可回流光電模塊的制作方法
【專利摘要】一種光學(xué)近程傳感器模塊包括襯底、安裝在襯底的第一表面上的光發(fā)射器及安裝在襯底的第一表面上的光檢測(cè)器，所述光發(fā)射器可操作以發(fā)射第一波長(zhǎng)的光，所述光檢測(cè)器可操作以檢測(cè)第一波長(zhǎng)的光。模塊包括實(shí)質(zhì)平行于襯底安置的光學(xué)構(gòu)件，及分離構(gòu)件，其中分離構(gòu)件安置在襯底與光學(xué)構(gòu)件之間。多個(gè)模塊可能以晶片級(jí)工藝制造且可由可回流材料構(gòu)成，以便模塊可更加容易地并入裝置中，當(dāng)模塊整合到裝置時(shí)或在后續(xù)制造工藝期間，至少部分地在高溫下制造裝置。
【專利說(shuō)明】可回流光電模塊
[0001]相關(guān)申請(qǐng)案
[0002]本申請(qǐng)案請(qǐng)求2012年4月5日申請(qǐng)的第61/620，587號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)的權(quán)利。所述申請(qǐng)案的內(nèi)容以引用的方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開案涉及光電模塊，例如光學(xué)近程傳感器模塊。

【背景技術(shù)】
[0004]近程傳感器用于檢測(cè)目標(biāo)的位置或地點(diǎn)。可用各種類型的近程傳感器，包括光學(xué)傳感器、電感式傳感器和電容式傳感器。
[0005]光學(xué)近程傳感器可采用反射技術(shù)，例如來(lái)檢測(cè)目標(biāo)在傳感器附近存在或不存在。典型技術(shù)是使用發(fā)光二極管(light emitting d1de, LED)和光學(xué)檢測(cè)器,所述光學(xué)檢測(cè)器以從目標(biāo)將LED發(fā)射的光反射回至檢測(cè)器的方式設(shè)置?？蛇x擇光源以便光適合由光檢測(cè)器檢測(cè)。因此，舉例來(lái)說(shuō)，光源可產(chǎn)生最好光檢測(cè)器能夠檢測(cè)且不可能由其他鄰近源產(chǎn)生的頻率的光。
[0006]近程傳感器有時(shí)并入各類消費(fèi)性或其他電子產(chǎn)品。然而，用于這些產(chǎn)品的制造工藝有時(shí)包括相對(duì)高的溫度，當(dāng)近程傳感器模塊整合到產(chǎn)品時(shí)或在后續(xù)制造工藝期間，所述相對(duì)高的溫度可損壞近程傳感器模塊。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]描述由可回流材料制成的光電模塊。在一些實(shí)施中，這允許模塊并入裝置，當(dāng)模塊整合到裝置時(shí)或在后續(xù)制造工藝期間，至少部分地在高溫下制造裝置。
[0008]舉例來(lái)說(shuō)，在一方面，光學(xué)近程傳感器模塊包括襯底、安裝在襯底的第一表面上的光發(fā)射器及安裝在襯底的第一表面上的光檢測(cè)器，所述光發(fā)射器可操作以發(fā)射第一波長(zhǎng)的光，所述光檢測(cè)器可操作以檢測(cè)第一波長(zhǎng)的光。模塊包括實(shí)質(zhì)平行于襯底安置的光學(xué)構(gòu)件，及分離構(gòu)件，其中分離構(gòu)件安置在襯底與光學(xué)構(gòu)件之間。光學(xué)構(gòu)件可由第一聚合物材料構(gòu)成，且分離構(gòu)件可由第二聚合物材料構(gòu)成。這些聚合物材料的實(shí)例不僅包括環(huán)氧樹脂，以及其他或聚合物材料(例如丙烯酸酯、聚氨酯、有機(jī)硅材料)。
[0009]在一些實(shí)施中，直到至少260°C，第一聚合物(例如環(huán)氧樹脂)材料和第二聚合物(例如環(huán)氧樹脂)材料為熱穩(wěn)定的。第一聚合物材料和第二聚合物材料中的一種或兩種可包含例如熱固性聚合物或熱塑性聚合物。熱塑性聚合物的玻璃轉(zhuǎn)變溫度可以高于260°C。在一些實(shí)施中，第一環(huán)氧樹脂材料或第二環(huán)氧樹脂材料中的一種或兩種包含熱固化聚合物或紫外線(ultrav1let, UV)固化聚合物。
[0010]在一些實(shí)施中，光學(xué)構(gòu)件包括對(duì)第一波長(zhǎng)的光透明的第一透明部分和第二透明部分，及實(shí)質(zhì)減弱或阻擋第一波長(zhǎng)的入射光的阻擋部分。第一透明部分可安置在光發(fā)射器上方，且第二透明部分可安置在光檢測(cè)器上方。此外，在一些實(shí)施中，第一透明部分和第二透明部分中每一個(gè)包含透鏡。每個(gè)透鏡可由例如第三聚合物(例如環(huán)氧樹脂)材料構(gòu)成，直到至少260°C，所述第三聚合物材料是熱穩(wěn)定的。在一些實(shí)施中，第三環(huán)氧樹脂材料是熱固性聚合物或熱塑性聚合物，且可為對(duì)第一波長(zhǎng)的光透明的熱固化環(huán)氧樹脂材料或UV固化環(huán)氧樹脂材料。
[0011]在一些實(shí)施中，光發(fā)射器包含發(fā)光二極管，且光檢測(cè)器包括光電二極管。在一些實(shí)施中，發(fā)光二極管可發(fā)射紅外光或近紅外光，且光電二極管檢測(cè)紅外光或近紅外光。
[0012]在一些實(shí)施中，配置光發(fā)射器、光學(xué)構(gòu)件及光檢測(cè)器，以使光發(fā)射器發(fā)射的光穿過(guò)第一透明部分，且以使穿過(guò)第一透明部分、由位于模塊外的表面反射且穿過(guò)第二透明部分的至少一部分光由光檢測(cè)器檢測(cè)，檢測(cè)的光的量取決于位于模塊外的表面與光學(xué)構(gòu)件的距離。
[0013]本公開案也描述了用于制造多個(gè)光學(xué)近程傳感器模塊的方法。
[0014]另外，公開了移動(dòng)通信裝置，且移動(dòng)通信裝置包括光學(xué)近程傳感器模塊，例如，上文所描述的或下文更詳細(xì)描述的光學(xué)近程傳感器模塊。
[0015]在遍及裝配工藝運(yùn)行透鏡和模塊之前，可回流性可促進(jìn)模塊在印刷電路板上的直接整合。在一些情況下，與傳統(tǒng)拾取與放置透鏡裝配相比，可回流性可簡(jiǎn)化并降低制造成本，其中必須中斷制造工藝以用于將透鏡實(shí)體放置在裝置中。
[0016]在附圖或以下描述中，陳述一個(gè)或多個(gè)實(shí)施的細(xì)節(jié)。從描述及附圖及從權(quán)利要求書將明白其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為光電模塊的橫截面圖。
[0018]圖2圖示圖1的模塊的組成部分的多個(gè)橫截面圖。
[0019]圖3為用于形成晶片堆疊的晶片的橫截面圖，晶片堆疊用于制造如圖1所示的多個(gè)模塊。
[0020]圖4為用于制造圖1的多個(gè)模塊的晶片堆疊的橫截面圖。
[0021]圖5為具有結(jié)構(gòu)化表面的半成品部件的橫截面圖。
[0022]圖6圖示具有光學(xué)近程傳感器的手機(jī)的實(shí)例。
[0023]圖7圖示手機(jī)的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。

【具體實(shí)施方式】
[0024]如圖1所示，光電模塊I可包括至少一個(gè)有源光學(xué)元件和至少一個(gè)無(wú)源光學(xué)元件。有源光學(xué)兀件的實(shí)例包括光傳感兀件或發(fā)光兀件，例如光電二極管、圖像傳感器、LED> OLED或激光晶片。無(wú)源光學(xué)元件的實(shí)例包括通過(guò)折射及/或衍射及/或反射重定向光的光學(xué)元件，例如透鏡、棱鏡、鏡子或光學(xué)系統(tǒng)(例如，可包括例如孔徑光闌、圖像屏幕或支架的機(jī)械元件的無(wú)源光學(xué)元件的集合)。圖2圖示圖1的模塊的組成部分的多個(gè)橫向示意性橫截面圖，其中這些側(cè)面橫截面的大致位置在圖1中由si至s5和虛線表示。針對(duì)s4和s5，視圖的方向由箭頭表示。
[0025]模塊I包括在垂直方向(即圖1中的ζ方向)彼此堆疊的幾個(gè)組成部分(P、S、0、B)。垂直于垂直(ζ)方向的χ-y平面(參看圖2)中的方向可稱為橫向。
[0026]模塊I可包括彼此堆疊的襯底P、分離構(gòu)件S、光學(xué)構(gòu)件O和隔板構(gòu)件B。襯底P為例如印刷電路板總成。PCB總成的印刷電路板(printed circuit board, PCB)可稱為中介層。在PCB上安裝有用于發(fā)射光的發(fā)射構(gòu)件E (例如光學(xué)發(fā)送器模具，所述光學(xué)發(fā)送器模具包括例如用于發(fā)射紅外光或近紅外光的發(fā)光二極管)及檢測(cè)構(gòu)件D (例如光學(xué)接收器模具，所述光學(xué)接收器模具包括例如用于檢測(cè)紅外光或近紅外光的光電二極管)，所述檢測(cè)構(gòu)件用于檢測(cè)由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的在頻率/波長(zhǎng)(或頻率/波長(zhǎng)的范圍)的光。一般來(lái)說(shuō)，光涉及電磁輻射且可包括例如電磁波譜的紅外線部分、可見部分或紫外線部分中的電磁輻射。
[0027]發(fā)射構(gòu)件E和檢測(cè)構(gòu)件D的電觸點(diǎn)電連接到附接有焊球7的外模塊I。一些實(shí)施包括四個(gè)電觸點(diǎn):兩個(gè)用于發(fā)射構(gòu)件E及兩個(gè)用于檢測(cè)構(gòu)件D。替代提供焊球7，一些實(shí)施包括PCB上的稍后可具有焊球的觸板。模塊I因此可緊鄰其他電子元件安裝于印刷電路板9上,例如,使用表面安裝技術(shù)(surface mount technology, SMT)。印刷電路板9可為電子裝置10(例如手持通信裝置)的組成部分。舉例來(lái)說(shuō)，裝置10可以是智能手機(jī)或其他手機(jī)。模塊I特別適合于此類應(yīng)用，因?yàn)樗杀恢圃鞛榫哂刑貏e小的尺寸。
[0028]分離構(gòu)件S具有兩個(gè)開口 4，其中發(fā)射構(gòu)件E配置于一個(gè)開口中，且檢測(cè)構(gòu)件D配置于另一個(gè)開口中。這樣，發(fā)射構(gòu)件E和檢測(cè)構(gòu)件D由分離構(gòu)件S橫向包圍。盡管開口圖示為實(shí)質(zhì)圓形的，但是在一些實(shí)施中所述開口可具有其他形狀。
[0029]分離構(gòu)件S可完成若干工作。所述分離構(gòu)件可確保襯底P與光學(xué)構(gòu)件O之間的明確的距離(通過(guò)所述分離構(gòu)件的垂直延伸)，此舉有助于實(shí)現(xiàn)從發(fā)射構(gòu)件通過(guò)光學(xué)構(gòu)件O到檢測(cè)構(gòu)件D上的明確的光路和從模塊I的外部通過(guò)光學(xué)構(gòu)件O到檢測(cè)構(gòu)件D上的明確的光路。由于對(duì)通常由檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)的光實(shí)質(zhì)上非透明及由于形成模塊I的部分外壁，分離構(gòu)件S也可保護(hù)檢測(cè)構(gòu)件D免受不應(yīng)由檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)的光影響。由于對(duì)通常由檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)的光實(shí)質(zhì)上非透明及由于在發(fā)射構(gòu)件E與檢測(cè)構(gòu)件D之間形成壁，分離構(gòu)件S也可保護(hù)檢測(cè)構(gòu)件D免受由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的不應(yīng)到達(dá)檢測(cè)構(gòu)件D的光影響，以減少發(fā)射構(gòu)件E與檢測(cè)構(gòu)件D之間的光學(xué)串?dāng)_。這樣，可阻止在模塊I內(nèi)反射的光和源自發(fā)射模塊E的雜散光到達(dá)檢測(cè)構(gòu)件D。在一些實(shí)施中，分離構(gòu)件S由非透明的聚合物材料制成，例如可硬化的(例如可固化的)聚合物材料，例如環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、聚氨酯、有機(jī)硅材料。分離構(gòu)件可由例如含有炭黑的環(huán)氧樹脂制成。
[0030]為了達(dá)成最高靈敏度和檢測(cè)范圍，發(fā)射構(gòu)件(例如LED)E與檢測(cè)構(gòu)件(例如光電二極管)D間的近距離可能是重要的。然而，為了避免由內(nèi)部串?dāng)_引起的錯(cuò)誤傳感器響應(yīng)和減小的動(dòng)態(tài)范圍，位于接收器附近的發(fā)射器需要由分離壁或分離蓋進(jìn)行IR有效光學(xué)絕緣。分離構(gòu)件S具有垂直壁分隔部分12，所述垂直壁分隔部分將發(fā)射構(gòu)件E和檢測(cè)構(gòu)件D彼此分開，此舉可有助于減小內(nèi)部光學(xué)串?dāng)_。
[0031]光學(xué)構(gòu)件O包括阻擋部分b和兩個(gè)透明部分t，一個(gè)透明部分允許由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光離開模塊1，且另一個(gè)允許光從模塊I的外部進(jìn)入模塊I且到達(dá)檢測(cè)構(gòu)件D。
[0032]例如，由于由適當(dāng)(聚合物)材料制成，阻擋部分b對(duì)通常由檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)的光實(shí)質(zhì)上非透明。透明部分t包含各自用于光導(dǎo)的無(wú)源光學(xué)元件L，或(尤其及作為實(shí)例)透鏡構(gòu)件L。如圖1所示，透鏡構(gòu)件L可包括例如緊密接觸透明元件6的兩個(gè)透鏡元件5。透明元件6可能具有與形成阻擋部分b的光學(xué)元件O相同的垂直尺寸，以使得形成阻擋部分b的光學(xué)元件O與透明元件6 —起描繪(近乎完美的)實(shí)體板形狀。透鏡元件5 (見圖1)通過(guò)折射及/或衍射重定向光。舉例來(lái)說(shuō)，透鏡元件可全部是通常凸形形狀(如圖1所示)，然而，一個(gè)或多個(gè)透鏡元件5可為不同形狀的，例如，大體上或部分凹形的。
[0033]隔板構(gòu)件B可提供對(duì)不需要的光的遮擋，尤其是離開模塊I或以所需角度入射至模塊I的光。隔板構(gòu)件B可具有兩個(gè)單獨(dú)透明區(qū)域3，所述兩個(gè)單獨(dú)透明區(qū)域可形成為開口或由透明材料形成。在透明區(qū)域3外，隔板構(gòu)件B可由實(shí)質(zhì)減弱或阻擋通?？捎蓹z測(cè)構(gòu)件檢測(cè)的光的材料制成，或可具備具有此性質(zhì)的涂層，然而后者制造更復(fù)雜。隔板構(gòu)件B的形狀，或更準(zhǔn)確地說(shuō)，透明區(qū)域3的形狀可區(qū)別于圖1和圖2所示的形狀(例如，圓錐體形狀或棱錐臺(tái)形狀)。
[0034]不只透明區(qū)域3的橫向形狀，還有透明部分t和開口 4的橫向形狀不需要為圓形的，而可具有其他形狀，例如，具有圓角的多邊形或矩形。
[0035]模塊I是封裝光電元件。模塊I的垂直側(cè)壁由項(xiàng)P、S、0和B形成。底壁由襯底P形成，且頂壁由隔板構(gòu)件B形成或由隔板構(gòu)件B和光學(xué)構(gòu)件O —起形成。
[0036]如圖2所示，也可稱為外殼元件的四個(gè)項(xiàng)P、S、O、B中每一個(gè)具有與其他外殼元件實(shí)質(zhì)相同的橫向形狀和橫向尺寸。這樣促進(jìn)了制造此模塊I的非常有效的方式，如下參照?qǐng)D3和圖4更詳細(xì)的描述。外殼元件P、S、O、B中每一個(gè)具有通常為塊狀或板狀的形狀，或一般來(lái)說(shuō)，具有可能具有孔或開口(例如，隔板構(gòu)件B和分離構(gòu)件S具有的)或凸出物(例如，光學(xué)構(gòu)件O具有的)的長(zhǎng)方體形狀。
[0037]在一些實(shí)施中，模塊I為近程傳感器。當(dāng)發(fā)射構(gòu)件E例如以光脈沖的形式發(fā)射光時(shí)，此模塊I可允許檢測(cè)目標(biāo)是否位于距模塊預(yù)定距離內(nèi)，例如，如根據(jù)由檢測(cè)構(gòu)件D產(chǎn)生的光電流判斷。舉例來(lái)說(shuō)，可配置發(fā)射構(gòu)件E、光學(xué)構(gòu)件O和檢測(cè)構(gòu)件D，以使得位于距光學(xué)構(gòu)件O預(yù)定距離或距離范圍內(nèi)的能反射光的表面使檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射并由表面反射的足夠高強(qiáng)度的光，而分別由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射并由位于距光學(xué)構(gòu)件O更遠(yuǎn)且在所述預(yù)定距離外的此表面反射的光不會(huì)使檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)足夠高強(qiáng)度的光。
[0038]此外，可能提供模塊，所述模塊根據(jù)與上文所論述的相同的原理設(shè)計(jì)但包含除檢測(cè)構(gòu)件D外的一個(gè)或多個(gè)額外電子元件，例如，額外的光檢測(cè)器，或一或多個(gè)集成電路，或兩個(gè)或多個(gè)光源。
[0039]模塊I中的有源電子元件(例如，在圖1的實(shí)例中的發(fā)射構(gòu)件E和檢測(cè)構(gòu)件D)可能為封裝或未封裝電子元件。對(duì)于襯底P的接觸，如引線結(jié)合技術(shù)、倒裝芯片技術(shù)或其他已知的表面安裝技術(shù)的技術(shù)可用作常規(guī)通孔技術(shù)。
[0040]圖3圖示用于形成晶片堆疊的晶片的示意性橫截面圖，晶片堆疊用于制造如圖1所示的多個(gè)模塊。通常，晶片涉及實(shí)質(zhì)盤狀或板狀的項(xiàng)，晶片在一個(gè)方向(ζ方向或垂直方向)上的延伸相對(duì)于在其他兩個(gè)方向(X方向和y方向或橫向)上的延伸是較小的。在(非空白)晶片上，可配置多個(gè)較小結(jié)構(gòu)或項(xiàng)，或在所述晶片內(nèi)例如以矩形網(wǎng)格配置多個(gè)較小結(jié)構(gòu)或項(xiàng)。晶片可具有開口或孔，且在一些情況下，晶片在其側(cè)區(qū)的主要部分中可不具有材料。根據(jù)實(shí)施，晶片可由例如半導(dǎo)體材料、聚合物材料、包含金屬和聚合物的復(fù)合材料或聚合物和玻璃材料制成。特別是，晶片可包含可硬化材料，例如，可熱固化聚合物或可UV固化聚合物。在一些實(shí)施中，晶片的直徑在5cm與40cm之間，且例如可在1cm與31cm之間。晶片可以為具有例如2、4、6、8或12英寸的直徑的圓柱形，一英寸為約2.54cm。晶片厚度例如可在0.2mm與1mm之間，且在一些情況下，在0.4mm與6mm之間。
[0041]盡管圖3和圖4僅圖示提供了三個(gè)模塊1，但是在一些實(shí)施中，在一個(gè)晶片堆疊中，可在各橫向上提供至少十個(gè)模塊，且在一些情況下，可在各橫向上提供至少三十個(gè)或甚至五十個(gè)或更多個(gè)模塊。每一晶片的尺寸的實(shí)例為:橫向至少5cm或10cm，及高達(dá)30cm或40cm或甚至50cm，且垂直(在襯底晶片PW上沒(méi)有配置有元件的情況下測(cè)量)至少0.2mm或0.4mm或甚至Imm,及高達(dá)6mm或1mm或甚至20mm。
[0042]在一些實(shí)施中，四個(gè)晶片可用于產(chǎn)生用于制造如圖1所示的多個(gè)模塊的晶片堆置。如圖4所不,堆置包括襯底晶片PW、塾片晶片SW、光學(xué)晶片OW和隔板晶片BW。每個(gè)晶片包含眾多對(duì)應(yīng)的構(gòu)件，所述構(gòu)件包含在對(duì)應(yīng)模塊I (參看圖1和圖2)中，例如以矩形點(diǎn)陣配置，且彼此相隔較小距離以促進(jìn)后續(xù)分離步驟。
[0043]襯底晶片PW例如可為PCB總成，所述PCB總成包含標(biāo)準(zhǔn)PCB材料的PCB，在一側(cè)上具有焊球7和焊接至另一側(cè)的有源光學(xué)元件(例如，構(gòu)件E和D)。后者可被放置在襯底晶片PW上，例如，通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)拾取與放置設(shè)備的拾取與放置。
[0044]墊片晶片SW可能有助于保持襯底晶片PW與光學(xué)晶片OW彼此相隔實(shí)質(zhì)恒定距離。因此，將墊片晶片SW并入晶片堆疊可使更高成像性能及復(fù)雜性成為可能。堆疊的晶片隨后可分割成單獨(dú)的微小光學(xué)結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)致每個(gè)晶片有多個(gè)(例如，數(shù)千個(gè))結(jié)構(gòu)。
[0045]為了提供對(duì)檢測(cè)不需要光的最大保護(hù)，除透明區(qū)域，例如透明部分t和透明區(qū)域3之外，晶片PW、SW、0W、BW中每一個(gè)可實(shí)質(zhì)上由對(duì)檢測(cè)構(gòu)件D可檢測(cè)的光實(shí)質(zhì)上非透明的材料制成。
[0046]舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施中，墊片晶片SW可由含有炭黑和其他黑色顏料的UV固化環(huán)氧樹脂或熱固化環(huán)氧樹脂(或其他聚合物)制成。在一些實(shí)施中，將炭黑嵌入環(huán)氧樹脂(或其他聚合物)中。環(huán)氧樹脂中炭黑的量可取決于特定應(yīng)用且例如可取決于墊片晶片SW的所需或所要求的光學(xué)特性。因此，在一些實(shí)施中，為了減少光學(xué)串?dāng)_或檢測(cè)構(gòu)件D對(duì)其他不需要的光的檢測(cè)，墊片晶片SW可由含有至少0.7%的炭黑的UV固化環(huán)氧樹脂或熱固化環(huán)氧樹脂制成，然而在一些實(shí)施中，更低量的炭黑可能足夠。可例如取決于壁12的橫向厚度調(diào)節(jié)用于墊片晶片SW的環(huán)氧樹脂中的炭黑的最佳或所需百分比。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施中，壁厚度約為200 μ m,且環(huán)氧樹脂材料含有約至少0.8%的炭黑。對(duì)于具有800nm的波長(zhǎng)的光來(lái)說(shuō)，上述組合物可能導(dǎo)致約0.0295/μ m的吸收系數(shù)(α ) —般來(lái)說(shuō)，針對(duì)具有厚度d的壁部分12，透射率T = 10」' 因此，在上述實(shí)例中，穿透壁部分12的透射率(T)小于
0.00015%，且對(duì)應(yīng)于約5.8的吸光度或光學(xué)密度，其中吸光度表示落在材料上的輻射量與穿過(guò)材料傳輸?shù)妮椛淞康膶?duì)數(shù)比。在一些應(yīng)用中，炭黑的量足夠高以使穿透壁部分12的光的透射率(T)在由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光的波長(zhǎng)處不大于0.1%。同樣的，在一些應(yīng)用中，炭黑的量足夠高以使壁部分12的吸光度或光學(xué)密度在由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光的波長(zhǎng)處至少為3。在一些實(shí)施中，因?yàn)楸?2的厚度約為200 μ m，所以分離構(gòu)件S在由光發(fā)射器發(fā)射的光的波長(zhǎng)處具有至少0.015/μ m的吸收系數(shù)(α)。
[0047]各類聚合物材料(例如，環(huán)氧樹脂、丙烯酸酯、聚氨酯或有機(jī)硅材料)可用作墊片晶片SW的基礎(chǔ)材料，其中添加一種或多種顏料或其他粘合劑以降低墊片晶片相關(guān)波長(zhǎng)(即LED或其他發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光的波長(zhǎng))處的光學(xué)投射特性。用于墊片晶片SW的基礎(chǔ)材料的實(shí)例包括以下中的一種或多種:購(gòu)自Electronic Materials, Inc.的EMCASTTM(例如，23xx、24xx、25xx 和 2600 系列)、購(gòu)自 Master Bond Inc.的 MASTERBOND? (例如，UV15-7DC、UV10DCTK)、購(gòu)自 DELO Industrial Adhesives 的 DEL0-DUALB0ND?(例如，AD VE 80342)、購(gòu)自 Addison Clear Wave 的 AC A1449、購(gòu)自 Epoxy Technology, Inc.的 EPOTEK 0G198-54 及L0CTITE 334、392、5091。上述材料中的一些是雙固化的(例如，即可由UV光固化也可熱固化)。炭黑或其他顏料可添加到基礎(chǔ)材料以降低墊片晶片SW在相關(guān)波長(zhǎng)處的光學(xué)透射特性。舉例來(lái)說(shuō)，炭黑或其他顏料可能以一量添加到基礎(chǔ)聚合物材料，所述量足夠高以使穿透壁部分12的光的透射率(T)在由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光的波長(zhǎng)處不大于0.1%。同樣的，在一些應(yīng)用中，顏料的量足夠高以使壁部分12的吸光度或光學(xué)密度在由發(fā)射構(gòu)件E發(fā)射的光的波長(zhǎng)處至少為3。
[0048]例如通過(guò)復(fù)制可制造塾片晶片SW和隔板晶片BW,以及光學(xué)晶片OW的至少一部分。復(fù)制涉及重現(xiàn)給定結(jié)構(gòu)或給定結(jié)構(gòu)的底片的技術(shù)，例如，蝕刻法、壓印法、成型法或真空注射法。在復(fù)制工藝的特定實(shí)例中，結(jié)構(gòu)化表面被壓印入液體材料、黏性材料或可塑性變形材料，然后例如通過(guò)使用紫外線輻射或加熱來(lái)固化從而硬化材料，并接著去除結(jié)構(gòu)化表面。因此，獲得結(jié)構(gòu)化表面的副本(在此情況下是底片副本)。適合于復(fù)制的材料例如為可硬化的(例如，可固化的)聚合物材料或其他復(fù)制材料，即在硬化步驟或固化步驟中，從液體、黏性或可塑性變形狀態(tài)轉(zhuǎn)換為固體狀態(tài)的材料。
[0049]因此，例如通過(guò)將特定應(yīng)用的液體聚合物的液滴精確分配到晶片上可實(shí)現(xiàn)晶片級(jí)復(fù)制工藝。然后，使用模具壓印聚合物且使用紫外光在晶片上固化聚合物以硬化晶片。接著分離晶片與模具。在晶片的另一側(cè)上可以微米對(duì)準(zhǔn)精度重復(fù)此工藝。在一些實(shí)施中，復(fù)制材料可限制在工具與如第7，704，418號(hào)美國(guó)專利所描述的襯底的表面之間，所述專利以引用的方式并入本文中。
[0050]例如在第2011/0039048A1號(hào)美國(guó)公開專利申請(qǐng)案中和在第61/746，347號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案中公開了用于制造墊片晶片SW的適合的復(fù)制技術(shù)。所述兩個(gè)公開案以引用的方式并入本文中?？芍圃靿|片晶片SW以使墊片晶片在邊緣的厚度超過(guò)墊片晶片在邊緣周圍的表面位置的厚度。這樣，關(guān)于墊片的平均厚度提高邊緣。舉例來(lái)說(shuō)，若墊片晶片SW本身通常具有100至1500微米(μ m)的厚度，可關(guān)于周圍表面提聞邊緣大約1_10 μ m。
[0051]在一些實(shí)施例中，經(jīng)歷晶片級(jí)固化工藝的所復(fù)制的元件(例如，墊片晶片SW、光學(xué)晶片OW和襯底晶片PW)是熱穩(wěn)定的且可耐受熱工藝，例如，回流工藝，其中溫度可達(dá)到例如高達(dá)約260°C。熱穩(wěn)定元件實(shí)質(zhì)保持自身的一般形狀且在相對(duì)高的操作溫度下不會(huì)分解。所復(fù)制的元件的此特性通常稱為“可回流性”。用于制造熱穩(wěn)定元件的材料例如可包括熱固性聚合物或熱塑性聚合物。
[0052]此類制造技術(shù)促進(jìn)模塊并入例如手機(jī)或其他電子產(chǎn)品中，因?yàn)槟K可直接整合到裝配線流程中。在一些實(shí)施中，可回流元件滿足GR-468C0RE環(huán)境測(cè)試，所述環(huán)境測(cè)試包括在-40°C與+85°C間熱循環(huán)1000次，并在+85°C溫度以及85%的相對(duì)濕度下熱循環(huán)1000小時(shí)。
[0053]舉例來(lái)說(shuō)，如上所述，墊片晶片SW可為由環(huán)氧樹脂和硬化劑形成的熱固化環(huán)氧樹月旨，在一些實(shí)施中，所述熱固化環(huán)氧樹脂也包含炭黑。此類環(huán)氧樹脂化合物的熱穩(wěn)定性主要取決于環(huán)氧樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)和硬化劑的類型。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于熱塑性環(huán)氧樹脂化合物來(lái)說(shuō)，環(huán)氧樹脂化合物的玻璃轉(zhuǎn)變溫度可在約100到約270°C的范圍內(nèi)變化。
[0054]所復(fù)制的元件也可由熱穩(wěn)定的環(huán)氧樹脂、可紫外線(UV)固化的環(huán)氧樹脂或其他聚合物材料形成。在一些實(shí)施中，所復(fù)制的元件可由“可雙固化的”材料形成。也就是說(shuō)，可取決于采用兩種固化方法的哪一種使用熱量(可熱固化的)和紫外光(可UV固化的)中的一者來(lái)固化材料?？捎糜跓岱€(wěn)定的可固化聚合物的材料的實(shí)例包括以下中的一種或多種:購(gòu)自 Electronic Materials, Inc.的 EMCASTTM(例如，23xx、24xx、25xx 和 2600 系列)、購(gòu)自 Master Bond Inc.的 MASTERB0NDTM 環(huán)氧樹脂(例如，UV15-7DC 及 UV10DCTK)、購(gòu)自DELO Industrial Adhesives 的 DEL0_DUALB0ND?(例如，AD VE 80342)材料、購(gòu)自 AddisonClear Wave 的 AC A1449、購(gòu)自 Epoxy Technology, Inc.的 EPOTEK 0G198-54 環(huán)氧樹脂，及/ 或 L0CTITE 334,392 和 5091 系列材料。
[0055]其他材料的實(shí)例包括環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂具有成一定比例的功能性氨基硅烷和氨丙基甲基二甲基硅氧烷的共聚物。在一些實(shí)施中，可固化環(huán)氧樹脂中的硅化合物的使用可提高環(huán)氧樹脂的熱穩(wěn)定性、耐化學(xué)性和耐腐蝕性，而含三甲氧基的硅烷的使用可提供更好的黏附性質(zhì)。
[0056]替代地或另外，可通過(guò)使用作為固化劑的環(huán)狀化合物來(lái)提高可固化環(huán)氧樹脂或其他聚合物的熱穩(wěn)定性。舉例來(lái)說(shuō)，除了其他以外，可通過(guò)使用芳香胺和芳香族酸酐、酚醛清漆、雙馬來(lái)酰亞胺(例如，二 _(對(duì)-馬來(lái)酰亞胺基苯基)甲烷)和咪唑衍生物來(lái)提高由雙酚A制成的環(huán)氧樹脂的熱穩(wěn)定性。額外的樹脂和固化劑組合也可用于提高熱穩(wěn)定性。
[0057]用于透鏡L的材料也可由適合的可回流材料制成，其中可回流材料對(duì)由檢測(cè)構(gòu)件D檢測(cè)的光透明。與墊片晶片元件類似，用于透鏡L的適合的材料例如可包括可硬化的(例如，可固化的)聚合物材料或在硬化(例如，固化)步驟從液體、黏性或可塑性變形狀態(tài)轉(zhuǎn)換為固體狀態(tài)的材料。在一些實(shí)施中，通過(guò)將熱量，紫外光或化學(xué)添加劑應(yīng)用到聚合物材料來(lái)達(dá)成固化透鏡材料。除炭黑之外，用于制造墊片晶片SW、光學(xué)晶片OW或襯底晶片PW的相同聚合物材料可用作透鏡材料?？捎糜谛纬赏哥R的其他聚合物材料包括例如以下中的一種或多種:購(gòu)自 ThreeBond C0.，Ltd.的 THREEB0ND?3078A,3078B 或 3078C 系列環(huán)氧樹脂；各自購(gòu)自 DELO Industrial Adhesives 的 DEL0-KAT10B0ND? AD VE 18499環(huán)氧樹脂和DEL0-PH0T0B0ND?環(huán)氧樹脂(例如，GB368和19923系列);ΕΡ0ΤΕΚ?環(huán)氧樹月旨(例如，90-172-4、90-174-3、100-24-3 或 0G142-13 系列環(huán)氧樹脂)；購(gòu)自 KyoritsuChemical&C0., Ltd.的 Kyoritsu XLM-C5 或 XRC 9-2 系列環(huán)氧樹脂；購(gòu)自 Micro ResistTechnology GmbH 的 MRT Ormocomp? US-S4 環(huán)氧樹脂；購(gòu)自 Showa Denko K.K.的 ShowaDenko? SAS008L-P 環(huán)氧樹脂；及/ 或購(gòu)自 Wellomer AdhesiveTechnology 的 WELL0MER? 環(huán)氧樹脂和DUV 764環(huán)氧樹脂。
[0058]對(duì)于光線晶片OW來(lái)說(shuō)，復(fù)制或成型可用于獲得非透明部分(例如，阻擋部分b)。也可能提供孔，其中透明部分t應(yīng)被鉆孔或蝕刻。隨后，如此獲得的前體晶片具有透鏡構(gòu)件L以產(chǎn)生光學(xué)晶片0W。此舉可以復(fù)制的方式完成，例如，使透鏡構(gòu)件L形成作為單一部件。然而，也可從半成品部件開始將透鏡構(gòu)件L制作為晶片，所述晶片包括限定透明區(qū)域3的孔內(nèi)的透明元件6。這在透鏡構(gòu)件L中每一個(gè)描繪至少一個(gè)頂點(diǎn)時(shí)尤其有用，且這些頂點(diǎn)位于光學(xué)晶片OW的垂直橫截面外。此半成品部件可能是平坦盤狀的晶片，所述晶片不具有貫穿透明區(qū)域3中的晶片的孔，并事實(shí)上不具有或僅具有淺表面波紋，此表面波紋通常是凹的，即不延伸超出如阻擋部分b所描述的晶片表面。
[0059]半成品部件如可按以下步驟獲得的部件:從具有孔或開口(透明部分應(yīng)如此)的平坦前體晶片(通常由一種材料制成)開始，及接著例如使用分配工藝用透明材料填滿所述孔，及例如使用如用于倒裝芯片技術(shù)或類似技術(shù)中的不足填充工藝的分配器逐個(gè)將前體晶片中的孔填滿，或通過(guò)例如使用刷涂工藝(例如，從絲網(wǎng)印刷可知)或具有輸出材料的幾個(gè)空心針的分配器一次填滿幾個(gè)孔。在分配期間，晶片可放置在例如由有機(jī)硅制成的平坦支撐板上。應(yīng)注意阻止所分配的材料中的氣泡或空腔的形成，因?yàn)闅馀莼蚩涨坏男纬蓵?huì)降低即將產(chǎn)生的透鏡構(gòu)件L的光學(xué)性質(zhì)。舉例來(lái)說(shuō)，可以采用在晶片和下層支撐板形成的邊緣(或在接近此邊緣的地方)處開始潤(rùn)濕晶片材料的方式來(lái)執(zhí)行分配，例如，通過(guò)接近于此邊緣適當(dāng)引導(dǎo)輸出材料的空心針。隨后，例如通過(guò)熱量或UV輻射來(lái)固化所分配的材料以獲得硬化的透明材料。
[0060]可通過(guò)拋光使可能以此方式形成的凸彎月面變平，以便獲得具有調(diào)節(jié)到晶片厚度的平行表面的透明元件6。接著，通過(guò)復(fù)制，透鏡元件5應(yīng)用于晶片OW的一側(cè)或兩側(cè)(頂側(cè)及底側(cè))。在透明元件的凹彎月面的情況下，復(fù)制可發(fā)生在這些凹彎月面上，其中可相應(yīng)調(diào)整所應(yīng)用的復(fù)制材料的量。
[0061]可能提供組合光學(xué)晶片，所述晶片并入有光學(xué)晶片OW以及墊片晶片SW及/或隔板晶片BW的特征和功能性。使用特定前體晶片和基于特定前體晶片制造的特定半成品部件可完成此組合光學(xué)晶片的生產(chǎn)。此前體晶片和半成品部件分別具有至少一個(gè)結(jié)構(gòu)化表面，所述結(jié)構(gòu)化表面通常具有垂直延伸超出透明元件的兩個(gè)表面中的至少一個(gè)的凸出物，所述透明元件分別在前體晶片中提供和存在于半成品部件中。在圖5中，示意性圖示具有一個(gè)結(jié)構(gòu)化表面的半成品部件0W’的實(shí)例。半成品部件可用于制造圖1中所示的模塊。通過(guò)將圖4中的晶片OW和SW(或晶片OW和BW，或晶片0W、Sff和BW)視為一個(gè)單一部件，提供組合光學(xué)晶片以制造根據(jù)圖1的模塊。
[0062]為了形成晶片堆疊2，通過(guò)使用例如可熱固化的環(huán)氧樹脂及/或可UV固化的環(huán)氧樹脂來(lái)粘合，將晶片例如對(duì)準(zhǔn)和粘合在一起。每個(gè)有源光學(xué)元件(例如，襯底晶片PW上的檢測(cè)構(gòu)件D和發(fā)射構(gòu)件E)應(yīng)足夠精確地與對(duì)應(yīng)的無(wú)源光學(xué)元件(例如，光學(xué)晶片OW的透鏡構(gòu)件L)對(duì)準(zhǔn)。在一些實(shí)施中，可在襯底晶片PW中形成孔，其中孔延伸穿過(guò)襯底晶片PW的厚度，以在回流工藝期間提供排氣以便減輕壓力增大?？赏ㄟ^(guò)鉆孔或蝕刻工藝在襯底晶片PW中形成孔。
[0063]圖4圖示晶片堆疊2的橫截面圖，所述晶片堆疊用于制造如圖1所示的多個(gè)模塊
I。細(xì)虛線矩形指示在何處發(fā)生例如通過(guò)使用切割機(jī)的分離。
[0064]在晶片級(jí)上執(zhí)行大多數(shù)對(duì)準(zhǔn)步驟的事實(shí)使得可能以相對(duì)簡(jiǎn)單和快速的方式達(dá)成良好對(duì)準(zhǔn)(尤其是構(gòu)件D和E關(guān)于構(gòu)件L的對(duì)準(zhǔn))。因此，總體制造工藝可以是非常快速和精確的。由于晶片級(jí)制造，僅需要少數(shù)生產(chǎn)步驟來(lái)制造多個(gè)模塊I。
[0065]如上所述，在一些實(shí)施中，模塊I為近程傳感器模塊。上述技術(shù)允許同時(shí)使用晶片級(jí)制造工藝制造多個(gè)模塊。封裝模塊I可并入且可操作地連接到范圍廣泛的裝置，例如便攜式電子裝置、手持式便攜電子裝置、個(gè)人計(jì)算裝置、攝像機(jī)、音頻或視頻播放裝置、筆記本電腦或個(gè)人數(shù)字助理。
[0066]近程傳感器模塊I的應(yīng)用的特定實(shí)例為用于手機(jī)10(見圖6)。舉例來(lái)說(shuō)，近程傳感器模塊I可用于檢測(cè)手機(jī)緊挨著用戶的耳朵或臉，以便當(dāng)未使用顯示屏?xí)r，手機(jī)的顯示屏可自動(dòng)變暗或停用，從而延長(zhǎng)手機(jī)電池的壽命。如圖7所示，除了其他元件以外，手機(jī)10的一些實(shí)施包括處理器51、存儲(chǔ)器64、輸入/輸出裝置(例如顯不屏54)、通信接口 66和收發(fā)器68。各種元件可使用各種總線互相連接，且若干元件可安裝在共用主板上或可視情況以其他方式安裝。近程傳感器模塊I也可與裝置10中的其他元件互相連接，且在一些實(shí)施中，可安裝于具有一些其他元件的共用主板上。
[0067]已經(jīng)描述了許多實(shí)施。然而，將理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可做出各種修改。因此，其他實(shí)施在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光學(xué)近程傳感器模塊，所述光學(xué)近程傳感器模塊包含: 襯底； 光發(fā)射器，安裝在所述襯底的第一表面上，所述光發(fā)射器可操作以發(fā)射第一波長(zhǎng)的光; 光檢測(cè)器，安裝在所述襯底的所述第一表面上，所述光檢測(cè)器可操作以檢測(cè)所述第一波長(zhǎng)的光； 光學(xué)構(gòu)件，由第一聚合物材料構(gòu)成且實(shí)質(zhì)平行于所述襯底安置，其中所述光學(xué)構(gòu)件包含對(duì)所述第一波長(zhǎng)的光透明的第一透明部分和第二透明部分，所述光學(xué)構(gòu)件進(jìn)一步包含實(shí)質(zhì)減弱或阻擋所述第一波長(zhǎng)的入射光的阻擋部分，及其中所述第一透明部分安置在所述光發(fā)射器上方，且所述第二透明部分安置在所述光檢測(cè)器上方；及 分離構(gòu)件，由第二聚合物材料構(gòu)成，其中所述分離構(gòu)件安置在所述襯底與所述光學(xué)構(gòu)件之間并與所述襯底和所述光學(xué)構(gòu)件接觸，及其中所述分離構(gòu)件包圍所述光發(fā)射器和所述光檢測(cè)器， 其中，直到至少260°c，所述第一聚合物材料和所述第二聚合物材料各自為熱穩(wěn)定的。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第一聚合物材料或所述第二聚合物材料中至少一種包含熱固性聚合物。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第一聚合物材料或所述第二聚合物材料中至少一種包含熱塑性聚合物。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述熱塑性聚合物的玻璃轉(zhuǎn)變溫度高于約260°C。
5.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第一聚合物材料或所述第二聚合物材料中至少一種包含熱固化環(huán)氧樹脂。
6.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第一聚合物材料或所述第二聚合物材料中至少一種包含紫外線(UV)固化環(huán)氧樹脂。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第一透明部分和所述第二透明部分中每一個(gè)包含透鏡。
8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中每個(gè)透鏡由第三聚合物材料構(gòu)成，直到至少260°C，所述第三聚合物材料為熱穩(wěn)定的。
9.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第三聚合物材料為熱固性聚合物或熱塑性聚合物。
10.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第三聚合物材料包含熱固化環(huán)氧樹脂材料。
11.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第三聚合物材料包含UV固化環(huán)氧樹脂。
12.如權(quán)利要求8所述的光學(xué)近程傳感器模塊，其中所述第三聚合物材料對(duì)所述第一波長(zhǎng)的光透明。
13.—種制造多個(gè)光學(xué)近程傳感器模塊的方法，所述方法包含: 提供具有第一表面的襯底晶片，在所述第一表面上安裝有多個(gè)光發(fā)射器并且安裝有多個(gè)光檢測(cè)器，其中每個(gè)光發(fā)射器鄰近所述光檢測(cè)器中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)光檢測(cè)器安置，所述光發(fā)射器和光檢測(cè)器以一配置安裝在所述襯底晶片上，及其中所述光發(fā)射器可操作以發(fā)射第一波長(zhǎng)的光，且所述光檢測(cè)器可操作以檢測(cè)所述第一波長(zhǎng)的光； 提供由第一聚合物材料構(gòu)成的墊片晶片，直到至少260°C，所述第一聚合物材料為熱穩(wěn)定的，其中所述墊片晶片具有開口，所述開口的配置實(shí)質(zhì)對(duì)應(yīng)于所述襯底晶片上的所述光發(fā)射器和光檢測(cè)器的配置； 提供由第二聚合物材料構(gòu)成的光學(xué)晶片，直到約260°C，所述第二聚合物材料為熱穩(wěn)定的，所述光學(xué)晶片包含(I)實(shí)質(zhì)減弱或阻擋所述第一波長(zhǎng)的入射光的阻擋部分，及(2)對(duì)所述第一波長(zhǎng)的光透明的多個(gè)第一透明部分和第二透明部分，所述第一透明部分和第二透明部分以一配置來(lái)配置，所述配置實(shí)質(zhì)對(duì)應(yīng)于所述襯底晶片上的所述光發(fā)射器和光檢測(cè)器的所述配置； 以晶片堆疊將所述襯底晶片、所述墊片晶片和所述光學(xué)晶片粘合在一起，其中所述墊片晶片配置在所述襯底晶片和所述光學(xué)晶片之間，以使所述光發(fā)射器和光檢測(cè)器被安置在所述襯底晶片和所述光學(xué)晶片之間；及 將所述晶片堆疊分離為多個(gè)模塊，所述多個(gè)模塊中每一模塊包括所述光發(fā)射器中的一個(gè)和所述光檢測(cè)器中的一個(gè)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中粘合包含使用可熱固化環(huán)氧樹脂將所述襯底晶片粘合到所述墊片晶片。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中將所述襯底晶片粘合到所述墊片晶片包含加熱所述可熱固化環(huán)氧樹脂到至少100°C的溫度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中粘合包含使用可熱固化環(huán)氧樹脂將所述墊片晶片粘合到所述光學(xué)晶片。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述墊片晶片粘合到所述光學(xué)晶片包含加熱所述可熱固化環(huán)氧樹脂到至少100°C的溫度。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一透明部分和第二透明部分中每一個(gè)包含由第三聚合物材料構(gòu)成的透鏡，直到至少260°C，所述第三聚合物材料為熱穩(wěn)定的。
19.一種移動(dòng)通信裝置，所述移動(dòng)通信裝置包含: 處理器， 存儲(chǔ)器， 顯示器， 通信接口， 收發(fā)器，及 光學(xué)近程傳感器模塊，包含: 襯底: 光發(fā)射器，安裝在所述襯底的第一表面上，所述光發(fā)射器可操作以發(fā)射第一波長(zhǎng)的光; 光檢測(cè)器，安裝在所述襯底的所述第一表面上，所述光檢測(cè)器可操作以檢測(cè)所述第一波長(zhǎng)的光； 光學(xué)構(gòu)件，由第一聚合物材料構(gòu)成且實(shí)質(zhì)平行于所述襯底安置，直到至少260°C，所述第一聚合物材料為熱穩(wěn)定的，其中所述光學(xué)構(gòu)件包含對(duì)所述第一波長(zhǎng)的光透明的第一透明部分和第二透明部分，所述光學(xué)構(gòu)件進(jìn)一步包含實(shí)質(zhì)減弱或阻擋所述第一波長(zhǎng)的入射光的阻擋部分，及其中，所述第一透明部分安置在所述光發(fā)射器上方，且所述第二透明部分安置在所述光檢測(cè)器上方 '及 分離構(gòu)件，由第二聚合物材料構(gòu)成，直到至少260°C，所述二聚合物材料為熱穩(wěn)定的，其中所述分離構(gòu)件被安置在所述襯底與所述光學(xué)構(gòu)件之間并與所述襯底和所述光學(xué)構(gòu)件接觸，及其中所述分離部件包圍所述光發(fā)射器和所述光檢測(cè)器。
【文檔編號(hào)】H01L31/00GK104247020SQ201380018899
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月5日
【發(fā)明者】哈特穆特·拉德曼, 亞歷山大·比特斯 申請(qǐng)人:赫普塔岡微光有限公司