多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，涉及電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，包括引出線、基板、瓷介電容器芯片、基板上的金屬化過孔和銅箔，其中，所述瓷介電容器芯片包括多個(gè)芯片，所述基板上平行涂覆兩條平行的銅箔，所述瓷介電容器芯片等距垂直排列在基板上，基板兩面的電容器芯片通過金屬化過孔相連，引出線一段垂直彎曲一部分，以勾住基板的金屬化過孔，彎曲部分往下一部分引線直接焊接在銅箔上，所述瓷介電容器芯片、引出線與基板套上外殼，并灌封進(jìn)導(dǎo)熱硅膠，最后使用外殼蓋封住灌封料。本實(shí)用新型提供一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，具有較強(qiáng)的耐機(jī)械應(yīng)力以及熱應(yīng)力。
【專利說明】多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]多層瓷介電容器由于其體積小、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，是鋁電解、鉭電解等電解電容器較好替代品。但由于制造工藝水平的限制，產(chǎn)品尺寸很難做大，導(dǎo)致單只產(chǎn)品的電容量相對(duì)電解電容器沒有優(yōu)勢。
[0003]為了提高多層瓷介電容器的電容量，目前，較多的做法是將多只陶瓷電容器芯片進(jìn)行水平或垂直堆疊，焊接各種引出端，不包封或者采用模壓包封。如CN201984955U、CN102592823A、CN202695133U、CN201984956U、CN202633053U 等。這樣做存在的問題是多只芯片之間互相接觸，導(dǎo)致在焊接引出端的過程中很容易產(chǎn)生應(yīng)力，并最終會(huì)影響產(chǎn)品的安裝以及使用。
[0004]因此，當(dāng)下需要迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是:如何能夠創(chuàng)新的提出一種有效的措施，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，滿足實(shí)際應(yīng)用的更多需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述問題中存在的不足之外，本實(shí)用新型提供一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，具有較強(qiáng)的耐機(jī)械應(yīng)力以及熱應(yīng)力。
[0006]為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，包括:引出線(I)、基板(2)、瓷介電容器芯片(3)、基板上的金屬化過孔(4)和銅箔
(5)，其中，所述瓷介電容器芯片(3)包括多個(gè)芯片，所述基板(2)上平行涂覆兩條平行的銅箔(5)，所述瓷介電容器芯片(3)等距垂直排列在基板(2)上，基板(2)兩面的電容器芯片
(3)通過金屬化過孔(4)相連，引出線(I)采用CP線，引出線(I) 一段垂直彎曲一部分，以勾住基板的金屬化過孔(4)，彎曲部分往下一部分引線直接焊接在銅箔(5)上，所述瓷介電容器芯片(3 )、引出線(I)與基板(2 )套上外殼，并灌封進(jìn)導(dǎo)熱硅膠，最后使用外殼蓋封住灌封料。
[0007]進(jìn)一步的，所述基板為PCB板或鋁基板。
[0008]進(jìn)一步的，所述基板下端采用拱形結(jié)構(gòu)。
[0009]進(jìn)一步的，所述基板和引出線采用塑料外殼封裝在一起。
[0010]進(jìn)一步的，所述基板和引出線采用金屬外殼封裝在一起。
[0011]進(jìn)一步的，使用導(dǎo)熱硅膠對(duì)所述塑料外殼內(nèi)部的空隙進(jìn)行填充。
[0012]進(jìn)一步的，使用導(dǎo)熱硅膠對(duì)所述金屬外殼內(nèi)部的空隙進(jìn)行填充。
[0013]進(jìn)一步的，所述基板采用雙面形式。
[0014]進(jìn)一步的，所述瓷介電容器芯片(3)的多個(gè)芯片采用并聯(lián)形式連接。
[0015]綜上，本方案中采用雙面并排焊接的形式，可以在較小的空間內(nèi)并聯(lián)更多的電容器，因此，可以實(shí)現(xiàn)小體積大容量的目的，同時(shí)，電容器芯片均勻焊接在基板上，芯片之間相互不接觸，可以消除制造、安裝、使用過程中因溫度或者變形而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，且，基板采用拱形結(jié)構(gòu)，使基板能夠承受重量較大或者數(shù)量較多的芯片，并能提高機(jī)械強(qiáng)度，此外，采用導(dǎo)熱硅膠進(jìn)行內(nèi)部灌封，既可以進(jìn)行有效的散熱，也能夠預(yù)防潮氣進(jìn)入電容器內(nèi)部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合附圖與實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。但所舉實(shí)例不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
[0018]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器的流程示意圖，包括引出線(I)、基板(2)、瓷介電容器芯片(3)、基板上的金屬化過孔(4)和銅箔(5)，其中，所述瓷介電容器芯片(3)包括多個(gè)芯片，所述基板(2)上平行涂覆兩條平行的銅箔(5)，所述瓷介電容器芯片(3)等距垂直排列在基板(2)上，基板(2)兩面的電容器芯片(3)通過金屬化過孔(4)相連，引出線(I)采用CP線，引出線(I) 一段垂直彎曲一部分，以勾住基板的金屬化過孔(4)，彎曲部分往下一部分引線直接焊接在銅箔(5)上，所述瓷介電容器芯片(3 )、引出線(I)與基板(2 )套上外殼，并灌封進(jìn)導(dǎo)熱硅膠，最后使用外殼蓋封住灌封料。
[0019]基板采用雙面形式，每面基板上涂覆兩條平行的銅箔，并在基板端部沿基板寬度方向延長；基板下方采用拱形結(jié)構(gòu)；瓷介電容器芯片等距垂直排列在基板上，基板兩面的電容器通過金屬化過孔相連；引出線采用CP線，引出線一段垂直彎曲一部分，以勾住基板的金屬化過孔。彎曲部分往下一部分引線直接焊接在基板的覆銅箔上。將焊接好的芯片、引出線與基板套上外殼，并灌封進(jìn)導(dǎo)熱硅膠，最后使用外殼蓋封住灌封料。
[0020]進(jìn)一步說明的，本方案中為達(dá)到一定的電容量，本實(shí)用新型的主要措施仍然是將多只瓷介電容器芯片進(jìn)行并聯(lián)；將各只電容器芯片對(duì)稱均勻焊接在基板(PCB或者鋁基板)上，然后將引出線焊接在基板上。基板下端采用拱形結(jié)構(gòu)，達(dá)到增加機(jī)械強(qiáng)度的目的。使用塑料外殼或者金屬外殼將焊好的基板與引出線封裝起來，封裝的同時(shí)，使用導(dǎo)熱硅膠對(duì)外殼內(nèi)部的空隙進(jìn)行填充。
[0021]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，包括引出線(I)、基板(2)、瓷介電容器芯片(3)、基板上的金屬化過孔(4)和銅箔(5)，其中，所述瓷介電容器芯片(3)包括多個(gè)芯片，所述基板(2)上平行涂覆兩條平行的銅箔(5)，所述瓷介電容器芯片(3 )等距垂直排列在基板(2 )上，基板(2 )兩面的電容器芯片(3 )通過金屬化過孔(4 )相連，引出線(I)采用CP線，引出線(I) 一段垂直彎曲一部分，以勾住基板的金屬化過孔(4)，彎曲部分往下一部分引線直接焊接在銅箔(5)上，所述瓷介電容器芯片(3)、引出線(I)與基板(2)套上外殼，并灌封進(jìn)導(dǎo)熱硅膠，最后使用外殼蓋封住灌封料。
2.如權(quán)利要求1所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述基板為PCB板或鋁基板。
3.如權(quán)利要求2所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述基板下端采用拱形結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述基板和引出線采用塑料外殼封裝在一起。
5.如權(quán)利要求1所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述基板和引出線采用金屬外殼封裝在一起。
6.如權(quán)利要求4所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，使用導(dǎo)熱硅膠對(duì)所述塑料外殼內(nèi)部的空隙進(jìn)行填充。
7.如權(quán)利要求5所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，使用導(dǎo)熱硅膠對(duì)所述金屬外殼內(nèi)部的空隙進(jìn)行填充。
8.如權(quán)利要求1所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述基板采用雙面形式。
9.如權(quán)利要求1所述的多個(gè)芯片組成的有引線大容量多層瓷介電容器，其特征在于，所述瓷介電容器芯片(3)的多個(gè)芯片采用并聯(lián)形式連接。
【文檔編號(hào)】H01G4/224GK203377106SQ201320434315
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月19日
【發(fā)明者】杜紅炎, 姜志清, 吳勝琴, 李凱, 孫淑英 申請(qǐng)人:北京元六鴻遠(yuǎn)電子技術(shù)有限公司