制造有機發(fā)光設(shè)備的方法
【專利摘要】制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括：在基板上形成第一電極層、使用CF4等離子體對所述第一電極層進行表面處理、在經(jīng)表面處理的第一電極層上形成含并五苯的第一公共層、在所述第一公共層上形成有機發(fā)光層、在所述有機發(fā)光層上形成第二公共層以及在所述第二公共層上形成第二電極層。所述CF4等離子體處理方法提高了所述有機發(fā)光設(shè)備的發(fā)光效率。
【專利說明】制造有機發(fā)光設(shè)備的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本專利申請要求享有韓國專利申請N0.10-2013-0001239的優(yōu)先權(quán)，該申請?zhí)峤挥?013年I月4日，其完整內(nèi)容被引用合并于本申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的實施例總體涉及制造有機發(fā)光設(shè)備的方法，更具體地，涉及制造可以提高發(fā)光效率的有機發(fā)光設(shè)備的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]一種有機發(fā)光設(shè)備包括兩個電極和布置在其間的有機發(fā)光層。不同的公共層分別布置在兩個電極和有機發(fā)光層之間。兩個電極根據(jù)施加于兩個電極的電壓電平被歸類為陽極和陰極。
[0005]起注入/傳輸空穴作用的第一公共層布置在陽極和有機發(fā)光層之間。并且，起注入/傳輸電子作用的第二公共層布置在陰極和有機發(fā)光層之間。
[0006]—種有機發(fā)光設(shè)備包括兩個電極和布置在其間的發(fā)光層，在發(fā)光層中，從一個電極注入的電子同從另一個電極注入的空穴結(jié)合形成激子，當(dāng)激子發(fā)射能量時發(fā)光。
[0007]當(dāng)有機發(fā)光設(shè)備可以在低驅(qū)動電壓下獲得期望的發(fā)光效應(yīng)時，可以說該有機發(fā)光設(shè)備具有高發(fā)光效率。發(fā)光效率通常由四個因素決定，即電荷平衡、激子產(chǎn)生效率、內(nèi)量子產(chǎn)率和發(fā)光效率。四個因素中的每個都受電子/空穴遷移率的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]電子/空穴遷移率隨有機發(fā)光設(shè)備的電極層表面特性和公共層材料而變化。通過實施表面處理或添加新層可以改變電極層和公共層間的界面特性?？梢酝ㄟ^紫外照射(UV)、使用惰性氣體的等離子體等對電極層實施表面處理。表面處理可以改變表面晶體結(jié)構(gòu)、電極層的化學(xué)性質(zhì)等。并且，通過改變公共層材料可以控制公共層中電荷的注入/傳輸特性。材料的物理性質(zhì)，如材料的晶體結(jié)構(gòu)、復(fù)合物的組分比、折射率等，是決定發(fā)光效率的重要因素。
[0009]因而，本發(fā)明的實施例提供了制造可以提高發(fā)光效率的有機發(fā)光設(shè)備的方法。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括在基板上形成第一電極層和對第一電極層的上表面進行等離子體處理。在一些實施例中，等離子體處理可以使用CF4等離子體實施。第一公共層形成在經(jīng)表面處理的第一電極層上。所述第一公共層包含并五苯。有機發(fā)光層形成在所述第一公共層上。第二公共層形成在所述有機發(fā)光層上，而后第二電極層形成在所述第二公共層上。
[0011]在一些實施例中，形成所述第一公共層可以包括形成空穴注入層和在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層。
[0012]在其它實施例中，形成所述第二公共層可以包括在所述有機發(fā)光層上形成電子傳輸層和在所述電子傳輸層上形成電子注入層。當(dāng)所述電子注入層和所述電子傳輸層布置在一起時，所述電子傳輸層可以布置在所述電子注入層和所述有機發(fā)光層之間。
[0013]在另外的實施例中，空穴阻擋層可以進一步布置在所述第二公共層和所述有機發(fā)光層之間。所述空穴阻擋層阻擋空穴的移動使空穴停留在發(fā)光層中。通過這樣做，可以提高激子產(chǎn)生效率。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括形成4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉(4，7-diphenyl-l, 10-phenanthroline)的電子傳輸層。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括形成銦錫氧化物的第一電極層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]本說明書包括附圖，用以提供本發(fā)明構(gòu)思的進一步理解，并且將附圖納入本說明書組成其一部分。附圖圖示本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，并且連同此描述一起用來解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理。附圖中:
[0017]圖1是構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的截面圖。
[0018]圖2A是形成在未經(jīng)CF4等離子體處理的電極上的并五苯有機層的原子顯微圖像。
[0019]圖2B是形成在經(jīng)CF4等離子體處理的電極上的并五苯有機層的原子顯微圖像。
[0020]圖3是示出構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的電壓-電流密度-亮度特性的圖表。
[0021]圖4A至圖4G是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的制造有機發(fā)光設(shè)備的方法的截面圖。
[0022]圖5是構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的截面圖。
[0023]圖6A是示出構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的亮度-電流效率比的圖表。
[0024]圖6B是示出構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的亮度-功率效率比的圖表。以及
[0025]圖7是構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的截面圖。
【具體實施方式】
[0026]以下將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的有機發(fā)光設(shè)備。
[0027]附圖中，為清晰起見層和區(qū)域的尺寸被放大或縮小。附圖中的相同的參考標(biāo)記始終表示相同的元件。也應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一層被稱為形成(存在)在另一層或基板“上”時，可以是直接在另一層或基板上，或者也可以存在中間層。盡管附圖中層的表面被示為平坦的，并不要求該表面本應(yīng)是平坦的，但是在堆疊工藝中由于下層的表面形狀可以產(chǎn)生階梯部分。
[0028]圖1是構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的截面圖。如圖1所示，有機發(fā)光設(shè)備(OLED)包括第一電極層(EDI)、第一公共層(CL1)、有機發(fā)光層(EML)、第二公共層(CL2)和第二電極層(ED2)。有機發(fā)光設(shè)備(OLED)布置在基板(SUB)上。在制造有機發(fā)光設(shè)備時，使用CF4等離子體對第一電極層(EDl)進行表面處理。
[0029]基板(SUB)可以是玻璃基板或塑料基板。有機發(fā)光設(shè)備(OLED)可以直接安裝在基板(SUB)的一個表面上,或者可以布置在基板(SUB)的一個表面上的絕緣層(未圖不)上。絕緣層可以包括有機層和/或無機層。
[0030]第一電極層(EDl)和第二電極層(ED2)接收不同的電壓電平。本實施例中，第一電極層(EDl)被解釋為陽極電極，第二電極層被解釋為陰極電極。
[0031]陽極電極(EDl)由具有高導(dǎo)電率和高功函數(shù)的材料制成。陽極電極(EDl)可以由透明導(dǎo)電氧化物制成。例如，陽極電極(EDl)包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、氟鋅氧化物、鎵鋅氧化物、錫氧化物、鋅氧化物或類似物。
[0032]第一公共層(CLl)布置在陽極電極(EDl)上。第一公共層(CLl)包括空穴注入層以便于從陽極電極(EDl)注入空穴。空穴注入層可以包括具有半導(dǎo)體性質(zhì)的金屬化合物，或者可以包括有機材料和/或無機材料。
[0033]本實施例中，空穴注入層包括并五苯。并五苯比其它金屬化合物、有機材料或無機材料具有更高的空穴遷移率。包括并五苯的第一公共層(CLl)將從第一電極層(EDl)注入的空穴容易地擴散到發(fā)光層(EML)中。第一公共層(CLl)可以由至少兩層、或者能夠?qū)嵤┳⑷?傳輸空穴兩者的單層形成。
[0034]有機發(fā)光層(EML)布置在第一公共層(CLl)上。有機發(fā)光層(EML)產(chǎn)生藍光、綠光、紅光或白光。有機發(fā)光層(EML)包括熒光材料或磷光材料。
[0035]第二公共層(CL2)布置在有機發(fā)光層(EML)上。第二公共層(CL2)包括電子注入層以便于從陰極電極(ED2)注入電子。第二公共層(CL2)可以由至少兩層、或者能夠?qū)嵤┳⑷?傳輸電子兩者的單層形成。
[0036]陰極電極(ED2)布置在第二公共層(CL2)上。陰極電極(ED2)由具有低功函數(shù)的材料制成。陰極電極(ED2)可以包括如鋰、鎂、鋁或類似的金屬。
[0037]第一電極層(EDl)經(jīng)CF4等離子體處理。CF4等離子體處理減小了形成在第一電極層(EDl)上的并五苯的粒子尺寸。CF4等離子體處理提高了含并五苯的第一公共層(CLl)和第一電極層(EDl)間的界面粘附性，也提高了空穴遷移率。關(guān)于CF4等離子體處理的詳細(xì)描述將參考圖2A和圖2B給出。
[0038]圖2A和圖2B是示出并五苯薄膜晶粒的原子顯微圖像。具體地說，圖2A示出未經(jīng)CF4等離子體處理的電極層上堆疊的并五苯薄膜晶粒，而圖2B示出經(jīng)CF4等離子體處理的電極層上堆疊的并五苯薄膜晶粒。圖2B是在30W的CF4等離子體環(huán)境下進行表面處理后觀察到的圖像。
[0039]如圖2A和圖2B所示，圖2B中的晶粒比圖2A中的晶粒小。這是因為CF4等離子體處理減小了第一公共層(見圖1中的CLl)的晶粒尺寸以獲得更緊密的晶體結(jié)構(gòu)。當(dāng)晶粒的尺寸減小時，含并五苯的第一公共層(CLl)和第一電極層(見圖1中的EDl)間的界面粘附力增大?？昭ㄒ虼俗杂傻匾苿哟┻^界面從而增強電流的流動。由于通過CF4等離子體處理使得在界面處控制空穴遷移率成為可能，因此該設(shè)備可以以較低的電壓驅(qū)動。下面將參考圖3給出描述以比較有機發(fā)光設(shè)備特性根據(jù)第一公共層(CLl)的粒子尺寸的變化。
[0040]在圖3的圖表中，第一曲線(GAl和GA2)展示了構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的特性。此處公開的有機發(fā)光設(shè)備包括經(jīng)表面處理的第一電極層(見圖1中的EDl)以及含并五苯的第一公共層(見圖1中的CL1)。在圖3的圖表中，第二曲線(GBl和GB2)展示了一種有機發(fā)光設(shè)備的特性，該設(shè)備包括未經(jīng)表面處理的第一電極層以及布置在所述第一電極層上的含并五苯的第一公共層(CL1)。在圖3的圖表中，第三曲線(GCl和GC2)展示了一種有機發(fā)光設(shè)備的特性，該設(shè)備包括未經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層和布置在第一電極層(EDl)上含NPB (N，N，- 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-(I, I 聯(lián)二苯)-4，4 二元胺)的第一公共層(CL1)。
[0041]在圖3的圖表中，除第一公共層(CLl)的構(gòu)造外，與曲線(GA1，GBl, GCl, GA2，GB2和GC2)對應(yīng)的有機發(fā)光設(shè)備具有相同的結(jié)構(gòu)。第一公共層(CLl)布置在含銦錫氧化物且布置在玻璃基板上的第一電極層(EDl)上并且包括空穴注入層。在第一公共層(CLl)上布置有含NPB (N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)-(I, I 聯(lián)二苯)_4，4 二元胺)的空穴傳輸層。含三羥甲基氨基甲烷(8-羥基喹啉)鋁的有機發(fā)光層(見圖1中的EML)布置在空穴傳輸層上。含2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-鄰菲咯啉(BCP)的空穴阻擋層布置在有機發(fā)光層上。含三羥甲基氨基甲烷(8-羥基喹啉)鋁的電子傳輸層布置在空穴阻擋層上。含氟化鋰的電子注入層布置在電子傳輸層上。含鋁的第二電極層(見圖1中的ED2)布置在電子注入層上。
[0042]圖3是示出隨施加于各個OLED的電壓變化的亮度曲線(GAl、GBl和GCl)和電流密度曲線(GA2、GB2和GC2)的圖表。
[0043]首先，曲線(GAUGB1和GCl)示出亮度隨電壓的變化，其具有亮度隨電壓成比例增大的趨勢。在相同的施加電壓下，第一曲線(GAl)比第二曲線(GBl)和第三曲線(GCl)展示出更高的亮度。從這些結(jié)果可知，假設(shè)亮度相同時，相比于第二曲線(GBl)和第三曲線(GC1)，第一曲線(GAl)具有最低的電壓。
[0044]其次，在示出電流密度隨電壓變化的曲線(GA2、GB2和GC2)中，當(dāng)電壓增大至超過臨界電壓值時電流密度開始急劇增大。由于電流密度的存在表明電流流過設(shè)備，因此可以通過圖3的圖表得知驅(qū)動OLED設(shè)備的最小電壓。如圖3所示，第二曲線和第三曲線(GB2和GC2)中的電流密度在大約12V處急劇增大，而第一曲線(GA2)中的電流密度在大約8V處急劇增大，該值低于第二曲線和第三曲線(GB2和GC2)的臨界電壓值。從圖3的圖表可知，對應(yīng)于第一曲線(GAl和GA2)的OLED具有最低的驅(qū)動電壓。
[0045]電流密度同量子效率和發(fā)光效率有關(guān)。量子效率是展示發(fā)光效率的代表性因素。因為電子和空穴的注入迅速地被電子和空穴的傳輸所平衡，因此當(dāng)OLED發(fā)光時外量子效率具有急劇增大的趨勢。電子和空穴的注入/傳輸產(chǎn)生電流密度，因此實現(xiàn)電荷平衡而發(fā)光。驅(qū)動電壓越低、并且相同電壓下的光強越高，則發(fā)光效率越高。
[0046]綜上可知，當(dāng)?shù)谝还矊影⑽灞?、并且第一電極層經(jīng)CF4等離子體處理時，OLED的發(fā)光效率得到提高。由于CF4等離子體和并五苯有機層的復(fù)雜相互作用，注入/傳輸空穴的能力得到加強。因此，制造發(fā)光效率得到提高的有機發(fā)光設(shè)備成為可能。
[0047]圖4A至圖4G是示出制造構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的方法的截面圖。
[0048]如圖4A所示，第一電極層(ED-B)形成在基板(SUB)上。具體地說，第一電極層(ED-B)通過在基板(SUB)上涂層、蒸發(fā)、蒸鍍、電子束沉積或噴鍍而由透明導(dǎo)電性氧化物而形成。形成第一電極層(ED-B)的技術(shù)不限于上述技術(shù)。第一電極層(ED-B)的形狀、結(jié)構(gòu)和尺寸并不特別地受限并且可以根據(jù)有機發(fā)光設(shè)備的使用和用途適當(dāng)?shù)剡x擇。第一電極層(ED-B)可以在實施清洗基板(SUB)后形成。
[0049]此后,第一電極層(ED-B)經(jīng)如圖4B和4C所不的表面處理。第一電極層的表面處理使用CF4等離子體實施。CF4等離子體表面處理在具有壓力可調(diào)功能的室中進行。在調(diào)整的壓力下將CF4氣體注入室中后，對該室施加射頻交流電(RF ACpower)ο所施加的射頻交流電增大了 CF4氣體分子的動能以致CF4氣體分子被激活。被激活的CF4氣體分子通過電離分解為離子、電子和自由基從而形成等離子體。由于擴散自由基隨機移動，并且離子或電子沿施加的電場的方向移動。電場的方向由AC電壓周期性改變。因此，第一電極層(ED-B)的表面同自由基、離子或電子起物理和化學(xué)反應(yīng)。上表面經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層(EDl)如圖4C所示。CF4等離子體處理減小了要形成在第一電極層(EDl)上的公共層(CLl)的晶粒尺寸。由于晶粒尺寸減小，通過第一電極層(EDl)和第一公共層(CLl)間的界面的空穴遷移率得到提聞。
[0050]如圖4D所示，第一公共層(CLl)堆疊在經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層(EDl)上。第一公共層(CLl)包括并五苯。相比于布置在未經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層(EDl)上的第一公共層(CL1)，布置在經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層(EDl)上的含并五苯的第一公共層(CLl)具有更小的粒子尺寸，因此提高了空穴的注入特性。
[0051]第一公共層(CLl)可以通過各種工藝形成，例如干層形成工藝，諸如化學(xué)氣相沉積、熱沉積或濺射沉積等，或者涂布工藝，諸如噴墨涂布、噴嘴涂布、棒式涂布、狹縫涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、深涂布、凹版涂布、噴霧涂布或朗繆爾-布羅吉(langmuir blodgett)涂布等,或者印刷工藝。同時，第一公共層(CLl)可以包括多層。第一公共層(CLl)的多層可以采用上述工藝順序堆疊。
[0052]如圖4E所示，有機發(fā)光層(EML)形成在第一公共層(CLl)上。如圖4F所示，第二公共層(CL2)形成在有機發(fā)光層(EML)上。有機發(fā)光層(EML)和第二公共層(CL2)可以使用各種工藝形成，如真空蒸鍍、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、朗繆爾-布羅吉或類似工藝。第二公共層(CL2)可以包括多層。第二公共層(CL2)的多層可以使用上述工藝順序堆疊。
[0053]如圖4G所示，第二電極層(ED2)形成在第二公共層(CL2)上。第二電極層(ED2)可以利用濕法形成，如印刷、涂層或類似方法，或者利用干法形成，如真空蒸鍍、濺射、離子電鍍、化學(xué)氣相沉積、等離子體沉積或類似方法。
[0054]形成第二電極層(ED2)的方法可以根據(jù)電極材料選擇，當(dāng)使用兩種或更多種金屬時，第二電極可以通過同時或順序使用這兩種或更多種金屬形成。第二電極層的材料可以從金屬、合金、導(dǎo)電化合物和其混合物組成的組中選擇一種。
[0055]圖5是構(gòu)造為根據(jù)本發(fā)明原理的實施例的有機發(fā)光設(shè)備的截面圖。
[0056]除第一公共層和第二公共層的配置外，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光設(shè)備具有與參考圖1至圖4G所述有機發(fā)光設(shè)備相同的配置。因此，相同的參考標(biāo)記被指定給與參考圖1至圖4G所述實施例中元件相同的元件，其詳細(xì)說明將被省略。
[0057]如圖5所示，有機發(fā)光設(shè)備(0LED10)的第一公共層(CLl)進一步包括布置在空穴注入層(HIL)上的空穴傳輸層(HTL)。有機發(fā)光設(shè)備(0LED10)的第二公共層(CL2)進一步包括布置在電子注入層(EIL)和有機發(fā)光層(EML)之間的電子傳輸層(ETL)。
[0058]第一公共層(CLl)的空穴傳輸層(HTL)可以進一步包括減小空穴注入層(HIL)和有機發(fā)光層(EML)間能極差以提高注入第一電極層(EDl)的空穴遷移率的空穴傳輸層(HTL)。
[0059]空穴傳輸層(HTL)可以以形成空穴注入層(HIL)的相同方式形成?？昭▊鬏攲?HTL)可以以各種工藝形成在空穴注入層(HIL)上，例如干層形成工藝，諸如化學(xué)蒸鍍、熱沉積或濺射沉積等，或者涂布工藝，諸如噴墨涂布、噴嘴涂布、棒式涂布、狹縫涂布、旋轉(zhuǎn)涂布、深涂布、凹版涂布、噴霧涂布、或朗繆爾-布羅吉涂布等，或者印刷工藝。
[0060]電子傳輸層(ETL)可以以形成電子注入層(EIL)的相同方式形成。電子傳輸層(ETL)可以以各種方法形成在有機發(fā)光層(EML)上，如真空蒸鍍、旋轉(zhuǎn)涂布、鑄造、朗繆爾-布羅吉或類似方法。
[0061]有機發(fā)光設(shè)備發(fā)光效率的決定因素中，電荷平衡和激子產(chǎn)生效率對流過有機發(fā)光設(shè)備的電子/空穴遷移率的影響最大。當(dāng)從各自電極注入的電子和空穴結(jié)合產(chǎn)生激子時，未結(jié)合的載流子(電荷)成為指向相反電極的未復(fù)合的電流分量并因此成為光損失的原因。因此，應(yīng)當(dāng)控制電子/空穴遷移率以獲得電荷平衡，這一點成為確定電子傳輸層(ETL)材料的原因。
[0062]電子傳輸層(ETL)可以包括4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉以提高電子遷移率。含4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉的電子傳輸層的電子遷移率與參考圖1至圖4G描述的第一公共層(CLl)的空穴遷移率平衡。通過這種平衡可以提高激子產(chǎn)生效率。
[0063]相比于其它已知的用于電子傳輸層(ETL)的材料，如喹啉衍生物、TAZ、Balq，三烴甲氨基甲烷(8-烴基喹啉)鋁以及類似材料，4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉具有更為改善的電子遷移率。電子傳輸層(ETL)特性隨材料的變化將參考圖6A和圖6B進行描述。
[0064]圖6A是示出隨電子傳輸層材料變化的亮度-電流效率比曲線(GE1、GFl和GGl)的圖表，而圖6B是示出亮度-功率效率比曲線(GE2、GF2和GG2)的圖表。有機發(fā)光設(shè)備的發(fā)光效率特性可以從曲線(GE 1、GF1、GG1、GE2、GF2和GG2 )中獲得。
[0065]在圖6A和6B中，第一曲線(GEl和GE2)展示了一種有機發(fā)光設(shè)備的特性，該有機發(fā)光設(shè)備包括含4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉的電子傳輸層。在圖6A和6B中，第二曲線(GFl和GF2)展示了一種有機發(fā)光設(shè)備的特性，該有機發(fā)光設(shè)備包括含三烴甲氨基甲烷(8-烴基喹啉)鋁的電子傳輸層。在圖6A和6B中，第三曲線(GGl和GG2)展示了一種有機發(fā)光設(shè)備的特性，該有機發(fā)光設(shè)備包括含并五苯的電子傳輸層。
[0066]除電子傳輸層的配置外，具有圖6A和圖6B的圖表中所示曲線(GEUGFl、GG1、GE2、GF2和GG2)的有機發(fā)光設(shè)備與具有圖3的圖表中所示第一曲線(GAl和GA2)的有機發(fā)光設(shè)備具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0067]如圖6A所示，相同亮度下，第一曲線(GEl)比第二和第三曲線(GFl和GGl)具有更高的電流效率。如圖6B所示，相同亮度下，第一曲線(GE2)比第二和第三曲線(GF2和GG2)具有更高的功率效率。即，相同亮度下，與第一曲線(GEl和GE2)對應(yīng)的有機發(fā)光設(shè)備比與第二曲線(GFl和GF2)和第三曲線(GGl和GG2)對應(yīng)的有機發(fā)光設(shè)備消耗的功率低。并且，與第一曲線(GEl和GE2)對應(yīng)的有機發(fā)光設(shè)備比與第二曲線(GFl和GF2)對應(yīng)的有機發(fā)光設(shè)備在功率而非電流上具有更高的效率。
[0068]總之，其包括位于經(jīng)CF4等離子體處理的第一電極層上的含并五苯的第一公共層、以及含4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉的電子傳輸層的有機發(fā)光設(shè)備展示了得到最大程度提高的發(fā)光效率特性。
[0069]圖7是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例制造的有機發(fā)光設(shè)備(0LED20)的截面圖。除在有機發(fā)光層(EML)與第二公共層(CL2)之間進一步包括空穴阻擋層(HBL)以外，根據(jù)本實施例的有機發(fā)光設(shè)備與參考圖1至圖4G描述的有機發(fā)光設(shè)備具有相同的配置。因此，相同的參考標(biāo)記被指定給與參考圖1至圖4G所述實施例中元件相同的元件，其詳細(xì)描述將被省略。
[0070]如圖7所示，有機發(fā)光設(shè)備(0LED20)進一步包括空穴阻擋層(HBL)?？昭ㄗ钃鯇?HBL)阻擋空穴從有機發(fā)光層(EML)向第二公共層(CL2)擴散。由于空穴阻擋層(HBL)允許空穴停留在有機發(fā)光層(EML)中，因此可以提高激子產(chǎn)生效率。
[0071]空穴阻擋層(HBL)可以包括惡二唑衍生物、苯三唑衍生物、鄰菲咯啉衍生物、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-鄰菲咯啉或類似物質(zhì)?？昭ㄗ钃鯇?HBL)布置在有機發(fā)光層(EML)和第二公共層(CL2)之間?？昭ㄗ钃鯇?HBL)可以通過各種方法形成，例如真空蒸鍍、旋轉(zhuǎn)涂布或類似方法。
[0072]如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括對第一電極層進行表面處理。第一電極層使用CF4等離子體進行表面處理。CF4等離子體處理可以改善堆疊在第一電極層上的第一公共層中的空穴遷移率。因此，第一電極層和第一公共層之間的界面中的電荷注入/傳輸可以平穩(wěn)進行。因此，有機發(fā)光設(shè)備的發(fā)光效率可以得到提高以降低功耗。
[0073]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，制造有機發(fā)光設(shè)備的方法包括形成4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉的電子傳輸層。通過這樣做，電子傳輸層具有高電荷遷移率，以實現(xiàn)電荷平衡。因此，激子的產(chǎn)生效率得到提高，因而功率效率也得到提高。
[0074]雖然已參考本發(fā)明的示例性實施例對本發(fā)明進行了具體地展示和描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在其中作各種形式和細(xì)節(jié)上的改變，而不超出所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的范圍不以本發(fā)明的詳細(xì)描述而以其附加的權(quán)利要求限定，并且此范圍內(nèi)的所有差別將被解釋為包括在本發(fā)明內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種制造有機發(fā)光設(shè)備的方法，所述方法包括: 在基板上形成第一電極層； 使用CF4等離子體對所述第一電極層進行表面處理； 在經(jīng)表面處理的第一電極層上形成含并五苯的第一公共層； 在所述第一公共層上形成有機發(fā)光層； 在所述有機發(fā)光層上形成第二公共層；以及 在所述第二公共層上形成第二電極層。
2.如權(quán)利要求1所述方法，其中形成所述第一公共層包括在所述經(jīng)表面處理的第一電極層上堆疊空穴注入層。
3.如權(quán)利要求2所述方法，其中形成所述第一公共層進一步包括在所述空穴注入層上堆疊空穴傳輸層。
4.如權(quán)利要求2所述方法，其中形成所述第二公共層進一步包括在所述有機發(fā)光層上堆疊電子注入層。
5.如權(quán)利要求2所述方法，其中形成所述第二公共層進一步包括: 在所述有機發(fā)光層上堆疊電子傳輸層；以及 在所述電子傳輸層上堆疊電子注入層。
6.如權(quán)利要求5所述方法，進一步包括在所述電子傳輸層和所述有機發(fā)光層之間形成空穴阻擋層以阻擋空穴從所述有機發(fā)光層向所述電子傳輸層的移動。
7.如權(quán)利要求1所述方法，其中所述第二公共層包含4，7-二苯基-1，10-鄰菲咯啉。
8.如權(quán)利要求1所述方法，其中所述第一電極層包含銦錫氧化物。
9.一種制造有機發(fā)光設(shè)備的方法，所述方法包括: 在基板上形成含銦錫氧化物的第一電極層； 使用CF4等離子體對所述第一電極層進行表面處理； 在經(jīng)表面處理的第一電極層上形成含并五苯的第一公共層； 在所述第一公共層上形成有機發(fā)光層； 在所述有機發(fā)光層上形成空穴阻擋層； 在所述空穴阻擋層上形成第二公共層；以及 在所述第二公共層上形成第二電極層。
10.如權(quán)利要求9所述方法，其中所述第二公共層包括順序堆疊的電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號】H01L51/56GK103915576SQ201310361686
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月4日
【發(fā)明者】崔賢珠, 李昌浩, 吳一洙, 高熙周, 申大燁, 崔柄河, 李昌敃, 李寅宰, 田坪恩, 趙世珍, 尹振瑛, 李寶羅, 金范俊, 李衍祐, 沈芝慧, 沈重元 申請人:三星顯示有限公司