本發(fā)明涉及光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法和晶元測(cè)試系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡(jiǎn)稱：led)作為光電子產(chǎn)業(yè)中極具影響力的新產(chǎn)品，具有體積小、使用壽命長(zhǎng)、顏色豐富多彩、能耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明、顯示屏、信號(hào)燈、背光源、玩具等領(lǐng)域。

led的核心結(jié)構(gòu)是led芯片，led芯片的制作主要包括外延片的生長(zhǎng)、芯片制造和晶元的分割，在完成晶元的分割后，就可以得到單個(gè)的led芯片。

led芯片在制作完成后需要進(jìn)行多種光電參數(shù)的測(cè)試，只有在測(cè)試合格后才能符合市場(chǎng)的需要。隨著近幾年市場(chǎng)對(duì)led的需求量急劇增加，對(duì)led的生產(chǎn)效率提出了更高要求。在對(duì)led芯片進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，如果逐一對(duì)晶元上的每一個(gè)led芯片進(jìn)行所有光電參數(shù)的測(cè)試，就會(huì)大大降低測(cè)試的效率，從而降低生產(chǎn)效率，而如果減少測(cè)試的光電參數(shù)數(shù)量或是led芯片的數(shù)量，則無(wú)法確保未測(cè)試的光電參數(shù)滿足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，且也無(wú)法確保未進(jìn)行測(cè)試的led芯片合格，從而降低了led的品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有l(wèi)ed的晶元測(cè)試無(wú)法兼顧效率和品質(zhì)的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法和晶元測(cè)試系統(tǒng)。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法，其特征在于，所述晶元測(cè)試方法包括：

對(duì)同一片所述待測(cè)試晶元上的所述led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，得到抽樣測(cè)試結(jié)果，所述抽樣測(cè)試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果；

將所述抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)；

對(duì)同一片所述待測(cè)試晶元上的每個(gè)所述led芯片進(jìn)行所述未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試，根據(jù)所述未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果確定每個(gè)led芯片是否合格。

優(yōu)選地，所述多種光電參數(shù)包括抗靜電電壓、開(kāi)啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長(zhǎng)、峰值波長(zhǎng)、半波長(zhǎng)、cie色度x坐標(biāo)和cie色度y坐標(biāo)中的多種。

優(yōu)選地，所述抽樣測(cè)試結(jié)果為所述多種光電參數(shù)中的任一種的良率或所述多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。

進(jìn)一步地，所述抽樣測(cè)試的樣本均勻分布于所述待測(cè)試晶元上。

優(yōu)選地，所述抽樣測(cè)試的樣本總數(shù)不小于同一片所述待測(cè)試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的1％，且不大于同一片所述待測(cè)試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的10％。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試系統(tǒng)，所述晶元測(cè)試系統(tǒng)包括：

第一測(cè)試單元，用于對(duì)同一片所述待測(cè)試晶元上的所述led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，得到抽樣測(cè)試結(jié)果，所述抽樣測(cè)試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果；

處理單元，用于將所述抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)；

第二測(cè)試單元，用于對(duì)同一片所述待測(cè)試晶元上的每個(gè)所述led芯片進(jìn)行所述未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試，根據(jù)所述未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果確定每個(gè)led芯片是否合格。

優(yōu)選地，所述多種光電參數(shù)包括抗靜電電壓、開(kāi)啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長(zhǎng)、峰值波長(zhǎng)、半波長(zhǎng)、cie色度x坐標(biāo)和cie色度y坐標(biāo)中的多種。

優(yōu)選地，所述抽樣測(cè)試結(jié)果為所述多種光電參數(shù)中的任一種的良率或所述多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。

進(jìn)一步地，作為樣本的所述led芯片均勻分布于所述待測(cè)試晶元上。

優(yōu)選地，所述抽樣測(cè)試的樣本總數(shù)不小于同一片所述待測(cè)試晶元上的所述led芯片的總數(shù)的1％，且不大于10％。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：通過(guò)對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，并將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，從而得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，在后續(xù)對(duì)所有的led芯片進(jìn)行逐一測(cè)試時(shí)，則只逐一測(cè)試未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，由于在進(jìn)行逐一測(cè)試的過(guò)程中，有部分光電參數(shù)不再進(jìn)行測(cè)試，從而可以減少測(cè)試的項(xiàng)目，提高測(cè)試的效率，同時(shí)由于已經(jīng)進(jìn)行了抽樣測(cè)試，因此可以確保在逐一測(cè)試中未進(jìn)行測(cè)試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的正向電壓變化示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試系統(tǒng)的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法的流程圖，如圖1所示，該測(cè)試方法包括：

s11：進(jìn)行抽樣測(cè)試。

具體地，對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，得到抽樣測(cè)試結(jié)果，其中，抽樣測(cè)試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果。

s12：獲取未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)。

具體地，將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)。

s13：進(jìn)行逐一測(cè)試。

具體地，對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的每個(gè)led芯片進(jìn)行未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試，根據(jù)未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果確定每個(gè)led芯片是否合格。

若抽樣測(cè)試中有多種光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，則在進(jìn)行逐一測(cè)試時(shí)，需要將未達(dá)標(biāo)的每一種光電參數(shù)都進(jìn)行測(cè)試。

通過(guò)對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，并將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，從而得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，在后續(xù)對(duì)所有的led芯片進(jìn)行逐一測(cè)試時(shí)，則只逐一測(cè)試未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，由于在進(jìn)行逐一測(cè)試的過(guò)程中，有部分光電參數(shù)不再進(jìn)行測(cè)試，從而可以減少測(cè)試的項(xiàng)目，提高測(cè)試的效率，同時(shí)由于已經(jīng)進(jìn)行了抽樣測(cè)試，因此可以確保在逐一測(cè)試中未進(jìn)行測(cè)試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法的流程圖，如圖2所示，該測(cè)試方法包括：

s21：選取抽樣測(cè)試的樣本。

具體地，從待測(cè)試晶元上的所有l(wèi)ed芯片中選取一定數(shù)量的led芯片作為抽樣測(cè)試的樣本。

優(yōu)選地，抽樣測(cè)試的樣本總數(shù)不小于同一片待測(cè)試晶元上的led芯片的總數(shù)的1％，且不大于同一片待測(cè)試晶元上的led芯片的總數(shù)的10％。若樣本總數(shù)太小，則會(huì)導(dǎo)致抽樣測(cè)試的誤差過(guò)大，降低測(cè)試的準(zhǔn)確性，若樣本總數(shù)太大，雖然可以提高測(cè)試的準(zhǔn)確性，但是會(huì)延長(zhǎng)測(cè)試的時(shí)間，導(dǎo)致測(cè)試的效率降低。

抽樣測(cè)試的樣本均勻分布于待測(cè)試晶元，避免大量的樣本集中于某一區(qū)域，以降低制作過(guò)程中，led芯片的位置分布對(duì)光電參數(shù)的影響。

s22：對(duì)樣本進(jìn)行逐一測(cè)試。

具體地，對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，以得到抽樣測(cè)試結(jié)果，其中抽樣測(cè)試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果。

優(yōu)選地，多種光電參數(shù)可以包括抗靜電電壓、開(kāi)啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長(zhǎng)、峰值波長(zhǎng)、半波長(zhǎng)、cie(法文：commissioninternationaledel'eclairage，中文：國(guó)際照明委員會(huì))色度x坐標(biāo)和cie色度y坐標(biāo)中的多種。這些均為led測(cè)試過(guò)程中所常進(jìn)行測(cè)試的光電參數(shù)，通過(guò)對(duì)這些光電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試以確保生產(chǎn)出的led的品質(zhì)滿足工藝要求。

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的正向電壓變化示意圖，如圖3所示，圖中的橫坐標(biāo)t表示測(cè)試時(shí)間，縱坐標(biāo)v表示電壓值，vfp表示電壓暫態(tài)峰值，是發(fā)光二極管的正向電壓的瞬時(shí)最高值，vf表示電壓穩(wěn)定值，是發(fā)光二極管的正向電壓穩(wěn)定后的數(shù)值，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差即為vfp與vf之差，通常電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差用vfd表示，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差vfd可以用來(lái)檢測(cè)led的閘流體效應(yīng)。

可選地，抽樣測(cè)試結(jié)果可以為多種光電參數(shù)中的任一種的良率或多種光電參數(shù)中的任一種的平均值。例如，可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果，一般電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏可以認(rèn)為合格，以樣本中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏的樣本數(shù)占樣本總數(shù)的百分比作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率。當(dāng)然也可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為抽樣測(cè)試結(jié)果。

進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)為同一光電參數(shù)的良率的閥值或同一光電參數(shù)的平均值的閥值。例如，當(dāng)選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果時(shí)，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的閥值可以是99％，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率低于閥值99％，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個(gè)光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，反之達(dá)標(biāo)。當(dāng)然若選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果時(shí)，則可以將電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的閥值設(shè)為0.05伏，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值大于該閥值0.05伏，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個(gè)光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，反之達(dá)標(biāo)。

需要說(shuō)明的是，不同的晶元之間，抽樣測(cè)試結(jié)果可能會(huì)不同，也可能會(huì)相同，因此對(duì)多個(gè)不同的晶元進(jìn)行測(cè)試時(shí)，應(yīng)對(duì)不同的晶元分別進(jìn)行抽樣測(cè)試。

s23：獲取未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)。

具體地，將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)。通過(guò)將樣本的抽樣測(cè)試結(jié)果與對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，當(dāng)某一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果不滿足該光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，則認(rèn)為該光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，若滿足則認(rèn)為該光電參數(shù)達(dá)標(biāo)。

容易理解的是，若抽樣測(cè)試的結(jié)果顯示所有的光電參數(shù)均未達(dá)標(biāo)，則在后續(xù)測(cè)試中，需要對(duì)所有的光電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。

s24：對(duì)待測(cè)試晶元所分割的所有l(wèi)ed芯片進(jìn)行逐一測(cè)試。

具體地，對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的每個(gè)led芯片進(jìn)行未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試，根據(jù)未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果確定每個(gè)led芯片是否合格。若樣本中的某一光電參數(shù)達(dá)標(biāo)，則在后續(xù)的逐一測(cè)試中可以不再進(jìn)行該光電參數(shù)的測(cè)試，從而可以減少測(cè)試的次數(shù)，提高測(cè)試效率。在對(duì)某個(gè)led芯片進(jìn)行所有未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試后，若所有測(cè)試結(jié)果都滿足預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，則認(rèn)為該led芯片合格，若存在至少一項(xiàng)不合格，則認(rèn)為該led芯片不合格。例如在抽樣測(cè)試中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的測(cè)試結(jié)果達(dá)標(biāo)，從而在步驟s24中，無(wú)需對(duì)led芯片進(jìn)行電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的測(cè)試。

容易想到的是，樣本由于在抽樣測(cè)試的過(guò)程中已經(jīng)進(jìn)行過(guò)測(cè)試，因此在對(duì)所有l(wèi)ed芯片進(jìn)行逐一測(cè)試時(shí)可以不再對(duì)樣本進(jìn)行測(cè)試，從而進(jìn)一步提高測(cè)試的效率。

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管的晶元測(cè)試系統(tǒng)的示意圖，該系統(tǒng)用于執(zhí)行圖1或圖2所示的發(fā)光二極管的晶元測(cè)試方法，如圖4所示，晶元測(cè)試系統(tǒng)包括第一測(cè)試單元31、處理單元32和第二測(cè)試單元34，其中，第一測(cè)試單元31用于對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，得到抽樣測(cè)試結(jié)果，其中，抽樣測(cè)試結(jié)果包括多種光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果，處理單元32用于將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，以得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，第二測(cè)試單元34用于對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的每個(gè)led芯片進(jìn)行未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的逐一測(cè)試，根據(jù)未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試結(jié)果確定每個(gè)led芯片是否合格。

該系統(tǒng)還可以包括存儲(chǔ)單元33，存儲(chǔ)單元33用于存儲(chǔ)多種光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果和多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)。

通過(guò)對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，并將抽樣測(cè)試結(jié)果分別與對(duì)應(yīng)的多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較，從而得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，在后續(xù)對(duì)所有的led芯片進(jìn)行逐一測(cè)試時(shí)，則只逐一測(cè)試未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)，由于在進(jìn)行逐一測(cè)試的過(guò)程中，有部分光電參數(shù)不再進(jìn)行測(cè)試，從而可以減少測(cè)試的項(xiàng)目，提高測(cè)試的效率，同時(shí)由于已經(jīng)進(jìn)行了抽樣測(cè)試，因此可以確保在逐一測(cè)試中未進(jìn)行測(cè)試的光電參數(shù)也滿足工藝的要求。

實(shí)現(xiàn)時(shí)，第一測(cè)試單元31和第二測(cè)試單元34可以為同一設(shè)備，也可以為不同的設(shè)備，第一測(cè)試單元31和第二測(cè)試單元34可以采用現(xiàn)有的發(fā)光二極管測(cè)試設(shè)備。

處理單元32和存儲(chǔ)單元33可以是發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)中可以存儲(chǔ)有包括多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)文件，第一測(cè)試單元31在完成測(cè)試后將測(cè)試結(jié)果上傳至發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)將測(cè)試結(jié)果和標(biāo)準(zhǔn)文件對(duì)比，生成記錄有未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的記錄文件，在第二測(cè)試單元34進(jìn)行測(cè)試時(shí)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)可以將記錄文件下發(fā)至第二測(cè)試單元34，由第二測(cè)試單元34根據(jù)記錄文件進(jìn)行未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的測(cè)試。此外，記錄文件還可以記錄有測(cè)試條件、測(cè)試模式，以指導(dǎo)第二測(cè)試單元34進(jìn)行調(diào)試，有利于提高測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性。

具體地，當(dāng)?shù)谝粶y(cè)試單元31和第二測(cè)試單元34為不同的設(shè)備時(shí)，第一測(cè)試單元31和第二測(cè)試單元34可以同時(shí)與發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)通訊連接，第一測(cè)試單元31可以用于對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的led芯片進(jìn)行抽樣測(cè)試，并將抽樣測(cè)試結(jié)果上傳至發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)根據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)的標(biāo)準(zhǔn)文件和接收到的抽樣測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，其中，標(biāo)準(zhǔn)文件記錄有多種光電參數(shù)的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)，從而得到未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的種類(lèi)，并生成記錄有未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的種類(lèi)的記錄文件，發(fā)光二極管制造管理系統(tǒng)可以將該記錄文件下傳至第二測(cè)試單元34，第二測(cè)試單元34根據(jù)記錄文件中所記錄的未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)的種類(lèi)對(duì)同一片待測(cè)試晶元上的每個(gè)led芯片進(jìn)行逐一測(cè)試，測(cè)試的項(xiàng)目包括所有未達(dá)標(biāo)光電參數(shù)。

優(yōu)選地，抽樣測(cè)試的樣本總數(shù)不小于同一片待測(cè)試晶元上的led芯片的總數(shù)的1％，且不大于10％。在選擇樣本時(shí)，若樣本總數(shù)太小，則會(huì)導(dǎo)致抽樣測(cè)試的誤差過(guò)大，降低測(cè)試的準(zhǔn)確性，若樣本總數(shù)太大，雖然可以提高測(cè)試的準(zhǔn)確性，但是會(huì)延長(zhǎng)測(cè)試的時(shí)間，導(dǎo)致測(cè)試的效率降低。

容易想到的是，作為樣本的led芯片在晶元上應(yīng)該均勻分布，避免大量的樣本集中于某一區(qū)域，以降低制作過(guò)程中，led芯片的位置分布對(duì)光電參數(shù)的影響。

優(yōu)選地，多種光電參數(shù)可以包括抗靜電電壓、開(kāi)啟電壓、工作電壓、電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差、漏電流、反向擊穿電壓、亮度、主值波長(zhǎng)、峰值波長(zhǎng)、半波長(zhǎng)、cie色度x坐標(biāo)和cie色度y坐標(biāo)中的多種。這些均為led測(cè)試過(guò)程中所常進(jìn)行測(cè)試的光電參數(shù)，通過(guò)對(duì)這些光電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試以確保生產(chǎn)出的led的品質(zhì)滿足工藝要求。

可選地，抽樣測(cè)試結(jié)果可以為同一光電參數(shù)的良率或同一光電參數(shù)的平均值。例如，可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差可以用來(lái)檢測(cè)led的閘流體效應(yīng)，一般電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏可以認(rèn)為合格，以樣本中，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差小于0.1伏的樣本數(shù)占樣本總數(shù)的百分比作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率。當(dāng)然也可以選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為抽樣測(cè)試結(jié)果。

進(jìn)一步地，預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)為同一光電參數(shù)的良率的閥值或同一光電參數(shù)的平均值的閥值。例如，當(dāng)選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果時(shí)，電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的閥值可以是99％，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的良率低于閥值99％，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個(gè)光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，反之達(dá)標(biāo)。當(dāng)然若選取電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值作為電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這一光電參數(shù)的抽樣測(cè)試結(jié)果時(shí)，則可以將電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)的閥值設(shè)為0.05伏，若樣本的電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差的平均值大于該閥值0.05伏，則表明電壓暫態(tài)峰值與穩(wěn)定值之差這個(gè)光電參數(shù)未達(dá)標(biāo)，反之達(dá)標(biāo)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。