固體電解電容器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種導(dǎo)電性高分子層的膜厚偏差小的固體電解電容器及其制造方法。將在陽(yáng)極體(1)的表面形成了電介質(zhì)氧化皮膜(2)的閥作用金屬基體交替地浸漬于單體溶液和氧化劑溶液中，從而在電介質(zhì)氧化皮膜的表面形成第1導(dǎo)電性高分子層(3)。此時(shí)，將浸漬于氧化劑溶液的浸漬時(shí)間設(shè)為15秒以內(nèi)。之后，將形成了第1導(dǎo)電性高分子層(3)的電容器元件浸漬于可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋褐?，從而形成膜厚偏差小的?導(dǎo)電性高分子層(4)。之后，在導(dǎo)電性高分子層(4)上形成陰極層(5)。
【專利說(shuō)明】固體電解電容器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在閥作用金屬基體表面的電介質(zhì)氧化皮膜層上具備導(dǎo)電性高分子層的固體電解電容器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]專利文獻(xiàn)I公開(kāi)了具備導(dǎo)電性高分子層的固體電解電容器的制造方法。
[0003]專利文獻(xiàn)I公開(kāi)了如下的固體電解電容器:在閥作用金屬基體(陽(yáng)極體)的表面形成電介質(zhì)氧化皮膜，在該電介質(zhì)氧化皮膜的表面通過(guò)化學(xué)聚合作用而形成第I導(dǎo)電性高分子層，進(jìn)一步在其表面形成采用了可溶性導(dǎo)電性高分子液的第2導(dǎo)電性高分子層。
[0004]【專利文獻(xiàn)I 】JP特開(kāi)2008-53512號(hào)公報(bào)
[0005]在專利文獻(xiàn)I中，形成上述第2導(dǎo)電性高分子層時(shí)，將已形成電介質(zhì)氧化皮膜的陽(yáng)極體浸潰于可溶性高分子溶液之后吊起時(shí)，由于重力和表面張力的影響，下端部的厚度會(huì)變大。
[0006]圖11 (A)、圖11 (B)、圖11 (C)、圖11 (D)是示意性表示通過(guò)浸潰于可溶性導(dǎo)電性高分子液并吊起而形成的第2導(dǎo)電性高分子層的膜厚的剖視圖。首先，如圖1l(A)所示，準(zhǔn)備在陽(yáng)極體I的表面通過(guò)陽(yáng)極氧化而形成了電介質(zhì)氧化皮膜2的閥作用金屬基體，如圖11 (B)所示，在該閥作用金屬基體的電介質(zhì)氧化皮膜2的表面，通過(guò)化學(xué)聚合作用而形成第I導(dǎo)電性高分子層3。然后，將形成了該第I導(dǎo)電性高分子層3的電容器元件浸潰于可溶性高分子溶液，并吊起，從而如圖1l(C)所示，在第I導(dǎo)電性高分子層3的表面形成第2導(dǎo)電性高分子層4，但由于作用于可溶性高分子溶液的重力(自身重量)和表面張力的影響，電容器元件的下端部的厚度變大。之后，將形成了第I導(dǎo)電性高分子層3及第2導(dǎo)電性高分子層4的電容器元件浸潰于陰極形成用的膏劑槽中，并使其干燥。通過(guò)該工序，如圖1l(D)所示，在電容器元件的第2導(dǎo)電性高分子層4的表面形成陰極層5。
[0007]另外，在本申請(qǐng)中，將如圖1l(A)所示那樣在陽(yáng)極體I的表面形成了電介質(zhì)氧化皮膜層2的狀態(tài)下的產(chǎn)物稱為閥作用金屬基體。此外，將如圖1l(B)所示在閥作用金屬基體上形成了第I導(dǎo)電性高分子層3的狀態(tài)下的產(chǎn)物、如圖1l(C)所示在第I導(dǎo)電性高分子層3的表面形成了第2導(dǎo)電性高分子層4的狀態(tài)下的產(chǎn)物、如圖1l(D)所示進(jìn)一步形成了陰極層5的狀態(tài)下的產(chǎn)物都稱為電容器元件。
[0008]這樣，由于電容器元件的下端部的厚度變大，故成為阻礙層疊多個(gè)電容器元件而構(gòu)成的固體電解電容器的薄型化的要因。此外，電容器元件的下端部的厚度尺寸不穩(wěn)定，電容器元件下端部的厚度尺寸在一個(gè)批次產(chǎn)品之間偏差較大，其結(jié)果，固體電解電容器的尺寸偏差變大也是問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電性高分子層的膜厚偏差小的固體電解電容器及其制造方法。[0010]本發(fā)明的固體電解電容器的特征在于，具備:
[0011]閥作用金屬基體，其在具有空隙部的多孔陽(yáng)極體的表面形成有電介質(zhì)氧化皮膜層，且具有引出電極部；
[0012]第I導(dǎo)電性高分子層，其形成在所述電介質(zhì)氧化皮膜層的表面，填充所述閥作用金屬基體的空隙部，并且在所述電介質(zhì)氧化皮膜層的表面上，在距所述引出電極部的距離不同的至少兩處具有析出部；和
[0013]采用可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋憾纬稍谒龅贗導(dǎo)電性高分子層的表面的第2導(dǎo)電性高分子層。
[0014]此外，所述固定電解電容器是通過(guò)如下方法制造的，該方法包括:
[0015]將所述閥作用金屬基體交替地浸潰于單體溶液和氧化劑溶液中，并將浸潰于所述氧化劑溶液的浸潰時(shí)間設(shè)為15秒以內(nèi)，從而在所述電介質(zhì)氧化皮膜的表面形成第I導(dǎo)電性聞分子層的工序；和
[0016]將形成了所述第I導(dǎo)電性高分子層的閥作用金屬基體浸潰于可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋褐?，從而在所述第I導(dǎo)電性高分子層的表面形成所述第2導(dǎo)電性高分子層的工序。
[0017](發(fā)明效果)
[0018]根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得導(dǎo)電性高分子層的膜厚偏差變小、較薄且尺寸偏差小的固體電解電容器。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1(A)、圖1 (B)、圖1 (C)、圖1(D)是第I實(shí)施方式的固體電解電容器的制造工序的各階段下的剖視圖。
[0020]圖2是形成第I導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0021]圖3是形成第2導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0022]圖4是固體電解電容器101的剖視圖。
[0023]圖5是形成第2實(shí)施方式的固體電解電容器的第I導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0024]圖6是形成第2實(shí)施方式的固體電解電容器的第2導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0025]圖7是表示第3實(shí)施方式的固體電解電容器的析出部的位置的俯視圖。
[0026]圖8 (A)、圖8 (B)、圖8 (C)、圖8⑶是比較例的固體電解電容器的制造工序的各階段下的剖視圖。
[0027]圖9是形成比較例的固體電解電容器的第I導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0028]圖10是形成比較例的固體電解電容器的第2導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0029]圖11(A)、圖11 (B)、圖11 (C)、圖1l(D)是示意性表示通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中的制造方法形成的第2導(dǎo)電性高分子層的膜厚的剖視圖。
[0030]符號(hào)說(shuō)明:
[0031]1...陽(yáng)極體[0032]2...電介質(zhì)氧化皮膜
[0033]3...第I導(dǎo)電性高分子層
[0034]3L...下部析出部
[0035]3U...上部析出部
[0036]4...第2導(dǎo)電性高分子層
[0037]5...陰極層
[0038]6...墊圈
[0039]7...引出電極部 [0040]9...元件結(jié)合材料
[0041]11...電容器元件
[0042]50...外裝樹(shù)脂
[0043]71...陽(yáng)極抵接部
[0044]72...陽(yáng)極外部端子部
[0045]82...陰極外部端子部
[0046]83...陰極支撐部
[0047]101…固體電解電容器
【具體實(shí)施方式】
[0048]《第I實(shí)施方式》
[0049]固體電解電容器具有分別設(shè)置了在陽(yáng)極體的表面形成有電介質(zhì)氧化皮膜層的閥作用金屬基體、導(dǎo)電性高分子層、陰極層的電容器元件，且具備與閥作用金屬基體導(dǎo)通的陽(yáng)極導(dǎo)通件、和與陰極層導(dǎo)通的陰極導(dǎo)通件，至少電容器元件被外裝樹(shù)脂覆蓋。此外，為了得到規(guī)定電容，根據(jù)需要而將多個(gè)電容器元件層疊后并聯(lián)連接。
[0050]圖1 (A)、圖1 (B)、圖1 (C)、圖1⑶是第I實(shí)施方式的固體電解電容器的制造工序的各階段的剖視圖。以下，參照這些圖來(lái)說(shuō)明各工序。
[0051][電介質(zhì)氧化皮膜層形成工序]
[0052]圖1 (A)是在陽(yáng)極體I的表面形成了電介質(zhì)氧化皮膜層2的閥作用金屬基體的剖視圖。是在由Al基底構(gòu)成的閥作用金屬基體I的表面形成了由氧化鋁(Al2O3)膜構(gòu)成的電介質(zhì)氧化皮膜2的、例如厚度為100 μ m的Al箔。該Al箔通過(guò)蝕刻使其表面多孔化，在多孔內(nèi)的表面形成了幾nm~十幾nm量級(jí)的氧化鋁膜。該氧化鋁膜是將Al箔和異性極浸潰于己二酸銨水溶液并將Al箔作為陽(yáng)極、將異性極作為陰極而施加規(guī)定電壓后通過(guò)陽(yáng)極氧化而形成的。
[0053][第I導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0054]將在陽(yáng)極體I的表面形成了電介質(zhì)氧化皮膜的閥作用金屬基體交替地浸潰于單體溶液和氧化劑溶液，從而在電介質(zhì)氧化皮膜的表面形成第I導(dǎo)電性高分子層。
[0055]具體而言，將陽(yáng)極體浸潰于亞乙基二氧噻吩的32wt%乙醇溶液(單體溶液)中60秒之后，吊起來(lái)，在室溫下使其干燥5分鐘，進(jìn)一步在將摻雜劑100.0g和過(guò)硫酸銨60.3g溶解于70.1g的水中而得到的氧化劑溶液中使其浸潰3秒鐘，然后吊起，為了進(jìn)行干燥及聚合反應(yīng)而在室溫下放置15分鐘。將該Al箔浸潰于純水中5分鐘來(lái)進(jìn)行清洗，并在105°C的烤爐中使其干燥10分鐘。反復(fù)進(jìn)行8次上述的單體溶液浸潰.干燥氧化劑溶液浸潰.干燥4清洗.干燥的循環(huán)。
[0056]通過(guò)該工序，如圖1(B)所示，在距引出電極部7的距離不同的位置處形成第I導(dǎo)電性高分子層3的上部析出部3U及下部析出部3L。圖2是形成第I導(dǎo)電性高分子層之后的俯視圖(照片)。
[0057]另外，將閥作用金屬基體浸潰于單體溶液和氧化劑溶液之后吊起來(lái)干燥時(shí)，通過(guò)在電容器元件的下部能夠使液體滯留，從而形成下部析出部3L。
[0058]此外，不清楚形成上部析出部3U的詳細(xì)原因，但推測(cè)為是，將閥作用金屬基體浸潰于單體溶液和氧化劑溶液之后吊起來(lái)干燥時(shí)，從無(wú)液體滯留的電容器元件上部開(kāi)始進(jìn)行干燥，因此隨著干燥的推進(jìn)，因毛細(xì)管現(xiàn)象，氧化劑溶液成分被吸入上部，因而被濃縮，因此形成了上部析出部3U。
[0059]另一方面，將電容器元件浸潰于單體溶液之后浸潰于氧化劑溶液時(shí)，保持在電容器元件表面上的單體慢慢溶解于氧化劑溶液而流出。此外，電容器元件表面的單體保持量因重力和表面張力的作用，電容器元件上部比下部少。其結(jié)果，若超過(guò)浸潰于氧化劑的浸潰時(shí)間超過(guò)一定時(shí)間，則電容器元件上部中的單體保持量變得過(guò)少，在上部不再引起析出，因此推測(cè)為僅形成了下部析出部3L。
[0060][第2導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0061]將形成了第I導(dǎo)電性高分子層的電容器元件浸潰于可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋?，從而在所述第I導(dǎo)電性高分子層的表面形成第2導(dǎo)電性高分子層。
[0062]具體而言，反復(fù)進(jìn)行2次在以聚噻吩為主成分的導(dǎo)電性高分子懸濁液中將形成了第I導(dǎo)電性高分子層的陽(yáng)極體浸潰10秒鐘之后吊起來(lái)在60°C下干燥10分鐘的工序，最后在150°C下進(jìn)行30分鐘的熱處理。
[0063]通過(guò)該工序，如圖1(C)所示，在第I導(dǎo)電性高分子層3的表面形成膜厚偏差小的第2導(dǎo)電性高分子層4。圖3是形成上述第2導(dǎo)電性高分子層之后的俯視圖(照片)。
[0064]通過(guò)接觸式膜厚計(jì)測(cè)量了形成第2導(dǎo)電性高分子層之后的厚度(第I導(dǎo)電性高分子層3的厚度+第2導(dǎo)電性高分子層4的厚度)，最大厚度與最小厚度之差是5 μ m。
[0065]由此，由于在第I導(dǎo)電性高分子層3中形成有上部析出部3U及下部析出部3L，因此因第2導(dǎo)電性高分子層4的自身重量和表面張力的影響而成為下部膨脹狀態(tài)的傾向得到抑制，表面大致均勻。
[0066]在上述的例子中，使用了以聚噻吩為主成分的導(dǎo)電性高分子懸濁液，但是也可以使用以聚吡咯為主成分的導(dǎo)電性高分子懸濁液、或聚苯胺等可溶性導(dǎo)電性高分子溶液。此時(shí)，形成上部析出部3U及下部析出部3L時(shí)的浸潰時(shí)間也相同。
[0067]另外，接觸式膜厚計(jì)的測(cè)量方法如下。
[0068]測(cè)量機(jī):Mitutoyo公司制 Digimatic Indicators IDC-112B
[0069]測(cè)量條件:在Al箔的上部、中央部、下部測(cè)量各個(gè)Al箔的兩側(cè)和中央的共計(jì)9個(gè)點(diǎn)，并將其平均值作為測(cè)量值。
[0070]計(jì)算方法:將(測(cè)量值-Al箔厚度)/2作為導(dǎo)電性高分子層的厚度。
[0071]在本發(fā)明中，第I導(dǎo)電性高分子層3的析出部在接觸式膜厚計(jì)中是厚度I μ m以上程度厚的區(qū)域。[0072][陰極層形成工序]
[0073]在形成第2導(dǎo)電性高分子層后的電容器元件的表面上形成陰極層。具體而言，將電容器元件浸潰于碳膏劑中并使其干燥，形成厚度為3 μ m的碳層之后，浸潰于銀膏劑槽中并使其干燥，形成厚度為20 μ m的銀電極層。另外，碳層和銀電極層可通過(guò)絲網(wǎng)印刷法或噴霧涂敷法來(lái)形成。
[0074]通過(guò)該工序，如圖1(D)所示，在電容器元件的第2導(dǎo)電性高分子層4的表面形成陰極層5。
[0075]層疊通過(guò)以上所示的方法制造出的電容器元件11，成型為在外面形成有端子的芯片部件。例如，圖4是具備以上所示的電容器元件的固體電解電容器101的剖視圖。在該例中，在陰極支撐部83中層疊有3個(gè)電容器元件11。
[0076]陰極支撐部83與電容器元件11之間、以及各電容器元件11彼此經(jīng)由元件結(jié)合材料9而被接合。
[0077]在各電容器元件11的、覆蓋了電介質(zhì)氧化皮膜層2的閥作用金屬基體I的突出部中設(shè)有墊圈6。此外，各電容器元件11的閥作用金屬基體I與陽(yáng)極抵接部71導(dǎo)通。
[0078]在外裝樹(shù)脂50的外面，露出與陰極支撐部83導(dǎo)通的陰極外部端子部82。此外，露出與陽(yáng)極抵接部71導(dǎo)通的陽(yáng)極外部端子部72。
[0079]如以上所示，由于電容器元件11的表面的凹凸小，因此層疊多個(gè)電容器元件11時(shí)，應(yīng)力集中得到緩和，能夠防止在電容器元件11中產(chǎn)生缺陷。
[0080]《第2實(shí)施方式》
[0081][電介質(zhì)氧化皮膜層形成工序]
[0082]與第I實(shí)施方式相同。
[0083][第I導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0084]將在陽(yáng)極體I的表面形成了電介質(zhì)氧化皮膜層2的閥作用金屬基體在亞乙基二氧噻吩的32wt%乙醇溶液(單體溶液)中浸潰60秒鐘之后吊起來(lái)在室溫下使其干燥5分鐘，然后在將摻雜劑100.0g和過(guò)硫酸銨60.3g溶解于70.1g的水中而得到的氧化劑溶液中浸潰15秒鐘后吊起來(lái)，為了進(jìn)行干燥及聚合反應(yīng)而在室溫下放置15分鐘。將該Al箔浸潰于純水中5分鐘來(lái)進(jìn)行清洗，在105°C的烤爐中使其干燥10分鐘。反復(fù)進(jìn)行8次上述的單體溶液浸潰.干燥4氧化劑溶液浸潰.干燥4清洗.干燥的循環(huán)。
[0085]不同于第I實(shí)施方式的是，浸潰于氧化劑溶液的浸潰時(shí)間不是3秒，而是變更為15秒。
[0086]圖5是形成上述第I導(dǎo)電性高分子層后俯視圖(照片)。通過(guò)該工序，如圖5所示，在距引出電極部7的距離不同的位置處形成第I導(dǎo)電性高分子層的上部析出部3U及下部析出部3L。
[0087][第2導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0088]反復(fù)進(jìn)行2次在以聚噻吩為主成分的導(dǎo)電性高分子懸濁液中將形成了第I導(dǎo)電性高分子層的陽(yáng)極體浸潰10秒鐘之后吊起來(lái)并在60°C下使其干燥10分鐘的工序，最后在150°C下進(jìn)行30分鐘的熱處理。該工序與第I實(shí)施方式所示的工序相同。通過(guò)接觸式膜厚計(jì)測(cè)量了形成第2導(dǎo)電性高分子層后的厚度(第I導(dǎo)電性高分子的厚度+第2導(dǎo)電性高分子的厚度)，最大厚度與最小厚度之差是6 μ m。[0089]圖6是形成上述第2導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。在第I導(dǎo)電性高分子層中形成有上部析出部3U及下部析出部3L，因此，因第2導(dǎo)電性高分子層4的自身重量和表面張力的影響而成為下部膨脹狀態(tài)的傾向得到抑制，表面大致均勻。
[0090]如第I和第2實(shí)施方式所示，浸潰于上述氧化劑溶液中的浸潰時(shí)間并不限于3秒，只要浸潰15秒以內(nèi)，就可形成上部析出部3U和下部析出部3L。
[0091]《比較例》
[0092]圖8 (A)、圖8 (B)、圖8 (C)、圖8⑶是比較例的固體電解電容器的制造工序的各階段下的剖視圖。
[0093][電介質(zhì)氧化皮膜層形成工序]
[0094]與第I實(shí)施方式相同，如圖8(A)所示，在陽(yáng)極體I的表面形成電介質(zhì)氧化皮膜層。
[0095][第I導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0096]除了將單體溶液的浸潰時(shí)間及氧化劑溶液的浸潰時(shí)間設(shè)成了 60秒之外，與第I實(shí)施方式相同。通過(guò)該工序，如圖8(B)所示，在第I導(dǎo)電性高分子層3的下部形成了下部析出部3L。圖9是形成該第I導(dǎo)電性高分子層后的俯視圖(照片)。
[0097][第2導(dǎo)電性高分子層形成工序]
[0098]條件與第I實(shí)施方式相同。通過(guò)該工序，如圖8(C)所示，在第I導(dǎo)電性高分子層3的表面形成第2導(dǎo)電性高分子層4。圖10是形成上述第2導(dǎo)電性高分子層厚的俯視圖(照片)。
[0099]通過(guò)接觸式膜厚計(jì)測(cè)量了形成第2導(dǎo)電性高分子層后的厚度(第I導(dǎo)電性高分子的厚度+第2導(dǎo)電性高分子的厚度)，最大厚度與最小厚度之差是8 μ m。
[0100]之后，通過(guò)陰極層形成工序，如圖8(D)所示，在電容器元件的第2導(dǎo)電性高分子層4的表面形成陰極層5。
[0101]由此，在形成第I導(dǎo)電性高分子層3時(shí)，若浸潰于氧化劑溶液的浸潰時(shí)間超過(guò)15秒，則電容器元件的導(dǎo)電性高分子的膜厚變得不均勻，成為阻礙薄型化的要因，且厚度尺寸的偏差也變大。
[0102]《第3實(shí)施方式》
[0103]圖7是表示第3實(shí)施方式的固體電解電容器的析出部的位置的俯視圖。在如圖2、圖5所示的例中，示出了在距引出電極部7的距離不同的位置處形成了橫寬方向上較寬的上部析出部3U及下部析出部3L的例，但是不一定在橫寬的整個(gè)寬度上變寬，如圖7(A)所示，也可以在橫寬方向及縱向上一部分較寬。即，不一定要以析出部在橫寬的整個(gè)寬度上較寬這樣的浸潰于氧化劑溶液的浸潰條件作為目標(biāo)。此外，如圖7(B)所示，上部析出部3U及下部析出部3L不一定是左右對(duì)稱(關(guān)于縱向延伸的中心線對(duì)稱)的。
【權(quán)利要求】
1.一種固體電解電容器，其具備: 閥作用金屬基體，其在具有空隙部的多孔陽(yáng)極體的表面形成有電介質(zhì)氧化皮膜層，且具有引出電極部； 第I導(dǎo)電性高分子層，其形成在所述電介質(zhì)氧化皮膜層的表面，填充所述閥作用金屬基體的空隙部，并且在所述電介質(zhì)氧化皮膜層的表面上，在距所述引出電極部的距離不同的至少兩處具備析出部；和 采用可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋憾纬稍谒龅贗導(dǎo)電性高分子層的表面的第2導(dǎo)電性高分子層。
2.—種固體電解電容器的制造方法,所述固體電解電容器具備:閥作用金屬基體，其在具有空隙部的多孔陽(yáng)極體的表面形成有電介質(zhì)氧化皮膜層，且具有引出電極部；形成在所述電介質(zhì)氧化皮膜層的表面的第I導(dǎo)電性高分子層；和形成在所述第I導(dǎo)電性高分子層的表面的第2導(dǎo)電性高分子層，該固體電解電容器的制造方法包括: 將所述閥作用金屬基體交替地浸潰于單體溶液和氧化劑溶液中，并將浸潰于所述氧化劑溶液的浸潰時(shí)間設(shè)為15秒以內(nèi)，從而在所述電介質(zhì)氧化皮膜的表面形成第I導(dǎo)電性高分子層的工序；和 將形成了所述第I導(dǎo)電性高分子層的閥作用金屬基體浸潰于可溶性導(dǎo)電性高分子溶液或?qū)щ娦愿叻肿討覞嵋褐?，從而在所述第I導(dǎo)電性高分子層的表面形成所述第2導(dǎo)電性高分子層的工序。
【文檔編號(hào)】H01G9/004GK103632846SQ201310361617
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】尾上智章, 德原弘史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所