一種cmos硅片裂片的處理裝置及其處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種cmos硅片裂片的處理裝置及其處理方法，所述處理裝置包括承壓部、擠壓部以及銅棒，所述承壓部通過連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設置有彈性墊片、第一PVC透明片以及第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設有第二宣紙層以及第二PVC透明片；方法如下：往第一宣紙層和第二宣紙層滴冷媒；將整片硅片的正面朝下放置于第一宣紙層上，然后蓋下擠壓部；將銅棒放于擠壓部的上方，并沿整片硅片的橫向、縱向切割道方向各推壓一次，形成硅片裂片；將整個處理裝置翻轉，則硅片裂片的正面均朝上，再挑選合格的硅片裂片。本發(fā)明能夠大大提高硅片裂片的拆分效率，同時不劃傷硅片表面，且不會產生崩邊及摩擦靜電現象。
【專利說明】—種cmos硅片裂片的處理裝置及其處理方法
【【技術領域】】
[0001]本發(fā)明涉及一種cmos硅片裂片的處理裝置及其處理方法。
【【背景技術】】
[0002]CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補金屬氧化物半導體)的縮寫。它是指制造大規(guī)模集成電路芯片用的一種技術或用這種技術制造出來的芯片。是電腦主板上的一塊可讀寫的RAM芯片。因為可讀寫的特性，所以在電腦主板上用來保存BIOS設置完電腦硬件參數后的數據，這個芯片僅僅是用來存放數據的，其采用有硅片結構。
[0003]現有硅片裂片的拆分一般是將制作好的帶有橫豎切割道的一整片硅片，人工按整片硅片上的切割道進行滑動然后拆解下硅片裂片，效率十分的低，人工成本高，并且操作時容易劃傷硅片、及芯片四周會出現崩邊。同時拆解下來的硅片裂片堆放無規(guī)律，挑片耗時長。
【
【發(fā)明內容】
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[0004]本發(fā)明要解決的技術問題之一，在于提供一種cmos硅片裂片的處理裝置，能夠大大提高硅片裂片的拆分效率，同時不劃傷硅片表面。
[0005]本發(fā)明是這樣實現上述技術問題之一的:
[0006]一種cmos硅片裂 片的處理裝置，所述處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設置有一彈性墊片、一第一 PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片。
[0007]進一步地，所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
[0008]本發(fā)明要解決的技術問題之二，在于提供一種cmos硅片裂片的處理方法，能夠大大提高硅片裂片的拆分效率，同時不劃傷硅片表面，且不會產生崩邊及摩擦靜電現象。
[0009]本發(fā)明是這樣實現上述技術問題之二的:
[0010]一種cmos硅片裂片的處理方法，所述處理方法使用的處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設置有一彈性墊片、一第一 pvc透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片；
[0011 ] 所述處理方法步驟如下:
[0012]步驟10、將處理裝置的承壓部和擠壓部打開，即承壓部在下，擠壓部在上，往第一宣紙層和第二宣紙層滴冷媒；
[0013]步驟20、將整片硅片的正面朝下放置于第一宣紙層上，然后蓋下擠壓部；
[0014]步驟30、將銅棒放于擠壓部的上方，并沿整片硅片的橫向切割道方向推壓一次，再沿縱向切割道方向推壓一次，同時用力均勻，最后形成硅片裂片；[0015]步驟40、將整個處理裝置翻轉，使得承壓部在上，擠壓部在下，則硅片裂片的正面均朝上打開承壓部，再挑選合格的硅片裂片。
[0016]進一步地，所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
[0017]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0018]本發(fā)明處理裝置的最底部為一彈性墊片，能夠使拆分時的推壓力度得到緩沖，大大減小硅片的損傷；在接觸硅片的上下兩層宣紙層用冷媒濕潤，既能夠保護硅片表面，又能夠使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑選，，且不會產生崩邊及摩擦靜電現象。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0019]下面參照附圖結合實施例對本發(fā)明作進一步的說明。
[0020]圖1為本發(fā)明的處理裝置的結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0021]請參閱圖1所示，對本發(fā)明的實施例進行詳細的說明。
[0022]本發(fā)明涉及一種cmos硅片裂片的處理裝置，所述處理裝置包括一承壓部1、一擠壓部2以及一銅棒(圖未示)，所述承壓部I通過一連接件3與擠壓部2相連，所述承壓部I從下到上依次設置有一彈性墊片11、一第一 PVC透明片12以及一第一宣紙層13，所述擠壓部2從下到上依次設有一第二宣紙層21以及一第二 PVC透明片22。
[0023]所述彈性墊片11、第一PVC透明片12、第一宣紙層13、第二宣紙層21以及第二 PVC透明片22均為圓形。
[0024]本發(fā)明還涉及一種cmos硅片裂片的處理方法，所述處理方法利用上述處理裝置進行處理硅片裂片；
[0025]所述處理方法步驟如下:
[0026]步驟10、將處理裝置的承壓部I和擠壓部2打開，即承壓部I在下，擠壓部2在上，往第一宣紙層13和第二宣紙層21滴冷媒；
[0027]步驟20、將整片硅片的正面朝下放置于第一宣紙層13上，然后蓋下擠壓部2 ；
[0028]步驟30、將銅棒放于擠壓部2的上方，并沿整片硅片的橫向切割道方向推壓一次，再沿縱向切割道方向推壓一次，同時用力均勻，最后形成硅片裂片；
[0029]步驟40、將整個處理裝置翻轉，使得承壓部I在上，擠壓部2在下，則硅片裂片的正面均朝上打開承壓部，再挑選 合格的硅片裂片。
[0030]本發(fā)明處理裝置的最底部為一彈性墊片11，能夠使拆分時的推壓力度得到緩沖，大大減小硅片的損傷；在接觸硅片的上下兩層宣紙層用冷媒濕潤，既能夠保護硅片表面，又能夠使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑選，且不會產生崩邊及摩擦靜電現象。
[0031]雖然以上描述了本發(fā)明的【具體實施方式】，但是熟悉本【技術領域】的技術人員應當理解，我們所描述的具體的實施例只是說明性的，而不是用于對本發(fā)明的范圍的限定，熟悉本領域的技術人員在依照本發(fā)明的精神所作的等效的修飾以及變化，都應當涵蓋在本發(fā)明的權利要求所保護的范圍內。
【權利要求】
1.一種cmos硅片裂片的處理裝置，其特征在于:所述處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設置有一彈性墊片、一第一 PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片。
2.根據權利要求1所述的一種cmos硅片裂片的處理裝置，其特征在于:所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
3.一種cmos硅片裂片的處理方法，其特征在于:所述處理方法使用的處理裝置包括一承壓部、一擠壓部以及一銅棒，所述承壓部通過一連接件與擠壓部相連，所述承壓部從下到上依次設置有一彈性墊片、一第一 PVC透明片以及一第一宣紙層，所述擠壓部從下到上依次設有一第二宣紙層以及一第二 PVC透明片； 所述處理方法步驟如下: 步驟10、將處理裝置的承壓部和擠壓部打開，即承壓部在下，擠壓部在上，往第一宣紙層和第二宣紙層滴冷媒； 步驟20、將整片硅片的正面朝下放置于第一宣紙層上，然后蓋下擠壓部； 步驟30、將銅棒放于擠壓部的上方，并沿整片硅片的橫向切割道方向推壓一次，再沿縱向切割道方向推壓一次，同時用力均勻，最后形成硅片裂片； 步驟40、將整個處理裝置翻轉，使得承壓部在上，擠壓部在下，則硅片裂片的正面均朝上打開承壓部，再挑選合格的硅片裂片。
4.根據權利要求3所述的一種cmos硅片裂片的處理方法，其特征在于:所述彈性墊片、第一 PVC透明片、第一宣紙層、第二宣紙層以及第二 PVC透明片均為圓形。
【文檔編號】H01L21/8238GK103811422SQ201410064069
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權日:2014年2月25日
【發(fā)明者】黃福仁, 黃賽琴, 林勇 申請人:福建安特微電子有限公司