Ono結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法，包括：采用爐管原子層沉積工藝，在柵極兩側(cè)和頂部形成第一二氧化硅層；采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層上形成氮化硅層；采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層上形成第二二氧化硅層，所述第二氧化硅層、氮化硅層、和第一氧化硅層形成ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻。本發(fā)明提高了ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的均勻性和臺(tái)階覆蓋率，提高了最終形成的半導(dǎo)體器件的性能。
【專利說明】ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別涉及ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工藝的制作過程中，柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)對(duì)保護(hù)柵極和減小器件的短溝道效應(yīng)有重要的作用。ONO (第一二氧化硅層-氮化硅層-第二氧化硅層)結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有的理想的柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)示意圖。半導(dǎo)體襯底10上的柵極11上依次覆蓋有第一氧化硅層12、氮化硅層13和第二氮化硅層14，其中，氮化硅層13具有較高的密度和強(qiáng)度，可以有效阻止水氣和鈉離子的擴(kuò)散，是一種理想的柵極側(cè)墻間隔保護(hù)材料。第一氧化硅層12 (Oxide)既可以作為氮化硅層13刻蝕時(shí)候的終止層(Stop Layer)，又可作為氮化硅層13與半導(dǎo)體襯底10和柵極11之間的緩沖層，減小氮化硅層13對(duì)半導(dǎo)體襯底10和柵極11的應(yīng)力。所述第一氧化硅層12和第二氧化硅層14通常利用傳統(tǒng)的爐管TEOS (正硅酸乙酯)工藝或者高溫?zé)嵫趸?HTO)工藝制作，而氮化硅層13通常利用采用爐管的DCS-NH3工藝制作。
[0003]隨著器件線寬的減小(55nm及以下)、集成度的提高，采用傳統(tǒng)爐管TEOS (正硅酸乙酯)工藝或者高溫?zé)嵫趸?HTO)以及爐管DCS-NH3工藝制作ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻時(shí)，形成的柵極側(cè)墻在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的厚度均勻性以及半導(dǎo)體襯底之間的厚度均勻性有差異，并且在柵極上的臺(tái)階覆蓋率不理想，這影響了最終制作的半導(dǎo)體器件的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明解決的問題是提供了一種ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法，提高了 ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的均勻性和臺(tái)階覆蓋率，提高了最終形成的半導(dǎo)體器件的性能。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法，包括:
[0006]采用爐管原子層沉積工藝，在柵極兩側(cè)和頂部形成第一二氧化硅層；
[0007]采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層上形成氮化硅層；
[0008]采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層上形成第二二氧化硅層，所述第二氧化娃層、氮化娃層、和第一氧化娃層形成ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻。
[0009]可選地，采用所述爐管原子層沉積工藝形成所述第一氧化硅層、第二氧化硅層的溫度范圍為350-550攝氏度。
[0010]可選地，所述第一氧化硅層或第二氧化硅層的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟
3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。
[0011]可選地，形成所述第一氧化硅層或第二氧化硅層時(shí)，所述前驅(qū)體特氣包括:Si[N(CH3)]3H，所述凈化氣體包括:N2，所述特氣包括:03。
[0012]可選地，通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的第一氧化硅層和第二氧化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層、第二氧化硅層的厚度均勻性。
[0013]可選地，形成所述氮化硅層的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度。
[0014]可選地，所述爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。
[0015]可選地，所述前驅(qū)體特氣包括:DCS，所述凈化氣體包括:N2，所述特氣包括:NH3。
[0016]可選地，所述前驅(qū)體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入。
[0017]可選地，在通入所述NH3氣體時(shí)，利用原位射頻電極對(duì)NH3進(jìn)行激活。
[0018]可選地，通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的氮化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的氮化硅層的厚度均勻性。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0020]本發(fā)明利用爐管原子層沉積工藝形成第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層，與現(xiàn)有技術(shù)采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼樱瑺t管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層、爐管TEOS工藝制作第二氧化硅層相比，本發(fā)明能夠精確控制第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層能夠在實(shí)現(xiàn)接近氮原子厚度的薄膜沉積，能夠精確控制第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層的厚度，并且具有較高的臺(tái)階覆蓋率，獲得更好的片內(nèi)均勻性和片間均勻性，從而改善最終形成的ONO結(jié)構(gòu)的形貌、均勻性和重復(fù)性；
[0021]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述第一氧化硅層、第二氧化硅層的爐管沉積工藝的溫度范圍為350-550攝氏度；形成所述氮化硅層的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度，與采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼?，爐管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層、爐管TEOS工藝制作第二氧化硅層的熱預(yù)算較高相比，能夠降低形成ONO結(jié)構(gòu)的熱預(yù)算；
[0022]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層利用多個(gè)制作周期形成，調(diào)整制作周期的數(shù)目，能調(diào)整形成的第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層、第二氧化硅層的厚度均勻性，不僅能夠保證爐管原子層沉積工藝的充分進(jìn)行，而且形成的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層具有較高的厚度均勻性；
[0023]進(jìn)一步優(yōu)化地，形成所述氮化硅層時(shí)，所述前驅(qū)體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入，可以保證特氣分布的均勻性，改善形成的氮化硅層的質(zhì)量。
[0024]進(jìn)一步優(yōu)化地，在通入所述NH3氣體時(shí)，利用原位射頻電極對(duì)NH3進(jìn)行激活，能減小負(fù)載效應(yīng)，提高形成的氮化硅層的質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法流程示意圖；
[0027]圖3-圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的ONO結(jié)構(gòu)側(cè)墻的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]現(xiàn)有技術(shù)中，第一氧化硅層和第二氧化硅層采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囍谱?，氮化硅工藝用爐管DCS NH3工藝制作，片內(nèi)工藝均勻性以及片間工藝均勻度不高，臺(tái)階覆蓋性不好，為了解決上述問題，本發(fā)明提出一種ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻結(jié)構(gòu)的制作方法，請(qǐng)參考圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)的ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法流程示意圖，所述方法包括:
[0029]步驟SI，采用爐管原子層沉積工藝，在柵極兩側(cè)和頂部形成第一二氧化硅層；
[0030]步驟S2，采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層上形成氮化硅層；
[0031]步驟S3，采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層上形成第二二氧化硅層，所述第二氧化硅層、氮化硅層、和第一氧化硅層形成ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻。
[0032]下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，為了更好地更好地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，請(qǐng)結(jié)合圖3-圖4所示的本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的ONO結(jié)構(gòu)側(cè)墻的制作方法剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]首先，請(qǐng)參考圖3，采用爐管原子層沉積工藝，在半導(dǎo)體襯底100和柵極110的兩側(cè)和頂部形成第一二氧化硅層120。與現(xiàn)有技術(shù)采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼?20相比，本發(fā)明能夠精確控制第一氧化硅層11在實(shí)現(xiàn)接近氮原子厚度的薄膜沉積，能夠精確控制第一氧化硅層120的厚度，并且具有較高的臺(tái)階覆蓋率，獲得更好的片內(nèi)均勻性和片間均勻性，從而改善最終形成的ONO結(jié)構(gòu)的形貌、均勻性和重復(fù)性。
[0034]本發(fā)明中，形成第一二氧化硅層120的溫度范圍為350-550攝氏度，與采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼拥臒犷A(yù)算較高相比，能夠降低形成ONO結(jié)構(gòu)的熱預(yù)算。優(yōu)選地，所述溫度范圍為370-530攝氏度，比如，所述溫度可以為370攝氏度、390攝氏度，450攝氏度，460攝氏度，530攝氏度等。作為一個(gè)實(shí)施例，形成采用所述爐管原子層沉積工藝形成所述第一氧化硅層120的溫度為450攝氏度。
[0035]所述第一氧化硅層120的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的第一氧化硅層120的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層120的厚度均勻性。通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層120的厚度均勻性，不僅能夠保證爐管原子層沉積工藝的充分進(jìn)行，而且形成的第一氧化硅層120具有較高的厚度均勻性。
[0036]然后，請(qǐng)參考圖4，采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層120上形成氮化硅層130。本發(fā)明利用爐管原子層沉積工藝形成氮化硅層130，與現(xiàn)有技術(shù)采用爐管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層相比，本發(fā)明能夠精確控制氮化硅層130能夠在實(shí)現(xiàn)接近氮原子厚度的薄膜沉積，能夠精確控制氮化硅層130的厚度，并且具有較高的臺(tái)階覆蓋率，獲得更好的片內(nèi)均勻性和片間均勻性，從而改善最終形成的ONO結(jié)構(gòu)的形貌、均勻性和重復(fù)性。
[0037]作為一個(gè)實(shí)施例，形成所述氮化硅層130的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度，比如，所述溫度可以為400攝氏度、450攝氏度、500攝氏度、550攝氏度或600攝氏度。與采用爐管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層的熱預(yù)算較高相比，本發(fā)明能夠降低形成ONO結(jié)構(gòu)的熱預(yù)算。
[0038]作為一個(gè)實(shí)施例，形成所述氮化硅層130的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。本發(fā)明可通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的氮化硅層130的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的氮化硅層的厚度均勻性。并且，在每一個(gè)制作周期內(nèi)，每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的氮化硅層130厚度均勻性，不僅能夠保證爐管原子層沉積工藝的充分進(jìn)行，而且形成的氮化硅層130具有較高的厚度均勻性。作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述前驅(qū)體特氣包括:DCS，所述凈化氣體包括:N2，所述特氣包括:NH3。本實(shí)施例中，所述前驅(qū)體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入。這樣可以保證特氣分布的均勻性，改善形成的氮化硅層的質(zhì)量。作為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在通入所述NH3氣體時(shí)，利用原位射頻電極對(duì)NH3進(jìn)行激活。這樣可以顯著減小負(fù)載效應(yīng)，提高形成的氮化硅層130的質(zhì)量。
[0039]請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層130上形成第二二氧化硅層140，第二二氧化硅層140、氮化硅層130、和第一氧化硅層120形成ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻?，F(xiàn)有技術(shù)采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻诙趸鑼?40相比，本發(fā)明能夠精確控制第二二氧化硅層140在實(shí)現(xiàn)接近氮原子厚度的薄膜沉積，能夠精確控制第二二氧化硅層140的厚度，并且具有較高的臺(tái)階覆蓋率，獲得更好的片內(nèi)均勻性和片間均勻性，從而改善最終形成的ONO結(jié)構(gòu)的形貌、均勻性和重復(fù)性。
[0040]本發(fā)明中，形成第二二氧化硅層140的溫度范圍為350-550攝氏度，與采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻诙趸鑼?40的熱預(yù)算較高相比，能夠降低形成ONO結(jié)構(gòu)的熱預(yù)算。優(yōu)選地，所述溫度范圍為370-530攝氏度，比如，所述溫度可以為370攝氏度、390攝氏度，450攝氏度，460攝氏度，530攝氏度等。作為一個(gè)實(shí)施例，形成采用所述爐管原子層沉積工藝形成所述第二二氧化硅層140的溫度為500攝氏度。
[0041]所述第二二氧化硅層140的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟
4、通入凈化氣體吹洗。通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的第二二氧化硅層140的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第二二氧化硅層140的厚度均勻性。通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第二二氧化硅層140的厚度均勻性，不僅能夠保證爐管原子層沉積工藝的充分進(jìn)行，而且形成的第二二氧化硅層140具有較高的厚度均勻性。
[0042]綜上，本發(fā)明利用爐管原子層沉積工藝形成第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層，與現(xiàn)有技術(shù)采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼?，爐管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層、爐管TEOS工藝制作第二氧化硅層相比，本發(fā)明能夠精確控制第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層能夠在實(shí)現(xiàn)接近氮原子厚度的薄膜沉積，能夠精確控制第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層的厚度，并且具有較高的臺(tái)階覆蓋率，獲得更好的片內(nèi)均勻性和片間均勻性，從而改善最終形成的ONO結(jié)構(gòu)的形貌、均勻性和重復(fù)性；
[0043]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述第一氧化硅層、第二氧化硅層的爐管沉積工藝的溫度范圍為350-550攝氏度；形成所述氮化硅層的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度，與采用爐管TEOS工藝或爐管高溫?zé)嵫趸に囆纬傻谝谎趸鑼樱瑺t管低壓DCS-SiH4工藝制備氮化硅層、爐管TEOS工藝制作第二氧化硅層的熱預(yù)算較高相比，能夠降低形成ONO結(jié)構(gòu)的熱預(yù)算；[0044]進(jìn)一步優(yōu)化地，所述第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層利用多個(gè)制作周期形成，調(diào)整制作周期的數(shù)目，能調(diào)整形成的第一氧化硅層、氮化硅層、第二氧化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層、第二氧化硅層的厚度均勻性，不僅能夠保證爐管原子層沉積工藝的充分進(jìn)行，而且形成的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層具有較高的厚度均勻性；
[0045]進(jìn)一步優(yōu)化地，形成所述氮化硅層時(shí)，所述前驅(qū)體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入，可以保證特氣分布的均勻性，改善形成的氮化硅層的質(zhì)量。
[0046]進(jìn)一步優(yōu)化地，在通入所述NH3氣體時(shí)，利用原位射頻電極對(duì)NH3進(jìn)行激活，能減小負(fù)載效應(yīng)，提高形成的氮化硅層的質(zhì)量。
[0047]因此，上述較佳實(shí)施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的制作方法，其特征在于，包括: 采用爐管原子層沉積工藝，在柵極兩側(cè)和頂部形成第一二氧化硅層； 采用爐管原子層沉積工藝，在所述第一二氧化硅層上形成氮化硅層； 采用爐管原子層沉積工藝，在所述氮化硅層上形成第二二氧化硅層，所述第二氧化硅層、氮化硅層、和第一氧化硅層形成ONO結(jié)構(gòu)的柵極側(cè)墻的柵極側(cè)墻。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用所述爐管原子層沉積工藝形成所述第一氧化硅層、第二氧化硅層的溫度范圍為350-550攝氏度。
3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅層或第二氧化硅層的爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅層或第二氧化硅層時(shí)，所述前驅(qū)體特氣包括:Si[N(CH3)]3H，所述凈化氣體包括:N2，所述特氣包括:03。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的第一氧化硅層和第二氧化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的第一氧化硅層、第二氧化硅層的厚度均勻性。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述氮化硅層的爐管原子層沉積工藝溫度范圍為400-600攝氏度。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述爐管原子層沉積工藝包括若干制作周期，每一制作周期包括步驟:步驟1、通入前驅(qū)體特氣；步驟2、通入凈化氣體吹洗；步驟3、通入特氣；步驟4、通入凈化氣體吹洗。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述前驅(qū)體特氣包括:DCS，所述凈化氣體包括:N2，所述特氣包括:NH3。
9.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述前驅(qū)體特氣、凈化氣體、特氣利用多孔石英管通入。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在通入所述NH3氣體時(shí)，利用原位射頻電極對(duì)NH3進(jìn)行激活。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，通過調(diào)整所述制作周期的數(shù)目，來調(diào)整形成的氮化硅層的厚度，通過調(diào)整制作周期內(nèi)的每個(gè)步驟的時(shí)間，來調(diào)整形成的氮化硅層的厚度均勻性。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK103489768SQ201310432329
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月22日
【發(fā)明者】江潤峰, 戴樹剛 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司