發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光器件。根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括：導電支承構件；在導電支承構件上的第一發(fā)光結構，該第一發(fā)光結構包括第一導電第一半導體層、在第一導電第一半導體層下方的第一有源層以及在第一有源層下方的第二導電第二半導體層；在導電支承構件上的第二發(fā)光結構，該第二發(fā)光結構包括第一導電第三半導體層、在所述第一導電第三半導體層下方的第二有源層以及在第二有源層下方的第二導電第四半導體層；圍繞第一發(fā)光結構的下部和第二發(fā)光結構的下部的溝道層；第一電極、第二電極、第三電極、以及第四電極；以及第一連接部、第二連接部和第三連接部。
【專利說明】發(fā)光器件
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單元。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管(LED)已被廣泛用作發(fā)光器件之一。LED通過使用化合物半導體特性將電信號轉換成光形式例如紅外光、紫外光以及可見光。
[0003]隨著發(fā)光器件的光效率提高，LED已經(jīng)用于各個領域，例如顯示裝置和照明電器。
【發(fā)明內容】

[0004]實施方案提供了能夠防止電流集中同時提高電可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單兀。
[0005]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件包括:導電支承構件；在導電支承構件上的第一發(fā)光結構，該第一發(fā)光結構包括第一導電第一半導體層、在第一導電第一半導體層下方的第一有源層以及在第一有源層下方的第二導電第二半導體層；在導電支承構件上的第二發(fā)光結構，該第二發(fā)光結構包括第一導電第三半導體層、在第一導電第三半導體層下方的第二有源層以及在第二有源層下方的第二導電第四半導體層；圍繞第一發(fā)光結構的下部和第二發(fā)光結構的下部的周圍的溝道層；第一電極，該第一電極電連接至第一導電第一半導體層；第二電極，該第二電極電連接至第二導電第二半導體層；第三電極，該第三電極電連接至第一導電第三半導體層；第四電極，該第四電極電連接至第二導電第四半導體層；第一連接部，該第一連接部電連接至第一電極和導電支承構件；第二連接部，該第二連接部電連接至第二電極和第三電極；以及第三連接部，該第三連接部電連接至第四電極，并且該第三連接部的一端設置在溝道層上。
[0006]實施方案提供了能夠防止電流集中同時提高電可靠性的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及光單元。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的視圖；
[0008]圖2至圖6是示出制造根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的方法的截面圖；
[0009]圖7是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的另一實例的截面圖；
[0010]圖8和圖9是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的修改方案的截面圖；
[0011]圖10是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件的視圖；
[0012]圖11是示出根據(jù)實施方案的顯示裝置的視圖；
[0013]圖12是示出根據(jù)實施方案的顯示裝置的另一實例的視圖；以及
[0014]圖13是示出根據(jù)實施方案的光單元的視圖。
【具體實施方式】[0015]在實施方案的描述中，應當理解，當層(或膜)、區(qū)域、圖案或結構被稱作在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或者另一圖案“上”或“下”時，其可以“直接地”或“間接地”在另一襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或圖案之上，或者還可以存在一個或者更多個中間層。已經(jīng)參照附圖描述了這樣的層位置。
[0016]為了方便或清楚，附圖中所示出的每個層的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性地繪制。另外，元件的尺寸并不完全地反映實際尺寸。
[0017]在下文中，將參照附圖詳細描述根據(jù)實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件、光單元以及用于制造發(fā)光器件的方法。
[0018]圖1是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的視圖。
[0019]如圖1所不，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一發(fā)光結構10、第二發(fā)光結構20、第一電極80、第二電極83、第三電極85、第四電極87以及導電支承構件70。 [0020]盡管作為一個實例在圖1中示出了在導電支承構件70之上設置第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20，但是也可以在導電支承構件70上設置三個發(fā)光結構或更多個發(fā)光結構。發(fā)光結構可以彼此電連接。例如，發(fā)光結構可以彼此串聯(lián)地電連接。
[0021]第一發(fā)光結構10可以包括第一導電第一半導體層11、第一有源層12以及第二導電第二半導體層13。第一有源層12可以設置在第一導電第一半導體層11與第二導電第二半導體層13之間。第一有源層12可以設置在第一導電第一半導體層11下方，并且第二導電第二半導體層13可以設置在第一有源層12下方。
[0022]第一導電第一半導體層11可以包括N型半導體層，該N型半導體層摻雜有用作第一導電摻雜劑的N型摻雜劑，第二導電第二半導體層13可以包括P型半導體層，該P型半導體層摻雜有用作第二導電摻雜劑的P型摻雜劑。另外，第一導電第一半導體層11可以包括P型半導體層，第二導電第二半導體層13可以包括N型半導體層。
[0023]例如，第一導電第一半導體層11可以包括N型半導體層。第一導電第一半導體層11可以通過使用化合物半導體來實現(xiàn)。第一導電第一半導體層11可以通過使用第I1-VI族化合物半導體或第II1-V族化合物半導體來實現(xiàn)。
[0024]例如，第一導電第一半導體層11可以通過使用具有組成式InxAlyGa1^yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y ( I)的半導體材料來實現(xiàn)。例如，第一導電第一半導體層11可以包括選自摻雜有N型摻雜劑例如S1、Ge、Sn、Se和Te的GaN、AlN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一種。
[0025]通過經(jīng)由第一導電第一半導體層11注入的電子(或者空穴)與經(jīng)由第二導電第二半導體層13注入的空穴(或者電子)的復合，第一有源層12發(fā)出具有與取決于構成有源層12的材料的能量帶隙差相對應的波長的光。第一有源層12可以具有單量子阱(SQW)結構、多量子阱(MQW)結構、量子點結構以及量子線結構中的一種結構，然而，實施方案不限于此。
[0026]例如，第一有源層12可以通過使用化合物半導體來實現(xiàn)。第一有源層12可以通過使用具有組成式InxAlyGa^yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的半導體材料來實現(xiàn)。當?shù)谝挥性磳?2具有MQW結構時，第一有源層12可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，第一有源層12可以具有InGaN阱層/ GaN勢壘層的周期。
[0027]例如，第二導電第二半導體層13可以包括P型半導體層。第二導電第二半導體層13可以通過使用化合物半導體來實現(xiàn)。例如，第二導電第二半導體層13可以通過使用第I1-VI族化合物半導體或第I1-V族化合物半導體來實現(xiàn)。
[0028]例如，第二導電第二半導體層13可以通過使用具有組成式Ir^AlyGamNOKx≤1，
l，0〈x+y〈l)的半導體材料來實現(xiàn)。例如，第二導電第二半導體層13可以包括選自
摻雜有 P 型摻雜劑例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba 的 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP 中的一種。
[0029]同時，第一導電第一半導體層11可以包括P型半導體層，并且第二導電第二半導體層13可以包括N型半導體層。另外，在第二導電第二半導體層13下方可以另外地設置包括N型半導體層或P型半導體層的半導體層。因此，第一發(fā)光結構10可以具有NP結結構、PN結結構、NPN結結構或PNP結結構中的至少一種結構。另外,可以以均一或不均一的摻雜濃度將雜質摻雜到第一導電第一半導體層11和第二導電第二半導體層13中。換言之，第一發(fā)光結構10可以具有各種結構，然而，實施方案不限于此。
[0030]另外，可以在第一導電第一半導體層11與第一有源層12之間形成第一導電InGaN / GaN超晶格結構或InGaN / InGaN超晶格結構。另外，可以在第二導電第二半導體層13與第一有源層12之間形成第二導電AlGaN層。
[0031]第二發(fā)光結構20可以包括第一導電第三半導體層21、第二有源層22以及第二導電第四半導體層23。第二有源層22可以設置在第一導電第三半導體層21與第二導電第四半導體層23之間。第二有源層22可以設置在第一導電第三半導體層21下方，并且第二導電第四半導體層23可以設置在第二有源層22下方。[0032]第二發(fā)光結構20的構造和組成可以與第一發(fā)光結構10的構造和組成類似。
[0033]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以被設置成高于第一有源層12的頂表面。溝道層30的頂表面可以被設置成高于第二有源層22的頂表面。
[0034]溝道層30可以圍繞第一有源層12。溝道層30可以圍繞第二導電第二半導體層13的外周部。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13下方。溝道層30的一端可以與第二導電第二半導體層13的底表面接觸。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13和第二電極83之間。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13和第一反射層17之間。
[0035]溝道層30可以圍繞第二有源層22。溝道層30可以圍繞第二導電第四半導體層23的外周部。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23下方。溝道層30的一端可以與第二導電第四半導體層23的底表面接觸。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23和第四電極87之間。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23和第二反射層27之間。
[0036]例如，溝道層30可以通過使用氧化物或者氮化物來實現(xiàn)。例如，溝道層30可以包括選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al2O3JiO2 以及 AlN 中的至少一種。溝道層 30 可以被稱作隔離層。溝道層30可以在后續(xù)對第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20執(zhí)行隔離工藝時用作蝕刻阻擋層。另外，通過隔離工藝，可以防止發(fā)光器件的電氣特性劣化。
[0037]第一電極80可以電連接至第一導電第一半導體層11。第一電極80可以設置在第一導電第一半導體層11上。第一電極80可以與第一導電第一半導體層11接觸。第一反射層17可以電連接至第二導電第二半導體層13。第一反射層17可以設置在第一發(fā)光結構10下方。第一反射層17可以設置在第二導電第二半導體層13下方。
[0038]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一反射層17和第二導電第二半導體層13之間的第一歐姆接觸層15。第一歐姆接觸層15可以與第二導電第二半導體層13接觸。
[0039]第一歐姆接觸層15可以與第一發(fā)光結構10進行歐姆接觸。第一歐姆接觸層15可以包括與第一發(fā)光結構10進行歐姆接觸的區(qū)域。第一反射層17可以電連接至第二導電第二半導體層13。另外，第一反射層17對從第一發(fā)光結構10入射至其上的光進行反射以增加提取到外部的光量。
[0040]例如，第一歐姆接觸層15可以包括透明導電氧化物層。例如，第一歐姆接觸層15可以包括選自以下中的至少一種:氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化鋁鋅(AZ0)、氧化鋁鎵鋅(AGZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti。
[0041]第一反射層17可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射層17可以包括包含以下中至少一種的金屬及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第一反射層17可以形成為金屬或其合金以及透射導電材料的多層，該透射導電材料例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)或者氧化銻錫(ATO)。例如，根據(jù)實施方案，第一反射層17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
[0042]例如，第一反射層17可以具有其中交替形成Ag層和Ni層的結構，并且可以包含Ni / Ag/Ni或Ti層以及Pt層。另外，第一歐姆接觸層15可以設置在第一反射層17下方，并且第一歐姆接觸層15的至少一部分可以通過第一反射層17與第一發(fā)光結構10進行歐姆接觸。
[0043]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一反射層17下方的第一金屬層35。第一金屬層35可以包括Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0044]根據(jù)實施方案，第二電極83可以包括第一反射層17、第一歐姆接觸層15和第一金屬層35中的至少一個層。例如，第二電極83可以包括第一反射層17、第一金屬層35和第一歐姆接觸層15中的所有層，或者可以選擇性地包括第一反射層17、第一金屬層35和第一歐姆接觸層15中的一個或者兩個層。構成第二電極83的第一反射層17、第一金屬層35和第一歐姆接觸層15的層疊順序可以改變。
[0045]第三電極85可以電連接至第一導電第三半導體層21。第三電極85可以設置在第一導電第三半導體層21上。第三電極85可以與第一導電第三半導體層21接觸。第二反射層27可以電連接至第二導電第四半導體層23。第二反射層27可以設置在第二發(fā)光結構20下方。第二反射層27可以設置在第二導電第四半導體層23下方。
[0046]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第二反射層27和第二導電第四半導體層23之間的第二歐姆接觸層25。第二歐姆接觸層25可以與第二導電第四半導體層23接觸。
[0047]第二歐姆接觸層25可以與第二發(fā)光結構20進行歐姆接觸。第二歐姆接觸層25可以包括與第二發(fā)光結構20進行歐姆接觸的區(qū)域。第二反射層27可以電連接至第二導電第四半導體層23。另外，第二反射層27對從第二發(fā)光結構20入射至其上的光進行反射以增加提取到外部的光量。
[0048]例如，第二歐姆接觸層25可以包括透明導電氧化物層。例如，第二歐姆接觸層25可以包括選自以下中的至少一種:氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化鋁鋅(AZ0)、氧化鋁鎵鋅(AGZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO 氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag以及Ti。
[0049]第二反射層27可以包括具有高反射率的材料。例如，第二反射層27可以包括包含以下中至少一種的金屬及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第二反射層27可以形成為金屬或其合金以及透射導電材料的多層，該透射導電材料例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)或者氧化銻錫(ATO)。例如，根據(jù)實施方案，第二反射層27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag—Cu合金中的至少一種。
[0050]例如，第二反射層27可以具有其中交替形成Ag層和Ni層的結構，并且可以包含Ni / Ag/Ni或Ti層以及Pt層。另外，第二歐姆接觸層25可以設置在第二反射層27下方，并且第二歐姆接觸層25的至少一部分可以通過第二反射層27與第二發(fā)光結構20進行歐姆接觸。
[0051]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第二反射層27下方的第二金屬層45。第二金屬層45可以包括Au、Cu、N1、T1、Ti一W、Cr、W、Pt、V、Fe以及MO中的至少一種。
[0052]根據(jù)實施方案，第四電極87可以包括第二反射層27、第二歐姆接觸層25和第二金屬層45中的至少一個層。例如，第四電極87可以包括第二反射層27、第二金屬層45和第二歐姆接觸層25中的所有層，或者可以選擇性地包括第二反射層27、第二金屬層45和第二歐姆接觸層25中的一個或者兩個層。構成第四電極87的第二反射層27、第二歐姆接觸層25和第二金屬層45的層疊順序可以改變。
[0053]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一金屬層35下方的第三金屬層50。第三金屬層50可以設置在第二金屬層45下方。
[0054]第三金屬層50可以包括Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
第三金屬層50可以用作擴散阻擋層。可以在第三金屬層50下方設置第一接合層60和導電支承構件70。
[0055]第三金屬層50可以防止在設置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴散至第一反射層17和第二反射層27。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料例如鋅(Sn)影響第一反射層17和第二反射層27。
[0056]接合層60可以包括阻擋金屬或接合金屬。例如,接合層60可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。根據(jù)實施方案的導電支承構件70可以支承第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20,同時執(zhí)行散熱功能。接合層60可以以籽層的形式來實現(xiàn)。
[0057]例如，導電支承構件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質的半導體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種。
[0058]根據(jù)實施方案,可以通過第一電極80和第二電極83來將電力施加至第一發(fā)光結構10。根據(jù)實施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層以及上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第一電極80可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0059]可以在第一導電第一半導體層11的頂表面上形成粗糙結構。因此，可以增加在其中形成有粗糙結構的區(qū)域處向上提取的光量。
[0060]根據(jù)實施方案，可以通過第三電極85和第四電極87來將電力施加至第二發(fā)光結構20。根據(jù)實施方案，第三電極85可以包括歐姆層、中間層以及上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第三電極85可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0061]可以在第一導電第三半導體層21的頂表面上形成粗糙結構。因此，可以增加在其中形成有粗糙結構的區(qū)域處向上提取的光量。
[0062]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一金屬層35與第三金屬層50之間的絕緣層40。絕緣層40可以使第一金屬層35與第三金屬層50絕緣。絕緣層40可以使第一金屬層35與導電支承構件70絕緣。例如，絕緣層40可以通過使用氧化物或者氮化物來實現(xiàn)。例如，絕緣層 40 可以包括選自 Si02、Six0y、Si3N4'SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一種。
[0063]絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。絕緣層40的一部分可以與第一反射層17的側面接觸。絕緣層40的頂表面可以在第一發(fā)光結構10的下部的外周部處露出。絕緣層40可以圍繞溝道層30的外周部。
[0064]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第二金屬層45與第三金屬層50之間的絕緣層40。絕緣層40可以使第二金屬層45與第三金屬層50彼此絕緣。絕緣層40可以使第二金屬層45與導電支承構件70彼此絕緣。絕緣層40可以設置在第一金屬層35與第二金屬層45之間。絕緣層40可以使第一金屬層35與第二金屬層45彼此絕緣。
[0065]絕緣層40可以圍繞第二金屬層45的外周部。絕緣層40的一部分可以與第二反射層27的側面接觸。絕緣層40的頂表面可以在第二發(fā)光結構20的下部的外周部處露出。絕緣層40可以圍繞溝道層30的外周部。
[0066]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90、第二連接部95和第三連接部97。第一連接部90可以電連接至第一電極80和導電支承構件70。第二連接部95可以電連接至第二電極83與第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30的上方。第三連接部97可以電連接至第二反射層27。
[0067]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以與第三金屬層50接觸。第一連接部90可以穿過第三金屬層50和接合層60電連接至導電支承構件70。第一連接部90可以與接合層60或導電支承構件70直接接觸。
[0068]第一連接部90可以被設置成穿過絕緣層40。第一連接部90可以穿過絕緣層40電連接至導電支承構件70。另外，第一連接部90可以穿過溝道層30電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以穿過溝道層30和絕緣層40電連接至第三金屬層50。
[0069]第一連接部90可以設置在第一發(fā)光結構10的側面處。第一連接部90可以設置在第一導電第一半導體層11的側面處。第一連接部90可以與第一導電第一半導體層11的側面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與第一有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導電第二半導體層13絕緣。第一連接部90可以與第一有源層12間隔開至少3 ii m。
[0070]第二連接部95可以設置在第二發(fā)光結構20的側面處。第二連接部95可以設置在第一導電第三半導體層21的側面處。第二連接部95可以與第一導電第三半導體層21的側面接觸。溝道層30可以使第二連接部95與第二有源層22絕緣。溝道層30可以使第二連接部95與第二導電第四半導體層23絕緣。第二連接部95可以與第二有源層22間隔開至少3 ii m。
[0071]第三連接部97可以電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以與第二金屬層45接觸。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97的一端可以與第二發(fā)光結構20的側面間隔開。第三連接部97的一端可以在第二發(fā)光結構20的側面露出。
[0072]第三連接部97可以穿過溝道層30電連接至第二金屬層45。另外，第三連接部97穿過絕緣層40電連接至第二金屬層45。第三連接部97電連接至第四電極87。第三連接部97可以與第四電極87接觸。
[0073]第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0074]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，第二電極83可以穿過設置在第二電極83下方的導電支承構件70電連接至設置在第二電極83上的第一導電第一半導體層11。第二電極83可以設置在第二導電第二半導體層13和導電支承構件70之間。
[0075]因此，可以通過將導電支承構件70附接至接合焊墊的方案來向第一導電第一半導體層11提供電力。另外，根據(jù)實施方案，第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。因此，通過將第三連接部97以導線接合方案連接至電源墊，可以向第二導電第二半導體層13提供電力。
[0076]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以通過導電支承構件70和第三連接部97來向第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20提供電力。因此，根據(jù)實施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0077]在下文中，將參照圖2至圖6來描述制造根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的方法。
[0078]根據(jù)制造實施方案的發(fā)光器件的方法，如圖2所示，可以在襯底5上形成第一導電半導體層11a、有源層12a和第二導電半導體層13a?？梢詫⒌谝粚щ姲雽w層11a、有源層12a和第二導電半導體層13a定義為發(fā)光結構10a。
[0079]例如，襯底5可以包括藍寶石襯底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP以及Ge中的至少一種,然而,實施方案不限于此?？梢栽诘谝粚щ姲雽w層Ila和襯底5之間設
置緩沖層。
[0080]第一導電半導體層Ila可以包括N型半導體層，該N型半導體層摻雜有用作第一導電摻雜劑的N型摻雜劑，并且第二導電半導體層13a可以包括P型半導體層，該P型半導體層摻雜有用作第二導電摻雜劑的P型摻雜劑。另外，第一導電半導體層Ila可以包括P型半導體層，并且第二導電半導體層13a可以包括N型半導體層。
[0081]例如,第一導電半導體層Ila可以包括N型半導體。第一導電半導體層Ila可以包括具有組成式InxAlyGa1IyN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤I)的半導體材料。例如，第一導電半導體層I Ia可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、Al InN、InGaN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有N型摻雜劑，例如S1、Ge、Sn、Se以及Te。
[0082]通過經(jīng)由第一導電半導體層Ila注入的電子(或空穴)與經(jīng)由第二導電半導體層13a注入的空穴(或電子)的復合，有源層12a發(fā)出具有與取決于構成有源層12a的材料的能量帶隙差相對應的波長的光。有源層12a可以具有單量子阱(SQW)結構、多量子阱(MQW)結構、量子點結構、量子線結構中的一種結構，然而，實施方案不限于此。
[0083]有源層12a可以通過使用具有組成式InxAlyGanyN(0≤x≤1，0≤y≤1，0 ^ x+y ^ I)的半導體材料來實現(xiàn)。當有源層12a具有MQW結構時，有源層12a可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，有源層12a可以具有InGaN阱層/ GaN勢壘層的周期。
[0084]例如，第二導電半導體層13a可以通過使用P型半導體來實現(xiàn)。第二導電半導體層13a可以通過使用具有組成式InxAlyGa1IyN(0 x ^ 1,0 ^ y ^ 1,0≤x+y ( I)的半導體材料來實現(xiàn)。例如，第二導電半導體層13a可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有P型摻雜劑，例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba。
[0085]同時，第一導電半導體層Ila可以包含P型半導體層，并且第二導電半導體層13a可以包含N型半導體層。另外，在第二導電半導體層13a上可以另外地設置包括N型或P型半導體層的半導體層。因此，發(fā)光結構IOa可以具有NP結結構、PN結結構、NPN結結構或者PNP結結構中的至少一種結構。另外，可以以均一或不均一的摻雜濃度將雜質摻雜入第一導電半導體層Ua和第二導電半導體層13a中。換言之，發(fā)光結構IOa可以具有各種結構，然而，實施方案不限于此。
[0086]另外,可以在第一導電半導體層Ila與有源層12a之間形成第一導電InGaN/ GaN超晶格結構或InGaN / InGaN超晶格結構。另外，可以在第二導電半導體層13a與有源層12a之間形成第二導電AlGaN層。
[0087]接下來，如圖3所示，可以通過對發(fā)光結構IOa執(zhí)行蝕刻方案來露出第一導電半導體層Ila的一部分。在此情況下，蝕刻可以包括濕法蝕刻方案或干法蝕刻方案。在此情況下，第一有源層12和第二導電第二半導體層13構成后面的第一發(fā)光結構,而第二有源層22和第二導電第四半導體層23構成后面的第二發(fā)光結構。
[0088]接下來，如圖4所示，可以形成溝道層30、第一歐姆接觸層15和第二歐姆接觸層25以及第一反射層17和第二反射層27。
[0089]例如，溝道層30 可以包括選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN中的至少一種。
[0090]第一歐姆接觸層15可以設置在第一反射層17和第二導電第二半導體層13之間。第一歐姆接觸層15可以與第二導電第二半導體層13接觸。第一反射層17可以電連接至第二導電第二半導體層13。第一歐姆接觸層15可以包括與第二導電第二半導體層13進行歐姆接觸的區(qū)域。[0091]第二歐姆接觸層25可以設置在第二反射層27和第二導電第四半導體層23之間。第二歐姆接觸層25可以與第二導電第四半導體層23接觸。第二反射層27可以電連接至第二導電第四半導體層23。第二歐姆接觸層25可以包括與第二導電第四半導體層23進行歐姆接觸的區(qū)域。
[0092]例如，第一歐姆接觸層15和第二歐姆接觸層25可以包括透明導電氧化物層。例如，第一歐姆接觸層15和第二歐姆接觸層25可以包括選自以下中的至少一種:氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋁鎵鋅(AGZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、IZO氮化物(IZON)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag 以及 Ti。
[0093]第一反射層17和第二反射層27可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射層17和第二反射層27可以包括包含以下中的至少一種的金屬及其合金:Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au以及Hf。另外，第一反射層17和第二反射層27可以形成為金屬或其合金以及透射導電材料的多層，該透射導電材料例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(1AZ0)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)或氧化銻錫物(ATO)。例如，根據(jù)實施方案，第一反射層17和第二反射層27可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。例如,第一反射層17和第二反射層27可以具有其中交替形成Ag層和Ni層的結構，并且第一反射層17和第二反射層27可以包括Ni / Ag/Ni或Ti層以及Pt層。
[0094]如圖5所示，在第一反射層17上形成第一金屬層35，并且在第二反射層27上形成第二金屬層45。然后,可以在第一金屬層35和第二金屬層45上形成絕緣層40、第三金屬層50、接合層60以及導電支承構件70。
[0095]第一金屬層35和第二金屬層45可以包括選自Au、Cu、N1、T1、Ti—W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0096]根據(jù)實施方案，第二電極83可以包括第一反射層17、第一歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個層。第四電極87可以包括第二反射層27、第二歐姆接觸層25以及第二金屬層45中的至少一個層。
[0097]絕緣層40可以使第一金屬層35與第三金屬層50絕緣。絕緣層40可以使第一金屬層35與導電支承構件70絕緣。絕緣層40可以使第二金屬層45與第三金屬層50絕緣。絕緣層40可以使第二金屬層45與導電支承構件70絕緣。絕緣層40可以使第一金屬層35與第二金屬層45絕緣。
[0098]例如，絕緣層40可以通過使用氧化物或氮化物來實現(xiàn)。例如，絕緣層40可以包括選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一種。
[0099]絕緣層40可以圍繞第一金屬層35的外周部。絕緣層40的一部分可以與第一反射層17的側面接觸。絕緣層40可以圍繞溝道層30的外周部。絕緣層40可以圍繞第二金屬層45的外周部。絕緣層40的一部分可以與第二反射層27的側面接觸。
[0100]第三金屬層50可以包括&1、祖、！1、11-1、0、1、？扒￥、？6以及Mo中的至少一種。第三金屬層50可以用作擴散阻擋層。
[0101]第三金屬層50可以防止在設置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴散至第一反射層17和第二反射層27。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料例如鋅(Sn)影響第一反射層17和第二反射層27。
[0102]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。導電支承構件70可以支承根據(jù)實施方案的發(fā)光結構，同時執(zhí)行散熱功能。接合層60可以以籽層的形式來實現(xiàn)。
[0103]例如，導電支承構件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質的半導體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種。
[0104]接下來，從第一導電半導體層Ila移除襯底5。根據(jù)一個實例，可以通過激光剝離(LLO)工藝來移除襯底5。LLO工藝是一種通過輻射激光至襯底5的底表面來將襯底從第一導電半導體層Ila分離的工藝。
[0105]另外，如圖6所示，通過隔離蝕刻工藝來對第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的側面進行蝕刻以露出溝道層30的一部分。在此情況下，可以露出絕緣層40的一部分。隔離蝕刻工藝可以通過干法蝕刻工藝如電感耦合等離子體(ICP)來執(zhí)行，然而實施方案不限于此。
[0106]可以在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的頂表面上形成粗糙結構。因此，可以在發(fā)光結構10和發(fā)光結構20的頂表面上設置光提取圖案?？梢栽诘谝话l(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20上設置凹凸圖案。例如，可以通過光電化學(PEC)蝕刻工藝來形成設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20上的光提取圖案。因此，根據(jù)實施方案，可以提高外部光提取效果。
[0107]接下來，如圖6所示，可以形成第一電極80、第三電極85以及第一連接部90、第二連接部95和第三連接部97。
[0108]根據(jù)實施方案，可以通過第一電極80和第二電極83將電力施加至第一發(fā)光結構
10。根據(jù)實施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層和上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第一電極80可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0109]根據(jù)實施方案，可以通過第三電極85和第四電極87將電力施加至第二發(fā)光結構
20。根據(jù)實施方案，第三電極85可以包括歐姆層、中間層和上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第三電極85可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0110]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90、第二連接部95和第三連接部97。第一連接部90可以電連接至第一電極80和導電支承構件70。第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97可以電連接至第二反射層27。
[0111]第一連接部90可以與第一電極80接觸。第一連接部90可以電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以與第三金屬層50接觸。第一連接部90可以穿過第三金屬層50和接合層60電連接至導電支承構件70。
[0112]第一連接部90可以被設置成穿過絕緣層40。第一連接部90可以穿過絕緣層40電連接至導電支承構件70。第一連接部90可以穿過溝道層30電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以穿過溝道層30和絕緣層40電連接至第三金屬層50。
[0113]第一連接部90可以設置在第一發(fā)光結構10的側面。第一連接部90可以設置在第一導電第一半導體層11的側面處。第一連接部90可以與第一導電第一半導體層11的側面接觸。溝道層30可以使第一連接部90和第一有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導電第二半導體層13絕緣。第一連接部90可以與第一有源層12間隔開至少3iim的距離。
[0114]第二連接部95可以設置在第二發(fā)光結構20的側面處。第二連接部95可以設置在第一導電第三半導體層21的側面。第二連接部95可以與第一導電第三半導體層21的側面接觸。溝道層30可以使第二連接部95與第二有源層22絕緣。溝道層30可以使第二連接部95與第二導電第四半導體層23絕緣。第二連接部95可以與第二有源層22間隔開至少3 ii m。
[0115]第三連接部97可以電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以與第二金屬層45接觸。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97的一端可以與第二發(fā)光結構20的側面間隔開。第三連接部97的一端可以在第二發(fā)光結構20的側面露出。
[0116]第三連接部97可以穿過溝道層30電連接至第二金屬層45。另外，第三連接部97可以穿過絕緣層40電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97可以與第四電極87接觸。
[0117]第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0118]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，第二電極83可以通過穿過設置在第二電極83下方的導電支承構件70而電連接至設置在第二電極83上的第一導電第一半導體層11。第二電極83可以設置在第二導電第二半導體層13和導電支承構件70之間。
[0119]因此，可以通過將導電支承構件70附接至接合焊墊的方案來向第一導電第一半導體層11提供電力。另外，根據(jù)實施方案，第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。因此，通過將第三連接部97以導線接合方案連接至電源墊，可以向第二導電第二半導體層13提供電力。
[0120]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以通過導電支承構件70和第三連接部97來向第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20提供電力。因此，根據(jù)實施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0121]同時，為了說明目的，提供了形成上述每個層的過程，但是可以以各種方式來修改其工藝順序。
[0122]圖7是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的又一實例的截面圖。在下面關于圖7所示的發(fā)光器件的描述中，為了避免冗余，將不再描述與參照圖1所述的那些部件和結構相同的部件和結構。
[0123]根據(jù)圖7所示的實施方案，溝道層30可以設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處，并且絕緣層40可以不在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處露出。
[0124]根據(jù)實施方案的發(fā)光結構可以包括設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以被設置成高于第一有源層12的頂表面。溝道層30的頂表面可以被設置成高于第二有源層22的頂表面。
[0125]溝道層30可以圍繞第一有源層12。溝道層30可以圍繞第二導電第二半導體層13的外周部。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13下方。溝道層30的一端可以與第二導電第二半導體層13的底表面接觸。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13與第二電極83之間。溝道層30的一端可以設置在第二導電第二半導體層13與第一反射層17之間。
[0126]溝道層30可以圍繞第二有源層22。溝道層30可以圍繞第二導電第四半導體層23的外周部。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23下方。溝道層30的一端可以與第二導電第四半導體層23的底表面接觸。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23與第四電極87之間。溝道層30的一端可以設置在第二導電第四半導體層23與第二反射層27之間。
[0127]例如，溝道層30可以通過使用氧化物或氮化物來實現(xiàn)，例如，溝道層30可以包括選自 Si02、Six0y、Si3N4'SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2 以及 AlN 中的至少一種。溝道層 30 可以被稱作隔離層。溝道層30可以在后續(xù)對第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20執(zhí)行隔離工藝時用作蝕刻阻擋層。另外，通過隔離工藝，可以防止發(fā)光結構的電氣特性劣化。
[0128]根據(jù)實施方案，可以通過第一電極80和第二電極83來將電力施加至第一發(fā)光結構10。根據(jù)實施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層以及上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第一電極80可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0129]根據(jù)實施方案，可以通過第三電極85和第四電極87來將電力施加至第二發(fā)光結構20。根據(jù)實施方案，第三電極85可以包括歐姆層、中間層以及上層，歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第三電極85可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0130]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97。第一連接部90可以電連接至第一電極80和導電支承構件70。第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上方。第三連接部97可以電連接至第二反射層27。[0131 ] 第一連接部90可以與第一電極80接觸，第一連接部90可以電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以與第三金屬層50接觸。第一連接部90可以穿過第三金屬層50和接合層60電連接至導電支承構件70。第一連接部90可以與接合層60或導電支承構件70直接接觸。
[0132]第一連接部90可以被設置成穿過絕緣層40。第一連接部90可以穿過絕緣層40電連接至導電支承構件70。另外，第一連接部90可以穿過溝道層30電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以穿過溝道層30和絕緣層40電連接至第三金屬層50。
[0133]第一連接部90可以設置在第一發(fā)光結構10的側面處。第一連接部90可以設置在第一導電第一半導體層11的側面處。第一連接部90可以與第一導電第一半導體層11的側面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與第一有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導電第二半導體層13絕緣。第一連接部90可以與第一有源層12間隔開至少3 ii m。
[0134]第二連接部95可以設置在第二發(fā)光結構20的側面處。第二連接部95可以設置在第一導電第三半導體層21的側面處。第二連接部95可以與第一導電第三半導體層21的側面接觸。溝道層30可以使第二連接部95與第二有源層22絕緣。溝道層30可以使第二連接部95與第二導電第四半導體層23絕緣。第二連接部95可以與第二有源層22間隔開至少3 ii m。
[0135]第三連接部97可以電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以與第二金屬層45接觸。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97的一端可以與第二發(fā)光結構20的側面間隔開。第三連接部97的一端可以在第二發(fā)光結構20的側面露出。
[0136]第三連接部97可以穿過溝道層30電連接至第二金屬層45。另外，第三連接部97可以穿過絕緣層40電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97可以與第四電極87接觸。
[0137]第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0138]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，第二電極83可以穿過設置在第二電極83下方的導電支承構件70電連接至設置在第二電極83上的第一導電第一半導體層11。第二電極83可以設置在第二導電第二半導體層13與導電支承構件70之間。
[0139]因此，可以通過將導電支承構件70附接至接合焊墊的方案來向第一導電第一半導體層11提供電力。另外，根據(jù)實施方案，第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。因此，通過將第三連接部97以導線接合方案連接至電源墊，可以向第二導電第二半導體層13提供電力。
[0140]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以通過導電支承構件70和第三連接部97來向第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20提供電力。因此，根據(jù)實施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0141]圖8是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的另一示例的截面圖。在下面關于圖8所示的發(fā)光器件的描述中，為了避免冗余，將不再描述與參照圖1所述的那些部件和結構相同的部件和結構。
[0142]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以在第一發(fā)光結構10下方設置第一歐姆反射層19。第一歐姆反射層19可以被實現(xiàn)成使得第一歐姆反射層19用作第一反射層17和第一歐姆接觸層15兩者。因此，第一歐姆反射層19可以與第二導電第二半導體層13進行歐姆接觸，并且可以在其上對來自第一發(fā)光結構10的光進行反射。
[0143]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以在第二發(fā)光結構20下方設置第二歐姆反射層29。第二歐姆反射層29可以被實現(xiàn)成使得第二歐姆反射層29用作第二反射層27和第二歐姆接觸層25兩者。因此，第二歐姆反射層29可以與第二導電第四半導體層23進行歐姆接觸，并且可以在其上對來自第二發(fā)光結構20的光進行反射。
[0144]在此情況下，第一歐姆反射層19和第二歐姆反射層29可以包括多個層。例如，第一歐姆反射層19和第二歐姆反射層29可以具有其中交替形成Ag層和Ni層的結構，或者可以包含Ni / Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0145]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以被設置成高于第一有源層12的頂表面。溝道層30的頂表面可以被設置成高于第二有源層22的頂表面。
[0146]根據(jù)實施方案，可以通過第一電極80和第二電極83來將電力施加至第一發(fā)光結構10。根據(jù)實施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層以及上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第一電極80可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0147]根據(jù)實施方案，可以通過第三電極85和第四電極87來將電力施加至第二發(fā)光結構20。根據(jù)實施方案，第三電極85可以包括歐姆層、中間層以及上層，歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第三電極85可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0148]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97。第一連接部90可以電連接至第一電極80和導電支承構件70。第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上方。第三連接部97可以電連接至第二反射層27。
[0149]第一連接部90可以與第一電極80接觸，第一連接部90可以電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以與第三金屬層50接觸。第一連接部90可以穿過第三金屬層50和接合層60電連接至導電支承構件70。第一連接部90可以與接合層60或導電支承構件70直接接觸。
[0150]第一連接部90可以被設置成穿過絕緣層40。第一連接部90可以穿過絕緣層40電連接至導電支承構件70。另外，第一連接部90可以穿過溝道層30電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以穿過溝道層30和絕緣層40電連接至第三金屬層50。
[0151]第一連接部90可以設置在第一發(fā)光結構10的側面處。第一連接部90可以設置在第一導電第一半導體層11的側面處。第一連接部90可以與第一導電第一半導體層11的側面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與第一有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導電第二半導體層13絕緣。第一連接部90可以與第一有源層12間隔開至少3 ii m。
[0152]第二連接部95可以設置在第二發(fā)光結構20的側面處。第二連接部95可以設置在第一導電第三半導體層21的側面處。第二連接部95可以與第一導電第三半導體層21的側面接觸。溝道層30可以使第二連接部95與第二有源層22絕緣。溝道層30可以使第二連接部95與第二導電第四半導體層23絕緣。第二連接部95可以與第二有源層22間隔開至少3 ii m。
[0153]第三連接部97可以電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以與第二金屬層45接觸。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97的一端可以與第二發(fā)光結構20的側面間隔開。第三連接部97的一端可以在第二發(fā)光結構20的側面露出。
[0154]第三連接部97可以穿過溝道層30電連接至第二金屬層45。另外，第三連接部97可以穿過絕緣層40電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97可以與第四電極87接觸。
[0155]第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0156]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，第二電極83可以穿過設置在第二電極83下方的導電支承構件70電連接至設置在第二電極83上的第一導電第一半導體層11。第二電極83可以設置在第二導電第二半導體層13與導電支承構件70之間。
[0157]因此，可以通過將導電支承構件70附接至接合焊墊的方案來向第一導電第一半導體層11提供電力。另外，根據(jù)實施方案，第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。因此，通過將第三連接部97以導線接合方案連接至電源墊，可以向第二導電第二半導體層13提供電力。
[0158]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以通過導電支承構件70和第三連接部97來向第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20提供電力。因此，根據(jù)實施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0159]圖9是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件的又一實例的截面圖。在下面關于圖9所示的發(fā)光器件的描述中，為了避免冗余，將不再描述與參照圖1所述的那些部件和結構相同的部件和結構。
[0160]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以在第一發(fā)光結構10下方設置第一歐姆反射層19。第一歐姆反射層19可以被實現(xiàn)成使得第一歐姆反射層19用作第一反射層17和第一歐姆接觸層15兩者。因此，第一歐姆反射層19可以與第二導電第二半導體層13進行歐姆接觸，并且可以在其上對來自第一發(fā)光結構10的光進行反射。
[0161]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以在第二發(fā)光結構20下方設置第二歐姆反射層29。第二歐姆反射層29可以被實現(xiàn)成使得第二歐姆反射層29用作第二反射層27和第二歐姆接觸層25兩者。因此，第二歐姆反射層29可以與第二導電第四半導體層23進行歐姆接觸，并且可以在其上對來自第二發(fā)光結構20的光進行反射。
[0162]在此情況下，第一歐姆反射層19和第二歐姆反射層29可以包括多個層。例如，第一歐姆反射層19和第二歐姆反射層29可以具有其中交替形成Ag層和Ni層的結構，或者可以包含Ni / Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0163]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括設置在第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20的下部的外周部處的溝道層30。例如，溝道層30的頂表面可以被設置成高于第一有源層12的頂表面。溝道層30的頂表面可以被設置成高于第二有源層22的頂表面。
[0164]根據(jù)實施方案，可以通過第一電極80和第二電極83來將電力施加至第一發(fā)光結構10。根據(jù)實施方案，第一電極80可以包括歐姆層、中間層以及上層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第一電極80可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0165]根據(jù)實施方案，可以通過第三電極85和第四電極87來將電力施加至第二發(fā)光結構20。根據(jù)實施方案，第三電極85可以包括歐姆層、中間層以及上層，歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn中的材料，并且可以進行歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu和Al中的材料來實現(xiàn)。例如，上層可以包括Au。第三電極85可以包括選自Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0166]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件可以包括第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97。第一連接部90可以電連接至第一電極80和導電支承構件70。第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上方。第三連接部97可以電連接至第二反射層27。
[0167]第一連接部90可以與第一電極80接觸，第一連接部90可以電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以與第三金屬層50接觸。第一連接部90可以穿過第三金屬層50和接合層60電連接至導電支承構件70。第一連接部90可以與接合層60或導電支承構件70直接接觸。
[0168]第一連接部90可以被設置成穿過絕緣層40。第一連接部90可以穿過絕緣層40電連接至導電支承構件70。另外，第一連接部90可以穿過溝道層30電連接至第三金屬層50。第一連接部90可以穿過溝道層30和絕緣層40電連接至第三金屬層50。
[0169]第一連接部90可以設置在第一發(fā)光結構10的側面處。第一連接部90可以設置在第一導電第一半導體層11的側面處。第一連接部90可以與第一導電第一半導體層11的側面接觸。溝道層30可以使第一連接部90與第一有源層12絕緣。溝道層30可以使第一連接部90與第二導電第二半導體層13絕緣。第一連接部90可以與第一有源層12間隔開至少3 ii m。
[0170]第二連接部95可以設置在第二發(fā)光結構20的側面處。第二連接部95可以設置在第一導電第三半導體層21的側面處。第二連接部95可以與第一導電第三半導體層21的側面接觸。溝道層30可以使第二連接部95與第二有源層22絕緣。溝道層30可以使第二連接部95與第二導電第四半導體層23絕緣。第二連接部95可以與第二有源層22間隔開至少3 ii m。
[0171]第三連接部97可以電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以與第二金屬層45接觸。第三連接部97的一端可以設置在溝道層30上。第三連接部97的一端可以與第二發(fā)光結構20的側面間隔開。第三連接部97的一端可以在第二發(fā)光結構20的側面露出。
[0172]第三連接部97可以穿過溝道層30電連接至第二金屬層45。另外，第三連接部97可以穿過絕緣層40電連接至第二金屬層45。第三連接部97可以電連接至第四電極87。第三連接部97可以與第四電極87接觸。
[0173]第一連接部90、第二連接部95以及第三連接部97可以包括Cr、V、W、T1、Zn、N1、Pt、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。
[0174]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，第二電極83可以穿過設置在第二電極83下方的導電支承構件70電連接至設置在第二電極83上的第一導電第一半導體層11。第二電極83可以設置在第二導電第二半導體層13與導電支承構件70之間。
[0175]因此，可以通過將導電支承構件70附接至接合焊墊的方案來向第一導電第一半導體層11提供電力。另外，根據(jù)實施方案，第二連接部95可以電連接至第二電極83和第三電極85。第三連接部97可以電連接至第四電極87。因此，通過將第三連接部97以導線接合方案連接至電源墊，可以向第二導電第二半導體層13提供電力。
[0176]根據(jù)實施方案的發(fā)光器件，可以通過導電支承構件70和第三連接部97向第一發(fā)光結構10和第二發(fā)光結構20提供電力。因此，根據(jù)實施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0177]圖10是示出根據(jù)實施方案的發(fā)光器件應用于其中的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0178]參照圖10，根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件包括:本體120 ;形成在本體120上的第一引線電極131和第二引線電極132 ;發(fā)光器件100，該發(fā)光器件100設置在本體120上并且電連接至第一引線電極131和第二引線電極132 ;以及圍繞發(fā)光器件100的模制構件140。
[0179]本體120可以包括硅樹脂、合成樹脂或金屬材料，并且可以在發(fā)光器件100的附近
形成傾斜表面。
[0180]第一引線電極131和第二引線電極132彼此電隔離以向發(fā)光器件100提供電力。第一引線電極131和第二引線電極132可以通過對從發(fā)光器件100發(fā)出的光進行反射來提高光效率。此外，第一引線電極131和第二引線電極132將從發(fā)光器件100生成的熱量耗散到外部。
[0181]發(fā)光器件100可以安裝在本體120或者第一引線電極131或第二引線電極132上。
[0182]可以通過導線方案、倒裝芯片方案以及管芯接合方案之一將發(fā)光器件100電連接至第一引線電極131和第二引線電極132。
[0183]模制構件140可以圍繞發(fā)光器件100以保護發(fā)光器件100。另外，模制構件140可以包括磷光體以改變從發(fā)光器件100發(fā)出的光的波長。
[0184]可以將根據(jù)實施方案的多個發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件排列在板上，并且可以將包括透鏡、導光板、棱鏡片或擴散片的光學構件設置在從發(fā)光器件封裝件發(fā)出的光的光路上。發(fā)光器件封裝件、板以及光學構件可以用作光單元。光單元實現(xiàn)成頂視型或側視型，并且被以不同方式設置在便攜式終端和膝上型電腦的顯示裝置或照明裝置以及指示器裝置中。另外，根據(jù)另一實施方案的照明裝置可以包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件。例如，照明裝置可以包括燈、信號燈、電子廣告牌或車輛的前燈。
[0185]可以將根據(jù)實施方案的發(fā)光器件應用于光單兀。光單兀具有其中排列了多個發(fā)光器件的結構。光單元包括如圖11和圖12所示的顯示裝置以及如圖13所示的照明裝置。
[0186]參照圖11，根據(jù)實施方案的顯不裝置1000包括導光板1041 ;用于向導光板1041提供光的發(fā)光模塊1031 ;設置在導光板1041下方的反射構件1022 ;設置在導光板1041上方的光學片1051 ;設置在光學片1051上方的顯不面板1061 ;用于容置導光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構件1022的底蓋1011。然而，實施方案不限于以上結構。
[0187]底蓋1011、反射片1022、導光板1041以及光學片1051可以構成光單元1050。
[0188]導光板1041對光進行擴散以提供表面光。導光板1041可以包括透明材料。例如，導光板1041可以包括丙烯酸基樹脂例如如下樹脂之一:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)樹脂以及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。
[0189]發(fā)光模塊1031向導光板1041的至少一側提供光。發(fā)光模塊1031用作顯不裝置的光源。
[0190]將至少一個發(fā)光模塊1031設置成從導光板1041的一側直接或間接地提供光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033以及根據(jù)上述實施方案的發(fā)光器件100或發(fā)光器件封裝件200。發(fā)光器件封裝件200可以排列在板1033上同時以預定間隔彼此間隔開。
[0191]板1033可以是包括電路圖案的印刷電路板(PCB)。另外，板1033還可以包括除PCB以外的金屬芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)，然而，實施方案不限于此。如果發(fā)光器件封裝件200安裝在底蓋1011的側面上或者散熱板上，則可以省略板1033。散熱板可以與底蓋1011的頂表面部分接觸。
[0192]另外，發(fā)光器件封裝件200被安裝成使得發(fā)光器件封裝件200的光出射面與導光板1041間隔開預定距離，然而，實施方案不限于此。發(fā)光器件封裝件200可以將光直接或間接地提供給作為導光板1041的一側的光入射部分，然而，實施方案不限于此。
[0193]反射構件1022可以設置在導光板1041下方。反射構件1022向上反射通過導光板1041的底表面向下傳播的光，從而提高光單元1050的亮度。例如，反射構件1022可以包括PET樹脂、PC樹脂或聚氯乙烯(PVC)樹脂，然而，實施方案不限于此。反射構件1022可以用作底蓋1011的頂表面，然而，實施方案不限于此。
[0194]底蓋1011可以容置其中的導光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構件1022。為此，底蓋1011具有容置部1012，該容置部1012為具有敞開的頂表面的盒體形狀，然而，實施方案不限于此。底蓋1011可以耦接有頂蓋(未示出)，然而，實施方案不限于此。
[0195]可以通過使用金屬材料或樹脂材料的沖壓工藝或擠壓工藝來制造底蓋1011。另夕卜，底蓋1011可以包含具有優(yōu)異熱導率的金屬材料或非金屬材料，然而，實施方案不限于此。
[0196]顯示面板1061例如是包括如下的液晶顯示(IXD)面板:彼此相對的第一透明襯底和第二透明襯底；以及設置在第一襯底與第二襯底之間的液晶層。可以將起偏振片附接至顯示面板1061的至少一個表面，然而，實施方案不限于此。顯示面板1061通過使用穿過光學片1051的光來顯示信息?？梢詫@示裝置1000應用于各種便攜式終端、筆記本電腦和膝上型電腦的顯示器以及電視機。
[0197]光學片1051設置在顯示面板1061與導光板1041之間，并且包括至少一個透射片。例如，光學片1051包括擴散片、水平棱鏡片、垂直棱鏡片以及亮度增強片中的至少一個。擴散片對入射光進行擴散，水平棱鏡片和/或垂直棱鏡片將入射光集中在顯示區(qū)域上，并且亮度增強片通過重新使用待損失的光來提高亮度。另外，可以在顯示面板1061上設置保護片，然而，實施方案不限于此。
[0198]可以將導光板1041和光學片1051設置在發(fā)光模塊1031的光路上作為光學構件，然而，實施方案不限于此。
[0199]圖12是示出根據(jù)實施方案的顯示裝置的另一實例的截面圖。
[0200]參照圖12，顯示裝置1100可以包括底蓋1152、在其上排列發(fā)光器件100的板1020、光學構件1154以及顯示面板1155。
[0201]板1020和發(fā)光器件100可以構成發(fā)光模塊1060。另外,底蓋1152、至少一個發(fā)光模塊1060以及發(fā)光構件1154可以構成光單兀。
[0202]底蓋1152可以在其中設置有容置部1153，然而，實施方案不限于此。
[0203]在此情況下,光學構件1154可以包括透鏡、導光板、擴散片、水平棱鏡片、垂直棱鏡片以及亮度增強片中的至少一個。導光板可以包括PC或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)?？梢允÷詫Ч獍?。擴散片對入射光進行擴散，水平棱鏡片和垂直棱鏡片將入射光集中在顯不區(qū)域上，并且亮度增強片通過重新使用待損失的光來提高亮度。
[0204]光學構件1154設置在發(fā)光模塊1060上方，以將從發(fā)光模塊1060發(fā)出的光轉換為表面光。另外，光學構件1154可以擴散或收集光。
[0205]圖13是示出根據(jù)實施方案的照明裝置的透視圖。
[0206]參照圖13，根據(jù)實施方案的照明裝置可以包括蓋2100、光源模塊2200、散熱器2400、電源部2600、內殼體2700以及插座2800。根據(jù)實施方案的照明裝置還包括構件2300和保持器2500中的至少一個。光源模塊2200可以包括根據(jù)實施方案的發(fā)光器件封裝件。
[0207]例如，蓋2100可以具有球形狀或半球形狀。蓋2100可以具有部分敞開的中空結構。蓋2100可以光學耦接光源模塊2200。例如，蓋2100可以擴散、散射或激發(fā)從光源模塊2200提供的光。蓋2100可以是光學構件。蓋2100可以耦接散熱器2400。蓋2100可以包括耦接散熱器2400的耦接部。
[0208]蓋2100可以包括涂覆有乳白色涂料的內表面。乳白色涂料可以包括擴散材料以對光進行擴散。蓋2100的內表面的粗糙度可以比蓋2100的外表面的粗糙度大。該表面粗糙度是為了充分地散射和擴散來自光源模塊2200的光而提供的。
[0209]蓋2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。聚碳酸酯(PC)在以上材料中具有優(yōu)異的耐光性、耐熱性以及強度。蓋2100可以是透明的，使得用戶可以從外部看到光源模塊2200，或者可以是不透明的。蓋2100可以通過吹塑方案形成。
[0210]光源模塊2200可以設置在散熱器2400的一個表面處。因此，將來自光源模塊2200的熱傳遞至散熱器2400。光源模塊2200可以包括光源2210、連接板2230以及連接器2250。
[0211]構件2300設置在散熱器2400的頂表面上，并且包括將多個光源2210和連接器2250嵌入其中的導向凹槽2310。導向凹槽2310與光源2210和連接器2250的板相對應。
[0212]構件2300的表面可以涂覆有反光材料。例如，構件2300的表面可以涂覆有白色涂料。構件2300將由蓋2100的內表面反射并返回至光源模塊2200的方向上的光再次反射至蓋2100的方向。因此，可以提高根據(jù)實施方案的照明裝置的光效率。
[0213]例如，構件2300可以包括絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包括導電材料。因此，可以將散熱器2400電連接至連接板2230。構件2300可以通過絕緣材料形成，從而防止連接板2230與散熱器2400電短路。散熱器2400接收來自光源模塊2200和電源部2600的熱量并進行散熱。
[0214]保持器2500覆蓋內殼體2700的絕緣部2710的容置凹槽2719。因此，對容置在內殼體2700的絕緣部2710中的電源部2600進行密封。保持器2500包括導向突出2510。該導向突出2510具有孔，并且通過穿過該孔電源部2600的突出進行延伸。
[0215]電源部2600對從外部接收的電信號進行處理和轉換，并且將處理或轉換后的電信號提供給光源模塊2200。電源部2600容置在內殼體2700的容置凹槽2719中，并且通過保持器2500密封在內殼體2700內部。
[0216]電源部2600可以包括突出2610、導向部2630、基體2650以及延伸部2670。
[0217]導向部2630具有從基體2650的一側向外部突出的形狀。導向部2630可以嵌入保持器2500中。多個部件可以設置在基體2650的一個表面上。例如,部件可以包括:將從外部電源提供的AC電源轉換為DC電源的DC轉換器；對光源模塊2200的驅動進行控制的驅動芯片；以及保護光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護器件，然而，實施方案不限于此。[0218]延伸部2670具有從基體2650的相對側向外部突出的形狀。延伸部2670嵌入內殼體2700的連接部2750的內部，并且接收來自外部的電信號。例如，延伸部2670的寬度可以小于或等于內殼體2700的連接部2750的寬度?！?電線”和電線”的第一端子電連接至延伸部2670，并且“+電線”和電線”的第二端子可以電連接至插座2800。
[0219]內殼體2700可以包括與電源部2600 —起在其中的模制部。該模制部是通過硬化模制液體而制備的，并且可以通過模制部將電源部2600固定在內殼體2700內部。
[0220]本說明書中對“實施方案”、“示例性實施方案”等的引用意味著結合實施方案所描述的具體的特征、結構或特性包括在本發(fā)明的至少一個實施方案中。在本說明書的不同地方出現(xiàn)的這類短語不一定都指相同的實施方案。此外，當結合任何實施方案描述具體的特征、結構或特性時，認為其在本領域的技術人員結合實施方案中的其他實施方案來實現(xiàn)這樣的特征、結構或特性的范圍內。
[0221]雖然已經(jīng)參照多個示例性實施方案描述了實施方案，但是應當理解，可以由本領域的普通技術人員設想的大量其他修改方案和實施方案將屬于本公開內容的精神和原理的范圍內。更具體地，在本公開內容、附圖和所附權利要求的范圍內，主題組合布置的部件部分和/或布置的各種變型和修改方案是可能的。除部件部分和/或布置的變型和修改方案之外，其他用途對于本領域的普通技術人員也將是明顯的。
【權利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 導電支承構件； 在所述導電支承構件上的第一發(fā)光結構，所述第一發(fā)光結構包括第一導電第一半導體層、在所述第一導電第一半導體層下方的第一有源層以及在所述第一有源層下方的第二導電第二半導體層； 在所述導電支承構件上的第二發(fā)光結構，所述第二發(fā)光結構包括第一導電第三半導體層、在所述第一導電第三半導體層下方的第二有源層以及在所述第二有源層下方的第二導電第四半導體層； 圍繞所述第一發(fā)光結構的下部和所述第二發(fā)光結構的下部的溝道層； 第一電極，所述第一電極電連接至所述第一導電第一半導體層； 第二電極，所述第二電極電連接至所述第二導電第二半導體層； 第三電極，所述第三電極電連接至所述第一導電第三半導體層； 第四電極，所述第四電極電連接至所述第二導電第四半導體層； 第一連接部，所述第一連接部電連接至所述第一電極和所述導電支承構件； 第二連接部，所述第二連接部電連接至所述第二電極和所述第三電極；以及第三連接部，所述第三連接部電連接至所述第四電極，并且所述第三連接部的一端設置在所述溝道層上。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極設置在所述第一導電第一半導體層上。
3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極設置在所述第二導電第二半導體層與所述導電支承構件之間。
4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括歐姆接觸層、反射層以及金屬層中的至少之一。
5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第三電極設置在所述第一導電第三半導體層上。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第四電極設置在所述第二導電第四半導體層與所述導電支承構件之間。
7.根據(jù)權利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第四電極包括歐姆接觸層、反射層以及金屬層中的至少之一。
8.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第三連接部的一端相對于所述第二發(fā)光結構的側面間隔開，并且在所述第二發(fā)光結構的側面露出。
9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的頂表面高于所述第一有源層的頂表面和所述第二有源層的頂表面。
10.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，還包括設置在所述第二電極與所述導電支承構件之間以及所述第四電極與所述導電支承構件之間的絕緣層。
11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層的頂表面在所述第二發(fā)光結構的底部的外周處露出。
12.根據(jù)權利要求10 所述的發(fā)光器件，其中所述絕緣層圍繞所述溝道層的外周。
13.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接部接觸所述第一導電第一半導體層的側面。
14.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一連接部通過穿過所述溝道層而電連接至所述導電支承構件。
15.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二連接部接觸所述第一導電第三半導體層的側面。
16.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層圍繞所述第一有源層和所述第二有源層的外周。
17.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層圍繞所述第二導電第二半導體層和所述第二導電第四半導體層的外周。
18.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一發(fā)光結構和所述第二發(fā)光結構上的粗糙結構。
19.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第二電極下方的擴散阻擋層和接口 /Z^ o
20.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層包含氧化物或氮化物。
21.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的一端設置在所述第二導電第二半導體層與所述第二電 極之間。
22.根據(jù)權力要求I所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層的一端接觸所述第二導電第二半導體層的底表面。
23.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二連接部設置在所述第二發(fā)光結構的側面處。
24.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二連接部相對于所述第二有源層間隔開至少3 ii m。
【文檔編號】H01L33/38GK103682070SQ201310404135
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權日:2012年9月6日
【發(fā)明者】丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司