雙向光控晶體閘流管芯片、光觸發(fā)耦合器和固態(tài)繼電器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供雙向光控晶體閘流管芯片、光觸發(fā)耦合器和固態(tài)繼電器。在半導(dǎo)體芯片的表面具備第一光控晶體閘流管部和第二光控晶體閘流管部，各光控晶體閘流管部具有PNPN部，該P(yáng)NPN部包括：一種導(dǎo)電類(lèi)型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域；另一種導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；一種導(dǎo)電類(lèi)型的控制極擴(kuò)散區(qū)域；和在該控制極擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)形成的另一種導(dǎo)電類(lèi)型的陰極擴(kuò)散區(qū)域，切割面與控制極擴(kuò)散區(qū)域的距離為400μm以下。這樣，將在導(dǎo)通時(shí)在第一光控晶體閘流管部側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移之前回收到第一光控閘流管部側(cè)的切割面。其結(jié)果，能夠不形成肖特基勢(shì)壘二極管或溝道分離區(qū)域，而大幅提高整流特性，能夠抑制芯片面積的增大，用1個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)控制負(fù)載。
【專利說(shuō)明】雙向光控晶體閘流管芯片、光觸發(fā)耦合器和固態(tài)繼電器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及雙向光控晶體閘流管芯片(b1-direct1nal photothyristor chip)、使用上述雙向光控晶體閘流管芯片的觸發(fā)型耦合器、使用上述觸發(fā)型耦合器的固態(tài)繼電器(以下簡(jiǎn)稱為SSR)。

【背景技術(shù)】
[0002]一直以來(lái)，作為在交流下使用的SSR，有具有如圖21所示的電路結(jié)構(gòu)的SSR。該SSR8包括:包括LED(發(fā)光二極管)等發(fā)光元件I和觸發(fā)用的雙向光控晶體閘流管2的光觸發(fā)耦合器3 ;用于實(shí)際控制負(fù)載的雙向晶體閘流管(以下，也有稱為主晶體閘流管的情況)4 ;和包括電阻器5和電容6等的緩沖電路(snubber circuit) 7。
[0003]另外，構(gòu)成上述SSR8的光觸發(fā)耦合器3的等效電路圖如圖22所示。雙向光控晶體閘流管2包括CH(溝道(channel))l的光控晶體閘流管9和CH2的光控晶體閘流管10。CHl的光控晶體閘流管9構(gòu)成為將PNP晶體管Ql的基極與NPN晶體管Q2的集電極連接，另一方面，將PNP晶體管Ql的集電極與NPN晶體管Q2的基極連接。同樣，CH2的光控晶體閘流管10構(gòu)成為將PNP晶體管Q3的基極與NPN晶體管Q4的集電極連接，另一方面，將PNP晶體管Q3的集電極與NPN晶體管Q4的基極連接。
[0004]另外，在上述CHl側(cè)，PNP晶體管Ql的發(fā)射極直接與電極Tl連接。另一方面，NPN晶體管Q2的發(fā)射極直接與電極T2連接，NPN晶體管Q2的基極經(jīng)由控制極電阻11與電極T2連接。同樣，在CH2側(cè)，PNP晶體管Q3的發(fā)射極直接與電極T2連接。另一方面，NPN晶體管Q4的發(fā)射極直接與電極Tl連接，NPN晶體管Q4的基極經(jīng)由控制極電阻12與電極Tl連接。
[0005]具有上述結(jié)構(gòu)的光觸發(fā)耦合器3如以下那樣工作。即，在圖22中，在電極Tl-電極T2間施加有比元件的導(dǎo)通電壓(約1.5V)高的電壓的電源電壓的偏置的條件下，首先，在電極Tl側(cè)與電極T2側(cè)相比處于正電位的情況下，當(dāng)雙向光控晶體閘流管2接收來(lái)自LEDl的光信號(hào)時(shí)，CHl側(cè)的NPN晶體管Q2成為導(dǎo)通狀態(tài)。這樣，CHl側(cè)的PNP晶體管Ql的基極電流就會(huì)被引出，該P(yáng)NP晶體管Ql導(dǎo)通。接著，由PNP晶體管Ql的集電極電流，向CHl側(cè)的NPN晶體管Q2供給基極電流，通過(guò)正反饋，CHl側(cè)的PNP部導(dǎo)通，從電極Tl向電極T2流過(guò)與交流電路的負(fù)載相應(yīng)的導(dǎo)通電流。在該情況下，在CH2側(cè)，偏壓施加的方向相反，因此，不發(fā)生PNPN部的正反饋，僅流過(guò)初級(jí)光電流。
[0006]另一方面，在上述電極T2側(cè)與電極Tl側(cè)相比處于正電位的情況下，CH2側(cè)的PNPN部與上述的情況完全同樣地進(jìn)行正反饋動(dòng)作而導(dǎo)通，在CHl側(cè)僅流過(guò)初級(jí)光電流。
[0007]這樣，當(dāng)上述CHl側(cè)的PNPN部或CH2側(cè)的PNPN部進(jìn)行導(dǎo)通動(dòng)作時(shí)，其電流流入主晶體閘流管4的控制極(gate)，使主晶體閘流管4導(dǎo)通。
[0008]近年來(lái)，電子行業(yè)所處的經(jīng)濟(jì)環(huán)境日益嚴(yán)峻，越發(fā)強(qiáng)烈地期望電子設(shè)備的成本的削減和輕便性的提高。為了應(yīng)對(duì)這樣的要求，嘗試了在具有如圖21所示的結(jié)構(gòu)的以往的SSR中，例如為了削減部件數(shù)量，省略主晶體閘流管4來(lái)制作如圖11所示的電路結(jié)構(gòu)的SSR,僅利用雙向光控晶體閘流管來(lái)直接控制負(fù)載。
[0009]作為這樣能夠制作省略了主晶體閘流管的電路結(jié)構(gòu)的SSR，能夠直接控制負(fù)載的雙向光控晶體閘流管，有日本特許第4065825號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中公開(kāi)的雙向光控晶體閘流管。
[0010]圖23表示專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的雙向光控晶體閘流管的概略圖案布局。另外，圖24和圖25是圖23的B-B’向視截面概略圖。其中，圖24表示光導(dǎo)通時(shí)的狀態(tài)，圖25表示作為光關(guān)斷時(shí)的電壓反轉(zhuǎn)時(shí)(整流(commutat1n)時(shí))的狀態(tài)。
[0011]以下，參照?qǐng)D23、圖24和圖25，對(duì)上述專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的以往的雙向光控晶體閘流管進(jìn)行說(shuō)明。
[0012]上述以往的雙向光控晶體閘流管，在俯視時(shí)，如圖23所示，具有相對(duì)于中心線A-A’和與該中心線正交的線段B-B’的交點(diǎn)180度旋轉(zhuǎn)對(duì)稱、即相對(duì)于上述交點(diǎn)點(diǎn)對(duì)稱的圖案。另外，從截面上看，如圖24和圖25所示，構(gòu)成為相對(duì)于與中心線A-A’正交的垂直方向的線段C-C’左右對(duì)稱。以下，將相對(duì)于中心線A-A’和線段C-C’位于左側(cè)的光控晶體閘流管稱為CHl的光控晶體閘流管20a,將相對(duì)于中心線A-A’和線段C-C’位于右側(cè)的光控晶體閘流管稱為CH2的光控晶體閘流管20b。
[0013]上述以往的雙向光控晶體閘流管，在構(gòu)成芯片的N型硅襯底21的表面?zhèn)?，沿中心線A-A’形成有用于將CHl和CH2分離的溝道分離區(qū)域22。溝道分離區(qū)域22由在表面形成的切槽和短二極管(short d1de)中任一個(gè)構(gòu)成。此外，在圖23?圖25中，作為溝道分離區(qū)域22，形成有短二極管。此外，該短二極管22由高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域22a和高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域22b構(gòu)成，高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域22a和高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域22b通過(guò)配線(未圖示)連接為相同電位。
[0014]在上述光控晶體閘流管20a和光控晶體閘流管20b中，沿溝道分離區(qū)域22形成有陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域(P型)23，與該陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23相對(duì)地在與溝道分離區(qū)域22相反的一側(cè)形成有控制極擴(kuò)散區(qū)域(P型)24。這樣，陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23和控制極擴(kuò)散區(qū)域24，與各個(gè)溝道分離區(qū)域22平行地配置。
[0015]另外，在上述控制極擴(kuò)散區(qū)域24內(nèi)，沿與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23相對(duì)的邊平行地、并且在靠近陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23的一側(cè)，形成有陰極擴(kuò)散區(qū)域(N型)25。這樣，從上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23向陰極擴(kuò)散區(qū)域25去形成PNPN部。此外，26是控制極電阻區(qū)域。
[0016]另外，沿著上述芯片的周邊，形成有作為溝道截?cái)嗖康母邼舛萅型擴(kuò)散區(qū)域27。進(jìn)一步，在高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域27上，如虛線所示，形成有Al電極27a。另外，以覆蓋陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23的方式，形成有Al電極(用虛線表示)23a，以覆蓋控制極擴(kuò)散區(qū)域24、陰極擴(kuò)散區(qū)域25和控制極電阻區(qū)域26的方式，形成有Al電極(用虛線表示)24a。
[0017]上述位于左側(cè)的CHl的光控晶體閘流管20a的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23上的Al電極23a、和上述位于右側(cè)的CH2的光控晶體閘流管20b的陰極擴(kuò)散區(qū)域25上的Al電極24a，通過(guò)Au線28a、28b與引線框Tl連接。另外，CHl的光控晶體閘流管20a的陰極擴(kuò)散區(qū)域25上的Al電極24a、和CH2的光控晶體閘流管20b的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23上的Al電極23a，通過(guò)Au線28a’、28b’與引線框T2連接。S卩，CHl的光控晶體閘流管20a和CH2的光控晶體閘流管20b通過(guò)引線接合(wirebond)反向并聯(lián)地布線。
[0018]另外，在上述以往的雙向光控晶體閘流管中，在構(gòu)成上述PNPN部的控制極擴(kuò)散區(qū)域24內(nèi)之上，形成有金屬層從而形成有肖特基勢(shì)壘二極管29。
[0019]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使作為雙向光控晶體閘流管的重要設(shè)計(jì)參數(shù)的整流特性(詳細(xì)情況將在后面說(shuō)明)大幅提高。因此，通過(guò)將本雙向光控晶體閘流管作為SSR的光觸發(fā)耦合器使用，能夠省略主晶體閘流管。
[0020]在此,對(duì)上述整流特性進(jìn)行說(shuō)明。整流特性(commutating characteristic)是指，在雙向光控晶體閘流管正常工作的情況下，如圖24所示，當(dāng)在CHl的光控晶體閘流管20a已導(dǎo)通的交流的半周期期間中光入射消失的情況下，在該半周期期間中，由于上述PNPN部的電流保持特性，導(dǎo)通狀態(tài)持續(xù)。當(dāng)如圖25所示，進(jìn)入下一個(gè)半周期時(shí)，只要沒(méi)有光入射，CH2的光控晶體閘流管20b就不會(huì)導(dǎo)通。但是，當(dāng)在進(jìn)行開(kāi)關(guān)切換的交流電路中存在L負(fù)載的情況下，導(dǎo)通電壓的相位與向電極Tl-電極T2間施加的交流電壓的相位相比延遲，因此，在CHl的光控晶體閘流管20a關(guān)斷的時(shí)刻，在電極Tl-電極T2間已經(jīng)施加有反相位的交流電壓。因此，在CHl的光控晶體閘流管20a關(guān)斷的時(shí)刻，呈現(xiàn)陡峭的上升沿的反相位的電壓被施加在CH2的光控晶體閘流管20b側(cè)。
[0021]因此，當(dāng)工作電流值超過(guò)某個(gè)臨界值時(shí)，在CHl側(cè)的N型硅襯底21中殘留的少數(shù)載流子(空穴)30在耗盡前，如箭頭(A)所示，向CH2的光控晶體閘流管20b的控制極擴(kuò)散區(qū)域24遷移，盡管沒(méi)有光入射，但還是使CH2側(cè)的PNP晶體管導(dǎo)通，并且促進(jìn)CH2側(cè)的正反饋?zhàn)饔?，從而?dǎo)致CH2的光控晶體閘流管20b導(dǎo)通的誤動(dòng)作(整流失敗)。將該工作電流的臨界值定義為“Icom”。
[0022]總而言之，上述“整流特性”可以稱為表示在不引起如上所述的整流失敗的條件下能夠控制的最大的工作電流值Icom的特性。
[0023]因此，在具有如圖21所示的結(jié)構(gòu)的以往的SSR中，為了省略主晶體閘流管4而僅通過(guò)雙向晶體閘流管2直接對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制，至少需要該SSR的保證有效導(dǎo)通電流以上的高Icom，例如當(dāng)考慮高溫時(shí)的Icom的下降時(shí)，在常溫下需要保證有效導(dǎo)通電流的約2倍左右的高Icom。
[0024]在上述專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的以往的雙向晶體閘流管中，在N型硅襯底21的表面?zhèn)申蚓哂杏汕胁酆投潭O管中的任一個(gè)構(gòu)成的溝道分離區(qū)域22。另外，在構(gòu)成上述PNPN部的控制極擴(kuò)散區(qū)域24內(nèi)，形成有肖特基勢(shì)壘二極管29。
[0025]因此，如圖25所示，利用上述溝道分離區(qū)域22，限制在整流時(shí)N型硅襯底21內(nèi)的少數(shù)載流子30從CHl側(cè)向CH2側(cè)遷移。即，例如當(dāng)在整流時(shí)CHl的光控晶體閘流管20a關(guān)斷的情況下，在CHl側(cè)的N型硅襯底21中殘留的少數(shù)載流子30會(huì)向CH2側(cè)遷移。在該情況下，其一部分如箭頭(B)所示，由溝道分離區(qū)域22回收?；蛘?，如箭頭(C)所示，由CHl的光控晶體閘流管20a的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域23回收。
[0026]其結(jié)果，通過(guò)上述CH2側(cè)的正反饋?zhàn)饔?，CH2的光控晶體閘流管20b導(dǎo)通的誤動(dòng)作受到抑制，整流特性得到改善。
[0027]另外，在上述CHl的光控晶體閘流管20a中，通過(guò)在構(gòu)成上述PNPN部的控制極擴(kuò)散區(qū)域24內(nèi)形成的肖特基勢(shì)壘二極管29，少數(shù)載流子30從控制極擴(kuò)散區(qū)域24向N型硅襯底21的注入受到抑制，殘留載流子量減少，能夠進(jìn)一步改善整流特性。
[0028]但是，在上述專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的以往的雙向光控晶體閘流管中，存在如下的問(wèn)題。
[0029]S卩，上述溝道分離區(qū)域22由在N型硅襯底21的表面形成的切槽和短二極管中的任一個(gè)構(gòu)成。因此，存在溝道分離區(qū)域22的面積變大的問(wèn)題。
[0030]另外，在構(gòu)成上述PNPN部的控制極擴(kuò)散區(qū)域24內(nèi)形成有肖特基勢(shì)壘二極管29。因此，存在控制極擴(kuò)散區(qū)域24的面積變大相應(yīng)的量的問(wèn)題。
[0031]由以上內(nèi)容可知，在上述專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的以往的雙向光控晶體閘流管中，存在芯片面積變大的問(wèn)題。
[0032]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0033]專利文獻(xiàn)
[0034]專利文獻(xiàn)1:日本特許第4065825號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0035]發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0036]因此，本發(fā)明的要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供能夠抑制芯片面積的增大、并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能、并且能夠省略SSR的主晶體閘流管的雙向光控晶體閘流管芯片、使用上述雙向光控晶體閘流管芯片的觸發(fā)型耦合器、和使用上述觸發(fā)型耦合器的SSR。
[0037]用于解決技術(shù)問(wèn)題的手段
[0038]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片的特征在于:
[0039]具備在I個(gè)半導(dǎo)體芯片的表面相互分離地形成的第一光控晶體閘流管部和第二光控晶體閘流管部，
[0040]上述各光控晶體閘流管部具有PNPN部，該P(yáng)NPN部包括:在一個(gè)方向延伸并且具有N型和P型中的一種導(dǎo)電類(lèi)型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域；具有N型和P型中的另一種導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域相對(duì)的具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的控制極擴(kuò)散區(qū)域；和在該控制極擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域相對(duì)地形成并且具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的陰極擴(kuò)散區(qū)域，
[0041]在將作為上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域的延伸方向的上述一個(gè)方向設(shè)為第一方向，將與上述第一方向正交并且與上述襯底的表面大致平行的方向設(shè)為第二方向的情況下，上述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面與上述控制極擴(kuò)散區(qū)域在上述第二方向的距離為400 μ m以下。
[0042]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0043]上述各光控晶體閘流管部中，
[0044]上述控制極擴(kuò)散區(qū)域配置在比上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域更靠上述芯片端面?zhèn)鹊奈恢谩?br> [0045]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0046]上述各光控晶體閘流管部中，
[0047]上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域與上述基極擴(kuò)散區(qū)域在上述第二方向的分離距離為200μπι以上并且300 μ m以下。
[0048]另外，本發(fā)明的光觸發(fā)耦合器的特征在于，包括:
[0049]本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片；和LED(發(fā)光二極管)。
[0050]另外，本發(fā)明的SSR(固態(tài)繼電器)的特征在于，包括:
[0051]本發(fā)明的光觸發(fā)I禹合器；和緩沖電路(snubber circuit)。
[0052]發(fā)明效果
[0053]由以上可知，本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片中，半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散區(qū)域的距離為400 μ m以下。因此，在導(dǎo)通時(shí)，例如能夠?qū)⒃诘谝还饪鼐w閘流管部側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移至第二光控晶體閘流管部側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部側(cè)的上述芯片端面。
[0054]其結(jié)果，能夠不在上述半導(dǎo)體芯片的控制極擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)形成上述肖特基勢(shì)壘二極管、或在上述半導(dǎo)體芯片的上述第一光控晶體閘流管部與上述第二光控晶體閘流管之間形成上述溝道分離區(qū)域，而使整流特性大幅提高。
[0055]因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1是表示本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片的概略圖案布局的圖。
[0057]圖2是圖1的D-D’向視截面圖。
[0058]圖3是表示圖1的整流特性Icom相對(duì)于距離X的依賴性的圖。
[0059]圖4是表示光導(dǎo)通時(shí)的狀態(tài)的圖1的D-D’向視截面圖。
[0060]圖5是表示作為光關(guān)斷時(shí)的整流時(shí)的狀態(tài)的圖1的D-D’向視截面圖。
[0061]圖6是表示圖1的變形例的概略圖案布局的圖。
[0062]圖7是圖6的D-D’向視截面圖。
[0063]圖8是與圖1和圖2不同的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。
[0064]圖9是表示整流特性Icom的光敏性IFT依賴性的圖。
[0065]圖10是表示dV/dt特性的光敏性IFT依賴性的圖。
[0066]圖11是省略了主晶體閘流管的SSR的電路圖。
[0067]圖12是對(duì)圖11所示的SSR的負(fù)載直接進(jìn)行控制的情況下的Icom的規(guī)格增大的說(shuō)明圖。
[0068]圖13是用于滿足圖12的目標(biāo)規(guī)格的相關(guān)線平移的說(shuō)明圖。
[0069]圖14是與圖1和圖8不同的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。
[0070]圖15是表示圖14所示的雙向光控晶體閘流管的耐壓BV的分離距離Zl依賴性的圖。
[0071]圖16是與圖1、圖8和圖14不同的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。
[0072]圖17是表示圖16所示的雙向光控晶體閘流管的耐壓BV的分離距離Z2依賴性的圖。
[0073]圖18A是圖1和圖8所示的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。
[0074]圖18B是接著圖18A之后的制造工序中的截面圖。
[0075]圖18C是接著圖18B之后的制造工序中的截面圖。
[0076]圖19A是圖14所示的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。
[0077]圖19B是接著圖19A之后的制造工序中的截面圖。
[0078]圖19C是接著圖19B之后的制造工序中的截面圖。
[0079]圖20A是圖16所示的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。
[0080]圖20B是接著圖20A之后的制造工序中的截面圖。
[0081]圖20C是接著圖20B之后的制造工序中的截面圖。
[0082]圖21是在交流下使用的SSR的電路圖。
[0083]圖22是構(gòu)成圖21所示的SSR的光觸發(fā)耦合器的等效電路圖。
[0084]圖23是表示以往的雙向光控晶體閘流管的概略圖案布局的圖。
[0085]圖24是表示光導(dǎo)通時(shí)的狀態(tài)的圖23的B_B’向視截面圖。
[0086]圖25是表示作為光關(guān)斷時(shí)的整流時(shí)的狀態(tài)的圖23的B_B’向視截面圖。
[0087]符號(hào)說(shuō)明
[0088]1......發(fā)光元件(LED)；
[0089]2......雙向光控晶體閘流管；
[0090]3......光觸發(fā)I禹合器；
[0091]7......緩沖電路；
[0092]41......N型娃襯底；
[0093]42a......第一光控晶體閘流管；
[0094]42b......第二光控晶體閘流管；
[0095]43......P型陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域；
[0096]43a、44a、47a......Al 電極；
[0097]44......P型控制極擴(kuò)散區(qū)域；
[0098]45......N型陰極擴(kuò)散區(qū)域；
[0099]46......P型控制極電阻區(qū)域；
[0100]47......高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域；
[0101]48a、48b、48a，、48b，......Au 線；
[0102]T1、T2......引線框；
[0103]49......少數(shù)載流子；
[0104]50......短二極管；
[0105]50a、51......高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域；
[0106]50b......高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域。

【具體實(shí)施方式】
[0107]以下，通過(guò)圖示的實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0108].第一實(shí)施方式
[0109]圖1表示本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的概略圖案布局，圖2是圖1的D-D’向視截面概略圖。
[0110]本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，如圖1和圖2所示，包括:在構(gòu)成芯片的N型硅襯底41的表面，相互分離地形成的CHl的第一光控晶體閘流管42a和CH2的第二光控晶體閘流管42b。
[0111]上述第一光控晶體閘流管42a和第二光控晶體閘流管42b各自具有:P型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43 ;與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)的P型的控制極擴(kuò)散區(qū)域44 ;和在控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)地形成的N型的陰極擴(kuò)散區(qū)域45。這樣，從陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43向陰極擴(kuò)散區(qū)域45去形成PNPN部。此外，46是控制極電阻區(qū)域。
[0112]另外,沿著上述芯片的周邊,形成有作為溝道截?cái)嗖?channel stopper)的高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域47。進(jìn)一步，在高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域47上，如虛線所示，形成有Al電極47a。另夕卜，以覆蓋陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的方式，形成有Al電極(用虛線表示)43a，以覆蓋控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46的方式，形成有Al電極(用虛線表示)44a。
[0113]上述雙向光控晶體閘流管，在俯視時(shí)，如圖1所示，具有相對(duì)于中心線E-E’和與該中心線正交的線段D-D’的交點(diǎn)180度旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，即相對(duì)于上述交點(diǎn)大致點(diǎn)對(duì)稱的圖案。另夕卜，從截面上看，如圖2所示，構(gòu)成為相對(duì)于與中心線E-E’正交的垂直方向的線段F-F’大致左右對(duì)稱。即，相對(duì)于中心線E-E’和線段F-F’位于左側(cè)的光控晶體閘流管為上述CHl的第一光控晶體閘流管42a，相對(duì)于中心線E-E’和線段F-F’位于右側(cè)的光控晶體閘流管為上述CH2的第二光控晶體閘流管42b。
[0114]另外，上述CHl的第一光控晶體閘流管42a的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43上的Al電極43a、和上述CH2的第二光控晶體閘流管42b的陰極擴(kuò)散區(qū)域45上的Al電極44a，通過(guò)Au線48a、48b與引線框Tl連接。另外，CHl的第一光控晶體閘流管42a的陰極擴(kuò)散區(qū)域45上的Al電極44a、和CH2的第二光控晶體閘流管42b的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43上的Al電極43a，通過(guò)Au線48a’、48b’與引線框T2連接。這樣，CHl的第一光控晶體閘流管42a和CH2的第二光控晶體閘流管42b通過(guò)引線接合反向并聯(lián)地布線。
[0115]另外，在本雙向光控晶體閘流管中，在上述第一光控晶體閘流管42a和第二光控晶體閘流管42b中，在將陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和陰極擴(kuò)散區(qū)域45的長(zhǎng)度方向設(shè)為第一方向，將與該第一方向垂直且與N型硅襯底41的表面大致平行的方向設(shè)為第二方向的情況下，在上述第二方向，芯片最外周的芯片端面(具體而言，切割面)中與控制極擴(kuò)散區(qū)域44相對(duì)的芯片端面與該控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的距離X設(shè)定為400 μ m以內(nèi)。
[0116]根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本雙向光控晶體閘流管，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或溝道分離區(qū)域，也能夠使上述整流特性大幅提高。因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0117]以下，詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。
[0118]圖3表示在本雙向光控晶體閘流管中，上述整流特性Icom相對(duì)于芯片最外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的在上述第二方向的距離X的依賴性。由圖3可知，上述整流特性Icom依賴于上述距離X,在X彡400 μ m的區(qū)域得到大幅改善。
[0119]以下,參照?qǐng)D4和圖5,對(duì)整流特性Icom在Χ<400μπι的區(qū)域得到改善的理由進(jìn)行說(shuō)明。圖4和圖5，與圖2同樣，是圖1的D-D’向視截面概略圖，上述距離X為“X彡400 μ m”。其中，圖4表示光導(dǎo)通時(shí)的狀態(tài)，圖5表示作為光關(guān)斷時(shí)的電壓反轉(zhuǎn)時(shí)(整流時(shí))的狀態(tài)。
[0120]如圖4所示，上述CHl側(cè)的第一光控晶體閘流管42a導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在圖5所示的整流時(shí)，利用本雙向光控晶體閘流管的電位梯度，被回收到CHl的第一光控晶體閘流管42a的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、或CH2的第二光控晶體閘流管42b的控制極擴(kuò)散區(qū)域44。在該情況下，當(dāng)被回收到CH2側(cè)的控制極擴(kuò)散區(qū)域44的少數(shù)載流子的量超過(guò)某個(gè)臨界值時(shí)，CH2的第二光控晶體閘流管42b的構(gòu)成上述PNPN部的NPN晶體管導(dǎo)通，促進(jìn)CH2的第二光控晶體閘流管42b的正反饋，第二光控晶體閘流管42b導(dǎo)通，導(dǎo)致上述“整流失敗”。
[0121]因此，為了抑制上述“整流失敗”，需要盡可能使工作電流的臨界值Icom增大。為了使Icom增大，需要抑制被回收到CH2側(cè)的控制極擴(kuò)散區(qū)域44的少數(shù)載流子的量。
[0122]在此，當(dāng)使上述CHl的第一光控晶體閘流管42a的芯片外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的距離X縮小時(shí)，如圖4所示，在導(dǎo)通時(shí)在CHl側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至CH2側(cè)之前，如圖5所示，被回收到CHl側(cè)的芯片端面。
[0123]因此，上述芯片外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散層44的距離X，優(yōu)選在滿足本雙向光控晶體閘流管的上述整流特性以外的特性(例如，耐壓等特性)的基礎(chǔ)上，最大限度地縮小。特別優(yōu)選X彡400 μ m。
[0124]如以上所述，在本實(shí)施方式中，雙向光控晶體閘流管芯片，在俯視時(shí)，如圖1所示，具有相對(duì)于中心線E-E’和與該中心線正交的線段D-D’的交點(diǎn)180度旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，即相對(duì)于上述交點(diǎn)點(diǎn)對(duì)稱的圖案，從截面上看，如圖2所示,構(gòu)成為相對(duì)于與中心線E-E’正交的垂直方向的線段F-F’左右對(duì)稱。相對(duì)于中心線E-E’和線段F-F’在左側(cè)形成CHl的第一光控晶體閘流管42a，在右側(cè)形成CH2的第二光控晶體閘流管42b。
[0125]上述第一光控晶體閘流管42a和第二光控晶體閘流管42b各自具有:P型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43 ;與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)的P型的控制極擴(kuò)散區(qū)域44 ;和在控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)地形成的N型的陰極擴(kuò)散區(qū)域45。但是，在N型硅襯底41的表面?zhèn)?，沒(méi)有形成用于將CHl和CH2分離的溝道分離區(qū)域、和配置在控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)的肖特基勢(shì)壘二極管。
[0126]除此之外，在本實(shí)施方式中，上述第一光控晶體閘流管42a和第二光控晶體閘流管42b，在上述第二方向，芯片最外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的距離X設(shè)定為400 μ m以內(nèi)。
[0127]因此，例如在導(dǎo)通時(shí)在上述CHl側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至CH2側(cè)之前，如圖5所示，被回收到CHl側(cè)的芯片端面。
[0128]其結(jié)果，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或上述溝道分離區(qū)域，也能夠使上述整流特性大幅提高。因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0129]此外，在圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片中，CHl的第一光控晶體閘流管42a和CH2的第二光控晶體閘流管42b中，陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43均配置在比控制極擴(kuò)散區(qū)域44更靠中心線E-E’側(cè)的位置。
[0130]但是，本發(fā)明并不一定需要上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43配置在比控制極擴(kuò)散區(qū)域44更靠中心線E-E’側(cè)的位置。也可以如圖6和圖7所示，CHl的第一光控晶體閘流管42a和CH2的第二光控晶體閘流管42b中，控制極擴(kuò)散區(qū)域44均配置在比陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43更靠中心線E-E’側(cè)的位置。此外，在圖6和圖7所示的雙向光控晶體閘流管芯片中，為了便于理解，對(duì)與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件標(biāo)注相同的符號(hào)。
[0131]在該情況下，也與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片的情況同樣，將芯片最外周的芯片端面與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的距離X設(shè)定為400 μ m以下，由此，例如在導(dǎo)通時(shí)在上述CHl側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移至CH2側(cè)之前，被回收到CHl側(cè)的芯片端面。因此，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或上述溝道分離區(qū)域，也能夠使上述整流特性大幅提聞。
[0132]但是，如圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片的情況那樣，在CHl的第一光控晶體閘流管42a和CH2的第二光控晶體閘流管42b中，控制極擴(kuò)散區(qū)域44從中心線E-E’觀察時(shí)與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相比配置在外側(cè)的情況，與如圖6和圖7所示的雙向光控晶體閘流管芯片那樣配置在內(nèi)側(cè)的情況相比，能夠使芯片面積進(jìn)一步縮小，因此優(yōu)選。
[0133]?第二實(shí)施方式
[0134]本實(shí)施方式涉及與上述整流特性Icom同樣作為雙向光控晶體閘流管的重要特性的“臨界關(guān)斷電壓上升率dV/dt(以下簡(jiǎn)稱為dV/dt特性)”和“整流特性Icom”與“光敏性IFT ”。
[0135]在此，對(duì)上述dV/dt特性和光敏性IFT進(jìn)行說(shuō)明。
[0136]上述“dV/dt特性”，用對(duì)雙向光控晶體閘流管施加具有陡峭的上升沿的脈沖電壓時(shí)，該雙向光控晶體閘流管誤導(dǎo)通的最小的上升沿(=dV/dt)來(lái)定義。該dV/dt特性表示噪聲耐性。因此，dV/dt特性，在噪聲耐性高的方面，可以說(shuō)是越大越好的特性。
[0137]另一方面，光敏性用例如在圖22所示的光觸發(fā)耦合器3中，使正向電流IF流過(guò)發(fā)光元件I以使雙向光控晶體閘流管2導(dǎo)通時(shí)的最小的正向電流值IFT來(lái)定義。該光敏性IFT從低消耗電力的觀點(diǎn)出發(fā)，可以說(shuō)是越小越好的特性。
[0138]一般來(lái)說(shuō)，上述“光敏性IFT”與“整流特性Icom和dV/dt特性”呈現(xiàn)此消彼長(zhǎng)(trade-off)關(guān)系。因此，設(shè)定圖22所示的等效電路的常數(shù)，使得符合期望的規(guī)格。作為在該情況下能夠設(shè)定的電路常數(shù)，可以列舉NPN晶體管Q2、Q4的電流放大系數(shù)、PNP晶體管Q1、Q3的電流放大系數(shù)、控制極電阻11、12的電阻值。
[0139]圖8是本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。圖8與圖2同樣是圖1的D-D’向視截面概略圖。
[0140]圖22的上述NPN晶體管Q2、Q4的電流放大系數(shù)和控制極電阻11、12的電阻值，能夠利用圖8的控制極擴(kuò)散區(qū)域44和控制極電阻區(qū)域46的濃度來(lái)調(diào)整。另外，圖22的PNP晶體管Ql、Q3的電流放大系數(shù)，能夠利用圖8的PNP晶體管的作為基極區(qū)域的N型硅襯底41的雜質(zhì)濃度來(lái)調(diào)整。但是，N型硅襯底41的雜質(zhì)濃度，從高耐壓化的觀點(diǎn)出發(fā)，大致被固定在約I X 114Cm-3,因此，主要通過(guò)作為陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的上述第二方向的間隔的PNP晶體管的基極寬度Y來(lái)調(diào)整。
[0141]以下，按照?qǐng)D9和圖10，對(duì)上述“光敏性IFT”與“整流特性Icom和dV/dt特性”的此消彼長(zhǎng)關(guān)系進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0142]此外，圖9表示整流特性Icom的光敏性IFT依賴性。另外，圖10表示dV/dt特性的光敏性IFT依賴性。但是，圖9和圖10均表示例如在PNP晶體管和NPN晶體管的電流放大系數(shù)已被固定的雙向光控晶體閘流管中，改變控制極電阻(控制極電阻區(qū)域46的濃度)的情況下的依賴性。
[0143]如圖9和圖10所示，整流特性Icom和dV/dt特性顯示出隨著光敏性IFT的增大而增大的“正”的依賴性，因此可知，整流特性Icom以及dV/dt特性與光敏性IFT具有此消彼長(zhǎng)關(guān)系。
[0144]這是，例如，在將表示呈現(xiàn)某個(gè)規(guī)定的控制極電阻值的情況下的Icom( = Icoml)和IFT的點(diǎn)設(shè)為點(diǎn)al的情況下，當(dāng)使控制極電阻值減小時(shí)，雙向光控晶體閘流管的靈敏度變差，因此，表示Icom和IFT的點(diǎn)在點(diǎn)al —點(diǎn)bl —點(diǎn)cl的方向移動(dòng)。也就是說(shuō)，當(dāng)使控制極電阻值減小時(shí)，雙向光控晶體閘流管的靈敏度變差，因此，如果不使流過(guò)發(fā)光二極管的正向電流IF增大，則該雙向光控晶體閘流管不會(huì)導(dǎo)通。因此，作為結(jié)果，光敏性IFT增大。另一方面，整流特性Icom是“噪聲耐性”，當(dāng)使控制極電阻值減小時(shí)，雙向光控晶體閘流管的靈敏度變差，因此增大。
[0145]以上情況在上述dV/dt特性的情況下也是同樣，在將表示呈現(xiàn)某個(gè)規(guī)定的控制極電阻值的情況下的dV/dt ( = (dV/dt) I)和IFT的點(diǎn)設(shè)為a2的情況下，當(dāng)使控制極電阻值減小時(shí)，與整流特性Icom的情況同樣，光敏性IFT增大。另一方面，表示“噪聲耐性”的dV/dt特性，因?yàn)殡p向光控晶體閘流管的靈敏度變差而增大。也就是說(shuō)，表示dV/dt和IFT的點(diǎn)在點(diǎn)a2 —點(diǎn)b2 —點(diǎn)c2的方向移動(dòng)。
[0146]在此，在將上述IFT、Icom、dV/dt的規(guī)格設(shè)為IFTl、Icoml、(dV/dt) I的情況下，圖9的區(qū)域A和圖10的區(qū)域B成為滿足期望的規(guī)格的目標(biāo)區(qū)域。因此，將控制極電阻值設(shè)定成，在圖9中在點(diǎn)al?點(diǎn)Cl的范圍內(nèi)、在圖10中在點(diǎn)a2?點(diǎn)c2的范圍內(nèi)滿足兩個(gè)規(guī)格(IFT1 與 Icoml、或 IFTl 與(dV/dt) I)。
[0147]但是，為了如圖11所示的SSR那樣，省略主晶體閘流管而僅通過(guò)雙向光控晶體閘流管2直接對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制,需要如圖12所示,使Icom的規(guī)格如Icoml — Icom2那樣大幅增大?？墒牵谝?guī)格為Icoml的情況下，只要將控制極電阻值設(shè)定成表示Icom和IFT的點(diǎn)滿足點(diǎn)a3?點(diǎn)b3，就能夠?qū)⒈硎綢com和IFT的點(diǎn)設(shè)定在作為滿足期望的規(guī)格的目標(biāo)區(qū)域的區(qū)域A內(nèi)，但是,在規(guī)格上升到Icom2的情況下，即使例如在表示Icom和IFT的點(diǎn)成為點(diǎn)c3的方向使控制極電阻值減小，也無(wú)法將表示Icom和IFT的點(diǎn)設(shè)定在滿足目標(biāo)規(guī)格的區(qū)域A內(nèi)。
[0148]因此,為了滿足目標(biāo)規(guī)格,如圖13所示,需要改變電路常數(shù),將Icom相對(duì)于IFT的相關(guān)線從相關(guān)線I (Y = Yl)像相關(guān)線2 (Y = Y2)那樣向“左上(空心箭頭)”的方向移動(dòng)，也就是說(shuō)，需要大幅改善Icom與IFT的此消彼長(zhǎng)關(guān)系。
[0149]在上述中，以上述Icom的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是在上述dV/dt特性的情況下也是同樣。
[0150]因此，反復(fù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)，結(jié)果發(fā)現(xiàn):在圖8所示的本雙向光控晶體閘流管芯片中，使作為陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的上述第二方向的間隔的PNP晶體管的基極寬度Y在150μπι< 300μπι的范圍內(nèi)越增大，此消彼長(zhǎng)關(guān)系越改善。
[0151]S卩，上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間(P型-P型間)的耐壓由穿通現(xiàn)象決定，在成為120 μ m以下時(shí)，會(huì)引起耐壓下降。因此，當(dāng)考慮晶片電阻率等偏差因素時(shí)，優(yōu)選基極寬度Y為150 μ m以上。
[0152]另外，上述基極寬度Y為300 μ m以下的理由如下。即，當(dāng)基極寬度Y增大時(shí)，導(dǎo)通電壓(流過(guò)某個(gè)恒定電流時(shí)的陽(yáng)極電壓)增大，發(fā)熱增大。在此，涉及上述發(fā)熱的結(jié)溫度(junct1n temperature)能夠用下式表不。
[0153]Tj = TJRtXVTXIT
[0154]在此，Tj:結(jié)溫度
[0155]Ta:環(huán)境溫度
[0156]Rt:封裝的熱阻
[0157]VT:導(dǎo)通電壓(祖A = IT)
[0158]IT:導(dǎo)通電流
[0159]在該情況下，Tj < Tj (max)，因此，需要滿足下式:
T.-T
_ _ TZ7T7 / I (max) u
[0160]VT < ~1-O
L 」R1XIT
[0161]因此，導(dǎo)通電壓VT不能超過(guò)某個(gè)固定的值，該固定的值為與基極寬度Y為300 μ m的情況對(duì)應(yīng)的值。
[0162]也就是說(shuō)，如果純粹只考慮改善整流特性Icom以及dV/dt特性與靈敏度IFT的此消彼長(zhǎng)關(guān)系，則基極寬度Y越大越好?？墒?，導(dǎo)通電壓VT與此相伴而上升，因此，當(dāng)基極寬度Y變得過(guò)大時(shí)，存在發(fā)熱變大的缺點(diǎn)。因此，基極寬度Y優(yōu)選為300 μ m以下。
[0163]如上所述，當(dāng)上述基極寬度Y變得過(guò)大時(shí)，除了芯片尺寸增大以外，還存在發(fā)熱增大的缺點(diǎn)。因此，即使在上述150 μ m < Y < 300 μ m的范圍內(nèi)，也需要根據(jù)本雙向光控晶體閘流管所需要的有效導(dǎo)通電流值，對(duì)基極寬度Y的值進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
[0164]例如，在圖11所示的SSR中，在將保證有效導(dǎo)通電流設(shè)為300mA的情況下，上述PNP晶體管的基極寬度Y優(yōu)選為200 μ m以上。
[0165]此外，上述整流特性Icom依賴于PNP晶體管的電流放大系數(shù)，而dV/dt特性依賴于上述PNP晶體管的響應(yīng)速度。也就是說(shuō)，整流特性Icom和dV/dt兩者，當(dāng)使PNP晶體管的基極寬度Y增大時(shí)均增大。可是，兩者的主要原因不同，整流特性Icom增大是因?yàn)楫?dāng)PNP晶體管的基極寬度Y增大時(shí)，電流放大系數(shù)減小。而dV/dt特性增大是因?yàn)镻NP晶體管的響應(yīng)速度變慢。因此，例如，通過(guò)由背面研磨引起的背側(cè)損傷或襯底表面的界面能級(jí)的調(diào)整等，也能夠調(diào)整PNP晶體管的電流放大系數(shù)，能夠調(diào)整整流特性Icom?？墒?，在該情況下，PNP晶體管的響應(yīng)速度不會(huì)大幅變化。因此，對(duì)dV/dt特性的影響少。
[0166]也就是說(shuō)，在如本實(shí)施方式那樣，使本雙向光控晶體閘流管芯片的PNP晶體管的基極寬度Y增大的情況下，能夠使整流特性Icom和dV/dt特性這兩者的特性增大，使對(duì)噪聲的耐性提聞。
[0167]在本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，具有與上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相同的結(jié)構(gòu)，并且將作為陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的上述第二方向的間隔的PNP晶體管的基極寬度Y設(shè)定在150 μ m彡Y彡300 μ m的范圍內(nèi)。因此，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或上述溝道分離區(qū)域，也能夠使芯片的光敏性與噪聲耐性(整流特性Icom和dV/dt特性)的此消彼長(zhǎng)關(guān)系大幅改善。
[0168]因此，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或溝道分離區(qū)域，也能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。此時(shí)，如果將上述基極寬度Y設(shè)定在200 μ m < Y < 300 μ m的范圍內(nèi)，則能夠使在將本雙向光控晶體閘流管芯片應(yīng)用于上述省略了主晶體閘流管的SSR中的情況下的保證有效導(dǎo)通電流為300mA，因此優(yōu)選。
[0169]?第三實(shí)施方式
[0170]本實(shí)施方式涉及構(gòu)成作為上述溝道分離區(qū)域的短二極管的高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域之間的間隔Z1。
[0171]圖14是本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，基本結(jié)構(gòu)與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片相同。圖14與上述第一實(shí)施方式的圖2對(duì)應(yīng)。因此，在圖14所示的雙向光控晶體閘流管芯片中，為了便于理解，對(duì)與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件，標(biāo)注相同的符號(hào)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0172]在本實(shí)施方式中，除了上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的結(jié)構(gòu)以夕卜，還在CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b之間，形成有短二極管50作為溝道分離區(qū)域。
[0173]上述短二極管50在構(gòu)成芯片的N型硅襯底41的表面?zhèn)?，在CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b的中間位置(也就是說(shuō)，兩個(gè)陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、43的中間位置)沿著陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43形成。短二極管50構(gòu)成為將在第一、第二光控晶體閘流管42a、42b的中間位置配置的I個(gè)高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b的兩側(cè)用2個(gè)高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域50a夾著，高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域50a與高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b通過(guò)配線(未圖示)連接為相同電位。
[0174]因此，在導(dǎo)通時(shí)，例如能夠?qū)⒃诘谝还饪鼐w閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，除此以外，還回收到短二極管50。因此，能夠進(jìn)一步改善整流特性Icom0
[0175]這樣，將上述少數(shù)載流子也回收到上述芯片端面，因此，能夠使短二極管50的尺寸減小相應(yīng)的量，與以往那樣僅回收到上述短二極管的情況相比，能夠使芯片面積減小。
[0176]即，上述短二極管50，能夠調(diào)整高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域50a和高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b的寬度，因此，通過(guò)調(diào)整上述寬度，能夠抑制芯片面積的增大，并且進(jìn)一步改善整流特性Icom0
[0177]圖15表示在將上述高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離設(shè)為Zl的情況下的本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV的分離距離Zl依賴性。
[0178]如圖15所示，當(dāng)使上述分離距離Zl小于120 μ m時(shí)，由于高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的穿通耐壓的下降，本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV也下降。因此，為了抑制芯片面積的增大，優(yōu)選將上述分離距離Zl在上述耐壓BV不下降的120 μ m以上的范圍內(nèi)盡可能設(shè)定地較小。
[0179]如以上所述，在本實(shí)施方式中，除了上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的結(jié)構(gòu)以外，還在CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b之間，形成有短二極管50作為溝道分離區(qū)域。
[0180]因此，當(dāng)將構(gòu)成上述短二極管50的高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b與構(gòu)成第一、第二光控晶體閘流管42a、42b的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Z1，在本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV不下降的120 μ m以上的范圍內(nèi)盡可能設(shè)定地較小時(shí)，能夠抑制芯片面積的增大，并且能夠進(jìn)一步改善整流特性Icom。因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0181]?第四實(shí)施方式
[0182]本實(shí)施方式涉及作為上述溝道分離區(qū)域的高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域之間的間隔Z2。
[0183]圖16是本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的截面概略圖。本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，基本結(jié)構(gòu)與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片相同。圖16與上述第一實(shí)施方式的圖2對(duì)應(yīng)。因此，在圖16所示的雙向光控晶體閘流管芯片中，為了便于理解，對(duì)與圖1和圖2所示的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件，標(biāo)注相同的符號(hào)，省略詳細(xì)的說(shuō)明。
[0184]在本實(shí)施方式中，除了上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的結(jié)構(gòu)以夕卜，還在CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b之間，形成有高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51作為溝道分離區(qū)域。
[0185]上述高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51在構(gòu)成芯片的N型硅襯底41的表面?zhèn)龋贑Hl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b的中間位置(也就是說(shuō)，兩個(gè)陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、43的中間位置)沿著陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43形成。
[0186]因此，在導(dǎo)通時(shí)，例如能夠?qū)⒃诘谝还饪鼐w閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，除此以外，還回收到高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51。因此，能夠進(jìn)一步改善整流特性Icom。
[0187]這樣，將上述少數(shù)載流子也回收到上述芯片端面，因此，能夠使高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51的尺寸減小相應(yīng)的量，與僅回收到高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51的情況相比，能夠使芯片面積減小。
[0188]S卩，能夠調(diào)整上述高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51的寬度，因此，通過(guò)調(diào)整上述寬度，能夠抑制芯片面積的增大，并且進(jìn)一步改善整流特性Icom。
[0189]圖17表示在將上述高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離設(shè)為Z2的情況下的本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV的分離距離Z2依賴性。
[0190]如圖17所示，當(dāng)使上述分離距離Z2減小時(shí)，由于高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的穿通耐壓的下降，本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV也下降。
[0191]但是，上述分離距離Z2，即使設(shè)定為在上述第三實(shí)施方式的情況下會(huì)導(dǎo)致耐壓BV下降的小于120 μ m的距離，只要為80 μ m以上，就不會(huì)引起上述耐壓下降。因此，與上述第三實(shí)施方式那樣使用短二極管作為溝道分離區(qū)域的情況相比，僅使用高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51的情況，在縮小芯片尺寸這一點(diǎn)上有利。因此，分離距離Z2優(yōu)選設(shè)定在80 μ m ^ Z2 ^ 120 μ m 的范圍內(nèi)。
[0192]如以上所述，在本實(shí)施方式中，除了上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的結(jié)構(gòu)以外，還在CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b之間，形成有高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51作為溝道分離區(qū)域。
[0193]因此，當(dāng)將上述高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51與構(gòu)成第一、第二光控晶體閘流管42a、42b的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Z2設(shè)定在80μπι < Ζ2 ( 120 μ m的范圍內(nèi)時(shí)，能夠不使本雙向光控晶體閘流管的耐壓BV下降而與上述第三實(shí)施方式相比使芯片尺寸減小，能夠抑制芯片面積的增大，并且進(jìn)一步改善整流特性Icom。因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0194]?第五實(shí)施方式
[0195]本實(shí)施方式涉及上述第一實(shí)施方式和上述第二實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法。
[0196]圖18A?圖18C是上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。此外，圖18A?圖18C對(duì)應(yīng)于上述第一實(shí)施方式的圖2，對(duì)與上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件標(biāo)注相同的符號(hào)。另外，本雙向光控晶體閘流管芯片具有相對(duì)于中心線F-F’左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
[0197]在此，以下說(shuō)明的制造條件并不限定于以下的條件，包含權(quán)利要求書(shū)中的所有的制造條件。
[0198]如圖18A所示，本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管，例如形成在N型硅襯底41上。此外，N型硅襯底41中的雜質(zhì)濃度例如為114CnT3左右。向這樣的N型硅襯底41注入P型雜質(zhì)，通過(guò)利用高溫推進(jìn)(drivein)的熱擴(kuò)散，將陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44形成至期望的深度。作為上述P型雜質(zhì)，例如使用硼，注入深度為5μπι?15μπι左右，雜質(zhì)濃度為116CnT3?118CnT3左右。在該情況下,在抗蝕劑掩模中規(guī)定注入?yún)^(qū)域,使得陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44形成在上述第一實(shí)施方式中所說(shuō)的期望的區(qū)域。
[0199]S卩，在形成上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的情況下，將上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44規(guī)定成，距芯片最外周的芯片端面的距離X滿足X < 400 μ m。另外，在形成上述第二實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的情況下，除此以外，還將陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44規(guī)定成，作為陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與控制極擴(kuò)散區(qū)域44之間的上述第二方向的間隔的基極寬度Y在150μπι< 300μπι的范圍內(nèi)?；蛘?，在使被應(yīng)用的省略了上述主晶體閘流管的SSR的保證有效導(dǎo)通電流為300mA的情況下，規(guī)定成在200 μ m ^ Y ^ 300 μ m 的范圍內(nèi)。
[0200]接著，如圖18B所示，通過(guò)例如硼等P型雜質(zhì)的注入，與控制極擴(kuò)散區(qū)域44平行地形成控制極電阻區(qū)域46。在該情況下，利用抗蝕劑掩模規(guī)定注入?yún)^(qū)域，使得控制極電阻區(qū)域46成為期望的電阻值，與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44形成時(shí)同樣，通過(guò)利用高溫推進(jìn)的熱擴(kuò)散，形成至期望的深度。此外，該情況下的控制極電阻區(qū)域46的注入深度為5μηι?15μηι左右，雜質(zhì)濃度為116CnT3?118CnT3左右。
[0201 ] 在此，關(guān)于上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44的高溫推進(jìn)，通過(guò)與關(guān)于控制極電阻區(qū)域46的高溫推進(jìn)同時(shí)進(jìn)行而能夠省略。
[0202]接著，如圖18C所示，在上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)，通過(guò)例如磷等N型雜質(zhì)的注入，形成作為102°cm_3?121CnT3左右的高濃度N型的陰極擴(kuò)散區(qū)域45。另外，沿著芯片周邊，形成作為溝道截?cái)嗖康母邼舛萅型擴(kuò)散區(qū)域47。
[0203]接著,在表面例如利用CVD (化學(xué)氣相蒸鍍:Chemical Vapor Deposit1n)法形成氧化膜(未圖示)，然后，在陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、控制極擴(kuò)散區(qū)域44和陰極擴(kuò)散區(qū)域45上，分別通過(guò)接觸刻蝕在上述氧化膜形成開(kāi)口。進(jìn)一步，例如通過(guò)濺射，使鋁膜(未圖示)生長(zhǎng)后，利用光刻蝕和干式刻蝕對(duì)上述鋁膜進(jìn)行圖案化，形成:陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43上的Al電極43a ；控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46上的Al電極44a ;和高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域47上的Al電極47a。這樣，將控制極擴(kuò)散區(qū)域44與控制極電阻區(qū)域46—起，利用Al電極47a與陰極擴(kuò)散區(qū)域45電連接。
[0204]為了將上述CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b反向并聯(lián)連接，利用Au線將CHl側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CH2側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框Tl連接。與此相對(duì)，利用Au線將CH2側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CHl側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框T2連接.
[0205]這樣，形成上述第一實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片，例如將在導(dǎo)通時(shí)在上述CHl側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子，在遷移至CH2側(cè)之前，回收到CHl側(cè)的上述芯片端面，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或溝道分離區(qū)域，也能夠使整流特性大巾畐提聞。
[0206]或者，形成上述第二實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片，除了上述功能以外，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或上述溝道分離區(qū)域，也能夠使芯片的光敏性與噪聲耐性(整流特性Icom和dV/dt特性)的此消彼長(zhǎng)關(guān)系大幅改善。
[0207].第六實(shí)施方式
[0208]本實(shí)施方式涉及上述第三實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法。
[0209]圖19A?圖19C是上述第三實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。此外，對(duì)與上述第三實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件標(biāo)注相同的符號(hào)。另外，本雙向光控晶體閘流管芯片具有相對(duì)于中心線G-G’左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
[0210]在此，以下說(shuō)明的制造條件并不限定于以下的條件，包含權(quán)利要求書(shū)中的所有的制造條件。
[0211]本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法，在作為溝道分離區(qū)域形成短二極管50這一點(diǎn)上，與上述第五實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法不同。
[0212]S卩，上述N型硅襯底41上的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46的形成，利用與上述第五實(shí)施方式的18A?18C所示的制造方法相同的制造方法進(jìn)行。其中，圖19A與圖18A對(duì)應(yīng)，圖19B與圖18B對(duì)應(yīng)，圖19C與圖18C對(duì)應(yīng)。
[0213]在形成上述短二極管50時(shí)，構(gòu)成短二極管50的高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b，在圖19A中與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和控制極擴(kuò)散區(qū)域44同時(shí)形成。另外，高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域50a在圖19C中與陰極擴(kuò)散區(qū)域45同時(shí)形成。
[0214]此時(shí)，在圖19A中，利用抗蝕劑掩模規(guī)定注入?yún)^(qū)域，使得上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距芯片最外周的芯片端面的距離X滿足X彡400 μ m。另外，利用抗蝕劑掩模規(guī)定注入?yún)^(qū)域，使得高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Zl在120 μ m以上的范圍內(nèi)盡可能小。
[0215]接著，與上述第五實(shí)施方式的情況同樣，在陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43上形成Al電極43a，在控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46上形成Al電極44a。此時(shí)，將構(gòu)成短二極管50的高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域50a與高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域50b，利用與Al電極43a和Al電極44a同時(shí)形成的Al電極(未圖示)電連接為相同電位。
[0216]為了將上述CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b反向并聯(lián)連接，利用Au線將CHl側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CH2側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框Tl連接。與此相對(duì)，利用Au線將CH2側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CHl側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框T2連接。
[0217]這樣，形成上述第三實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片，例如，能夠?qū)⒃趯?dǎo)通時(shí)在上述CHl側(cè)產(chǎn)生并向CH2側(cè)遷移的少數(shù)載流子回收到CHl側(cè)的上述芯片端面和短二極管50，當(dāng)將構(gòu)成該短二極管50的高濃度P型區(qū)域50b與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Z1，在本雙向光控晶體閘流管的耐壓不下降的120 μ m以上的范圍內(nèi)盡可能設(shè)定地較小時(shí)，能夠抑制芯片面積的增大，并且使整流特性Icom與上述第一、第二實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相比進(jìn)一步改善。
[0218]?第七實(shí)施方式
[0219]本實(shí)施方式涉及上述第四實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法。
[0220]圖20A?圖20C是上述第四實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造工序中的截面圖。此外，對(duì)與上述第四實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相同的部件標(biāo)注相同的符號(hào)。另外，本雙向光控晶體閘流管芯片具有相對(duì)于中心線H-H’左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
[0221]在此，以下說(shuō)明的制造條件并不限定于以下的條件，包含權(quán)利要求書(shū)中的所有的制造條件。
[0222]本實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法，在作為溝道分離區(qū)域形成高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51這一點(diǎn)上，與上述第五實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法不同。
[0223]S卩，上述N型硅襯底41上的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46的形成，利用與上述第五實(shí)施方式的18A?18C所示的制造方法相同的制造方法進(jìn)行。其中，圖20A與圖18A對(duì)應(yīng)，圖20B與圖18B對(duì)應(yīng)，圖20C與圖18C對(duì)應(yīng)。
[0224]在形成上述高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51時(shí)，在圖20C中，與陰極擴(kuò)散區(qū)域45同時(shí)形成。
[0225]此時(shí)，在圖20A中，利用抗蝕劑掩模規(guī)定注入?yún)^(qū)域，使得上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距芯片最外周的芯片端面的距離X滿足X彡400 μ m。另外，在圖20C中，利用抗蝕劑掩模規(guī)定注入?yún)^(qū)域，使得高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Z2在80 μ m ^ Z2 ^ 120 μ m 的范圍內(nèi)。
[0226]接著，與上述第五實(shí)施方式的情況同樣，在陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43上形成Al電極43a，在控制極擴(kuò)散區(qū)域44、陰極擴(kuò)散區(qū)域45和控制極電阻區(qū)域46上形成Al電極44a。
[0227]為了將上述CHl的第一光控晶體閘流管42a與CH2的第二光控晶體閘流管42b反向并聯(lián)連接，利用Au線將CHl側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CH2側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框Tl連接。與此相對(duì)，利用Au線將CH2側(cè)的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和CHl側(cè)的陰極擴(kuò)散區(qū)域45與引線框T2連接.
[0228]這樣，形成上述第四實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片，例如，能夠?qū)⒃趯?dǎo)通時(shí)在上述CHl側(cè)產(chǎn)生并向CH2側(cè)遷移的少數(shù)載流子回收到CHl側(cè)的上述芯片端面和高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51，當(dāng)將該高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域51與陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的分離距離Z2設(shè)定在80μπι< Z2 < 120 μ m的范圍內(nèi)時(shí)，能夠抑制芯片面積的增大，并且使整流特性Icom與上述第一、第二實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片相比進(jìn)一步改善。
[0229]?本申請(qǐng)發(fā)明的總結(jié)
[0230]如以上所述，本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片的特征在于:
[0231]具備在I個(gè)半導(dǎo)體芯片的表面相互分離地形成的第一光控晶體閘流管部42a和第二光控晶體閘流管部42b，
[0232]上述各光控晶體閘流管部42a、42b具有PNPN部，該P(yáng)NPN部包括:在一個(gè)方向延伸并且具有N型和P型中的一種導(dǎo)電類(lèi)型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43 ;具有N型和P型中的另一種導(dǎo)電類(lèi)型的襯底41 ;與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)的具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的控制極擴(kuò)散區(qū)域44 ;和在該控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)與上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)地形成并且具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的陰極擴(kuò)散區(qū)域45，
[0233]在將作為上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的延伸方向的上述一個(gè)方向設(shè)為第一方向，將與上述第一方向正交并且與上述襯底41的表面大致平行的方向設(shè)為第二方向的情況下，上述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面與上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向的距離為400 μ m以下。
[0234]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，上述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面與上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向的距離為400 μ m以下。因此，能夠使得:在導(dǎo)通時(shí)，例如在上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，被回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面。
[0235]其結(jié)果，能夠不在上述半導(dǎo)體芯片的控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)形成上述肖特基勢(shì)壘二極管、或在上述半導(dǎo)體芯片的上述第一光控晶體閘流管部42a與上述第二光控晶體閘流管部42b之間形成上述溝道分離區(qū)域，而使整流特性大幅提高。
[0236]因此，能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0237]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0238]上述第一光控晶體閘流管部42a和上述第二光控晶體閘流管部42b配置成:各個(gè)光控晶體閘流管部的上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和上述陰極擴(kuò)散區(qū)域45的延伸方向，與上述第一光控晶體閘流管部42a和上述第二光控晶體閘流管部42b的邊界線的延伸方向大致平行。
[0239]根據(jù)該實(shí)施方式，在上述整流時(shí)，構(gòu)成上述半導(dǎo)體芯片的襯底41內(nèi)的少數(shù)載流子49的上述溝道間的遷移受到限制，整流特性得到改善。此時(shí)，能夠沿著上述第一光控晶體閘流管部42a和上述第二光控晶體閘流管部42b的邊界線，在上述半導(dǎo)體芯片的大致整個(gè)寬度的范圍，形成上述各光控晶體閘流管部42a、42b的上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和上述陰極擴(kuò)散區(qū)域45。因此，盡管上述半導(dǎo)體芯片被上述邊界線分成兩部分，但還是能得到能夠控制負(fù)載電流的大的工作電流。
[0240]S卩，通過(guò)使用本雙向光控晶體閘流管芯片作為上述SSR的光觸發(fā)耦合器，能夠省略主晶體閘流管，能夠?qū)崿F(xiàn)削減了部件數(shù)量的廉價(jià)的SSR。
[0241]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0242]上述第一光控晶體閘流管部42a的上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述第二光控晶體閘流管部42b的上述陰極擴(kuò)散區(qū)域45電連接，另一方面，上述第一光控晶體閘流管部42a的上述陰極擴(kuò)散區(qū)域45與上述第二光控晶體閘流管部42b的上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43電連接。
[0243]根據(jù)該實(shí)施方式，在上述整流時(shí)，構(gòu)成上述半導(dǎo)體芯片的襯底41內(nèi)的少數(shù)載流子49的溝道間的遷移受到限制，整流特性得到改善。此時(shí)，能夠沿著上述第一光控晶體閘流管部42a和上述第二光控晶體閘流管部42b的邊界線，在上述半導(dǎo)體芯片的大致整個(gè)寬度的范圍，形成上述各光控晶體閘流管部42a、42b的各擴(kuò)散層。因此，盡管上述半導(dǎo)體芯片被上述邊界線分成兩部分，但還是能得到能夠控制負(fù)載電流的大的工作電流。
[0244]S卩，通過(guò)使用本雙向光控晶體閘流管芯片作為上述SSR的光觸發(fā)耦合器，能夠省略主晶體閘流管，能夠?qū)崿F(xiàn)削減了部件數(shù)量的廉價(jià)的SSR。
[0245]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0246]上述各光控晶體閘流管部42a、42b中，
[0247]上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44配置在比上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43更靠上述芯片端面?zhèn)鹊奈恢谩?br> [0248]根據(jù)該實(shí)施方式，通過(guò)使從上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44到上述芯片端面的距離減小，在導(dǎo)通時(shí)，能夠迅速地進(jìn)行例如在上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49向上述芯片端面的回收，能夠使上述整流特性大幅提高。
[0249]另外，與將上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43配置在比上述控制極擴(kuò)散區(qū)域44更靠上述芯片端面?zhèn)鹊奈恢玫那闆r相比，能夠使芯片面積進(jìn)一步縮小。
[0250]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0251]上述各光控晶體閘流管部42a、42b中，
[0252]上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述基極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向的分離距離為200 μ m以上并且300 μ m以下。
[0253]根據(jù)該實(shí)施方式，作為上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述基極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向的分離距離的由上述PNPN部構(gòu)成的晶體管的基極寬度在200 μ m以上并且300 μ m以下的范圍內(nèi)，因此，能夠使光敏性IFT與噪聲耐性(整流特性Icom和電場(chǎng)關(guān)斷電壓上升率dV/dt)的此消彼長(zhǎng)的關(guān)系改善。因此，即使沒(méi)有上述肖特基勢(shì)壘二極管或上述溝道分離區(qū)域，也能夠抑制芯片面積的增大，并且具有用I個(gè)芯片進(jìn)行光觸發(fā)來(lái)對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的功能，并且能夠省略SSR的主晶體閘流管。
[0254]另外，上述基極寬度為200 μ m以上，因此,在將本雙向光控晶體閘流管應(yīng)用于省略了上述主晶體閘流管的SSR的情況下，能夠得到300mA的保證有效導(dǎo)通電流。另外，上述基極寬度為300 μ m以下，因此,能夠防止發(fā)熱增大。
[0255]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0256]在上述半導(dǎo)體芯片的表面，在上述半導(dǎo)體芯片的一端至另一端的大致整個(gè)寬度的范圍，形成有用于將上述第一光控晶體閘流管部42a的溝道和上述第二光控晶體閘流管部42b的溝道分離的溝道分離區(qū)域。
[0257]根據(jù)該實(shí)施方式，在導(dǎo)通時(shí)，能夠?qū)⒗缭谏鲜龅谝还饪鼐w閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，除此以外，還回收到上述溝道分離區(qū)域。因此，能夠進(jìn)一步改善上述整流特性。
[0258]此時(shí)，將上述少數(shù)載流子49也回收到上述芯片端面，因此，能夠使上述溝道分離區(qū)域的尺寸減小相應(yīng)的量，與以往那樣僅回收到上述溝道分離區(qū)域的情況相比，能夠使芯片面積減小。
[0259]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0260]上述溝道分離區(qū)域由短二極管50構(gòu)成。
[0261]短二極管具有回收整流時(shí)的過(guò)剩載流子的效果，因此，在使整流特性提高這一點(diǎn)上，具有非常大的效果。根據(jù)該實(shí)施方式，上述溝道分離區(qū)域由短二極管50構(gòu)成，因此，能夠使整流特性大幅提高。
[0262]在該情況下，如果不作出任何改進(jìn)，則會(huì)導(dǎo)致芯片面積的增大，但是，例如，通過(guò)設(shè)法將構(gòu)成上述短二極管50的兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)域50a、50b中具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域50b的寬度變窄等，能夠?qū)⑸鲜鲂酒娣e的增大抑制到最小限度。
[0263]另外,在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0264]上述溝道分離區(qū)域由具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域51構(gòu)成。
[0265]根據(jù)該實(shí)施方式，上述溝道分離區(qū)域僅由具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域51構(gòu)成，因此，與由高濃度P型擴(kuò)散區(qū)域和高濃度N型擴(kuò)散區(qū)域形成的短二極管50構(gòu)成的情況相比，能夠使芯片面積減小。
[0266]另外,在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片中，
[0267]上述各光控晶體閘流管部42a、42b中，
[0268]上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51在上述第二方向的分離距離為80 μ m以上并且120 μ m以下。
[0269]根據(jù)該實(shí)施方式，上述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51在上述第二方向的分離距離為120 μ m以下，因此，與由當(dāng)上述分離距離小于120 μ m時(shí)耐性下降的短二極管50構(gòu)成的情況相比，能夠使芯片面積減小。另外，上述分離距離為80 μ m以上，因此，不會(huì)觀察到本雙向光控晶體閘流管的耐壓的下降。
[0270]另外，本發(fā)明的光觸發(fā)耦合器的特征在于，包括:
[0271]本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片；和LED。
[0272]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，使用具備SSR的主晶體閘流管程度的功能的雙向光控晶體閘流管芯片。因此，根據(jù)本光觸發(fā)耦合器，能夠根據(jù)來(lái)自上述LED的光信號(hào)直接對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制。
[0273]另外，本發(fā)明的SSR的特征在于，包括:
[0274]本發(fā)明的光觸發(fā)耦合器；和緩沖電路(snubber circuit)。
[0275]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，使用能夠根據(jù)來(lái)自LED的光信號(hào)直接對(duì)負(fù)載進(jìn)行控制的光觸發(fā)耦合器。因此，能夠省略用于控制負(fù)載的主晶體閘流管，能夠?qū)崿F(xiàn)部件數(shù)量少的廉價(jià)的SSR。
[0276]另外，上述本發(fā)明的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法的特征在于:
[0277]具備在I個(gè)半導(dǎo)體芯片的表面，相互分離地形成第一光控晶體閘流管部42a和第二光控晶體閘流管部42b的工序，
[0278]形成上述第一光控晶體閘流管部42a和上述第二光控晶體閘流管部42b的工序具有:
[0279]陽(yáng)極控制極擴(kuò)散區(qū)域形成工序，在具有N型和P型中的一種導(dǎo)電類(lèi)型的襯底41的表面，同時(shí)形成在一個(gè)方向延伸并且具有N型和P型中的另一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第一光控晶體閘流管部42a用的第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、與上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)的具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第一光控晶體閘流管部42a用的第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44、在上述一個(gè)方向延伸并且具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第二光控晶體閘流管部42b用的第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、和與上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)的具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第二光控晶體閘流管部42b用的第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44 ;和
[0280]陰極擴(kuò)散區(qū)域形成工序，同時(shí)形成在上述第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)與上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)地形成并且具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第一光控晶體閘流管部42a用的第一陰極擴(kuò)散區(qū)域45、和在上述第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)與上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43相對(duì)地形成并且具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的上述第二光控晶體閘流管部42b用的第二陰極擴(kuò)散區(qū)域45，
[0281]在上述陽(yáng)極控制極擴(kuò)散區(qū)域形成工序中，形成上述第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44和上述第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44，使得:在將上述一個(gè)方向設(shè)為第一方向，將與上述第一方向正交并且與上述襯底41的表面大致平行的方向設(shè)為第二方向的情況下，上述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面中與上述第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向相對(duì)的芯片端面與該第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距離、以及與上述第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44在上述第二方向相對(duì)的芯片端面與該第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距離均為400 μ m以下。
[0282]根據(jù)上述技術(shù)方案，能夠制造雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片構(gòu)成為:上述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面中與上述第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44相對(duì)的芯片端面與該第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距離、以及與上述第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44相對(duì)的芯片端面與該第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44的距離均為400 μ m以下。
[0283]因此，能夠提供一種雙向光控晶體閘流管芯片，該雙向光控晶體閘流管芯片能夠不像以往那樣在上述半導(dǎo)體芯片的控制極擴(kuò)散區(qū)域44內(nèi)形成上述肖特基勢(shì)壘二極管、或在上述半導(dǎo)體芯片的上述第一光控晶體閘流管部42a與上述第二光控晶體閘流管部42b之間形成上述溝道分離區(qū)域，而將在導(dǎo)通時(shí)例如在上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，以使整流特性大幅提高。
[0284]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法中，
[0285]在上述陽(yáng)極控制極擴(kuò)散區(qū)域形成工序中，在上述襯底41的表面，在上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的中間位置，在上述半導(dǎo)體芯片的一端至另一端的大致整個(gè)寬度的范圍，與上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43、上述第一控制極擴(kuò)散區(qū)域44、上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43和上述第二控制極擴(kuò)散區(qū)域44同時(shí)形成在上述一個(gè)方向延伸并且具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的一個(gè)第一高濃度擴(kuò)散區(qū)域50b，
[0286]在上述陰極擴(kuò)散區(qū)域形成工序中，在上述第一高濃度擴(kuò)散區(qū)域50b的兩側(cè)夾著該第一高濃度擴(kuò)散區(qū)域50b，與上述第一陰極擴(kuò)散區(qū)域45和上述第二陰極擴(kuò)散區(qū)域45同時(shí)形成具有上述一種導(dǎo)電類(lèi)型的兩個(gè)第二高濃度擴(kuò)散區(qū)域50a，
[0287]上述制造方法具備短二極管形成工序，將上述第一高濃度擴(kuò)散區(qū)域50b和上述第二高濃度擴(kuò)散區(qū)域50a電連接為相同電位，以形成短二極管50。
[0288]根據(jù)該實(shí)施方式，在導(dǎo)通時(shí)，能夠?qū)⒗缭谏鲜龅谝还饪鼐w閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，除此以外，還回收到上述短二極管50。
[0289]因此，能夠提供能夠進(jìn)一步改善上述整流特性的雙向光控晶體閘流管芯片。
[0290]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的雙向光控晶體閘流管芯片的制造方法中，
[0291]在上述陰極擴(kuò)散區(qū)域形成工序中，在上述襯底41的表面，在上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43的中間位置，在上述半導(dǎo)體芯片的一端至另一端的大致整個(gè)寬度的范圍，與上述第一陰極擴(kuò)散區(qū)域45和上述第二陰極擴(kuò)散區(qū)域45同時(shí)形成在上述一個(gè)方向延伸并且具有上述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的一個(gè)高濃度擴(kuò)散區(qū)域51，
[0292]上述第一陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51在上述第二方向的分離距離、以及上述第二陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域43與上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51在上述第二方向的分離距離均為80 μ m以上并且120 μ m以下。
[0293]根據(jù)該實(shí)施方式，在導(dǎo)通時(shí)，能夠?qū)⒗缭谏鲜龅谝还饪鼐w閘流管部42a側(cè)產(chǎn)生的少數(shù)載流子49，在遷移至上述第二光控晶體閘流管部42b側(cè)之前，回收到上述第一光控晶體閘流管部42a側(cè)的上述芯片端面，除此以外，還回收到上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51。
[0294]此時(shí)，上述分離距離為120 μ m以下，因此，與當(dāng)上述分離距離小于120 μ m時(shí)耐性下降的短二極管50的情況相比，能夠使上述高濃度擴(kuò)散區(qū)域51的面積變窄，能夠使雙向光控晶體閘流管芯片的芯片面積減小。另外，上述分離距離為80 μ m以上，因此，不會(huì)觀察到本雙向光控晶體閘流管的耐壓的下降。
【權(quán)利要求】
1.一種雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于: 具備在I個(gè)半導(dǎo)體芯片的表面相互分離地形成的第一光控晶體閘流管部和第二光控晶體閘流管部， 所述各光控晶體閘流管部具有PNPN部，該P(yáng)NPN部包括:在一個(gè)方向延伸并且具有N型和P型中的一種導(dǎo)電類(lèi)型的陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域；具有N型和P型中的另一種導(dǎo)電類(lèi)型的襯底；與所述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域相對(duì)的具有所述一種導(dǎo)電類(lèi)型的控制極擴(kuò)散區(qū)域；和在該控制極擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)與所述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域相對(duì)地形成并且具有所述另一種導(dǎo)電類(lèi)型的陰極擴(kuò)散區(qū)域， 在將作為所述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域的延伸方向的所述一個(gè)方向設(shè)為第一方向，將與所述第一方向正交并且與所述襯底的表面大致平行的方向設(shè)為第二方向的情況下，所述半導(dǎo)體芯片的最外周的芯片端面與所述控制極擴(kuò)散區(qū)域在所述第二方向的距離為400 μ m以下。
2.如權(quán)利要求1所述的雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于: 所述各光控晶體閘流管部中， 所述控制極擴(kuò)散區(qū)域配置在比所述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域更靠所述芯片端面?zhèn)鹊奈恢谩?br> 3.如權(quán)利要求2所述的雙向光控晶體閘流管芯片，其特征在于: 所述各光控晶體閘流管部中， 所述陽(yáng)極擴(kuò)散區(qū)域與所述基極擴(kuò)散區(qū)域在所述第二方向的分離距離為200 μ m以上并且300 μ m以下。
4.一種光觸發(fā)稱合器，其特征在于，包括: 權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的雙向光控晶體閘流管芯片；和 發(fā)光二極管。
5.—種固態(tài)繼電器,其特征在于,包括: 權(quán)利要求4所述的光觸發(fā)耦合器；和 緩沖電路。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104241435SQ201410263931
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月24日
【發(fā)明者】一條尚生, 鞠山滿 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社