nèi)設(shè)置有用于放置接料引線的支架，晶片裝配在接料引 線上；所述的高溫密封裝配艙的壁上設(shè)置有至少一個(gè)抗氧化氣體導(dǎo)入口，抗氧化氣體導(dǎo)入 口通過安裝組件固定安裝在高溫密封裝配艙的壁上。
[0006] 所述的抗氧化氣體導(dǎo)入口有兩個(gè)，一個(gè)是氫氣導(dǎo)入口，另一個(gè)是氮?dú)鈱?dǎo)入口。
[0007] 所述的安裝組件包括相互配合的法蘭盤A和法蘭盤B，法蘭盤A通過密封墊圈a壓 緊于高溫密封裝配艙的壁上，法蘭盤B通過密封墊圈b壓緊于高溫密封裝配艙的壁上。
[0008] 所述高溫密封裝配艙的壁上還設(shè)置有抽真空口，抽真空口通過真空管連接抽真空 栗。
[0009] 本實(shí)用新型的有益效果是：
[0010] 1)在裝配晶片時(shí)向高溫密封裝配艙內(nèi)注入氫氣、氮?dú)獾瓤寡趸瘹怏w，可有效避免 晶片在高溫環(huán)境下被氧化；
[0011] 2)換氣方式采用抽真空泵，先將高溫密封裝配艙內(nèi)的空氣排空形成負(fù)壓，再通過 抗氧化氣體導(dǎo)入口注入抗氧化氣體，氣密性好，抗氧化氣體不易泄露；
[0012] 3)安裝組件采用法蘭結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單、成本低，且設(shè)置了密封墊圈，進(jìn)一步提高了 高溫密封裝配艙的氣密性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖2為本實(shí)用新型安裝組件結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖中，1-高溫密封裝配艙，2-接料引線，3-支架，4-晶片，5-抗氧化氣體導(dǎo)入口， 6_安裝組件，7-法蘭盤A，8-法蘭盤B，9-密封墊圈a，10-密封墊圈b，11-抽真空口，12-真 空管。

【具體實(shí)施方式】
[0016] 下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍 不局限于以下所述。
[0017] 如圖1所示，晶片裝配抗氧化裝置，它包括高溫密封裝配艙1，高溫密封裝配艙1內(nèi) 設(shè)置有用于放置接料引線2的支架3,晶片4裝配在接料引線2上；所述的高溫密封裝配艙 1的壁上設(shè)置有至少一個(gè)抗氧化氣體導(dǎo)入口 5,抗氧化氣體導(dǎo)入口 5通過安裝組件6固定安 裝在高溫密封裝配艙1的壁上。
[0018] 作為優(yōu)選，所述的抗氧化氣體導(dǎo)入口 5有兩個(gè)，一個(gè)是氫氣導(dǎo)入口，另一個(gè)是氮?dú)?導(dǎo)入口。
[0019] 如圖2所示，所述的安裝組件6包括相互配合的法蘭盤A7和法蘭盤B8,法蘭盤A7 通過密封墊圈a9壓緊于高溫密封裝配艙1的壁上，法蘭盤B8通過密封墊圈blO壓緊于高 溫密封裝配艙1的壁上。
[0020] 所述高溫密封裝配艙1的壁上還設(shè)置有抽真空口 11，抽真空口 11通過真空管12 連接抽真空泵。
[0021] 本實(shí)用新型在使用時(shí)，先通過抽真空口 11將高溫密封裝配艙1內(nèi)的空氣排空形成 負(fù)壓，再通過抗氧化氣體導(dǎo)入口 5注入抗氧化氣體氫氣、氮?dú)獾取?br> [0022] 以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文 所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并 能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域 人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利 要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 晶片裝配抗氧化裝置，其特征在于：它包括高溫密封裝配艙（1)，高溫密封裝配艙 (1)內(nèi)設(shè)置有用于放置接料引線（2)的支架（3)，晶片（4)裝配在接料引線（2)上；所述的高 溫密封裝配艙（1)的壁上設(shè)置有至少一個(gè)抗氧化氣體導(dǎo)入口（5)，抗氧化氣體導(dǎo)入口（5)通 過安裝組件（6)固定安裝在高溫密封裝配艙（1)的壁上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置，其特征在于：所述的抗氧化氣體導(dǎo)入 口（5)有兩個(gè)，一個(gè)是氫氣導(dǎo)入口，另一個(gè)是氮?dú)鈱?dǎo)入口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置，其特征在于：所述的安裝組件（6)包括 相互配合的法蘭盤A (7)和法蘭盤B (8)，法蘭盤A (7)通過密封墊圈a (9)壓緊于高溫密 封裝配艙（1)的壁上，法蘭盤B (8)通過密封墊圈b (10)壓緊于高溫密封裝配艙（1)的壁 上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置，其特征在于：所述高溫密封裝配艙（1) 的壁上還設(shè)置有抽真空口（ 11 )，抽真空口（ 11)通過真空管（12 )連接抽真空泵。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK203882975SQ201420325167
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月18日
【發(fā)明者】胡慶偉 申請(qǐng)人:四川藍(lán)彩電子科技有限公司