加熱器可提升型基板處理裝置制造方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，一種基板處理裝置包括：腔室，該腔室提供內(nèi)部空間，在該內(nèi)部空間中執(zhí)行對(duì)于基板的處理；加熱板，該加熱板被固定到腔室中，基板放置在加熱板的上部；加熱器，該加熱器設(shè)置為與加熱板的下部隔開(kāi)，以加熱加熱板；以及提升模塊，該提升模塊對(duì)加熱器進(jìn)行提升。
【專利說(shuō)明】加熱器可提升型基板處理裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的本發(fā)明涉及基板處理裝置，并且具體地，涉及提升(lift)加熱器來(lái)控制基板溫度的基板處理裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]通常選擇性外延處理(selective epitaxy process)涉及沉積反應(yīng)與蝕刻反應(yīng)。沉積與蝕刻反應(yīng)可以以稍微不同的反應(yīng)速率，對(duì)于多晶層與外延層同時(shí)發(fā)生。雖然在沉積處理期間將現(xiàn)有的多晶層及/或非結(jié)晶層沉積在至少一個(gè)第二層上，但是該外延層形成在單晶的表面上。然而，已沉積多晶層的蝕刻快于該外延層。因此，腐蝕氣體的濃度可以改變，以執(zhí)行凈選擇性處理(net selective process),藉此實(shí)現(xiàn)外延材料的沉積以及有限或無(wú)限多晶材料的沉積。例如，可以執(zhí)行選擇性外延處理，以在單晶硅表面上形成由含硅材料形成的外延層，而沒(méi)有在隔板上遺留沉積物。
[0003]一般而言，該選擇性外延處理具有若干限制。為了在選擇性外延處理期間保持選擇性，應(yīng)該在沉積處理上調(diào)整并控制前驅(qū)物的化學(xué)濃度與反應(yīng)溫度。如果供應(yīng)的硅前驅(qū)物不足，則啟動(dòng)蝕刻反應(yīng)來(lái)降低整個(gè)處理速率。另外，基板的特性可以隨蝕刻而退化。如果供應(yīng)的腐蝕溶液前驅(qū)物不足，則會(huì)減少在沉積反應(yīng)中在該基板表面上形成單晶與多晶材料的選擇性。另外，典型選擇性外延處理在大約800°C、大約1，000°C或以上的高反應(yīng)溫度下執(zhí)行。在此，因?yàn)椴皇芸刂频牡磻?yīng)以及基板表面上的熱積存(thermal budge)，所以高溫并不適合于該制造處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]技術(shù)問(wèn)題
[0005]本發(fā)明提供一種基板處理裝置，其中提升加熱器來(lái)控制基板的溫度。
[0006]參照下列詳細(xì)說(shuō)明以及附圖，本發(fā)明的另外目的將變得清楚。
[0007]技術(shù)方案
[0008]本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括:腔室，該腔室提供內(nèi)部空間，在該內(nèi)部空間中執(zhí)行對(duì)于基板的處理；加熱板，在該加熱板上放置基板，加熱板被固定地設(shè)置在腔室內(nèi)；加熱器，該加熱器與加熱板的下部隔開(kāi)，以加熱加熱板；以及提升模塊，該提升模塊提升加熱器。
[0009]在一些實(shí)施方式中，該基板處理裝置可進(jìn)一步包括排放板，該排放板設(shè)置在加熱板周圍，其中排放板可設(shè)置在腔室中限定的基板進(jìn)入通道下方。
[0010]在其它實(shí)施方式中，該基板處理裝置可進(jìn)一步包括多個(gè)支撐桿，其設(shè)置在排放板下方的以支撐排放板。
[0011]仍舊在其它實(shí)施方式中，排放板可被固定地設(shè)置在腔室的內(nèi)壁上以支撐加熱板。
[0012]甚至在其它實(shí)施方式中，該基板處理裝置可進(jìn)一步包括與排放板下部隔開(kāi)的輔助排放板，該輔助排放板被固定地設(shè)置在腔室的內(nèi)壁上。
[0013]還在其它實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:支撐軸，該支撐軸連接至加熱器的下部，以支撐加熱器；下固定環(huán)，該下固定環(huán)固定地設(shè)置在支撐軸的下部上；以及驅(qū)動(dòng)部分，該驅(qū)動(dòng)部分提升下固定環(huán)。
[0014]在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:上固定環(huán)，其固定在該腔室的下方壁上；以及波紋管，其將該上固定環(huán)連接至該下固定環(huán)，將該腔室的內(nèi)部空間維持在真空狀態(tài)。
[0015]仍舊在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:支撐軸，該支撐軸連接至加熱器的下部，以支撐加熱器；驅(qū)動(dòng)部分，該驅(qū)動(dòng)部分提升支撐軸；以及控制部分，該控制部分根據(jù)輸入到加熱器的加熱溫度來(lái)控制驅(qū)動(dòng)部分，以調(diào)整加熱板與加熱器之間相隔的距離。
[0016]還在進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置可進(jìn)一步包括多個(gè)提升銷，其固定地設(shè)置在加熱板的頂表面上以支撐其上的基板。
[0017]在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載基板；腔室蓋，該腔室蓋覆蓋腔室本體的開(kāi)放的上部；以及排氣口，該排氣口設(shè)置在腔室本體的側(cè)壁上。
[0018]仍舊在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載基板；腔室蓋，該腔室蓋覆蓋腔室本體的開(kāi)放的上部；下口，該下口連接至腔室本體的開(kāi)放的下部；以及排氣口，該排氣口設(shè)置在下口上。
[0019]甚至在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載基板；腔室蓋，該腔室蓋覆蓋腔室本體的開(kāi)放的上部；氣體供應(yīng)孔，該氣體供應(yīng)孔限定在腔室蓋的上部，用于供應(yīng)第一氣體；天線，該天線設(shè)置為包圍腔室蓋的周邊，以在腔室蓋內(nèi)形成磁場(chǎng)，藉此從第一氣體產(chǎn)生等離子體；以及注入環(huán)，該注入環(huán)被固定地設(shè)置在腔室本體與腔室蓋之間，用于供應(yīng)第二氣體。
[0020]還在更進(jìn)一步的實(shí)施方式中，該基板處理裝置進(jìn)一步包括:第一噴頭，該第一噴頭設(shè)置在注入環(huán)上方，第一噴頭具有多個(gè)第一注入孔；以及第二噴頭，該第二噴頭設(shè)置在注入環(huán)下方，該第二噴頭具有多個(gè)第二注入孔。
[0021]發(fā)明效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可以通過(guò)提升加熱器來(lái)調(diào)整基板的溫度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖；
[0024]圖2是例示其中圖1的加熱器下降的狀態(tài)的示意圖；以及
[0025]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]此后，將參照?qǐng)D1至圖3來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以不同形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被構(gòu)造為受限于此處闡述的實(shí)施方式。而是提供這些實(shí)施方式，使得本公開(kāi)將全面且完整，并且將本發(fā)明的范圍完整地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了說(shuō)明的清晰起見(jiàn)，所以夸大了組件的形狀。雖然以下描述氧化層移除處理(清潔處理)作為示例，但是本發(fā)明可以適用于包括沉積處理的各種半導(dǎo)體制作處理。另外，雖然將電感稱合等離子體ICP(inductively coupled plasma)處理例示為在實(shí)施方式中描述的等離子體產(chǎn)生處理，但是該等離子體產(chǎn)生處理可以適用于各種等離子體處理。另外，除了在實(shí)施方式中描述的基板W以外，該等離子體產(chǎn)生處理還可以在要處理的各種物體上執(zhí)行。
[0027]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖。參照?qǐng)D1，基板處理裝置100包括腔室本體I以及腔室蓋2。另外，在基板處理裝置100內(nèi)執(zhí)行針對(duì)基板W的處理。腔室本體I具有開(kāi)放的上部以及在其一個(gè)側(cè)面中限定的通道8?；錡通過(guò)在腔室本體I的一個(gè)側(cè)面中定義的通道8裝載到腔室中或從腔室卸載。閘閥5設(shè)置在通道8外部。通道8可以由閘閥5開(kāi)啟或關(guān)閉。另外，腔室本體I可以具有如下結(jié)構(gòu)，其通過(guò)在底部表面中限定的通孔31朝向其下側(cè)打開(kāi)。
[0028]基板W通過(guò)通道8移動(dòng)到基板處理裝置100中，并且然后座置在支撐基板W的提升銷15上。提升銷15可以與加熱板10的上端一體形成。另外，可以設(shè)置多個(gè)提升銷15以穩(wěn)定地支撐基板W。另外，提升銷15可以在預(yù)定高度上維持基板W與加熱板10之間的距離。因此，基板W與加熱板10之間的距離可以根據(jù)提升銷15的高度而改變。
[0029]加熱板10連接至提升銷15的下端，并且提升銷15穩(wěn)定地支撐在提升銷15上的基板W。另外，加熱板10將從與加熱板10的下部隔開(kāi)的加熱器20提供的熱量傳遞至基板W。加熱板10的面積可以大于加熱器20的面積，以便將從加熱器20提供的熱量均勻地傳遞至基板W。另外，加熱板10可以具有對(duì)應(yīng)于基板W的形狀的圓盤(pán)形。另外，加熱板10可以由具有優(yōu)異導(dǎo)熱性且在高溫下變形較少的材料形成。加熱板10可以是石英或涂覆有石英的材料。
[0030]加熱器20被設(shè)置為與加熱板10的下部隔開(kāi)，以便通過(guò)加熱板10將熱量施加至基板W。加熱器20接收來(lái)自外部電源(未示出)的電流，以產(chǎn)生熱量。提升模塊布置在加熱器20的下部。該提升模塊提升加熱器20。因此，可以根據(jù)加熱器20的提升程度來(lái)調(diào)整基板W的加熱溫度。
[0031]當(dāng)基板W被加熱至高于第一加熱溫度的第二加熱溫度時(shí)，加熱器20的輸出可以增加以提高加熱溫度。然而，當(dāng)基板W被以低于第一加熱溫度的第二加熱溫度加熱時(shí)，由于熱量殘留在加熱器20內(nèi)，即使加熱器20的輸出降低，其仍可能難以容易地降低加熱器20的加熱溫度。因此，使得冷卻加熱器20的時(shí)間延遲。結(jié)果是，可能延遲處理時(shí)間。
[0032]另外，上述方法對(duì)應(yīng)于其中在一個(gè)腔室內(nèi)滿足第一加熱溫度和第二加熱溫度的情況。然而，當(dāng)通過(guò)單獨(dú)的腔室執(zhí)行第一加熱和第二加熱時(shí)，基板W可能會(huì)由于其移動(dòng)而受污染，并且還可能需要移動(dòng)時(shí)間。
[0033]因此，可以由驅(qū)動(dòng)部分40來(lái)提升加熱器20，以調(diào)整加熱板10 (或基板W)與加熱器20之間的距離，借此容易并且快速地調(diào)整基板W的加熱溫度。這可以通過(guò)其中從加熱器20至加熱板10 (或基板W)的熱傳遞量與其間的相隔距離成反比的原理來(lái)說(shuō)明。雖然在本實(shí)施方式內(nèi)提升加熱器20，但本發(fā)明并不受限于此。例如，可以提升加熱板10或提升銷15來(lái)調(diào)整相隔距離。結(jié)果，可以容易地調(diào)整基板W的加熱溫度。
[0034]提升模塊設(shè)置在加熱器20下方。提升模塊包括:用于提升加熱器20的支撐軸30、下固定環(huán)37以及驅(qū)動(dòng)部分40。支撐軸30被設(shè)置在加熱器20的下端上，以便穩(wěn)定地支撐加熱器20。支撐軸30可以具有圓柱形。另外，支撐軸30可以與加熱器20 —起垂直移動(dòng)。下固定環(huán)37位于支撐軸30的下端上。下固定環(huán)37可具有環(huán)形，圍繞支撐軸30的下端。下固定環(huán)37由驅(qū)動(dòng)部分40提升。隨著下固定環(huán)37被提升，支撐軸30和加熱器20與下固定環(huán)37—起被提升。驅(qū)動(dòng)部分40可以是傳送動(dòng)力的馬達(dá)。下固定環(huán)37可以由馬達(dá)轉(zhuǎn)動(dòng)來(lái)提升。為了用驅(qū)動(dòng)部分40提升下固定環(huán)37，除了可以利用馬達(dá)以外，還可以利用各種方法來(lái)提升軌道或升降機(jī)軸以及下固定環(huán)37。另外，驅(qū)動(dòng)部分40連接至控制部分150?？刂撇糠?50根據(jù)輸入到加熱器20中的加熱溫度來(lái)控制驅(qū)動(dòng)部分40，以提升加熱器20。
[0035]將參照?qǐng)D1和圖2來(lái)描述通過(guò)提升加熱器20來(lái)調(diào)整基板W的加熱溫度的處理。圖2是例示其中圖1的加熱器下降的狀態(tài)的示意圖。
[0036]如圖1所示，加熱器20被設(shè)置為與加熱板10的下部相隔。在此，將加熱器20與加熱板10之間相隔的距離定義為參考符號(hào)Cl1，并且將加熱器20的溫度定義為參考符號(hào)T。另外，將進(jìn)入加熱板10的傳熱量定義為參考符號(hào)％?？梢栽谄渲谢錡被在預(yù)定溫度下加熱的狀態(tài)下執(zhí)行第一處理。
[0037]此后，當(dāng)在低于第一處理的加熱溫度下執(zhí)行第二處理時(shí)，如圖2所示，利用驅(qū)動(dòng)部分40降下加熱器20。因此，當(dāng)加熱器20與加熱板10彼此相隔距離(I2Gd1)時(shí)，加熱器20在其中加熱器20的預(yù)設(shè)加熱溫度維持在與T相同溫度的狀態(tài)下下降。結(jié)果，傳遞至加熱板10的熱能可以變成Q2 (〈Qi)。在此，可以在低于第一處理的加熱溫度下在基板W上執(zhí)行第二處理。在此情況下，加熱器20可以下降以便容易并快速降低加熱溫度。
[0038]另一方面，當(dāng)在高于第一處理的加熱溫度下執(zhí)行第二處理時(shí)，利用驅(qū)動(dòng)部分40升高加熱器20。因此，當(dāng)加熱器20與加熱板10彼此相隔距離(I2Od1)時(shí)，加熱器20在其中加熱器20的預(yù)設(shè)加熱溫度維持在與T相同溫度的狀態(tài)下升高。結(jié)果，傳遞至加熱板10的熱能可以變成Q2OQ1)。在此，在高于第一處理的加熱溫度下在基板W上執(zhí)行第二處理。另一方面，如上所述，加熱器20可增加輸出，以提高加熱器20的溫度T。當(dāng)?shù)诙訜釡囟让黠@高于第一加熱溫度時(shí)，加熱器20的輸出將有效提高。當(dāng)?shù)诙訜釡囟壬晕⒏哂诘谝患訜釡囟葧r(shí)，其中提升加熱器20以調(diào)整加熱溫度的方法對(duì)于該加熱溫度所需時(shí)間或一致性方面來(lái)說(shuō)最有利。
[0039]如圖1中所示，排放板13設(shè)置在加熱板10下端的側(cè)表面上。排放板13可由石英形成。排放板13沿著加熱板10的周邊設(shè)置。另外，排放板13被固定地設(shè)置在腔室本體I的內(nèi)壁上。另外，排放板13可設(shè)置在通道8下方并且具有圓環(huán)形狀。在清潔處理完成之后，未反應(yīng)氣體或稍后將描述的反應(yīng)產(chǎn)物沿著在排放板13的內(nèi)周表面內(nèi)限定的排放孔14,在排放口 55的方向上移動(dòng)。另外，可進(jìn)一步提供輔助排放板17。輔助排放板17與排放板13的下部隔開(kāi)，并且具有圓環(huán)形狀。另外，支撐桿18放置在排放板13下方以支撐排放板13以及輔助排放板17。支撐桿18可具有多個(gè)，并且由石英材料制成。此外，隨著加熱器20提升接近腔室本體I的底部表面，在加熱器提升部分周圍可設(shè)置用于保護(hù)腔室本體I的絕緣板(未示出)。
[0040]在基板處理裝置100內(nèi)可進(jìn)一步提供波紋管120來(lái)處理基板W，該波紋管120允許內(nèi)部大氣壓力保持在真空狀態(tài)，并且阻止基板處理裝置100的外部大氣壓力。波紋管120可連接至下固定環(huán)37的上部的一側(cè)，并且上固定環(huán)34的下部的一側(cè)設(shè)置在腔室本體I底部表面內(nèi)限定的通孔31下方。波紋管120可具有圓形形狀。另外，波紋管可為可伸縮構(gòu)件。波紋管設(shè)置在上固定環(huán)34與下固定環(huán)37之間，以圍繞支撐軸30。
[0041]如圖1中所示，腔室蓋2設(shè)置在基板處理裝置100的上部上，腔室蓋2覆蓋具有開(kāi)放的上部的腔室本體1，以提供其中執(zhí)行有關(guān)W的處理的內(nèi)部空間。可沿著腔室蓋2的外表面進(jìn)一步提供外殼4。在腔室蓋2內(nèi)部可設(shè)置用來(lái)將源氣體(H2或N2)轉(zhuǎn)換成自由基態(tài)(radical state)的等離子體產(chǎn)生裝置。ICP天線70可用作等離子體產(chǎn)生裝置。
[0042]ICP天線70可通過(guò)輸入線(未示出)連接至RF產(chǎn)生器(未示出)。另外，在ICP天線70與該RF產(chǎn)生器之間可設(shè)置RF匹配器(未示出)。當(dāng)通過(guò)RF產(chǎn)生器供應(yīng)RF電流時(shí)，將所供應(yīng)的RF電流供應(yīng)至ICP天線70。ICP天線70將RF電流轉(zhuǎn)換成磁場(chǎng)，以從供應(yīng)至基板處理裝置100內(nèi)部空間中的源氣體產(chǎn)生等離子體。
[0043]源氣體通過(guò)在腔室蓋2上部?jī)?nèi)限定的氣體供應(yīng)孔83，引入到基板處理裝置100的內(nèi)部空間中。從第一氣體儲(chǔ)存槽60供應(yīng)的源氣體(H2或N2)首先通過(guò)阻擋板80引入。阻擋板80被固定至腔室蓋2的頂表面。源氣體填入在腔室蓋2與阻擋板80之間限定的空間內(nèi)，然后通過(guò)在阻擋板80底表面內(nèi)限定的氣體注入孔81擴(kuò)散。
[0044]例如，有關(guān)基板W的清潔處理可以是干蝕刻處理，該干蝕刻處理使用分別具有自由基態(tài)的氫(H*)和NF3氣體并且執(zhí)行等離子體處理。該蝕刻處理可在基板W的表面形成的二氧化硅上執(zhí)行。如上所述，初步擴(kuò)散的氫氣(H2)通過(guò)ICP天線70轉(zhuǎn)換成具有自由基態(tài)的氫(H*)，以穿過(guò)第一噴頭83。第一噴頭83通過(guò)其多個(gè)注入孔84而重新擴(kuò)散具有自由基態(tài)的氫(H*)。因此,氫(H*)可均勻往下擴(kuò)散。
[0045]注入環(huán)66設(shè)置在腔室蓋2與腔室本體I之間。注入環(huán)66可由鋁材料形成。注入環(huán)66被固定地設(shè)置在腔室蓋2的下端上。另外，注入環(huán)66具有注入孔68。第二氣體被通過(guò)注入孔68從第二氣體儲(chǔ)存槽65接收，并且導(dǎo)入到基板處理裝置100中。導(dǎo)入的氣體可以是三氟化氮(NF3)。通過(guò)注入孔68導(dǎo)入的三氟化氮(NF3)遇到在第一噴頭83與第二噴頭87之間的具有自由基態(tài)的氫(H*)。因此，如以下反應(yīng)方程式(I)所示，導(dǎo)入三氟化氮(NF3)以產(chǎn)生中間產(chǎn)物，例如NHxFy (其中X和y為特定整數(shù))。
[0046]H* + NFi NIiwFr...(I)
[0047]該中間產(chǎn)物穿過(guò)設(shè)置在注入環(huán)66下方的第二噴頭87，并且移動(dòng)到基板W上。第二噴頭87具有多個(gè)注入孔88，類似與第一噴頭83。第二噴頭87重新擴(kuò)散具有自由基態(tài)并且穿過(guò)第一噴頭83的氫(H*)以及通過(guò)注入環(huán)66導(dǎo)入的三氟化氮(NF3)，以便將該中間產(chǎn)物移動(dòng)到基板W上。
[0048]因?yàn)樵撝虚g產(chǎn)物對(duì)于二氧化硅(S12)具有高反應(yīng)性，所述當(dāng)該中間產(chǎn)物到達(dá)硅基板的表面時(shí)，該中間產(chǎn)物選擇地與二氧化硅反應(yīng)，以產(chǎn)生如以下列反應(yīng)方程式(2)所表示的反應(yīng)產(chǎn)物((NH4)2SiF6)。
[0049]Nllfy + S12 => (Nfi4)2SiFb + Il10...(2)
[0050]此后，硅基板W加熱至大約100°C或以上的溫度時(shí)，該反應(yīng)產(chǎn)物會(huì)如下列反應(yīng)方程式(3)所表示地?zé)峤舛纬蔁峤鈿怏w，然后該熱解氣體蒸發(fā)。結(jié)果，可從基板表面去除二氧化硅。如以下反應(yīng)方程式(3)所示，該熱解氣體包括含氟的氣體，例如HF氣體或SiF4氣體。[0051 ] (Nii4)1SiFit => NH3 + HF + SiF4…(3)
[0052]如上所述，清潔處理可包括用于產(chǎn)生該反應(yīng)產(chǎn)物的反應(yīng)處理、以及用于熱解該反應(yīng)產(chǎn)物的加熱處理。該反應(yīng)處理與該加熱處理可在腔室內(nèi)執(zhí)行。
[0053]另外，基板處理裝置100提供其中執(zhí)行這些處理的內(nèi)部空間。雖然已經(jīng)執(zhí)行這些處理，但是該內(nèi)部空間維持在壓力低于大氣壓力的真空大氣壓力下。另外，在執(zhí)行上述清潔處理之后，排氣口 90設(shè)置在腔室本體I的側(cè)表面上，用于排放反應(yīng)副產(chǎn)物以及未反應(yīng)氣體。反應(yīng)產(chǎn)物則由連接至排氣口 90的排氣泵50排出。
[0054]如上所述，排放板與輔助排放板布置在加熱板周圍。另外，支撐桿18支撐排放板與輔助排放板。排放板與輔助排放板中的每一個(gè)都具有通孔。反應(yīng)副產(chǎn)物和未反應(yīng)氣體可通過(guò)通孔移動(dòng)到排氣口中。如上所述，反應(yīng)產(chǎn)物與未反應(yīng)氣體可包括反應(yīng)區(qū)內(nèi)的自由基態(tài)的與反應(yīng)的氣體、未反應(yīng)的自由基態(tài)的產(chǎn)生氣體、在等離子體化期間產(chǎn)生的副產(chǎn)物、以及載體氣體。反應(yīng)副產(chǎn)物與未反應(yīng)氣體可通過(guò)排氣泵50來(lái)抽吸，然后通過(guò)排氣線(未示出)排出。
[0055]雖然參考示例性實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)具體實(shí)施。因此，所闡述的權(quán)利要求的技術(shù)構(gòu)思與范圍不受限于這些優(yōu)選實(shí)施方式。
[0056]最佳模式
[0057]此后，將參照?qǐng)D3來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以不同形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被構(gòu)造為受限于此處闡述的實(shí)施方式。而是提供這些實(shí)施方式，使得本公開(kāi)將全面且完整，并且將本發(fā)明的范圍完整地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了說(shuō)明的清晰起見(jiàn)，所以夸大了組件的形狀。
[0058]雖然以下描述氧化層移除處理(清潔處理)作為示例，但是本發(fā)明可以適用于包括沉積處理的各種半導(dǎo)體制作處理。另外，雖然將電感耦合等離子體ICP處理例示為在實(shí)施方式中描述的等離子體產(chǎn)生處理，但是該等離子體產(chǎn)生處理可以適用于各種等離子體處理。另外，除了在實(shí)施方式中描述的基板W以外，該等離子體產(chǎn)生處理還可以在要處理的各種物體上執(zhí)行。
[0059]圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板處理裝置的示意圖。如圖1所示，排氣口 90可設(shè)置在腔室本體I的一個(gè)側(cè)表面上。參照?qǐng)D3，排氣口 90可設(shè)置在腔室本體I的中央部分處。下口 110可連接至腔室本體I的開(kāi)放的下部。排氣口 90可設(shè)置在下口 110的一個(gè)側(cè)表面上。如上所述，未反應(yīng)氣體與反應(yīng)產(chǎn)物可通過(guò)與排氣口 90連接的排氣泵50而被強(qiáng)迫排出。
[0060]雖然參考示例性實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)具體實(shí)施。因此，所闡述的權(quán)利要求的技術(shù)構(gòu)思與范圍不受限于這些優(yōu)選實(shí)施方式。
[0061]工業(yè)適用性
[0062]本發(fā)明可以應(yīng)用于各種類型的半導(dǎo)體制造設(shè)備以及制造方法。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括: 腔室，該腔室提供內(nèi)部空間，在該內(nèi)部空間中執(zhí)行對(duì)于基板的處理； 加熱板，所述基板放置在該加熱板上，所述加熱板被固定地設(shè)置在所述腔室內(nèi)； 加熱器，該加熱器與所述加熱板的下部隔開(kāi)，以加熱所述加熱板；以及 提升模塊，該提升模塊對(duì)所述加熱器進(jìn)行提升。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述加熱板周圍的排放板， 其中，所述排放板設(shè)置在所述腔室中限定的基板進(jìn)入通道下方。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括多個(gè)支撐桿，所述多個(gè)支撐桿設(shè)置在所述排放板下方的以支撐所述排放板。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，所述排放板被固定地設(shè)置在所述腔室的內(nèi)壁上以支撐所述加熱板。
5.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括與所述排放板的下部隔開(kāi)的輔助排放板，該輔助排放板被固定地設(shè)置在所述腔室的所述內(nèi)壁上。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 支撐軸，該支撐軸連接至所述加熱器的下部，以支撐所述加熱器； 下固定環(huán)，該下固定環(huán)固定地設(shè)置在所述支撐軸的下部上；以及 驅(qū)動(dòng)部分，該驅(qū)動(dòng)部分提升所述下固定環(huán)。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 上固定環(huán)，該上固定環(huán)固定地設(shè)置在所述腔室的下壁上；以及 波紋管，該波紋管將所述上固定環(huán)連接至所述下固定環(huán)，以使所述腔室的內(nèi)部空間保持在真空狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 支撐軸，該支撐軸連接至所述加熱器的下部，以支撐所述加熱器； 驅(qū)動(dòng)部分，該驅(qū)動(dòng)部分提升所述支撐軸；以及 控制部分，該控制部分根據(jù)輸入到所述加熱器的加熱溫度來(lái)控制所述驅(qū)動(dòng)部分，以調(diào)整所述加熱板與所述加熱器之間相隔的距離。
9.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括多個(gè)提升銷，所述多個(gè)提升銷被固定地設(shè)置在所述加熱板的頂表面上以支撐其上的所述基板。
10.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，所述腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載所述基板； 腔室蓋，該腔室蓋覆蓋所述腔室本體的所述開(kāi)放的上部；以及 排氣口，該排氣口設(shè)置在所述腔室本體的側(cè)壁上。
11.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，所述腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載所述基板； 腔室蓋，該腔室蓋覆蓋所述腔室本體的所述開(kāi)放的上部； 下口，該下口連接至所述腔室本體的開(kāi)放的下部；以及 排氣口，該排氣口設(shè)置在所述下口上。
12.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 腔室本體，該腔室本體具有開(kāi)放的上部，所述腔室本體在其側(cè)面具有通道，通過(guò)該通道裝載或卸載所述基板； 腔室蓋，該腔室蓋覆蓋所述腔室本體的所述開(kāi)放的上部； 氣體供應(yīng)孔，該氣體供應(yīng)孔限定在所述腔室蓋的上部以供應(yīng)第一氣體； 天線，該天線設(shè)置為圍繞所述腔室蓋的周邊，以在所述腔室蓋內(nèi)形成磁場(chǎng)，從而從所述第一氣體產(chǎn)生等離子體；以及 注入環(huán)，該注入環(huán)被固定地設(shè)置在所述腔室本體與所述腔室蓋之間以供應(yīng)第二氣體。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，所述基板處理裝置進(jìn)一步包括: 第一噴頭，該第一噴頭設(shè)置在所述注入環(huán)上方，所述第一噴頭具有多個(gè)第一注入孔；以及 第二噴頭，該第二噴頭設(shè)置在所述注入環(huán)下方，所述第二噴頭具有多個(gè)第二注入孔。
【文檔編號(hào)】H01L21/20GK104246978SQ201380019312
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月10日
【發(fā)明者】梁日光, 宋炳奎, 金勁勛, 金龍基, 申良湜 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Eugene科技