半導(dǎo)體芯片的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，該方法包括：在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層；采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在所述氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案；在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層；對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻；在所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案；去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片的制作方法，可保證半導(dǎo)體芯片上連續(xù)多級(jí)圖案的細(xì)微尺寸，提高多級(jí)圖案的精確度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的發(fā)展，終端的輸入鍵盤(pán)已逐漸從實(shí)體鍵盤(pán)向虛擬鍵盤(pán)發(fā)展，現(xiàn)有的虛擬鍵盤(pán)包括虛擬觸摸鍵盤(pán)、虛擬激光鍵盤(pán)等。虛擬激光鍵盤(pán)內(nèi)部的激光發(fā)射器件和/或接收器件都需要一個(gè)具有多級(jí)臺(tái)階圖案的半導(dǎo)體芯片。當(dāng)激光照射在該半導(dǎo)體芯片表面的不同臺(tái)階時(shí)，產(chǎn)生不同的信號(hào)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，在襯底表面的連續(xù)多級(jí)臺(tái)階圖形的制作中每個(gè)臺(tái)階圖案都是通過(guò)涂抹光刻膠、曝光、刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用光刻膠掩膜刻蝕工藝制作第一臺(tái)階的示意圖。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用光刻膠掩膜刻蝕工藝制作第二臺(tái)階的示意圖。如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)在制作第二臺(tái)階圖案時(shí)，由于光刻膠的流動(dòng)性一般需涂抹較厚的光刻膠，以保證光刻膠可以完全覆蓋不需要刻蝕的區(qū)域，但是過(guò)厚的光刻膠給曝光帶來(lái)了困難，且曝光不均勻，以致最終刻蝕圖案的精確度難以保證。因此目前，勉強(qiáng)制作一些臺(tái)階數(shù)較小，臺(tái)階高度較低的圖形。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)制作連續(xù)多級(jí)圖案需要多次的光刻涂膠和曝光，由于光刻涂膠、曝光工藝能力受限使得制作的連續(xù)多級(jí)圖案的精確度低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)在襯底表面制作連續(xù)多級(jí)臺(tái)階圖案細(xì)微尺寸和精確度難以保證的問(wèn)題。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，包括:
[0007]在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層；
[0008]采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在所述氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案；
[0009]在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層；
[0010]對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)m ;
[0011]在所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案；
[0012]去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻。
[0013]本發(fā)明提供的半導(dǎo)體芯片的制作方法，巧妙的利用氧化保護(hù)層和側(cè)墻的保護(hù)，直接進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階圖案，而無(wú)需再次涂抹過(guò)厚光刻膠，避免了由于光刻涂膠、曝光工藝對(duì)形成的臺(tái)階圖案的影響，更好地保證連續(xù)多級(jí)圖案的細(xì)微尺寸，提高多級(jí)圖案的精確度。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用光刻膠掩膜刻蝕工藝制作第一臺(tái)階的示意圖；
[0015]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用光刻膠掩膜刻蝕工藝制作第二臺(tái)階的示意圖；
[0016]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的半導(dǎo)體芯片的制作方法的流程圖；
[0017]圖4為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的半導(dǎo)體制作方法的流程圖；
[0018]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟402形成的第一組臺(tái)階的示意圖；
[0019]圖6為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟403生長(zhǎng)的氮化硅層的示意圖；
[0020]圖7為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟404刻蝕形成的第一側(cè)墻的示意圖；
[0021]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟405刻蝕形成的第二組臺(tái)階的示意圖；
[0022]圖9為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟406刻蝕形成的氮化硅層的示意圖；
[0023]圖10為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟407刻蝕形成的第二側(cè)墻的示意圖；
[0024]圖11為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟408刻蝕形成的第三組臺(tái)階的示意圖；
[0025]圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟409刻蝕形成的第三側(cè)墻的示意圖；
[0026]圖13為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟410刻蝕形成的第四組臺(tái)階的示意圖；
[0027]圖14為本發(fā)明實(shí)施例三中形成的具有4組連續(xù)臺(tái)階的圖案的半導(dǎo)體芯片的示意圖。
[0028]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0029]101、201、1302:光刻膠；
[0030]102,202:襯底；
[0031]501: 二氧化硅層；
[0032]502、801、1101、1301:硅襯底；
[0033]601,901:氮化硅層；
[0034]701:第一側(cè)墻；
[0035]1001、第二側(cè)墻；
[0036]1201:第三側(cè)墻。
【具體實(shí)施方式】
[0037]本發(fā)明實(shí)施例一提供一種半導(dǎo)體芯片的制作方法。圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的半導(dǎo)體芯片的制作方法的流程圖。如圖3所示，該方法，包括:
[0038]步驟301、在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層。
[0039]具體地，在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層可以通過(guò)熱氧化方式或射頻濺射方式等獲得。熱氧化方式例如可以是將襯底置入充滿(mǎn)氧氣的加熱爐中，形成氧化保護(hù)層。熱氧化方式通常包括干氧法和濕氧法，所謂干氧法指的是以氧氣作為氧化劑氧化襯底，以形成氧化保護(hù)層，所謂濕氧法指的是以氧氣和水作為氧化劑氧化襯底，以形成氧化保護(hù)層。通常可以通過(guò)控制加熱爐的溫度、加熱爐中的含氧量和/或加熱的時(shí)間來(lái)控制該氧化保護(hù)層的厚度。
[0040]步驟302、采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在所述氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案。
[0041]具體地，步驟302是說(shuō)在氧化保護(hù)層的表面上涂抹光刻膠，通過(guò)掩膜板進(jìn)行曝光，確定第一臺(tái)階圖案的位置，最后根據(jù)確定的位置，在氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案。根據(jù)需要制作的第一臺(tái)階的厚度，確定刻蝕時(shí)間，在確定的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行刻蝕，即可形成對(duì)應(yīng)高度的第一臺(tái)階。需要說(shuō)明的是，現(xiàn)有技術(shù)中是直接在襯底表面涂抹光刻膠，采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，通過(guò)刻蝕襯底形成第一臺(tái)階圖案，然而在本步驟中是在襯底的氧化保護(hù)層的表面涂抹光刻膠，從而采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，先后通過(guò)刻蝕氧化保護(hù)層和襯底形成第一臺(tái)階圖案。
[0042]步驟303、在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層。
[0043]具體地，生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層的方法可以是與步驟301中生長(zhǎng)氧化保護(hù)層的方式類(lèi)似，區(qū)別在于，側(cè)墻保護(hù)層的材料與氧化保護(hù)層的材料不同。
[0044]步驟304、對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻。
[0045]具體地，由于側(cè)墻保護(hù)層的材料與氧化保護(hù)層的材料不同，且一般情況下對(duì)不同材料的刻蝕所采用的方法、使用的氣體或刻蝕溶劑不同，因此對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，不會(huì)對(duì)氧化保護(hù)層造成刻蝕損傷，即使可以造成損傷，損傷也較小，而不會(huì)對(duì)已制作形成的第一臺(tái)階的圖案造成損壞。
[0046]由于側(cè)墻保護(hù)層在第一臺(tái)階的側(cè)壁處垂直方向上的厚度大于水平方向上的厚度，而側(cè)墻保護(hù)層在第一臺(tái)階側(cè)壁處水平方向的厚度等于生長(zhǎng)的側(cè)墻保護(hù)層的厚度。因此，對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，會(huì)在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁處形成側(cè)墻。對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕之前，還需要確定刻蝕時(shí)間，該刻蝕時(shí)間可以是根據(jù)側(cè)墻保護(hù)層的厚度確定，進(jìn)而在確定的刻蝕時(shí)間內(nèi)對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在可以在第一臺(tái)階的側(cè)壁處形成側(cè)墻。
[0047]步驟305、在所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案。
[0048]由于襯底的材料與氧化保護(hù)層和側(cè)墻保護(hù)層的材料均不同，因此在對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，氧化保護(hù)層和側(cè)墻可以起到掩膜的作用，從而使得對(duì)襯底的刻蝕可以在側(cè)墻所在位置處形成第二臺(tái)階的圖案。
[0049]步驟306、去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻。
[0050]去除氧化保護(hù)層和側(cè)墻的過(guò)程可以是分別對(duì)氧化保護(hù)層和側(cè)墻采用對(duì)應(yīng)的刻蝕劑或氣體進(jìn)行刻蝕。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例一所提供的半導(dǎo)體芯片的制作方法，首先通過(guò)在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層，采用光刻掩膜刻蝕工藝，形成第一臺(tái)階圖案，并通過(guò)在第一臺(tái)階的側(cè)壁形成側(cè)墻，氧化保護(hù)層和側(cè)墻的保護(hù)下，對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案，最后將氧化保護(hù)層和側(cè)墻去除，形成具有連續(xù)臺(tái)階圖案的芯片。
[0052]在半導(dǎo)體制作【技術(shù)領(lǐng)域】，光刻工藝屬于最復(fù)雜、最昂貴的工藝。該方法巧妙的利用氧化保護(hù)層和側(cè)墻的保護(hù)，直接進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階圖案，而無(wú)需再次涂抹過(guò)厚光刻膠，避免了由于光刻涂膠、曝光工藝對(duì)形成的臺(tái)階圖案的影響，由于通過(guò)刻蝕而剩余的側(cè)墻寬度較小，且能于第一臺(tái)階的側(cè)壁良好貼合，所以更好地保證了連續(xù)多級(jí)圖案的細(xì)微尺寸，提高多級(jí)圖案的精確度，進(jìn)而提高半導(dǎo)體芯片的使用性能。同時(shí)，由于減少光刻的次數(shù)，降低了半導(dǎo)體器件的制作成本。
[0053]在上述實(shí)施例技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例二還提供一種半導(dǎo)體制作方法。
[0054]在上述實(shí)施例的方案中，所述襯底為硅襯底，所述氧化保護(hù)層的材料為二氧化硅，所述側(cè)墻保護(hù)層的材料為氮化硅。
[0055]襯底可以是監(jiān)寶石襯底、娃襯底、碳化娃襯底或氣化嫁襯底等。綜合考慮襯底的成本和襯底上后續(xù)制作工藝的難易程度等因素，本實(shí)施例中的襯底優(yōu)選為硅襯底。
[0056]綜合考慮到氧化保護(hù)層的生長(zhǎng)所需的材料是否常見(jiàn)、生長(zhǎng)工藝是否成熟完善、該氧化保護(hù)層是否穩(wěn)定和后續(xù)的刻蝕工藝是否程度等因素，本實(shí)施例中的氧化保護(hù)層的材料為二氧化硅。當(dāng)襯底為硅襯底時(shí)，對(duì)硅襯底進(jìn)行熱氧化，即可形成二氧化硅氧化保護(hù)層。二氧化硅的生長(zhǎng)工藝成熟簡(jiǎn)單，且后期去除二氧化硅的工藝也較成熟。
[0057]同理，側(cè)墻保護(hù)層的材料為氮化硅。氮化硅層的生長(zhǎng)工藝成熟簡(jiǎn)單，且后期氮化硅層的刻蝕工藝也較成熟，刻蝕精確度也更高。選用硅襯底、二氧化硅保護(hù)層、氮化硅側(cè)墻保護(hù)層降低了半導(dǎo)體芯片的制作成本，同時(shí)還提高半導(dǎo)體芯片的精確度，從而提高半導(dǎo)體芯片的性能。
[0058]進(jìn)一步地，在上述技術(shù)方案中，步驟303中在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層具體包括:
[0059]在上述襯底表面生長(zhǎng)厚度等于第二臺(tái)階寬度的側(cè)墻保護(hù)層。
[0060]生長(zhǎng)的側(cè)墻保護(hù)層的厚度等于第二臺(tái)階的厚度時(shí)，對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕時(shí)，形成側(cè)墻所在的位置即是第二臺(tái)階的位置，該側(cè)墻的寬度即是第二臺(tái)階的寬度。進(jìn)而在氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕時(shí)，通過(guò)側(cè)墻定位第二臺(tái)階的位置，形成的第二臺(tái)階的寬度即是需要制作的第二臺(tái)階的寬度，制作得到的臺(tái)階圖案更半導(dǎo)體芯片的符合設(shè)計(jì)要求，更好地保證其性能。
[0061]上述技術(shù)方案中，在步驟304中對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻包括:
[0062]對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層，采用三氟甲烷進(jìn)行干法刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻。
[0063]具體地，對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層，采用三氟甲烷進(jìn)行干法刻蝕，可以是將三氟甲烷氣體通過(guò)離子轟擊濺射在側(cè)墻保護(hù)層的表面，而非等向性蝕刻的達(dá)成，則是靠表面的側(cè)墻保護(hù)層可以被離子打掉，而使得縱向刻蝕速率加快，而位于第一臺(tái)階側(cè)壁處的側(cè)墻保護(hù)層，因未受離子轟擊而使得橫向刻蝕速率較低，從而形成側(cè)墻。采用三氟甲烷氣體對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，對(duì)二氧化硅保護(hù)層的刻蝕損傷較小，以使二氧化硅層可以作為掩膜保護(hù)層保留下來(lái)。
[0064]對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，還可以是采用四氟化碳、六氟化硫、三氟化氮等氣體進(jìn)行干法刻蝕。
[0065]在上述技術(shù)方案中，步驟301中生長(zhǎng)的氧化保護(hù)層的厚度為0.1?1.0um。
[0066]具體地，生長(zhǎng)厚度為0.1?1.0um的氧化保護(hù)層可以是通過(guò)控制襯底的氧化時(shí)間。當(dāng)氧化保護(hù)層的厚度為0.1?1.0um時(shí)，即使對(duì)側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕形成側(cè)墻，及對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕形成第二臺(tái)階的過(guò)程中，氧化保護(hù)層造成損傷，也還是可以留存一部分以達(dá)到掩膜保護(hù)的作用。
[0067]進(jìn)一步地，上述技術(shù)方案中，在步驟306中去除氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前還包括:
[0068]重復(fù)執(zhí)行所述生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層、刻蝕側(cè)墻和刻蝕第二臺(tái)階圖案的步驟，以形成兩個(gè)以上第二臺(tái)階。
[0069]需要說(shuō)明的是，此處第二臺(tái)階所指的并不是第二個(gè)臺(tái)階，而是通過(guò)生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層、刻蝕側(cè)墻和刻蝕所形成的臺(tái)階圖案。當(dāng)制作的臺(tái)階寬度相等時(shí)，只需在第一臺(tái)階制作時(shí)，采用光刻掩膜刻蝕工藝，其他臺(tái)階均可以通過(guò)生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層、刻蝕側(cè)墻和刻蝕來(lái)形成。減少了制作連讀多級(jí)臺(tái)階圖案是用光刻工藝的次數(shù)，提高了制作精度，還減少了制作成本。
[0070]可選的，在步驟306中去除氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前還可以包括:
[0071]在所述襯底上采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，刻蝕形成至少兩個(gè)第三臺(tái)階，所述至少兩個(gè)第三臺(tái)階的寬度不等。
[0072]當(dāng)臺(tái)階寬度不等時(shí)，無(wú)法再通過(guò)側(cè)墻定位臺(tái)階的位置，因此需要采用光刻膠掩膜重新對(duì)臺(tái)階進(jìn)行定位，進(jìn)而通過(guò)刻蝕工藝形成臺(tái)階。需要說(shuō)明的是，此處的第三臺(tái)階，指的也并非是說(shuō)半導(dǎo)體芯片上的第三個(gè)臺(tái)階，而是在制作形成第二臺(tái)階的襯底上采用光刻膠掩膜刻蝕工藝形成的臺(tái)階。只有當(dāng)制作的臺(tái)階的寬度不等時(shí)，才需要再次進(jìn)行光刻掩膜刻蝕工藝，重新對(duì)臺(tái)階進(jìn)行定位，保證臺(tái)階位置的精確。
[0073]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本發(fā)明實(shí)施例三還提供一種半導(dǎo)體的制作方法。本實(shí)施例通過(guò)，在半導(dǎo)體芯片上連續(xù)制作4組臺(tái)階圖案實(shí)例進(jìn)行具體說(shuō)明。圖4為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的半導(dǎo)體制作方法的流程圖。該方法，具體步驟如下:
[0074]步驟401、在硅襯底表面生長(zhǎng)厚度為0.1?1.0um的二氧化硅層。
[0075]步驟402、采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在二氧化硅層和襯底中刻蝕形成第一組臺(tái)階。
[0076]圖5為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟402形成的第一組臺(tái)階的示意圖。在步驟401中生長(zhǎng)的二氧化娃層是娃襯底的整個(gè)表面，米用光刻膠掩膜刻蝕工藝，由于是對(duì)曝光后的光刻膠上的掩膜板上對(duì)應(yīng)的臺(tái)階圖案進(jìn)行光刻膠和二氧化硅層的刻蝕，因此在圖5中第一組臺(tái)階的上表面還保留了二氧化硅層501。
[0077]步驟403、在上述硅襯底的表面生長(zhǎng)厚度與第二組臺(tái)階的寬度相等的氮化硅層。
[0078]圖6為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟403生長(zhǎng)的氮化硅層的示意圖。在圖5所示的二氧化娃層501和娃襯底502的表面生長(zhǎng)氮化娃層601。
[0079]步驟404、采用三氟甲烷對(duì)氮化硅層進(jìn)行刻蝕，在第一組臺(tái)階的側(cè)壁形成第一側(cè)
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[0080]圖7為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟404刻蝕形成的第一側(cè)墻的示意圖。對(duì)步驟403生長(zhǎng)的氮化硅層601進(jìn)行刻蝕，由于氮化硅層601在第一組臺(tái)階的側(cè)壁處的垂直方向的厚度大于第二組臺(tái)階的寬度，因此，可以形成如圖7所示的第一側(cè)墻701。
[0081]步驟405、在二氧化硅層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二組臺(tái)階。
[0082]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟405刻蝕形成的第二組臺(tái)階的示意圖。如圖8所示，在二氧化硅層501和第一側(cè)墻701的保護(hù)下，對(duì)硅襯底502進(jìn)行刻蝕，由于刻蝕二氧化硅層和側(cè)墻采用不同的刻蝕方法、不同的刻蝕溶劑或氣體，因此，可以形成如8所示的第二組臺(tái)階。該第二組臺(tái)階左右兩邊的臺(tái)階的寬度相等。
[0083]步驟406、在上述硅襯底的表面生長(zhǎng)厚度與第三組臺(tái)階的寬度相等的氮化硅層。
[0084]圖9為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟406刻蝕形成的氮化硅層的示意圖。在圖8所示的二氧化硅層501、第一側(cè)墻701和硅襯底801的表面生長(zhǎng)氮化硅層得到如圖9所示的氮化硅層 901。
[0085]步驟407、采用三氟甲烷對(duì)氮化硅層進(jìn)行刻蝕，在第二組臺(tái)階的側(cè)壁形成第二側(cè)
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[0086]圖10為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟407刻蝕形成的第二側(cè)墻的示意圖。對(duì)圖9中的氮化硅層901進(jìn)行刻蝕，得到圖10所示的第二側(cè)墻1001。
[0087]步驟408、在二氧化硅層、第一側(cè)墻和第二側(cè)墻的掩膜下，對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕，形成第三組臺(tái)階。
[0088]圖11為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟408刻蝕形成的第三組臺(tái)階的示意圖。對(duì)圖10中的硅襯底801進(jìn)行刻蝕，形成第三組臺(tái)階，具有該第三組臺(tái)階的襯底為硅襯底1101。
[0089]步驟409、若第四組臺(tái)階的寬度不等，在上述硅襯底的表面生長(zhǎng)厚度與第四組臺(tái)階的最小寬度相等的氮化硅層，并對(duì)該氮化硅層進(jìn)行刻蝕形成第三側(cè)墻。
[0090]圖12為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟409刻蝕形成的第三側(cè)墻的示意圖。形成圖12中所示的第三側(cè)墻1201，是為了步驟410中光刻膠掩膜刻蝕工藝之前，可以不用涂抹過(guò)過(guò)厚的光刻膠，而只需在不需要被刻蝕的區(qū)域上方涂抹均勻厚度的光刻膠即可。
[0091]步驟410、采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在襯底中刻蝕形成第四組臺(tái)階。
[0092]圖13為本發(fā)明實(shí)施例三中步驟410刻蝕形成的第四組臺(tái)階的示意圖。在圖12所示的二氧化硅層501、第三側(cè)墻1201和硅襯底1101的表面均勻涂抹光刻膠，得到圖13所示的光刻膠1302，采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，形成第四組臺(tái)階，具有該第四組臺(tái)階的襯底為硅襯底1301。
[0093]步驟411、去除光刻I父、二氧化娃層和第二側(cè)墻。
[0094]圖14為本發(fā)明實(shí)施例三中形成的具有4組連續(xù)臺(tái)階的圖案的半導(dǎo)體芯片的示意圖。將圖13中的光刻膠1302、二氧化硅層501和第三側(cè)墻1201去除，得到圖14所示的具有4組連續(xù)臺(tái)階的圖案的半導(dǎo)體芯片。
[0095]本實(shí)施例是在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上具體以是實(shí)現(xiàn)4組連續(xù)臺(tái)階圖案為例進(jìn)行說(shuō)明，其具體的實(shí)現(xiàn)過(guò)程即有益效果與上述實(shí)施例類(lèi)似，在此不再贅述。
[0096]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底表面生長(zhǎng)氧化保護(hù)層； 采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，在所述氧化保護(hù)層和襯底中刻蝕形成第一臺(tái)階的圖案； 在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層； 對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻； 在所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻的掩膜下，對(duì)所述襯底進(jìn)行刻蝕，形成第二臺(tái)階的圖案； 去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 所述襯底為硅襯底，所述氧化保護(hù)層的材料為二氧化硅，所述側(cè)墻保護(hù)層的材料為氮化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在上述襯底表面生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層包括: 在上述襯底表面生長(zhǎng)厚度等于第二臺(tái)階寬度的側(cè)墻保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，對(duì)所述側(cè)墻保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻包括: 對(duì)氮化硅材料的側(cè)墻保護(hù)層，采用三氟甲烷進(jìn)行干法刻蝕，在所述第一臺(tái)階的側(cè)壁保留側(cè)墻保護(hù)層，以形成側(cè)墻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前，還包括: 重復(fù)執(zhí)行所述生長(zhǎng)側(cè)墻保護(hù)層、刻蝕側(cè)墻和刻蝕第二臺(tái)階圖案的步驟，以形成兩個(gè)以上第二臺(tái)階。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于:所述氧化保護(hù)層的厚度為0.1?1.0um0
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述去除所述氧化保護(hù)層和側(cè)墻之前，還包括: 在所述襯底上采用光刻膠掩膜刻蝕工藝，刻蝕形成至少兩個(gè)第三臺(tái)階，所述至少兩個(gè)第三臺(tái)階的寬度不等。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104299888SQ201310306051
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2013年7月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月19日
【發(fā)明者】馬萬(wàn)里, 陳兆同 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司