移除制作工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)一種移除制作工藝，其包括將襯底送入蝕刻機(jī)臺(tái)，襯底上已形成材料層。進(jìn)行循環(huán)制作工藝。此循環(huán)制作工藝包括進(jìn)行蝕刻制作工藝，以移除部分材料層；以及進(jìn)行回火制作工藝，以移除蝕刻制作工藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物。之后至少重復(fù)一次循環(huán)制作工藝，再將襯底移出蝕刻機(jī)臺(tái)。本發(fā)明的移除制作工藝?yán)枚啻窝h(huán)制作工藝，可以有效移除材料層所需移除的厚度，降低負(fù)載效應(yīng)。
【專利說(shuō)明】移除制作工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種集成電路的制作工藝，且特別是涉及一種移除制作工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]蝕刻制作工藝是半導(dǎo)體制作工藝中經(jīng)常用來(lái)移除膜層的方法。通常，蝕刻制作工藝可以區(qū)分為濕式蝕刻制作工藝與干式蝕刻制作工藝。濕式蝕刻具有較高的選擇性，適于用在等向性蝕刻，但是，濕式蝕刻并不容易得到垂直的結(jié)構(gòu)。目前有愈來(lái)愈多元件朝高深寬比結(jié)構(gòu)發(fā)展，而使用干式蝕刻在這方面有極佳的效果，而且干式蝕刻還具有蝕刻率控制佳、蝕刻尺寸精密、自動(dòng)化程度高等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]然而，隨著元件尺寸不斷的小型化，干式蝕刻制作工藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物容易殘留在圖案之間的小間隙之中，而導(dǎo)致間隙下方的材料層無(wú)法蝕刻移除所需的厚度，而且容易造成嚴(yán)重的負(fù)載效應(yīng)等問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種移除制作工藝，利用多次循環(huán)制作工藝，可以有效移除材料層，降低負(fù)載效應(yīng)。
[0005]本發(fā)明提出一種移除制作工藝，其包括:將襯底送入蝕刻機(jī)臺(tái)，上述襯底上已形成材料層。進(jìn)行循環(huán)制作工藝。進(jìn)行循環(huán)制作工藝包括進(jìn)行蝕刻制作工藝，以移除部分上述材料層；以及進(jìn)行回火制作工藝，以移除上述蝕刻制作工藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物。至少重復(fù)一次上述循環(huán)制作工藝。將上述襯底移出上述蝕刻機(jī)臺(tái)。
[0006]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述至少重復(fù)一次上述循環(huán)制作工藝是重復(fù)上述循環(huán)制作工藝至少二次。
[0007]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述蝕刻制作工藝使用NF3與NH3做為蝕刻氣體且NF3與NH3的體積流量比為l/10〈NF3/NH3〈l/2。
[0008]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述蝕刻制作工藝的射頻為10kW至40kW。
[0009]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述蝕刻制作工藝的蝕刻的速率為0.5埃/秒至1.5埃/秒。
[0010]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述回火制作工藝所通入的氣體包括H2與八!.。
[0011]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述回火制作工藝的溫度在攝氏150度至500度之間。
[0012]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述材料層為氧化硅層。
[0013]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述氧化硅層為原生氧化硅層。
[0014]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述材料層位于鰭狀物上。
[0015]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述材料層為取代金屬柵極(RMG)制作工藝的介電層。
[0016]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述移除制作工藝為預(yù)外延清洗制作工藝(pre-Epiclean)。
[0017]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述移除制作工藝為鰭狀晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回蝕刻制作工藝(FinFET ST I etching back)。
[0018]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，在進(jìn)行上述循環(huán)制作工藝之前更包括進(jìn)行預(yù)回火制作工藝。
[0019]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述循環(huán)制作工藝更包括在將上述襯底移出上述蝕刻機(jī)臺(tái)之前，更包括進(jìn)行至少一吹凈制作工藝。
[0020]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述循環(huán)制作工藝更包括上述回火制作工藝之后進(jìn)行至少一吹凈制作工藝。
[0021]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述至少一吹凈制作工藝所通入的氣體包括He。
[0022]依照本發(fā)明實(shí)施例所述，上述至少一吹凈制作工藝的時(shí)間為10至60秒。
[0023]本發(fā)明的移除制作工藝，利用多次循環(huán)制作工藝，可以有效移除材料層，降低負(fù)載效應(yīng)。
[0024]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為依照本發(fā)明實(shí)施例繪示的一種移除制作工藝的流程圖；
[0026]圖2A至圖2E為依照本發(fā)明實(shí)施例繪示的一種移除制作工藝的剖視圖；
[0027]圖3A至圖3B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于鰭狀晶體管的介電層移除制作工藝的剖面示意圖；
[0028]圖4A至圖4B是一種是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于鰭狀晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回蝕刻制作工藝的剖面示意圖；
[0029]圖5A至圖5B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于取代金屬柵極(RMG)制作工藝的剖面示意圖；以及
[0030]圖6A至圖6B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于預(yù)外延清洗制作工藝(Pre-Epi Clean)的剖面示意圖。
[0031]符號(hào)說(shuō)明
[0032]10、30、40、50、60:襯底
[0033]11:材料層
[0034]12:副產(chǎn)物
[0035]14:蝕刻制作工藝
[0036]16:回火制作工藝
[0037]18:吹凈制作工藝
[0038]32、42:鰭狀物
[0039]34>52>56:介電層
[0040]36、46:間隙
[0041]44、44a:絕緣層
[0042]54、62:柵極溝槽
[0043]64:凹陷
[0044]66:氧化硅層
[0045]100、102、110、114、116、118、120:步驟

【具體實(shí)施方式】
[0046]本發(fā)明的移除制作工藝是將待移除的材料層通過(guò)將包括蝕刻與回火的循環(huán)制作工藝至少重復(fù)一次，并在循環(huán)制作工藝之前選擇性的搭配預(yù)回火來(lái)進(jìn)行移除制作工藝。利用多次循環(huán)制作工藝的方式，可以有效的移除材料層，并改善負(fù)載效應(yīng)。以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例，然而，本發(fā)明實(shí)施例并不以此為限。
[0047]圖1為依照本發(fā)明實(shí)施例繪示的一種移除制作工藝的流程圖。圖2A至圖2E為依照本發(fā)明實(shí)施例繪示的一種移除制作工藝的剖視圖。
[0048]請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2A，步驟100，將襯底10置于基座(pedestal)上，送入蝕刻機(jī)臺(tái)。此襯底10上已形成材料層11。材料層11可以是氧化硅層、氮化硅層或是氮氧化硅層，例如是原生氧化娃層。蝕刻機(jī)臺(tái)例如是遠(yuǎn)距等離子體輔助干式蝕刻系統(tǒng)(remote plasmaassisted dry etch system)。
[0049]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2A，步驟102，選擇性進(jìn)行預(yù)回火制作工藝12。預(yù)回火制作工藝12所通入的氣體為H2與Ar。預(yù)回火制作工藝12的溫度大于攝氏90度以上，可以是攝氏150度至190度之間，例如是攝氏180度。預(yù)回火制作工藝12的時(shí)間例如是30秒至120 秒。
[0050]之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖2B與圖2C，步驟110，進(jìn)行循環(huán)制作工藝。進(jìn)行循環(huán)制作工藝包括進(jìn)行蝕刻制作工藝14與進(jìn)行回火制作工藝16，步驟114與116。
[0051]請(qǐng)參照?qǐng)D2B，進(jìn)行蝕刻制作工藝14以移除材料層11的一部分，留下材料層11a。蝕刻制作工藝14例如是等離子體蝕刻制作工藝。在一實(shí)施例中，蝕刻制作工藝14可以包括三個(gè)步驟。蝕刻制作工藝14的第一個(gè)步驟是等離子體產(chǎn)生步驟。蝕刻制作工藝14所使用蝕刻氣體源包括含氟氣體源以及含氫氣體源。含氟氣體源例如是即3源；含氫氣體源例如是NH3源，且蝕刻氣體中NF3的體積流量低于NH3的體積流量，例如是NF3/NH3〈l/2，以避免蝕刻材料層11過(guò)快而產(chǎn)生過(guò)多的副產(chǎn)物的問(wèn)題。在一實(shí)施例中，蝕刻制作工藝14所使用蝕刻氣體包括NF3與NH3，且體積流量比為l/10〈NF3/NH3〈l/2。當(dāng)蝕刻氣體NF3與NH3通入蝕刻機(jī)臺(tái)之后，產(chǎn)生等離子體NH4F與NH4F.HF。等離子體產(chǎn)生步驟的反應(yīng)式(僅為示意并未化學(xué)平衡)如下:
[0052]NF3+NH3 — NH4F+NH4F.HF
[0053]蝕刻制作工藝14的第二步驟是蝕刻反應(yīng)步驟。通過(guò)蝕刻制作工藝14的參數(shù)控制，使等離子體與材料層11進(jìn)行蝕刻反應(yīng)。在一實(shí)施例中，材料層11為氧化硅層，等離子體例如是NH4F及/或NH4F.HF,等離子體與材料層11的蝕刻反應(yīng)是將基座的溫度控制在攝氏30至40度，例如是35度。蝕刻制作工藝14的射頻例如是10kW至40kW。若蝕刻制作工藝14的射頻大于40kW，則蝕刻速率過(guò)大，容易產(chǎn)生過(guò)多的副產(chǎn)物12，例如是(NH4)2SiF6(@#)。若蝕刻制作工藝14的射頻小于10kW，則蝕刻速率過(guò)低，必須耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間蝕刻，因而影響產(chǎn)能。在一實(shí)施例中，蝕刻制作工藝14的蝕刻速率例如是0.5埃/秒至1.5埃/秒。蝕刻反應(yīng)步驟的反應(yīng)式(僅為示意并未化學(xué)平衡)如下:
[0054]NH4F 或 NH4F.HF+Si02 — (NH4) 2SiF6(固體)+H20。
[0055]蝕刻制作工藝14的第三步驟是通過(guò)蝕刻制作工藝的溫度調(diào)整，以使得第二步驟的蝕刻反應(yīng)所產(chǎn)生的固態(tài)副產(chǎn)物12(例如是(NH4)2SiF6)盡可能反應(yīng)成可以揮發(fā)移除的氣體。進(jìn)行蝕刻制作工藝14的第三步驟的溫度可以在攝氏100度以上。在一實(shí)施例中，進(jìn)行蝕刻制作工藝14的第三步驟的溫度可以是在攝氏150度至190度之間，例如是攝氏180度。在一實(shí)施例中，進(jìn)行蝕刻制作工藝14的第三步驟的溫度可以通過(guò)襯底10與蝕刻機(jī)臺(tái)中被加熱氣體傳送板(heated gas delivery plate)之間距離的減少來(lái)實(shí)施。進(jìn)行蝕刻制作工藝14的第三步驟的時(shí)間例如30秒至120秒。將固體副產(chǎn)物12反應(yīng)成可揮發(fā)的氣體的步驟的反應(yīng)式(僅為示意并未化學(xué)平衡)如下:
[0056](NH4)2SiF6(固體)—SiF4(氣體)+NH3(氣體)+HF



(氣體)。
[0057]之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2C，進(jìn)行步驟110的循環(huán)制作工藝的回火制作工藝16，步驟116，以盡可能將蝕刻制作工藝14中殘留的副產(chǎn)物(例如是(NH4)2SiF6) 12移除或是將副產(chǎn)物12反應(yīng)成的可揮發(fā)的氣體移除?；鼗鹬谱鞴に?6所通入的氣體包括含氫氣體以及鈍氣，例如是仏與八!.?；鼗鹬谱鞴に?6的溫度等于或大于攝氏150度，例如是在攝氏150度至500度之間，例如是180度。進(jìn)行回火制作工藝16的時(shí)間可以是30秒至120秒，例如是60秒。
[0058]其后，請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2D，在上述步驟110的循環(huán)制作工藝中可以選擇性的更包括吹凈(purge)制作工藝18，步驟118，以將蝕刻機(jī)臺(tái)中殘存的氣體移除。吹凈制作工藝18所通入的氣體可以是鈍氣，例如是He，流量例如是500至2000sccm。進(jìn)行吹凈制作工藝18的時(shí)間例如是10秒至60秒。進(jìn)行吹凈制作工藝18的溫度例如是攝氏20度至40度。
[0059]請(qǐng)參照?qǐng)D1與圖2E，重復(fù)上述步驟110，至少再進(jìn)行一次循環(huán)制作工藝。此次重復(fù)的步驟110的循環(huán)制作工藝，是將材料層11的另一部分移除。若移除制作工藝僅進(jìn)行兩次步驟110的循環(huán)制作工藝，則材料層11的待移除的第一部分被第一次循環(huán)制作工藝移除；材料層11的待移除的剩余部分則被第二次循環(huán)制作工藝移除。若移除制作工藝進(jìn)行三次步驟110的循環(huán)制作工藝，則材料層11待移除的第一部分被第一次循環(huán)制作工藝移除；材料層11待移除的第二部分被第二次循環(huán)制作工藝移除；材料層11待移除的剩余部分被第三次循環(huán)制作工藝移除。
[0060]上述吹凈制作工藝18可以依照實(shí)際的需要而選擇性的包含在步驟110的循環(huán)制作工藝中。在一實(shí)施例中，每一個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝可以包括此吹凈制作工藝18。在另一實(shí)施例中，則可以選擇性在其中一個(gè)或數(shù)個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝包括此吹凈制作工藝18。在一實(shí)施例中，移除制作工藝包括三個(gè)以上的步驟110的循環(huán)制作工藝，僅有中間的循環(huán)制作工藝包含吹凈制作工藝18。在另一個(gè)實(shí)施例中，移除制作工藝包括數(shù)個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝，僅在最后的循環(huán)制作工藝包含吹凈制作工藝18。
[0061]之后，請(qǐng)參照?qǐng)D1，步驟120，將襯底10移出蝕刻機(jī)臺(tái)，結(jié)束移除制作工藝。
[0062]上述的移除制作工藝是以完全移除襯底上的材料層來(lái)說(shuō)明，然而，本發(fā)明的實(shí)例并不限于此，在其他的實(shí)施例中，也可以是僅將材料層的一部分移除，而將剩余一部分的材料層留在襯底上。此外，上述的移除制作工藝可以廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制作工藝中，不論是大面積上的材料層或在狹小開(kāi)口中的材料層均可以有效地移除所需的厚度，因此可以減輕負(fù)載效應(yīng)。以下舉數(shù)個(gè)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明之。
[0063]圖3A至圖3B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于鰭狀晶體管的介電層移除制作工藝的剖面示意圖。
[0064]請(qǐng)參照?qǐng)D3A與圖1與圖2A，在一實(shí)施例中，上述圖2A的材料層11例如是圖3A中形成在襯底30上的多個(gè)鰭狀物32上的介電層34。介電層34例如是氧化硅層。由于鰭狀物32之間的間隙36非常小(例如是小于50nm)，以上述實(shí)施例的移除制作工藝可以通過(guò)多循環(huán)制作工藝(步驟110)的方式來(lái)分次移除介電層34。更具體地說(shuō)，由于每一個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝僅蝕刻移除一部分厚度的介電層34，通過(guò)蝕刻制作工藝(步驟114)條件的控制可以將所產(chǎn)生的副產(chǎn)物控制在非常少量，因此通過(guò)每一蝕刻制作工藝后的回火制作工藝(步驟116)可以將副產(chǎn)物盡可能的移除，并選擇性的進(jìn)行吹凈制作工藝(步驟118)，而幾乎不會(huì)殘留在鰭狀物32之間的細(xì)小間隙36之中。而下一個(gè)循環(huán)制作工藝(步驟110)可以再將剩余的部分厚度的介電層34移除，裸露出鰭狀物32的部分表面(如圖3B)，因此，可以避免蝕刻制作工藝的副產(chǎn)物殘留導(dǎo)致無(wú)法完全蝕刻移除介電層34的問(wèn)題。
[0065]圖4A至圖4B是一種是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于鰭狀晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回蝕刻制作工藝的剖面示意圖。
[0066]請(qǐng)參照?qǐng)D4A，在另一實(shí)施例中，移除制作工藝為鰭狀晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回蝕刻制作工藝(FinFET STI etching back)。上述圖2A材料層11例如是圖4A中形成在襯底40上的多個(gè)鰭狀物42之間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的絕緣層44。絕緣層44例如是氧化硅層。在鰭狀晶體管的制造過(guò)程中，為讓部分鰭狀物42裸露出來(lái)，通常，還必須通過(guò)回蝕刻制作工藝，將部分的絕緣層44移除。由于鰭狀物42之間的間隙46非常小(例如是小于50nm)，絕緣層44在移除的過(guò)程中容易因?yàn)楦碑a(chǎn)物的形成而阻礙蝕刻的進(jìn)行。利用本發(fā)明上述實(shí)施例的方法，通過(guò)多循環(huán)制作工藝(步驟110)的方式分次移除絕緣層44，并通過(guò)每一蝕刻制作工藝后的回火制作工藝(圖1步驟116)并選擇性地搭配吹凈制作工藝(圖1步驟118)可將副產(chǎn)物盡可能的移除，以減少副產(chǎn)物殘留在間隙46之中。具體言之，進(jìn)行一個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝可將一部分的預(yù)定厚度的絕緣層44移除，而下一個(gè)步驟110的循環(huán)制作工藝可以輕易地將剩余的預(yù)定厚度的絕緣層44移除，留下做為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的絕緣層44a，并裸露出部分鰭狀物42 (如圖4B所示)，而不會(huì)有副產(chǎn)物殘留導(dǎo)致無(wú)法有效蝕刻移除絕緣層44的問(wèn)題。
[0067]圖5A至圖5B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于取代金屬柵極(RMG)制作工藝的剖面示意圖。
[0068]請(qǐng)參照?qǐng)D5A與圖2A，在另一實(shí)施例中，上述圖2A的材料層11例如是取代金屬柵極(RMG)制作工藝的介電層56。請(qǐng)參照?qǐng)D5A，更詳細(xì)地說(shuō)，襯底50上已經(jīng)形成介電層52。介電層52之中已經(jīng)形成柵極溝槽54。柵極溝槽54的底部具有介電層56。介電層56例如是氧化硅。由于柵極溝槽54的尺寸非常小(例如是小于50nm)，以上述實(shí)施例的移除制作工藝通過(guò)多循環(huán)制作工藝(步驟110)的方式來(lái)分次移除介電層56，并通過(guò)每一蝕刻制作工藝后的回火制作工藝(圖1步驟116)以及選擇性地搭配的吹凈制作工藝(圖1步驟118)可以將副產(chǎn)物盡可能的移除，以減少副產(chǎn)物殘留在柵極溝槽54之中。因此，本發(fā)明的方法可以輕易地將介電層56移除(如圖5B所示)，而不會(huì)有副產(chǎn)物殘留導(dǎo)致無(wú)法有效蝕刻移除介電層56的問(wèn)題。
[0069]圖6A至圖6B是將本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝應(yīng)用于預(yù)外延清洗制作工藝(pre-Epi clean)的剖面示意圖。
[0070]請(qǐng)參照?qǐng)D6A，在又一實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例的移除制作工藝可以應(yīng)用于預(yù)外延清洗制作工藝。襯底60上已經(jīng)形成柵極結(jié)構(gòu)62，在柵極結(jié)構(gòu)62的兩側(cè)的襯底60中預(yù)定通過(guò)外延制作工藝來(lái)形成外延層。在一實(shí)施例中，預(yù)定形成的外延層可以是單晶硅或是半導(dǎo)體化合物。半導(dǎo)體化合物例如是硅化鍺。在進(jìn)行外延制作工藝之前，柵極結(jié)構(gòu)62的兩側(cè)的襯底60中已經(jīng)形成凹陷64。而且凹陷64的表面上已經(jīng)形成氧化娃層66。氧化娃層66例如是原生氧化層。通常，在進(jìn)行外延制作工藝之前，必須進(jìn)行清洗(或稱蝕刻)制作工藝，將氧化硅層66移除。由于凹陷64的尺寸相當(dāng)小，例如是小于50nm，通常，凹陷64表面上的氧化硅層66面臨難以移除或是蝕刻負(fù)載效應(yīng)的問(wèn)題。然而，通過(guò)本發(fā)明上述實(shí)施例的移除制作工藝可以有效移除此氧化硅層66，裸露出凹陷64的表面(如圖6B所示)，且可以降低負(fù)載效應(yīng)。
[0071]本發(fā)明的移除制作工藝是利用多個(gè)包括蝕刻與回火的循環(huán)制作工藝，并且在循環(huán)制作工藝之前選擇性搭配預(yù)回火，可以有效的移除材料層，并改善負(fù)載效應(yīng)。
[0072]雖然已結(jié)合以上實(shí)施例公開(kāi)了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種移除制作工藝，其特征在于包括: 將襯底送入蝕刻機(jī)臺(tái)，上述襯底上已形成材料層； 進(jìn)行循環(huán)制作工藝，包括: 進(jìn)行蝕刻制作工藝，以移除部分上述材料層；以及 進(jìn)行回火制作工藝，以移除上述蝕刻制作工藝所產(chǎn)生的副產(chǎn)物； 至少重復(fù)一次上述循環(huán)制作工藝；以及 將上述襯底移出上述蝕刻機(jī)臺(tái)。
2.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述至少重復(fù)一次上述循環(huán)制作工藝是重復(fù)上述循環(huán)制作工藝至少二次。
3.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述蝕刻制作工藝使用即3與順3做為蝕刻氣體且即3與腸3的體積流量比為1/1001^/腸^〈1/2。
4.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述蝕刻制作工藝的射頻為10欣至40欣。
5.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述蝕刻制作工藝的蝕刻的速率為0.5埃/秒至1.5埃/秒。
6.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述回火制作工藝所通入的氣體包括4與八1*0
7.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述回火制作工藝的溫度在攝氏150度至500度之間。
8.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述材料層為氧化硅層。
9.如權(quán)利要求8所述的移除制作工藝，其中上述氧化硅層為原生氧化硅層。
10.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述材料層位于鰭狀物上。
11.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述材料層為取代金屬柵極制作工藝的介電層。
12.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述移除制作工藝為預(yù)外延清洗制作工藝。
13.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述移除制作工藝為鰭狀晶體管的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的回蝕刻制作工藝。
14.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中在進(jìn)行上述循環(huán)制作工藝之前還包括進(jìn)行預(yù)回火制作工藝。
15.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述循環(huán)制作工藝還包括在將上述襯底移出上述蝕刻機(jī)臺(tái)之前，還包括進(jìn)行至少一吹凈制作工藝。
16.如權(quán)利要求1所述的移除制作工藝，其中上述循環(huán)制作工藝還包括上述回火制作工藝之后進(jìn)行至少一吹凈制作工藝。
17.如權(quán)利要求16所述的移除制作工藝，其中上述至少一吹凈制作工藝所通入的氣體包括只6。
18.如權(quán)利要求16所述的移除制作工藝，其中上述至少一吹凈制作工藝的時(shí)間為10至60秒。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104347348SQ201310347192
【公開(kāi)日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】廖晉毅, 童宇誠(chéng) 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司