一種裸眼3d功能面板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種裸眼3D功能面板的制造方法，能夠減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本，所述裸眼3D功能面板的制造方法包括：通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成第一信號線和第二信號線；通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有第一信號線和第二信號線的基板上形成鈍化層，第一鈍化層過孔和與第二鈍化層過孔；在形成有鈍化層的基板上形成第一透明電極和第二透明電極，第一透明電極與第二透明電極間隔設(shè)置，第一透明電極通過第一鈍化層過孔與第一信號線連接，第二透明電極通過第二鈍化層過孔與第二信號線連接。本發(fā)明實(shí)施例提供一種裸眼3D功能面板的制造方法，用于裸眼3D功能面板的制造。
【專利說明】一種裸眼3D功能面板的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種裸眼3D功能面板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]伴隨著3D的興起，裸眼3D也隨之倍受關(guān)注，目前，裸眼3D技術(shù)主要有四種:電子視障光柵式技術(shù)、柱狀透鏡技術(shù)、快門干涉背光式技術(shù)以及雙層顯示式技術(shù)，其中較常使用的是電子視障光柵式，所述電子視障光柵式技術(shù)也被稱為視差障壁或視差障柵技術(shù)，通常是在顯示面板前面添加裸眼3D功能面板(3D barrier signal glass),通過所述3Dbarrier signal glass上順序排列的多條電極形成光柵,實(shí)現(xiàn)裸眼3D的效果。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中3D barrier signal glass包括信號線金屬層、鈍化層和ITO透明導(dǎo)電層三層結(jié)構(gòu)，需要金屬層掩膜、鈍化層掩膜、透明導(dǎo)電層掩膜三次構(gòu)圖工藝才能完成，且每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝。構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導(dǎo)致工藝技術(shù)難度的增加、產(chǎn)品成本的上升以及產(chǎn)品產(chǎn)能的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種裸眼3D功能面板的制造方法，能夠減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低成本。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]一方面，提供一種裸眼3D功能面板的制造方法，所述制造方法包括:
[0007]通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成第一信號線和第二信號線.[0008]通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上形成鈍化層，與所述第一信號線對應(yīng)的第一鈍化層過孔和與所述第二信號線對應(yīng)的第二鈍化層過孔；
[0009]在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明電極和第二透明電極，所述第一透明電極與所述第二透明電極間隔設(shè)置，所述第一透明電極通過所述第一鈍化層過孔與所述第一信號線連接，所述第二透明電極通過所述第二鈍化層過孔與所述第二信號線連接。
[0010]可選的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上形成鈍化層，與所述第一信號線對應(yīng)的第一鈍化層過孔和與所述第二信號線對應(yīng)的第二鈍化層過孔包括:
[0011]在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上沉積所述鈍化層；
[0012]在所述鈍化層上沉積光刻膠；
[0013]通過第一掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，形成光刻膠半保留部分、光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分，所述光刻膠完全去除部分與所述第一鈍化層過孔和所述第二鈍化層過孔對應(yīng)，所述光刻膠半保留部分覆蓋需要形成所述第一透明電極和所述第二透明電極的位置，光刻膠完全保留部分覆蓋除去光刻膠完全去除部分與光刻膠半保留部分之外的其他區(qū)域，所述光刻膠半保留部分的厚度小于所述光刻膠完全保留部分的厚度；
[0014]刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層，形成所述第一鈍化層過孔和第二鈍化層過孔。
[0015]可選的，所述刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層包括:
[0016]通過干刻工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層。
[0017]可選的，所述光刻膠半保留部分的厚度為0.6 μ m?1.2 μ m，所述光刻膠完全保留部分的厚度為2 μ m?3 μ m。
[0018]可選的，所述在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明電極和第二透明電極包括:
[0019]去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠；
[0020]在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜；
[0021]通過剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠，使得所述光刻膠完全保留部分的光刻膠和所述光刻膠完全保留部分上覆蓋的透明導(dǎo)電薄膜同時(shí)被剝離，形成第一透明電極和所述第二透明電極，所述第一透明電極與所述第一信號線通過所述第一鈍化層過孔相連，所述第二透明電極與所述第二信號線通過所述第二鈍化層過孔相連。
[0022]可選的，所述去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠包括:
[0023]通過灰化工藝，去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠。
[0024]可選的，所述在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜包括:
[0025]通過低溫沉積的技術(shù)，在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積所述透明導(dǎo)電薄膜。
[0026]可選的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成第一信號線和第二信號線包括:
[0027]在所述信號線金屬層上沉積光刻膠；
[0028]通過第二掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層的圖形為所述第一信號線和所述第二信號線所需的圖形；
[0029]刻蝕未被所述第一光刻膠層覆蓋的所述信號線金屬層；
[0030]去除所述第一光刻膠層，形成所述第一信號線和所述第二信號線。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供的裸眼3D功能面板的制造方法，在制造所述裸眼3D功能面板時(shí)，首先通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成信號線，然后通過一次構(gòu)圖工藝，采用半曝光技術(shù)在形成有所述信號線的基板上形成鈍化層以及鈍化層過孔，以及鈍化層上的光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分，然后在形成有所述鈍化層的基板上形成透明電極，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升了量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低了成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種裸眼3D功能面板的制作方法的流程圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種裸眼3D功能面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種裸眼3D功能面板的制作方法的流程圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的在信號線金屬層上沉積光刻膠的剖面示意圖；
[0037]圖5 Ca)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一光刻膠層的剖面示意圖；
[0038]圖5 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一光刻膠層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖6 (a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕未被第一光刻膠層覆蓋的信號線金屬層的剖面示意圖；
[0040]圖6 (b )為本發(fā)明實(shí)施例提供的刻蝕未被第一光刻膠層覆蓋的信號線金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖7 Ca)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一信號線和第二信號線的剖面示意圖；
[0042]圖7 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一信號線和第二信號線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的沉積鈍化層的剖面示意圖；
[0044]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的在鈍化層上沉積光刻膠的剖面示意圖；
[0045]圖10 (a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成光刻膠完全去除部分，光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分的剖面示意圖一；
[0046]圖10 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成光刻膠完全去除部分，光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分的剖面示意圖二；
[0047]圖10 (C)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成光刻膠完全去除部分，光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分的結(jié)構(gòu)示意；
[0048]圖11 (a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一鈍化層過孔和第二鈍化層過孔的剖面
示意圖一；
[0049]圖11 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一鈍化層過孔和第二鈍化層過孔的剖面不意圖二;
[0050]圖11 (C)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一鈍化層過孔和第二鈍化層過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖12 Ca)為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除光刻膠半保留部分的剖面示意圖一；
[0052]圖12 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除光刻膠半保留部分的剖面示意圖一；
[0053]圖12 (c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的去除光刻膠半保留部分的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖13 Ca)為本發(fā)明實(shí)施例提供的沉積透明導(dǎo)電薄膜的剖面示意圖一；
[0055]圖13 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的沉積透明導(dǎo)電薄膜的剖面示意圖二 ；
[0056]圖13 (c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的沉積透明導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖14 Ca)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一透明電極和第二透明電極的剖面示意圖一；
[0058]圖14 (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一透明電極和第二透明電極的剖面示意圖二 ；
[0059]圖14 (C)為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成第一透明電極和第二透明電極的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0060]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例提供一種裸眼3D功能面板10的制造方法，如圖1所示，包括:
[0062]步驟101、通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層101的基板上形成第一信號線1011和第二信號線1012。
[0063]具體的，首先在玻璃基板100上沉積信號線金屬層101，所述信號線金屬層101所用的金屬可以與陣列基板制造中常用的柵線金屬相同，其中，所述第一信號線1011與所述第二信號1012線呈環(huán)形，所述第一信號線1011位于所述第二信號線外側(cè)1012。
[0064]需要說明的，所述構(gòu)圖工藝可以包括制作圖形的所需的掩膜、曝光、顯影、光刻、刻蝕等部分或全部制作步驟，以及可以包括灰化以及退火處理等制作步驟。
[0065]舉例來說，通過構(gòu)圖工藝在基板上形成柵極，具體為:首先在基板上沉積柵極金屬層，然后在所述柵極金屬層上沉積光刻膠，利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理來形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案為所述柵極所需圖案，接著利用該光刻膠圖案作為刻蝕掩模，通過刻蝕等工藝去除未被所述光刻膠圖案覆蓋的柵極金屬層，然后去除所述光刻膠圖案，最終在基板上形成柵極。
[0066]步驟102、通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線1011和所述第二信號線1012的基板上形成鈍化層102，與所述第一信號線1011對應(yīng)的第一鈍化層過孔1021和與所述第二信號線1012對應(yīng)的第二鈍化層過孔1022。
[0067]其中，所述鈍化層102位于第一信號線1011和第二信號線1012的上層，且在第一信號線1011上方形成露出所述第一信號線1011的所述第一鈍化層過孔1021，在第二信號線1012上方形成露出所述第二信號線1012的所述第二鈍化層過孔1022。
[0068]步驟103、在形成有所述鈍化層102的基板上形成第一透明電極1031和第二透明電極1032，所述第一透明電極1031與所述第二透明電極1032間隔設(shè)置，所述第一透明電極1031通過所述第一鈍化層過孔1021與所述第一信號線1011連接，所述第二透明電極1032通過所述第二鈍化層過孔1022與所述第二信號線1012連接。
[0069]其中，所述第一透明電極1031和所述第二透明電極1032位于所述鈍化層102上層，所述第一透明電極1031與所述第一信號線1011通過所述第一鈍化層過孔1021相連，所述第二透明電極1032與所述第二信號線1012通過所述第二鈍化層過孔1022相連，第一透明電極1031與第二透明電極1032平行，并與第一信號線1011或第二信號線1012的較長的一邊成70°?85°的夾角，所述第一信號線1011用于為第一透明電極1031提供電壓信號，所述第二信號線1012用于為第二透明電極1032提供電壓信號。
[0070]這樣一來，在進(jìn)行裸眼3D功能面板的制造時(shí)，首先通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成信號線，然后通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述信號線的基板上形成鈍化層以及鈍化層過孔，在形成有所述鈍化層的基板上形成透明電極，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升了量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低了成本。
[0071]具體的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層101的基板上形成第一信號線1011和第二信號線1012包括:在所述信號線金屬層101上沉積光刻膠104 ;通過第二掩膜板對所述光刻膠104進(jìn)行曝光、顯影之后，形成第一光刻膠層1044，所述第一光刻膠層1044的圖形為所述第一信號線1011和所述第二信號線1012所需的圖形；刻蝕未被所述第一光刻膠層1044覆蓋的所述信號線金屬層；去除所述第一光刻膠層1044，形成所述第一信號線1011和所述第二信號線1012。需要說明的是，第一掩膜板為普通掩膜板，所述第一光刻膠層1044對應(yīng)所述第一掩膜板的不透光區(qū)域。
[0072]具體的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線1011和所述第二信號線1012的基板上形成鈍化層102，與所述第一信號線1011對應(yīng)的第一鈍化層過孔1021和與所述第二信號線1012對應(yīng)的第二鈍化層過孔1022包括:在形成有所述第一信號線1011和所述第二信號線1012的基板上沉積所述鈍化層102 ;在所述鈍化層102上沉積光刻膠104 ;通過第一掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，形成光刻膠半保留部分1041、光刻膠完全保留部分1042和光刻膠完全去除部分1043，所述光刻膠完全去除部分1043與所述第一鈍化層過孔1021和所述第二鈍化層過孔1022對應(yīng)，所述光刻膠半保留部分1041覆蓋需要形成所述第一透明電極1031和所述第二透明電極1032的位置，光刻膠完全保留部分1042覆蓋除去光刻膠完全去除部分1043與光刻膠半保留部分1041之外的其他區(qū)域，所述光刻膠半保留部分1041的厚度小于所述光刻膠完全保留部分1042的厚度；刻蝕所述光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102，形成所述第一鈍化層過孔1021和第二鈍化層過孔1022。需要說明的，所述第一掩膜板為灰色調(diào)掩膜板或半色調(diào)掩膜板。
[0073]可選的，可以通過干刻工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102。
[0074]所述干刻工藝為利用輝光放電(glow discharge)方式,產(chǎn)生包含離子、電子等帶電粒子以及具有高度化學(xué)活性的中性原子、分子及自由基的電漿，來進(jìn)行刻蝕的技術(shù)。
[0075]示例的，所述光刻膠半保留部分1041的厚度可以為0.6 μ m?1.2 μ m，所述光刻膠完全保留部分1042的厚度可以為2 μ m?3 μ m。
[0076]具體的，所述在形成有所述鈍化層102的基板上形成第一透明電極1031和第二透明電極1032包括:去除所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠；在去除所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜103 ;通過剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104，使得所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104和所述光刻膠完全保留部分1042上覆蓋的透明導(dǎo)電薄膜103同時(shí)被剝離，形成第一透明電極1031和所述第二透明電極1032，所述第一透明電極1031與所述第一信號線1011通過所述第一鈍化層過孔1021相連，所述第二透明電極1032與所述第二信號線1012通過所述第二鈍化層過孔1022相連。
[0077]可選的，可以通過灰化工藝，去除所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠104。
[0078]示例的，通常在在去除所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜103時(shí)，選擇通過低溫沉積的技術(shù)，在去除所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后的基板上沉積所述透明導(dǎo)電薄膜103，這樣可以保證在沉積所述透明導(dǎo)電薄膜103時(shí)不改變所述光刻膠104的性質(zhì)，以便于后續(xù)能夠較容易的剝離所述光刻膠半保留部分1041的光刻膠104。
[0079]所述裸眼3D功能面板及結(jié)構(gòu)如圖2所示，以圖2中區(qū)域201為例進(jìn)行說明，第一信號線1011與第一透明電極1031通過第一鈍化層過孔1021相連，并為第一透明電極1031提供電壓信號，第二信號線1012與第二透明電極1032通過第二鈍化層過孔1022相連，并為第二透明電極1012提供電壓信號，第一透明電極1031與第二透明電極1032平行，并與第一信號線1011或第二信號線1012的較長的一邊成70°?85°的夾角，當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O1031與第二透明電極1032的電壓不相同時(shí)，所述第一透明電極1031與第二透明電極1032對應(yīng)的液晶分子偏轉(zhuǎn)角度不同，使得第一透明電極1031和第二透明電極1032形成明暗相隔的條紋，該明暗條紋能夠?qū)︼@示面板顯示的2D圖像進(jìn)行部分遮擋，從而可以根據(jù)不同時(shí)刻明暗條紋遮擋的顯示圖像來實(shí)現(xiàn)裸眼3D效果。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例提供的裸眼3D功能面板的制造方法，在制造所述裸眼3D功能面板時(shí)，首先通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成信號線，然后通過一次構(gòu)圖工藝，采用半曝光技術(shù)在形成有所述信號線的基板上形成鈍化層以及鈍化層過孔，以及鈍化層上的光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分，然后在形成有所述鈍化層的基板上形成透明電極，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升了量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低了成本。
[0081]本發(fā)明實(shí)施例提供一種裸眼3D功能面板10的制造方法，如圖3所示，為了更清晰的說明，本實(shí)施例中的圖均為各步驟中圖2中區(qū)域201的局部放大圖，所述裸眼3D功能面板10其他區(qū)域的制作過程與區(qū)域201相同，所述裸眼3D功能面板10的制造方法包括:
[0082]步驟301、在形成有信號線金屬層101的基板上沉積光刻膠104，具體如圖4所示。
[0083]具體的，首先在玻璃基板100上沉積信號線金屬層101，所述信號線金屬層101所用的金屬可以與陣列基板制造中常用的柵線金屬相同，然后再所述信號線金屬層101沉積光刻膠104。
[0084]步驟302、通過第二掩膜板對形成有所述光刻膠104的基板進(jìn)行曝光和顯影，得到第一光刻膠層1044，具體如圖5所示。
[0085]其中，所述第二掩膜板為普通掩膜板，包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域兩個(gè)部分，所述不透光區(qū)域?qū)?yīng)需要形成第一信號線1011和第二信號線1012的區(qū)域，所述透光區(qū)域?qū)?yīng)除過第一信號線1011和第二信號線1012的其他區(qū)域，采用普通掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影為現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例再次不做贅述。對所述光刻膠104采用第二掩膜板進(jìn)行曝光，顯影之后，形成第一光刻膠層1044,所述第一光刻膠層的圖案為第一信號線1011和第二信號線1012對應(yīng)的圖案，圖5 Ca)為形成第一光刻膠層之后基板的區(qū)域201的沿圖5
(b)A-A線的剖面圖，從圖5 (b)可以看出區(qū)域201中第一光刻膠層的圖案。
[0086]步驟303、采用濕刻工藝去除未被所述第一光刻膠層1044覆蓋的所述信號線金屬層101，具體如圖6 (a)和圖6 (b)所示。
[0087]圖6 Ca)為去除未被所述第一光刻膠層1044覆蓋的所述信號線金屬層101之后的基板沿圖6 (b)A-A線的剖面圖，從圖6 (b)可以看出區(qū)域201中去除未被所述第一光刻膠層1044覆蓋的所述信號線金屬層101之后的圖案。
[0088]步驟304、去除所述第一光刻膠層1044，形成所述第一信號線1011和所述第二信號線1012，具體如圖7所示。[0089]通常的，可以通過剝離工藝去除第一光刻膠層1044，使得第一光刻膠層1044覆蓋的第一信號線1011和第二信號線1012顯露出來，所述通過剝離工藝去除第一光刻膠層1044為現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例對此不做贅述。圖7 (a)為去除所述第一光刻膠層1044之后的基板沿圖7 (b)A-A線的剖面圖，從圖7 (b)可以看出區(qū)域201中去除所述第一光刻膠層1044之后的圖案。
[0090]步驟305、在形成有所述第一信號線1011和所述第二信號線1012的基板上沉積所述鈍化層102,具體如圖8所示。
[0091]其中，所述鈍化層102可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma EnhancedChemical Vapor D印osition，簡稱PECVD)沉積，其厚度范圍例如可以為2000?8000A。
[0092]步驟306、在所述鈍化層102上沉積光刻膠104，具體如圖9所示。
[0093]通常的，所述光刻膠104可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱 PECVD)沉積。
[0094]步驟307、通過第二掩膜板對所述光刻膠104進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠半保留部分1041、光刻膠完全保留部分1042和光刻膠完全去除部分1043，具體如圖10所示。
[0095]其中，所述第二掩膜板為灰色調(diào)掩膜板或半色調(diào)掩膜板，包括完全透光區(qū)域、半透光區(qū)域和不透光區(qū)域三部分，本發(fā)明所有實(shí)施例中所指的所述光刻膠104均為正性膠，通過第二掩膜板對所述光刻膠104進(jìn)行曝光和顯影，即所述光刻膠完全去除部分1043為完全曝光區(qū)域，對應(yīng)第二掩膜板的完全透光區(qū)域；所述光刻膠半保留部分1041為半曝光區(qū)域，對應(yīng)第二掩膜板的半透光區(qū)域，所述光刻膠完全保留部分1042為不曝光區(qū)域，對應(yīng)第二掩膜板的完全不透光區(qū)域，示例的，所述光刻膠半保留部分1041的厚度為0.6 μ m?1.2 μ m，所述光刻膠完全保留部分1042的厚度為2 μ m?3 μ m。圖10 (a)為通過第二掩膜板對光刻膠104進(jìn)行曝光、顯影之后基板沿圖10 (c) A-A線的剖面圖，圖10 (b)為通過第二掩膜板對光刻膠104進(jìn)行曝光、顯影之后基板沿圖10 (C)B-B線的剖面圖，圖10 (c)為區(qū)域201形成光刻膠半保留部分1041、光刻膠完全保留部分1042和光刻膠完全去除部分1043之后的圖案。
[0096]步驟208、采用干刻工藝去除光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102，形成第一鈍化層過孔1021和第二鈍化層過孔1022，具體如圖11所示。
[0097]圖11 (a)為去除光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102之后基板沿圖11
(c)A-A線的剖面圖，圖11 (b)為去除光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102之后基板沿圖11 (c) B-B線的剖面圖，圖11 (c)為區(qū)域201去除光刻膠完全去除部分1043對應(yīng)的鈍化層102之后的圖案。
[0098]步驟309、采用灰化工藝去除光刻膠半保留部分1041的光刻膠104，具體如圖12所示。
[0099]圖12 (a)為去除光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后基板沿圖12 (c)A_A線的剖面圖，圖12 (b)為去除光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后基板沿圖12 (c)B-B線的剖面圖，圖12 (c)為區(qū)域201去除光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后的圖案。
[0100]步驟310、在去除光刻膠半保留部分1041的光刻膠104之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜103,具體如圖13所示。[0101]這里,所述透明導(dǎo)電薄膜103可采用銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)、或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,簡稱IZO)等透明導(dǎo)電材料。所述透明導(dǎo)電薄膜103可以采用低溫沉積的方法在基板10上沉積，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜103的厚度范圍例如可以為300?1500人。圖13 (a)為沉積透明導(dǎo)電薄膜103之后基板沿圖13 (C)A-A線的剖面圖，圖13 (b)為沉積透明導(dǎo)電薄膜103基板沿圖13 (c)B-B線的剖面圖，圖13 (c)為區(qū)域201沉積透明導(dǎo)電薄膜103之后的圖案。
[0102]步驟311、采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104，使得所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104和所述光刻膠完全保留部分1042上覆蓋的透明導(dǎo)電薄膜103同時(shí)被剝離，形成第一透明電極1031和所述第二透明電極1032，具體如圖14所示。
[0103]通常的，所述剝離工藝為除去所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104，這樣一來，所述光刻膠完全保留部分1042上方沉積的透明導(dǎo)電薄膜同時(shí)被除去，只留下所需形成的第一透明電極1031和所述第二透明電極1032。圖14 (a)為去除所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104之后基板沿圖14 (c) A-A線的剖面圖，圖14 (b)為去除所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104之后基板沿圖14 (c) B-B線的剖面圖，圖14 (c)為區(qū)域201去除所述光刻膠完全保留部分1042的光刻膠104之后的圖案。
[0104]本發(fā)明實(shí)施例提供的裸眼3D功能面板的制造方法，在制造所述裸眼3D功能面板時(shí)，首先通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成信號線，然后通過一次構(gòu)圖工藝，采用半曝光技術(shù)在形成有所述信號線的基板上形成鈍化層以及鈍化層過孔，以及鈍化層上的光刻膠半保留部分和光刻膠完全保留部分，然后在形成有所述鈍化層的基板上形成透明電極，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提升了量產(chǎn)產(chǎn)品的產(chǎn)能，降低了成本。
[0105]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。
[0106]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種裸眼3D功能面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括: 通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成第一信號線和第二信號線； 通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上形成鈍化層，與所述第一信號線對應(yīng)的第一鈍化層過孔和與所述第二信號線對應(yīng)的第二鈍化層過孔； 在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明電極和第二透明電極，所述第一透明電極與所述第二透明電極間隔設(shè)置，所述第一透明電極通過所述第一鈍化層過孔與所述第一信號線連接，所述第二透明電極通過所述第二鈍化層過孔與所述第二信號線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上形成鈍化層，與所述第一信號線對應(yīng)的第一鈍化層過孔和與所述第二信號線對應(yīng)的第二鈍化層過孔包括: 在形成有所述第一信號線和所述第二信號線的基板上沉積所述鈍化層； 在所述鈍化層上沉積光刻膠； 通過第一掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，形成光刻膠半保留部分、光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分，所述光刻膠完全去除部分與所述第一鈍化層過孔和所述第二鈍化層過孔對應(yīng)，所述光刻膠半保留部分覆蓋需要形成所述第一透明電極和所述第二透明電極的位置，光刻膠完全保 留部分覆蓋除去光刻膠完全去除部分與光刻膠半保留部分之外的其他區(qū)域，所述光刻膠半保留部分的厚度小于所述光刻膠完全保留部分的厚度； 刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層，形成所述第一鈍化層過孔和第二鈍化層過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層包括: 通過干刻工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)的鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述光刻膠半保留部分的厚度為0.6 μ m~1.2 μ m,所述光刻膠完全保留部分的厚度為2 μ m~3 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述鈍化層的基板上形成第一透明電極和第二透明電極包括: 去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠； 在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜； 通過剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠，使得所述光刻膠完全保留部分的光刻膠和所述光刻膠完全保留部分上覆蓋的透明導(dǎo)電薄膜同時(shí)被剝離，形成第一透明電極和所述第二透明電極，所述第一透明電極與所述第一信號線通過所述第一鈍化層過孔相連，所述第二透明電極與所述第二信號線通過所述第二鈍化層過孔相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠包括: 通過灰化工藝，去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜包括: 通過低溫沉積的技術(shù)，在去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠之后的基板上沉積所述透明導(dǎo)電薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有信號線金屬層的基板上形成第一信號線和第二信號線包括: 在所述信號線金屬層上沉積光刻膠； 通過第二掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影之后，形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層的圖形為所述第一信號線和所述第二信號線所需的圖形； 刻蝕未被所述第一光刻膠層覆蓋的所述信號線金屬層； 去除所述第一光刻 膠層，形成所述第一信號線和所述第二信號線。
【文檔編號】H01L21/77GK103943565SQ201410126416
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】郭會斌, 王守坤, 劉曉偉, 馮玉春, 郭總杰 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司