一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，它包括：進氣裝置、石英管、排廢管、勻流板和石英舟，所述的石英管上固設有進氣裝置，石英管的底部設有排廢管，排廢管的上部設有勻流板，勻流板的右部設有石英舟，該裝置減少了硅片片內(nèi)方阻梯度，提高擴散方阻的片內(nèi)均勻性，并通過改善擴散后硅片方阻的均勻性，減小印刷燒結(jié)后接觸電阻的大小，從而提升電池片效率。
【專利說明】一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉光一種硅基太陽能電池領域，具體是一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置。
【背景技術】
[0002]太陽能電池，也稱光伏電池，是一種太陽能的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導體器件。由于他是綠色的環(huán)保產(chǎn)品，不會引起環(huán)境污染，而且是可再生資源，所以在當今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源。
[0003]隨著擴散方阻的不斷提高，現(xiàn)有爐管擴散方式的均勻性已經(jīng)很差，不能滿足目前的產(chǎn)線需求。普通擴散石英舟是硅片與爐管進氣氣流方向呈90°角，這種擴散方式呈現(xiàn)出的方阻趨勢是中間高，邊緣低，隨著擴散方阻的不斷升高，中心方阻與邊緣方阻的差異越來越大，所以本實用新型提出，通過改變硅片擴散方向來提升擴散方阻均勻性。
實用新型內(nèi)容
[0004]實用新型目的:針對上述問題，本實用新型的目的是提供一種結(jié)構簡單，工作穩(wěn)定可靠，有效提高阻片內(nèi)均勻性的進氣爐管。
[0005]技術方案:本實用新型所述的一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，它包括:進氣裝置、石英管、排廢管、勻流板和石英舟，所述的石英管上固設有進氣裝置，石英管的底部設有排廢管，排廢管的上部設有勻流板，勻流板的右部設有石英舟；
[0006]所述的石英舟由舟齒、舟板和舟底桿組成，舟板通過和舟底桿上設有的舟齒固設在舟底桿上。
[0007]所述的進氣裝置上設有進氣口。
[0008]所述的勻流板上設有孔。
[0009]所述的排廢管的一端為排廢入口端，排廢管的另一端與排廢裝置相連。
[0010]有益效果:本實用新型所述的一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，與現(xiàn)有技術相比，具有以下優(yōu)點:
[0011](I)片內(nèi)方阻梯度減小:減少硅片片內(nèi)方阻梯度，提高擴散方阻的片內(nèi)均勻性；
[0012](2)改善印刷后的接觸電阻:通過改善擴散后硅片方阻的均勻性，減小印刷燒結(jié)后接觸電阻的大小，從而提升電池片效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型的結(jié)構示意圖；
[0014]圖2為進氣石英舟的剖視圖；
[0015]圖3為進氣石英舟的左視圖。
【具體實施方式】[0016]下面結(jié)合附圖和具體實施例，進一步闡明本實用新型，應理解這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍，在閱讀了本實用新型之后，本領域技術人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
[0017]本實用新型提供一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，它包括:進氣裝置1、石英管2、排廢管3、云流板4和石英舟5。
[0018]石英管2上固設有進氣裝置1，石英管2的底部設有排廢管3，排廢管3的上部設有云流板4，勻流板4的右部設有石英舟5 ;所述的石英舟5由舟齒51、舟板52和舟底桿53組成，舟板52通過和舟底桿53上設有的舟齒51固設在舟底桿53上，所述的進氣裝置I上設有進氣口 11，所述的勻流板4上設有孔41，所述的排廢管3的一端為排廢入口端31，排廢管3的另一端與排廢裝置相連。
[0019]當進氣裝置I啟動后，氣流從進氣口 11進入石英管2，并穿過勻流板4上設有孔41,由于石英舟5上設有的娃片與進氣氣流方向呈180° ,從而使得娃片擴散方阻片內(nèi)的方阻梯度，來改善方阻片內(nèi)均勻性，因此，氣流從進氣口 11進入排廢管3并從排廢裝置中排出。
【權利要求】
1.一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，其特征在于:它包括:進氣裝置(I)、石英管(2)、排廢管(3)、勻流板(4)和石英舟(5)，所述的石英管(2)上固設有進氣裝置(1)，石英管(2)的底部設有排廢管(3)，排廢管(3)的上部設有勻流板(4)，勻流板(4)的右部設有石英舟(5)； 所述的石英舟(5)由舟齒(51)、舟板(52)和舟底桿(53)組成，舟板(52)通過和舟底桿(53)上設有的舟齒(51)固設在舟底桿(53)上。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，其特征在于:所述的進氣裝置(I)上設有進氣口( 11)。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，其特征在于:所述的勻流板(4)上設有孔(41)。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種提升硅片擴散方阻均勻性的裝置，其特征在于:所述的排廢管(3)的一端為排廢入口端(31)，排廢管(3)的另一端與排廢裝置相連。
【文檔編號】H01L21/22GK203674241SQ201320765360
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權日:2013年11月29日
【發(fā)明者】許文鳳, 閆新春, 陳龍, 郭興剛, 張滿良, 梁漢杰 申請人:奧特斯維能源（太倉）有限公司