有機場致發(fā)光元件用組合物和有機場致發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種有機場致發(fā)光元件用組合物，其是異物含量少的組合物。本發(fā)明涉及一種有機場致發(fā)光元件用組合物，是用于形成選自有機場致發(fā)光元件的發(fā)光層、空穴注入層和空穴輸送層中的至少1層的有機場致發(fā)光元件用組合物，含有重均分子量3000～1000000的芳香族胺系聚合物和有機溶劑，上述組合物中的Zn濃度小于0.5ppm。
【專利說明】有機場致發(fā)光元件用組合物和有機場致發(fā)光元件

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于形成有機場致發(fā)光元件的空穴注入層和/或空穴輸送層而使用 的有機場致發(fā)光元件用組合物。
[0002] 另外，本發(fā)明涉及使用上述有機場致發(fā)光元件用組合物并利用濕式成膜法形成的 具有空穴注入層和/或空穴輸送層的有機場致發(fā)光元件。

【背景技術】
[0003] 近年來，進行著利用有機薄膜的場致發(fā)光元件（以下，稱為"有機場致發(fā)光元件"） 的開發(fā)。作為有機場致發(fā)光元件中的有機薄膜的形成方法，可舉出真空蒸鍍法和濕式成膜 法。
[0004] 其中，真空蒸鍍法由于可層疊化，所以具有容易改善來自陽極和/或陰極的電荷 注入、容易將激子關入發(fā)光層這樣的優(yōu)點。
[0005] 另一方面，濕式成膜法具有不需要真空工序、容易大面積化、容易將具有各種功能 的多個材料混合放入1個層（涂布液）等優(yōu)點。
[0006] 作為用濕式成膜法形成有機層的例子，專利文獻1中，公開了采用電荷輸送用組 合物所使用的各種溶劑或苯甲酸乙酯作為溶劑的空穴注入層用組合物。
[0007] 但是，濕式成膜法中，發(fā)生異物的混入等時，有時發(fā)生涂布缺陷，特別是使用有機 薄膜的有機場致發(fā)光元件中要求形成非常薄的膜，所以要求抑制異物的混入、組合物中的 異物的生成。
[0008] 特別是使用有機溶劑作為涂布溶劑時，由于通過離子鍵而形成的鹽不溶于有機溶 齊U，所以因在水系溶劑中不析出的微量雜質導致鹽析出成為異物，成為成膜時的麻煩、有機 場致發(fā)光元件不良的原因。
[0009] 作為用濕式成膜法形成空穴注入層的例子，專利文獻2?4記載了關于使用水作 為涂布溶劑的PED0T (聚乙撐二氧噻吩）一 PSS (聚苯乙烯磺酸）樹脂系空穴注入材料的技 術。
[0010] 現(xiàn)有技術文獻
[0011] 專利文獻
[0012] 專利文獻1:日本特開2010 - 98306號公報
[0013] 專利文獻2:日本特開2005 - 276749號公報
[0014] 專利文獻3:日本特開2006 - 5144號公報
[0015] 專利文獻4:日本特表2008 - 515194號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0016] 然而，上述技術是涉及水系這種溶劑體系的不同技術。另外，由于是水系，所以金 屬成分的混入量多，金屬的混入量以溶液中濃度計達到數(shù)十ppm以上，污染程度非常高。 [0017] 因此，在本發(fā)明中，鑒于上述實際情況，其課題在于提供一種用于形成有機場致發(fā) 光元件的空穴注入層和/或空穴輸送層的、含有空穴注入?輸送性材料和有機溶劑的有機 場致發(fā)光元件用組合物，該組合物的異物含量少、成膜時的麻煩少。
[0018] 本發(fā)明人等經(jīng)過深入研究，結果發(fā)現(xiàn)通過使組合物中的Zn的含量（Zn濃度）小于 0. 5ppm，能夠抑制由Zn引起的異物的生成，能解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。
[0019] 即，本發(fā)明的主旨在于以下的〈1>?〈22>。
[0020] 〈1> 一種有機場致發(fā)光元件用組合物，是用于形成選自有機場致發(fā)光元件的發(fā)光 層、空穴注入層和空穴輸送層中的至少1層的有機場致發(fā)光元件用組合物，含有重均分子 量3000?1000000的芳香族胺系聚合物和有機溶劑，上述組合物中的Zn濃度小于0. 5ppm。
[0021] 〈2>根據(jù)上述〈1>所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述有機場致發(fā)光元件用 組合物是用于形成有機場致發(fā)光元件的空穴注入層和空穴輸送層中的至少1層的組合物。
[0022] 〈3>根據(jù)上述〈1>或〈2>所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述Zn濃度小于 0· lppm〇
[0023] 〈4>根據(jù)上述〈1>?〈3>中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述組合物 lml中所含的長徑0. 1 μ m以上的含Zn異物的數(shù)目為50000個以下。
[0024] 〈5>根據(jù)上述〈1>?〈4>中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述組合物 中的S濃度小于20ppm。
[0025] 〈6>根據(jù)上述〈1>?〈4>中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述組合物 中的S濃度小于5ppm。
[0026] 〈7>根據(jù)上述〈5>或〈6>所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，存在于上述組合物中 的S來自有機化合物。
[0027] 〈8>根據(jù)上述〈1>?〈7>中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，上述芳香族 胺系聚合物具有由下述式（2)表示的重復單元。
[0028]

【權利要求】
1. 一種有機場致發(fā)光元件用組合物，是用于形成選自有機場致發(fā)光元件的發(fā)光層、空 穴注入層和空穴輸送層中的至少1層的有機場致發(fā)光元件用組合物， 含有重均分子量3000?1000000的芳香族胺系聚合物和有機溶劑， 所述組合物中的Zn濃度小于0. 5ppm。
2. 根據(jù)權利要求1所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述有機場致發(fā)光元件 用組合物是用于形成有機場致發(fā)光元件的空穴注入層和空穴輸送層中的至少1層的組合 物。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述Zn濃度小于 0· lppm〇
4. 根據(jù)權利要求1?3中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述組合物 lml中所含的長徑0. 1 μ m以上的含Zn異物的數(shù)目為50000個以下。
5. 根據(jù)權利要求1?4中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述組合物 中的S濃度小于20ppm。
6. 根據(jù)權利要求1?4中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述組合物 中的S濃度小于5ppm。
7. 根據(jù)權利要求5或6所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，存在于所述組合物中 的S來自有機化合物。
8. 根據(jù)權利要求1?7中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述芳香族 胺系聚合物具有由下述式（2)表示的重復單元，
(2) 式中，m表示0?3的整數(shù)， Ar31和Ar32各自獨立地表示直接鍵合、可以具有取代基的2價的芳香族烴環(huán)基或可以 具有取代基的2價的芳香族雜環(huán)基， Ar33?Ar35各自獨立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或可以具有取代基的芳香 族雜環(huán)基， 其中，Ar33和Ar35表示1價的基團，Ar34表示2價的基團，但Ar 31和Ar32不同時為直接 鍵合。
9. 根據(jù)權利要求1?7中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述芳香族 胺系聚合物具有由下述式（3)表示的重復單元，
<3) 式中，Ar51?Ar53各自獨立地表示可以具有取代基的2價的芳香族基團， Ar54和Ar55各自獨立地表示可以具有取代基的芳香族基團， Ar56和Ar57各自獨立地表示直接鍵合或可以具有取代基的2價的芳香族基團， R11和R12各自獨立地表示氫原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或 可以具有取代基的芳香族基團， m'表示0?5的整數(shù)， R11與R12可以相互鍵合而形成環(huán)結構。
10. 根據(jù)權利要求1?9中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述芳香 族胺系聚合物具有由下述式（1)表示的重復單元，
⑴ 式中，Ar1和Ar2各自獨立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或可以具有取代基的 芳香族雜環(huán)基，Ar3?Ar5各自獨立地表示可以具有取代基的2價的芳香族烴環(huán)基或可以具 有取代基的2價的芳香族雜環(huán)基，Ar 1?Ar5中，與同一 N原子鍵合的二個基團可以相互鍵 合而形成環(huán)，X表示選自下述連接基團組X'中的1個連接基團， 〈連接基團組X' >
式中，Ar11?Ar28各自獨立地表示可以具有取代基的芳香族烴環(huán)基或可以具有取代基 的芳香族雜環(huán)基，R41和R42各自獨立地表示氫原子或任意的取代基。
11. 根據(jù)權利要求10所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述式（1)是由下述式 (1 一 1)表示的重復單元，
式中，R1?R5各自獨立地表示任意的取代基，p和q各自獨立地表示0?5的整數(shù)，r、 s和t各自獨立地表示0?4的整數(shù)，X與式（1)中的X意思相同。
12. 根據(jù)權利要求8?11中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，所述芳香 族胺系聚合物具有不溶基團。
13. 根據(jù)權利要求1?12中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，其中，進一步含 有電子接受性化合物。
14. 根據(jù)權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，所述有機場致 發(fā)光元件用組合物被封入具有下述特征的玻璃容器， 特征：是玻璃容器，在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，由投影面積求得的、距基準面突出0. 8nm以上的凸部區(qū)域與距基準面凹陷0. 8nm以上的 凹部區(qū)域的總計的表面凹凸部分的面積率為0.2%以上。
15. 根據(jù)權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，所述有機場致 發(fā)光元件用組合物被封入具有下述特征的玻璃容器， 特征：是玻璃容器，在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，由投影面積求得的、作為距基準面凹陷0. 8nm以上的凹部區(qū)域的表面凹部分的面積率 為0. 1%以上。
16. 根據(jù)權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物，所述有機場致 發(fā)光元件用組合物被封入具有下述特征的玻璃容器， 特征：是玻璃容器，在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，任意選擇的10 μ mX 10 μ m的區(qū)域中的距基準面突出0. 8nm以上的凸部區(qū)域的數(shù)目和距 基準面凹陷〇. 8nm以上的凹部區(qū)域的數(shù)目的總計為5個以上。
17. -種有機場致發(fā)光元件，是在基板上至少層疊陽極、空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光 層和陰極而成的有機場致發(fā)光元件，選自所述發(fā)光層、空穴注入層和空穴輸送層中的至少1 層是使用權利要求1?16中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物并利用濕式成膜法 而形成的。
18. -種有機場致發(fā)光照明，包含權利要求17所述的有機場致發(fā)光元件。
19. 一種有機場致發(fā)光顯示裝置，包含權利要求17所述的有機場致發(fā)光元件。
20. -種封入體，是將權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物封 入玻璃容器而成的， 所述玻璃容器為：在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，由投影面積求得的、距基準面突出0. 8nm以上的凸部區(qū)域與距基準面凹陷0. 8nm以上的 凹部區(qū)域的總計的表面凹凸部分的面積率為0.2%以上。
21. -種封入體，是將權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物封 入玻璃容器而成的， 所述玻璃容器為：在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，由投影面積求得的、作為距基準面凹陷0. 8nm以上的凹部區(qū)域的表面凹部分的面積率 為0. 1%以上。
22. -種封入體，是將權利要求1?13中任1項所述的有機場致發(fā)光元件用組合物封 入玻璃容器而成的， 所述玻璃容器為：在所述容器內(nèi)表面的與所述有機場致發(fā)光元件用組合物的接液面 中，任意選擇的10 μ mX 10 μ m的區(qū)域中的距基準面突出0. 8nm以上的凸部區(qū)域的數(shù)目和距 基準面凹陷〇. 8nm以上的凹部區(qū)域的數(shù)目的總計為5個以上。
【文檔編號】H01L27/32GK104254930SQ201380018895
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年4月8日 優(yōu)先權日:2012年4月9日
【發(fā)明者】水上潤二, 清水渡, 竹本洋己 申請人:三菱化學株式會社