一種頂發(fā)射oled器件的制作方法
【專利摘要】一種頂發(fā)射OLED器件，包括基板及依次形成在基板上的第一電極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、至少四層電子傳輸子層、第二電極層、以及光輸出耦合層；其中，所述電子傳輸層包括多個折射率不同的電子傳輸子層。電子傳輸子層排布包括兩種方案：一是電子傳輸子層的折射率沿遠離所述發(fā)光層的方向逐漸減小，二是電子傳輸子層包括間隔設(shè)置的有機的電子傳輸子層和無機的電子傳輸子層。兩種方案均可增加光透過性，削弱廣角干涉，減小微腔效應(yīng)，解決了大視角下器件發(fā)光性質(zhì)不佳的技術(shù)問題，特別適用于平板顯示領(lǐng)域。
【專利說明】—種頂發(fā)射OLED器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域。具體地說涉及一種改善大視角下發(fā)光性質(zhì)的頂發(fā)射OLED器件。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,簡稱0LED)是在電場作用下，以有機材料作為發(fā)光層的器件，是一種新型的主動式發(fā)光的顯示器件，具有質(zhì)量輕、厚度薄、亮度高、視角寬、響應(yīng)速度快、發(fā)光效率高、無需背光照明，且可實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點，在顯示與照明領(lǐng)域有著重要應(yīng)用，尤其成為最具潛力取代液晶顯示器的顯示器件。按照器件的發(fā)光位置，可分為底發(fā)射OLED (Bottom Emitting 0LED，簡稱BE0LED)和頂發(fā)射OLED (TopEmitting OLED,簡稱 TE0LED)。
[0003]底發(fā)射OLED的結(jié)構(gòu)為OLED制作在覆蓋有透明的銦錫氧化物(Indium TinOxides，簡稱ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxides，簡稱IZO)電極的玻璃襯底上，當(dāng)對OLED施加電壓時，OLED發(fā)出的光經(jīng)透明ITO (或ΙΖ0)電極射出。該結(jié)構(gòu)中，透明ITO(或ΙΖ0)電極與驅(qū)動OLED的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)相連，存在OLED發(fā)光面積與TFT競爭的問題，導(dǎo)致器件開口率(Aperture Ratio)較低。而頂發(fā)射OLED是將不透明的全反射電極覆蓋在玻璃或硅襯底上，再制作0LED，對OLED施加電壓時，光從頂部的透明或半透明陰極射出?；陧敯l(fā)射OLED的顯示器中，驅(qū)動OLED的TFT制作于OLED下方，使出光面與TFT分開，可以使開口率低的問題得到根本解決。
[0004]但是頂發(fā)射OLED中包含不透明的全反射電極和半透明電極，這種結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致微腔效應(yīng)。微腔效應(yīng)中包括廣角干涉與多光束干涉兩種干涉模式。微腔效應(yīng)對光源具有選擇、窄化和加強等作用，常被用來提高器件的色度、加強特定波長的發(fā)射強度及改變器件的發(fā)光顏色等，但是由于廣角干涉的存在會影響器件的視角特性，即隨視角的偏移，發(fā)光峰發(fā)生偏移，導(dǎo)致亮度的差異與色度的漂移等問題，尤其在大視角下，光學(xué)性質(zhì)不佳，色差較為嚴重。
[0005]目前改善頂發(fā)射OLED視角特性的方案一般是在半透明的陰極上加一層光輸出耦合層，如2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉等高折射率低吸收率的有機物，或在半透明的陰極表面蒸鍍一層高折射率的電介質(zhì)ZnSe、ZnS等作為耦合層，提高透射率和光導(dǎo)出率，但上述方案對頂發(fā)射OLED中的廣角干涉現(xiàn)象的抑制作用有限，視角特性并未得到明顯改善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于改善頂發(fā)射OLED器件中由于廣角干涉而產(chǎn)生的視角效應(yīng)，從而提出一種改善大視角下發(fā)光性質(zhì)的頂發(fā)射OLED器件。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的采用的技術(shù)方案如下:
[0008]本發(fā)明提供一種頂發(fā)射OLED器件，包括基板以及在基板上疊加設(shè)置的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、第二電極、光輸出稱合層；其中，所述電子傳輸層包括多個折射率不同的電子傳輸子層。
[0009]上述的頂發(fā)射OLED器件，所述電子傳輸子層的折射率沿遠離所述發(fā)光層的方向逐漸減小。
[0010]上述的頂發(fā)射OLED器件，所述電子傳輸子層的折射率IIi值應(yīng)滿足
【權(quán)利要求】
1.一種頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，包括基板以及在基板上疊加設(shè)置的第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、第二電極、光輸出稱合層；其中，所述電子傳輸層包括多個折射率不同的電子傳輸子層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸子層的折射率沿遠離所述發(fā)光層的方向逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸子層的折射率Iii值應(yīng)滿足汰=▲.^rijn的關(guān)系，其中i=l，2，3，4，……，其中i值越大Iii值對應(yīng)的電子傳輸子層越遠離所述發(fā)光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸層包括四個電子傳輸子層，且所述四個傳輸子層沿遠離所述發(fā)光層的方向依次為:有機的電子傳輸子層，LiF 層，LiF/Mg 層，Mg 層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸子層的折射率按照高低間隔的方式排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸子層包括間隔設(shè)置的有機的電子傳輸子層和無機的電子傳輸子層，所述無機電子傳輸子層為Mg層。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述有機的電子傳輸子層中有機材料的結(jié)構(gòu)通式為結(jié)構(gòu)通式(I ):
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述有機的電子傳輸子層材料的為以下12種結(jié)構(gòu)式的材料中的一種或多種混合物:
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，與所述第二電極接觸的傳輸子層的折射率與所述第二電極的折射率之間的差值在0.5以內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射OLED器件，其特征在于，所述光輸出耦合層為2，9-二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉材料層。
【文檔編號】H01L51/50GK103762318SQ201310749885
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】李維維, 劉嵩, 何麟 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 北京維信諾科技有限公司