本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型結(jié)構(gòu)的氮化鎵肖特基二極管及其制造方法。

背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,以單晶硅為基底的高功率半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)很難滿足各行業(yè)的應(yīng)用要求。硅在高功率領(lǐng)域的性能極限推動(dòng)了近年來以氮化鎵(GaN，GalliumNitride)為基底的高功率半導(dǎo)體器件的大規(guī)模發(fā)展。以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料有著優(yōu)異的特性，如：禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、最大電流密度高、化學(xué)性能穩(wěn)定、熱穩(wěn)定性系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小等等，正在逐漸取代硅在高功率半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。同時(shí),氮化鎵器件比硅器件在工作中的能量自身消耗損失小，功效高，可以大大降低消耗，節(jié)約能源。以第三代半導(dǎo)體材料為基底的高功率器件近年來正在被廣泛的應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電、太陽能、電動(dòng)力汽車和高鐵等領(lǐng)域。傳統(tǒng)肖特基二極管(Schottkydiode)是通過讓金屬與半導(dǎo)體層接觸形成肖特基勢(shì)壘來形成的一種半導(dǎo)體二極管，金屬與半導(dǎo)體之間的肖特基勢(shì)壘起到一個(gè)整流結(jié)的作用，相對(duì)于完全在半導(dǎo)體中形成的PN結(jié)二極管而言，此種二極管的開關(guān)性能得到了改善，開啟電壓更低，開關(guān)速度也更快。在實(shí)際應(yīng)用中，如開關(guān)電源中，當(dāng)開關(guān)損耗占能量消耗的絕大部分時(shí)，使用肖特基二極管就是理想的選擇。圖1所示是傳統(tǒng)的GaN肖特基二極管MESA結(jié)構(gòu)，襯底上依次沉積重?fù)诫sn型GaN和輕摻雜n型GaN，局部臺(tái)面刻蝕掉輕摻雜n型GaN，陰極的金屬與重?fù)诫sn型GaN形成了歐姆接觸(Ohmiccontact)，陽極的金屬與輕摻 雜n型GaN形成了肖特基接觸(Schottkycontact)，這種傳統(tǒng)GaN肖特基二極管有著開關(guān)性能好和負(fù)載電壓高的優(yōu)點(diǎn)，但是不足之處在于反向漏電比較大，反向的耐壓和功率比較低，正向可通過電流密度因?yàn)槭艿絾螛O電荷的限制也比較低；同時(shí)，平面結(jié)構(gòu)會(huì)占用更多的晶圓面積。近幾年，氮化鎵高能半導(dǎo)體器件工藝發(fā)展迅速，但同時(shí)也存在眾多難點(diǎn)，p型材料的制作則是難點(diǎn)中的難點(diǎn)。LED工藝中，可實(shí)現(xiàn)100～150nm的p型材料整片外延生長，但無法生成選擇性p型重度離子摻雜區(qū)(ptypelocateddopingregion)，而Mg離子注入可以實(shí)現(xiàn)器件中要求的p型重度離子摻雜區(qū)，但高濃度離子注入會(huì)摧毀GaN材料晶格，需要超高溫退火進(jìn)行激活與修復(fù)(大于1400度)。GaN/Si結(jié)構(gòu)最高退火溫度受Si襯底所限為1400度，不能達(dá)到更高的溫度，因此離子注入后的激活也受到限制。此外即使不受襯底所限，GaN中注入的Mg離子也非常難被激活，超高溫退火會(huì)影響GaN材料的質(zhì)量，使Ga與N分解，造成材料嚴(yán)重缺損。具有p型重度離子摻雜GaN區(qū)的肖特基二極管在正向電壓下由于PN結(jié)的存在，可以通過更大的電流，但這個(gè)特性要求在p型重度離子摻雜GaN區(qū)域上形成低接觸電阻的歐姆接觸。眾所周知，在p型GaN材料上，非常難形成低電阻率的歐姆接觸，因此很難保證器件的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種新型結(jié)構(gòu)的GaN肖特基二極管及其工藝簡(jiǎn)單的制造方法，在保留與傳統(tǒng)肖特基二極管相近的開啟電壓的同時(shí)，正向可通過更大電流，反向漏電流更小，并且反向可承受更大的電壓和功率。在半導(dǎo)體工業(yè)中，硅和鍺材料的制備工藝已經(jīng)相當(dāng)成熟，硅和鍺可以用CVD的方法進(jìn)行沉積，同時(shí)可以引入p型離子進(jìn)行摻雜(in-situdopedCVDdeposition)。而且多晶硅和鍺的工藝相當(dāng)簡(jiǎn)單，在p型硅和鍺上的歐姆接觸工藝也相對(duì)比較成熟。因此，在保留GaN肖特基二極管優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，用p型重 摻雜硅和鍺代替p型重?fù)诫sGaN區(qū)域可以簡(jiǎn)化器件工藝并降低器件工藝的制作難度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種GaN肖特基二極管的制造方法，包括下述步驟：提供一襯底，在所述襯底上沉積成核層和/或緩沖層；在所述成核層和/或緩沖層上沉積重?fù)诫sn型GaN層；在所述重?fù)诫sn型GaN層上沉積輕摻雜n型GaN層；在所述輕摻雜n型GaN層表面上沉積第一隔離層，保護(hù)陽極區(qū)域；在所述第一隔離層及下方的輕摻雜n型GaN層中刻蝕凹槽；在所述凹槽中沉積p型重?fù)诫s的硅或鍺；去掉第一隔離層；沉積第二隔離層；退火形成多晶的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域；制備陽極，陽極由兩部分組成，先在多晶的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域沉積金屬并退火形成歐姆接觸，再在輕摻雜n型GaN層沉積金屬并退火形成肖特基接觸，輕摻雜n型GaN層表面沉積絕緣層；在所述襯底上定義有陰極區(qū)域，在陰極區(qū)域刻蝕開孔；在所述開孔的陰極區(qū)域中沉積與所述重?fù)诫sn型GaN層相接觸的陰極金屬，退火形成歐姆接觸的陰極。優(yōu)選的，當(dāng)陰極金屬的退火溫度高于陽極金屬的退火溫度時(shí)，先陰極區(qū)域形成歐姆電極再制備陽極。優(yōu)選的，所述襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、硅、鈮酸鋰、SOI、氮化鎵和氮化鋁中的一種。優(yōu)選的，在所述襯底上的陰極區(qū)域刻蝕開孔前，對(duì)襯底進(jìn)行了減薄。優(yōu)選的，當(dāng)襯底為氮化鎵時(shí)，陰極區(qū)域不需要開孔，襯底不需要進(jìn)行減薄。優(yōu)選的，所述輕摻雜n型GaN層中凹槽的深度為200nm～600nm。優(yōu)選的，所述陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域間隔處處相等。優(yōu)選的，所述陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域的俯視形狀為沒有尖銳角度的長條形、六邊形或者圓形。優(yōu)選的，所述陽極邊緣存在多個(gè)呈環(huán)形分布的p型重?fù)诫s的硅或鍺邊緣保護(hù)區(qū)。優(yōu)選的，所述陽極的邊緣保護(hù)區(qū)可以使用He和/或Ar和/或In離子注入的方式來破壞材料晶格獲得。優(yōu)選的，所述陽極具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述陽極由金、鉑、鎳、鈀、鈷、銅、銀、鎢、鈦和鎢化鈦中的一種或兩種以上材料形成。優(yōu)選的，所述絕緣層為SiN、SiO2、SiAlN、GaON、Al2O3、AlON、SiCN、SiON和HfO2中的一種或兩種以上的組合，所述絕緣層的生長方式為ALD、CVD、PVD、MBE、PECVD和LPCVD中的一種或兩種以上的組合。優(yōu)選的，所述陰極具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。根據(jù)上述方法制備的具有垂直結(jié)構(gòu)的GaN肖特基二極管，包括：襯底；沉積在所述襯底上的成核層和/或緩沖層；沉積在所述成核層和/或緩沖層上的重?fù)诫sn型GaN層；沉積在所述重?fù)诫sn型GaN層上的輕摻雜n型GaN層；所述輕摻雜n型GaN層的表面定義有陽極區(qū)域，陽極區(qū)域下方存在有多個(gè)p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域；陽極，由兩部分組成，一部分是與p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域相接觸的金屬形成的歐姆接觸，另一部分是與輕摻雜n型GaN層相接觸的金屬形成的肖特基接觸，輕摻雜n型GaN層表面沉積有絕緣層；所述襯底開孔后沉積在開孔中并且與所述重?fù)诫sn型GaN層相接觸的金屬形成的歐姆接觸的陰極。優(yōu)選的，所述陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域間隔處處相等。優(yōu)選的，所述陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域的俯視形狀為沒有尖銳角度的長條形、六邊形或者圓形。優(yōu)選的，所述陽極邊緣存在多個(gè)呈環(huán)形分布的p型重?fù)诫s的硅或鍺邊緣保護(hù)區(qū)。優(yōu)選的，所述陽極具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述陽極由金、鉑、鎳、鈀、鈷、銅、銀、鎢、鈦和鎢化鈦中的一種或兩種以上材料形成。優(yōu)選的，所述絕緣層為SiN、SiO2、SiAlN、GaON、Al2O3、AlON、SiCN、SiON和HfO2中的一種或兩種以上的組合。優(yōu)選的，所述陰極具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、硅、鈮酸鋰、SOI、氮化鎵和氮化鋁中的一種。本發(fā)明的GaN肖特基二極管，當(dāng)正向加低電壓時(shí)，輕摻雜n型GaN與肖特基金屬接觸形成的肖特基結(jié)導(dǎo)電電流起主導(dǎo)作用，這樣就保留了傳統(tǒng)肖特基二極管低開啟電壓的特性；p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域與輕摻雜n型GaN形成了PN結(jié)，當(dāng)正向電壓增大，PN結(jié)開啟后，器件的正向電流由PN結(jié)電流占主導(dǎo)，PN結(jié)載流子的注入使得本發(fā)明的GaN肖特基二極管可以通過更大的電流強(qiáng)度；在器件上加反向電壓時(shí)，PN結(jié)就產(chǎn)生了空間電荷區(qū)，陽極下會(huì)布滿空間電荷區(qū)，在空間電荷區(qū)的作用下，器件的反向漏電會(huì)大幅度降低。綜上所述，本發(fā)明的GaN肖特基二極管融合了傳統(tǒng)肖特基二極管和PN結(jié)二極管的優(yōu)點(diǎn)，正向開啟電壓小，正向可以通過更大電流，反向漏電流小，反向可承受更大的電壓和功率，器件工藝簡(jiǎn)單，制作難度較低。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的有關(guān)本發(fā)明的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是傳統(tǒng)的GaN肖特基二極管MESA結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的GaN肖特基二極管肖特基電極的設(shè)計(jì)示意圖；圖3a～圖3k是本發(fā)明的GaN肖特基二極管的制造流程示意圖；圖4是本發(fā)明制造的GaN肖特基二極管剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明的GaN肖特基二極管肖特基電極下p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域俯視示意圖，其中：(a)為長條形，(b)為六邊形，(c)為圓形；圖6是本發(fā)明的GaN肖特基二極管正向加低電壓時(shí)的原理示意圖；圖7是本發(fā)明的GaN肖特基二極管正向電壓增大到PN結(jié)的開啟電壓時(shí)的原理示意圖；圖8是本發(fā)明的GaN肖特基二極管加反向電壓時(shí)的原理示意圖；圖9是本發(fā)明的GaN肖特基二極管的邊緣保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。圖1所示是傳統(tǒng)的GaN肖特基二極管MESA結(jié)構(gòu)，襯底1上依次沉積重?fù)诫sn型GaN2和輕摻雜n型GaN3，局部臺(tái)面刻蝕掉輕摻雜n型GaN3，陰極的金屬與重?fù)诫sn型GaN2形成了歐姆接觸4，陽極的金屬與輕摻雜n型GaN3形成了肖特基接觸5，這種傳統(tǒng)GaN肖特基二極管有著開關(guān)性能好和負(fù)載電壓高的優(yōu)點(diǎn)，但是不足之處在于反向漏電比較大，反向的耐壓和功率比較低，正向可通過電流密度因?yàn)槭艿絾螛O電荷的限制也比較低。圖2為本發(fā)明的GaN肖特基二極管肖特基電極的設(shè)計(jì)示意圖，襯底1上依次沉積重?fù)诫sn型GaN2和輕摻雜n型GaN3，在與肖特基電極相接觸的輕摻雜n型GaN3中引入了p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域4，陽極的金屬與輕摻雜n型GaN3形成了肖特基接觸5。下面，對(duì)本發(fā)明的GaN肖特基二極管的制造方法做詳細(xì)說明。參見圖3a～圖3k，本發(fā)明的GaN肖特基二極管的制造流程圖，該GaN肖特基二極管的制造方法包括以下步驟：1、提供一襯底1，襯底1為藍(lán)寶石、碳化硅、硅、鈮酸鋰、SOI、氮化鎵和氮化鋁中的一種，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員共知的任何其他適合生長氮化鎵材料的襯底，襯底1的沉積方法包括CVD、VPE、MOCVD、LPCVD、脈沖激光沉積(PLD)、原子層外延、MBE，濺射、蒸發(fā)等。在襯底1上沉積成核層和/或緩沖層2，參見圖3a；本發(fā)明也可以不形成成核層2，而直接在襯底1上形成半導(dǎo)體層；2、在成核層和/或緩沖層2上沉積可選的重?fù)诫sn型GaN層3，參見圖3b，本發(fā)明也可以不形成重?fù)诫sn型GaN層3；3、在重?fù)诫sn型GaN層3上沉積n型輕摻雜或未摻雜的GaN層4，參見圖3c；4、在輕摻雜n型GaN層4表面上沉積第一隔離層51，保護(hù)陽極區(qū)域，參見圖3d；5、在第一隔離層51及下方的輕摻雜n型GaN層4中刻蝕凹槽，凹槽的深度在200nm與600nm之間，也可以根據(jù)器件設(shè)計(jì)要求而變化，參見圖3e；6、在凹槽中沉積p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6，參見圖3f；p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6間隔處處相等，范圍可以根據(jù)器件的性能要求來確定，也 可以根據(jù)摻雜濃度的變化而變化；p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域的俯視圖形狀為沒有尖銳角度的圖形，例如長條形、六邊形或者圓形；7、去掉第一隔離層51，參見圖3f；8、沉積第二隔離層52，參見圖3g；9、退火形成多晶的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6，參見圖3g；10、制備陽極，陽極由兩部分組成，分兩步制備，首先在多晶的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6沉積金屬并退火形成歐姆接觸71，參見圖3h；之后是制作肖特基接觸72，在輕摻雜n型GaN層4沉積金屬并退火形成肖特基接觸72，表面沉積有絕緣層53，絕緣層53為SiN、SiO2、GaON、SiAlN、Al2O3、AlON、SiCN、SiON、HfO2中的一種或多種的組合，該絕緣層53的生長方式為ALD、CVD、MBE、PECVD、濺射、蒸發(fā)或LPCVD中的一種或幾種方法組合，參見圖3i；陽極具有可選的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，陽極至少由金、鉑、鎳、鈀、鈷、銅、銀、鎢、鈦和鎢化鈦中的一種材料形成；11、在襯底1上定義有陰極區(qū)域，在陰極區(qū)域刻蝕開孔，參見圖3j；12、在開孔的陰極區(qū)域中沉積與重?fù)诫sn型GaN層3相接觸的金屬，之后退火形成歐姆接觸的陰極8，陰極8具有可選的場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，為了形成歐姆接觸，必要時(shí)需進(jìn)行退火處理，參見圖3k。當(dāng)陰極金屬的退火溫度高于陽極金屬的退火溫度時(shí)，步驟10可以和步驟11、12互換，即把步驟10放在步驟11和12之后。當(dāng)襯底1為碳化硅時(shí)，陰極區(qū)域刻蝕開孔前，需要先對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行減?。划?dāng)襯底1為氮化鎵時(shí)，陰極區(qū)域不需要開孔，襯底不需要進(jìn)行減薄。本實(shí)施例中陽極的邊緣存在多個(gè)p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6，且該區(qū)域呈環(huán)形分布，另外，陽極的邊緣保護(hù)可以使用He和/或Ar和/或In離子注入的方式來破壞材料晶格獲得高電阻區(qū)域。圖4是本發(fā)明的方法制造的GaN肖特基二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，該GaN肖特基二極管具有垂直結(jié)構(gòu)，包括：襯底1，為藍(lán)寶石、碳化硅、硅、鈮酸鋰、SOI、氮化鎵和氮化鋁中的一種；沉積在襯底1上的成核層和/或緩沖層2；沉積在成核層和/或緩沖層2上的重?fù)诫sn型GaN層3；沉積在重?fù)诫sn型GaN層3上的輕摻雜n型GaN層4；輕摻雜n型GaN層4的表面定義有陽極區(qū)域，陽極區(qū)域下方存在有多個(gè)p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6；陽極，由兩部分組成，一部分是與p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6相接觸的金屬形成的歐姆接觸71，另一部分是與輕摻雜n型GaN層4相接觸的金屬形成的肖特基接觸72，陽極具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)，陽極至少由金、鉑、鎳、鈀、鈷、銅、銀、鎢、鈦和鎢化鈦中的一種材料形成；陰極8，襯底1開孔后沉積在開孔中并且與重?fù)诫sn型GaN層3相接觸的金屬形成的歐姆接觸的陰極8，陰極8具有場(chǎng)板結(jié)構(gòu)；沉積在輕摻雜n型GaN層4表面上并且具有開口的絕緣層53，為SiN、SiO2、SiAlN、Al2O3、AlON、SiCN、SiON、HfO2中的一種或多種的組合。陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6和非p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域的間隔相等，陽極下方的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域6的俯視圖形狀為沒有尖銳角度的圖形，如圖5所示，例如長條形(a)、六邊形(b)或者圓形(c)；如圖6所示，當(dāng)正向加低電壓時(shí)，輕摻雜n型GaN3與肖特基金屬接觸形成的肖特基結(jié)導(dǎo)電電流起主導(dǎo)作用，這樣就保留了傳統(tǒng)肖特基二極管低開啟電壓的特性；如圖7所示，p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域4與輕摻雜n型GaN3形成了PN結(jié)，當(dāng)正向電壓增大到PN結(jié)的開啟電壓時(shí)，器件的正向電流由PN結(jié)電流占主導(dǎo)，這樣就使得本發(fā)明的肖特基二極管可以通過更大的電流強(qiáng)度； 如圖8所示，在器件上加反向電壓時(shí)，PN結(jié)就產(chǎn)生了空間電荷區(qū)6，陽極下會(huì)布滿空間電荷區(qū)6，在空間電荷區(qū)6的作用下，器件的反向漏電會(huì)大幅度降低。陽極的邊緣和所述絕緣層的下方存在的多個(gè)p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域呈環(huán)形，如圖9為本發(fā)明的肖特基二極管的邊緣保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖所示，使用了p型重?fù)诫s的硅或鍺多重邊緣保護(hù)環(huán)6，該p型重?fù)诫s的硅或鍺多重邊緣保護(hù)環(huán)6可以與肖特基電極下的p型重?fù)诫s的硅或鍺區(qū)域同時(shí)通過形成p型重?fù)诫s的硅或鍺邊緣保護(hù)區(qū)來實(shí)現(xiàn)。p型多重邊緣保護(hù)環(huán)6可以有效的分散器件邊緣的電場(chǎng)，減小電場(chǎng)強(qiáng)度，特別是器件在高工作電壓下，多重邊緣保護(hù)環(huán)可最有效的保護(hù)器件。p多重邊緣保護(hù)環(huán)6的數(shù)量、區(qū)域?qū)挾取㈤g隔距離等參數(shù)需要根據(jù)器件最高工作電壓來確定。上述肖特基二極管融合了傳統(tǒng)肖特基二極管和PN結(jié)二極管的優(yōu)點(diǎn)，正向開啟電壓小，正向可以通過更大電流，反向漏電流小，反向可承受更大的電壓和功率，器件工藝簡(jiǎn)單，器件工藝制作難度較低。綜上所述，本發(fā)明的GaN肖特基二極管融合了傳統(tǒng)肖特基二極管和PN結(jié)二極管的優(yōu)點(diǎn)，正向開啟電壓小，正向可以通過更大電流，反向漏電流小，反向可承受更大的電壓和功率，器件工藝簡(jiǎn)單，制作難度較低。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起 見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。