制造太陽能電池電極的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及制造p型電極的方法，所述方法包括以下步驟：制備N型基底半導體基板，其包括n基底層、n基底層上的p型發(fā)射器、p型發(fā)射器上的第一鈍化層和n基底層上的第二鈍化層；將導電漿料施涂到所述第一鈍化層上，其中所述導電漿料包含：(i)100重量份的導電粉末，所述導電粉末包括選自銀、鎳、銅以及它們的混合物的金屬，(ii)0.3至8重量份的具有3至11μm粒徑的鋁粉，(iii)3至22重量份的玻璃料，和(iv)有機介質(zhì)；以及焙燒所述導電漿料。
【專利說明】制造太陽能電池電極的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本專利申請要求2011年4月6日提交的美國臨時申請61/472，381的權(quán)益。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及N型基底太陽能電池，更具體地制造其P型電極的方法。
【背景技術(shù)】
`[0004]太陽能電池電極要求具有低電阻以改善太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率(Eff)。尤其是在N型基底太陽能電池的情況下，太陽能電池電極有時與半導體的電接觸不充分，從而導致較低的轉(zhuǎn)換效率。
[0005]US20100059106公開了形成N型基底太陽能電池的p型電極的導電漿料包含導電粉末(諸如Ag)、添加的顆粒(諸如Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、W、Re、Os、Ir或Pt)、玻璃料以及樹脂粘合劑。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供制造P型電極的方法，所述P型電極具有對P型發(fā)射器的較低的接觸電阻。
[0007]在本發(fā)明的一個方面中涉及制造P型電極的方法，所述方法包括以下步驟:制備N型基底半導體基板，其包括η型基底層、η基底層上的P型發(fā)射器、P型發(fā)射器上的第一鈍化層、以及η基底層上的第二鈍化層；將導電漿料施涂到第一鈍化層上，其中所述導電漿料包含:(i)100重量份的導電粉末，所述導電粉末包括選自銀、鎳、銅以及它們的混合物的金屬，(ii)0.3至8重量份的具有3至Ι?μπι粒徑的鋁粉，(iii)3至22重量份的玻璃料，和
(iv)有機介質(zhì)；以及焙燒所述導電漿料。
[0008]本發(fā)明的另一方面涉及N型基底太陽能電池，其包括由上述方法形成的P型電極。
[0009]所述P型電極可具有與半導體基板的P型發(fā)射器的低接觸電阻。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1A至IF為用于解釋制造N型基底太陽能電池的P型電極的制備方法的圖。
[0011]圖2是示出鋁粉含量對太陽能電池的效率(Eff)的影響的圖。
[0012]圖3是示出鋁的粒徑對太陽能電池的效率(Eff)的影響的圖。
[0013]圖4是示出焙燒溫度對太陽能電池的效率(Eff)的影響的圖。
【具體實施方式】
[0014]本發(fā)明涉及制造P型電極的方法。所述P型電極是在N型基底半導體基板的P型發(fā)射器上的鈍化層的表面上形成的電極。此處的所述N型基底半導體基板包括P型發(fā)射器、η基底層和鈍化層。所述P型發(fā)射器形成于N型基底半導體基板的一側(cè)處。所述鈍化層分別形成于P型發(fā)射器和η基底層上。
[0015]在一個實施例中，所述N型基底半導體基板包括以如圖1D所示的這種順序形成的第一鈍化層30a、P型發(fā)射器20、η基底層10、任選地η+層40、以及第二鈍化層30b。
[0016]在一個實施例中，所述N型基底太陽能電池包括以如圖1F所示的這種順序形成的P型電極61、第一鈍化層30a、p型發(fā)射器20、n基底層10、任選地n+層40、第二鈍化層30b、以及η型電極71，其中所述P型電極61穿過第一鈍化層30a以具有與p型發(fā)射器20的電接觸，并且所述η型電極71穿過第二鈍化層30b以具有與η基底層10或η+層40的電接觸。
[0017]可將P型發(fā)射器20定義為包含被稱為受體摻雜劑的雜質(zhì)的半導體層，其中所述受體摻雜劑引起半導體元件中的價電子不足。在P型發(fā)射器中，所述受體摻雜劑從半導體元件中吸收游離的電子并因此在價帶中產(chǎn)生帶正電的空穴。
[0018]可將η基底層定義為包含被稱為供體摻雜劑的雜質(zhì)的半導體層，其中所述供體摻雜劑引起半導體元件中的價電子過量。在η基底層中，從導電帶中的供體摻雜劑中產(chǎn)生游離的電子。
[0019]如上所述通過向本征半導體中增加雜質(zhì)，電導率不僅可通過雜質(zhì)原子數(shù)改變而且可通過雜質(zhì)原子的類型改變，并且所述變化可以為千倍或百萬倍。
[0020]下文結(jié)合圖1中的圖片來解釋本發(fā)明的實施例。下文給出的實施例是用于更好地進行理解的例子，并且對本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言適當?shù)脑O(shè)計改變是可能的。
[0021]本發(fā)明的實施例是制造P型電極的方法。
[0022]圖1A示出了包含η基底層10和ρ型發(fā)射器20的N型基底半導體基板的剖面圖。η基底層10可通過摻雜有供體雜質(zhì)諸如磷而形成。P型發(fā)射器20可例如通過將受體摻雜劑熱擴散到N型基底半導體基板中而形成。在硅半導體的情況下，受體摻雜劑可以為硼化合物諸如三溴化硼(BBr3)。ρ型發(fā)射器的厚度可以例如為所述N型基底半導體基板厚度的0.1% 至 10%O
[0023]如圖1B所示，可在ρ型發(fā)射器20上形成第一鈍化層30a。所述第一鈍化層30a可以為10至2000人厚?？蓪⒌?SiNx)、碳化硅(SiCx)、氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化硅(SiOx)、銦氧化錫(ΙΤ0)、或它們的混合物用作鈍化層30的材料。第一鈍化層30a可通過例如這些材料的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成。
[0024]在一個實施例中，如圖1C中所示，η.層40可形成于ρ型發(fā)射器20的另一側(cè)處，盡管這不是至關(guān)重要的。所述η+層40包含供體雜質(zhì)，所述供體雜質(zhì)具有比η基底層10中的濃度更高的濃度。例如，在硅半導體的情況下，η+層40可通過磷的熱擴散形成。通過形成η+層40，可減少電子和空穴在η基底層10和η+層40的邊界處的重組。當形成η+層40時，N型基底半導體基板包含介于η基底層10和下一步中形成的鈍化層30之間的η+層。
[0025]如圖1D所示，在η+層40上形成第二鈍化層30b。在此可獲得N型基底半導體基板，其包括η基底層10、ρ型發(fā)射器20、第一鈍化層30a和第二鈍化層30b。第二鈍化層30b的材料和形成方法可以與上述其它層的相同。然而，就其形成材料或其形成方法的而言，n+層40上的第二鈍化層30b可不同于第一鈍化層30a。
[0026]在太陽能電池的運行中，當一個或多個鈍化層30a和/或30b受到太陽光照射時，一個或多個鈍化層30a和/或30b減少載體重組并減少光反射損失，從而還將其稱為減反射涂層(“ARC”)。在一個實施例中，η基底層10和ρ型發(fā)射器20的兩側(cè)均可以為運行中的
受光面。
[0027]如圖1E所示，將用于形成P型電極的導電漿料60施涂到ρ型發(fā)射器20上的第一鈍化層30a上。下文更詳細地描述了用于形成ρ型電極的導電漿料60。還將用于形成η型電極的導電漿料70施涂到η+層40上的第二鈍化層30b上。當施涂導電漿料時，可使用絲網(wǎng)印刷。
[0028]在一個實施例中，第二鈍化層30b上的導電漿料70在組成上可不同于第一鈍化層30a上的導電漿料60。導電漿料70的組成可根據(jù)例如第二鈍化層30b的材料或厚度調(diào)節(jié)。
[0029]在另一個實施例中，施涂在ρ型發(fā)射器20上的導電漿料60和施涂在n+層40上的導電漿料70在組成上可以相同。當導電漿料60和70兩者相同時，制造過程對導致降低生產(chǎn)成本可能更為簡單。
[0030]可將兩側(cè)處的導電漿料60和70在150°C下干燥10秒至10分鐘。
[0031]然后進行導電漿料的焙燒。如圖1F所示，在焙燒期間導電漿料60和70燒透鈍化層30a和30b，使得ρ型電極61和η型電極71可分別具有與ρ型發(fā)射器20和η+層40的良好電連接。當這些電極和半導體之間的連接改善時，太陽能電池的電性能也將改善。
[0032]可將紅外加熱爐用于焙燒過程?？煽紤]焙燒溫度和焙燒時間來控制焙燒條件。當溫度較高時，時間將較短。根據(jù)生產(chǎn)能力，可為優(yōu)選的是高溫和短焙燒時間。在一個實施例中，焙燒峰值溫度可以為800°C至1000°C。如圖4中所示，ρ型電極可穩(wěn)定地獲得高效率(Eff)0從加熱爐的入口到出口的焙燒時間可以為30秒至5分鐘，在另一個實施例中可以為40秒至3分鐘。
[0033]在另一個實施例中，焙燒曲線可以為在高于400°C下10至60秒，并且在高于600°C下2至10秒。焙燒溫度在半導體基板的上表面處測量。在焙燒溫度和時間在所述范圍內(nèi)的情況下，在焙燒期間半導體基板可能發(fā)生較少的損傷。
[0034]在實際操作時，太陽能電池可安裝有位于背面處的η基底層，所述背面是太陽能電池的受光面的相對面。太陽能電池還可安裝有位于背面處的P型發(fā)射器，所述背面是太陽能電池的受光面的相對面。
[0035]接著，下文詳細解釋了用于上述制造方法的導電漿料。形成P型電極的導電漿料包含至少導電粉末、鋁粉、玻璃料和有機介質(zhì)。
[0036]導電粉末
[0037]導電粉末為用于在電極中傳輸電流的金屬粉末。所述導電粉末包括選自銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)以及它們的混合物的金屬。
[0038]在一個實施例中，導電粉末可包括選自下列的金屬粉末:銀粉、銅粉、鎳粉、包含銀、銅或鎳以及它們的混合物的合金粉。所述導電粉末可以為這些金屬粉末的混合物。使用此類具有相對高電導率的導電粉末，可使太陽能電池的電阻功率損耗最小化。在一個實施例中，導電粉末可以為銀粉。銀粉可能難以在焙燒期間在空氣中氧化以保持高電導率。
[0039]基于導電粉末、鋁粉和玻璃料的總重量計，導電粉末在一個實施例中可以為80至98.5重量百分比(重量％)，在另一個實施例中可以為83至95重量％,在另一個實施例中可以為85至93重量％。在導電漿料中具有這種量的導電粉末可保持太陽能電池應(yīng)用的足夠的電導率。[0040]在一個實施例中，所述導電粉末的形狀可以為片狀或球形。
[0041]當用作典型的導電漿料時，從技術(shù)效果的觀點來看，對導電粉末的粒徑?jīng)]有特別限制。然而，由于粒徑影響導電粉末的燒結(jié)特性，因此例如較大的銀顆粒比較小粒徑的銀顆粒燒結(jié)更慢。為此，粒徑在一個實施例中可以為0.1至10 μ m，在另一個實施例中可以為I至7 μ m,在另一個實施例中可以為1.5至4 μ m。在另一個實施例中，導電粉末可以為具有不同粒徑的兩種或更多種導電粉末的混合物。
[0042]粒徑(D50)通過采用激光衍射散射法測量粒徑分布而獲得，并可被定義為D50。Microtrac型X-100是可商購獲得的裝置的例子。
[0043]在一個實施例中，導電粉末可以為99%的普通高純度或更高純度的。然而，取決于電極圖案的電要求，也可使用更低純度的銀。
[0044]適盤
[0045]鋁(Al)粉是包含至少鋁的金屬粉末。鋁粉的純度可以為99%或更高?；?00重量份的導電粉末計，導電漿料中的鋁粉為0.3至8重量份。通過向?qū)щ姖{料中加入鋁粉，可如圖2所示改善太陽能電池的電性能?；?00重量份的導電粉末計，鋁粉在另一個實施例中可以為不超過6.5重量份,在另一個實施例中不超過4重量份,在另一個實施例中，2.2重量份。基于100重量份的導電粉末計，鋁粉在一個實施例中，可以為不小于0.7重量份，在另一個實施例中，不超過1.0重量份。
[0046]鋁粉的粒徑(D50)為3至11 μ m。具有此類粒徑的鋁粉，可如圖3所示改善太陽能電池的電性能。因此，鋁粉的粒徑(D50)在一個實施例中可以為不小于3.1 μ m，在另一個實施例中，不小于3.3μπι。粒徑的上限沒有具體限制，只要其為Ilym或更小即可。然而，在另一個實施例中，其可以為8μ m或更小,在另一個實施例中，為6 μ m，在另一個實施例中不大于4μπι。具有此類粒徑的鋁粉可均勻分散在有機介質(zhì)中并適于通過絲網(wǎng)印刷而施涂到基板上。為測量鋁粉的粒徑(D50)，可施用與用于導電粉末的方法相同的方法。
[0047]在一個實施例中，鋁粉的形狀可以為片狀、結(jié)節(jié)狀、或球形。結(jié)節(jié)狀粉末是具有結(jié)節(jié)、圓形形狀的不規(guī)則顆粒。在另一個實施例中，鋁粉可以為球形。
[0048]玻璃料
[0049]在后續(xù)焙燒過程中，用于本文所述的導電漿料的玻璃料蝕刻穿過鈍化層并有利于將電極結(jié)合到半導體基板，并且還可促進導電粉末的燒結(jié)。
[0050]所述玻璃料為3至22重量份。如下文例子中的表2所示，通過以這種量加入玻璃料，太陽能電池的效率(Eff)可變得相對高?；?00重量份的導電粉末計，玻璃料在另一個實施例中可以為4至20重量份,在另一個實施例中可以為5至15重量份,在另一個實施例中可以為6至10重量份。通過以這種量加入玻璃料，ρ型電極可充分地附著到基板。
[0051]所述玻璃料組合物不限于具體的組合物。例如，可使用無鉛玻璃和含鉛玻璃。
[0052]玻璃料組合物在本文中描述為包含一定百分比的某些組分。具體地講，所述百分比為用于起始原料的組分的量，該起始原料隨后被加工以形成玻璃料。換句話講，玻璃料包含某些組分，并且這些組分的百分比采用對應(yīng)的氧化物形式的百分比來表示。正如玻璃化學領(lǐng)域的技術(shù)人員所認識到的，玻璃制備過程中可能會釋放出一部分的揮發(fā)性物質(zhì)。
[0053]在一個實施例中，所述玻璃料包括含鉛玻璃料，所述含鉛玻璃料包含選自下列的氧化物中的一種或多種:氧化鉛(PbO)、氧化硅(SiO2)、氧化硼(B2O3)和氧化鋁(Al2O3)。[0054]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鉛(PbO)在一個實施例中可以為40至80摩爾％，在另一個實施例中可以為42至73摩爾％，在另一個實施例中可以為45至68摩爾％。
[0055]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化硅(SiO2)在一個實施例中可以為0.5至40摩爾％，在另一個實施例中為I至33摩爾％，在另一個實施例中可以為1.3至28摩爾％。
[0056]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化硼(B2O3)在一個實施例中可以為15至48摩爾％，在另一個實施例中可以為20至43摩爾％，在另一個實施例中可以為22至40摩爾％。
[0057]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鋁(Al2O3)在一個實施例中可以為0.01至6摩爾％，在另一個實施例中可以為0.09至4.8摩爾％，在另一個實施例中可以為0.5至3摩爾％。
[0058]在另一個實施例中，所述玻璃料包括無鉛玻璃料，所述無鉛玻璃料包含選自下列的氧化物中的一種或多種:氧化硼(B203)、氧化鋅(ZnO)、氧化鉍(Bi203)、氧化硅(SiO2)、氧化招(Al2O3)和氧化鋇(BaO)。
[0059]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化硼(B2O3)在一個實施例中可以為20至48摩爾％，在另一個實施例中可以為25至42摩爾％，在另一個實施例中可以為28至39摩爾％。
[0060]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鋅(ZnO)在一個實施例中可以為20至40摩爾％，在另一個實施例中可以為25至38摩爾％，在另一個實施例中可以為28至36摩爾％。
[0061]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鉍(Bi2O3)在一個實施例中可以為15至40摩爾％，在另一個實施例中可以為18至35摩爾％，在另一個實施例中可以為19至30
摩爾％。
[0062]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化硅(SiO2)在一個實施例中可以為0.5至20摩爾％，在另一個實施例中為0.9至6摩爾％，在另一個實施例中可以為I至3摩爾％。
[0063]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鋁(Al2O3)在一個實施例中可以為0.1至7摩爾％，在另一個實施例中可以為0.5至5摩爾％，在另一個實施例中可以為0.9至2
摩爾％。
[0064]基于玻璃料中各組分的總摩爾級分計，氧化鋇(BaO)在一個實施例中可以為0.5至8摩爾％，在另一個實施例中可以為0.9至6摩爾％，在另一個實施例中可以為2.5至5
摩爾％。
[0065]在另一個實施例中，玻璃料的軟化點可以為300至600°C，在另一個實施例中可以為350至550°C。在該說明書中，“軟化點”通過差熱分析(DTA)進行測定。為了通過DTA測定玻璃軟化點，可將玻璃樣品碾碎并且與基準材料一起引入加熱爐中，以每分鐘升溫5至20°C的恒定速率加熱。檢測二者之間的溫度差值以研究材料的變化和熱吸收。一般來講，第一轉(zhuǎn)變峰是在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)處，第二轉(zhuǎn)變峰是在玻璃軟化點(Ts)處，第三轉(zhuǎn)變峰是在結(jié)晶點處。當玻璃料為非晶玻璃時，DTA中不會出現(xiàn)結(jié)晶點。
[0066]玻璃料可通過本領(lǐng)域熟知的方法來制備。例如，可通過混合并熔融例如氧化物、氫氧化物、碳酸鹽等原材料，通過驟冷制備成碎玻璃，然后機械粉碎(濕研磨或干研磨)來制備玻璃組分。其后，如果需要，則對所需粒度進行分級。
[0067]有機介質(zhì)
[0068]有機介質(zhì)允許導電粉末、鋁粉和玻璃料以被稱為“漿料”的粘稠組合物的形式分散，所述“漿料”具有適于通過例如絲網(wǎng)印刷的方法施涂到基板上的稠度和流變特性。有機介質(zhì)可以為有機樹脂或有機樹脂與有機溶劑的混合物。
[0069]有機介質(zhì)可以為例如松油溶液或聚甲基丙烯酸酯的乙二醇單丁基醚單乙酸酯溶液、或乙基纖維素的乙二醇單丁基醚單乙酸酯溶液、乙基纖維素的萜品醇溶液、或乙基纖維素的酯醇-12溶液。
[0070]在一個實施例中，有機介質(zhì)可以為乙基纖維素的酯醇-12溶液，其中基于所述有機介質(zhì)的總重量計，乙基纖維素含量為5重量％至50重量％。
[0071]可將溶劑用作粘度調(diào)節(jié)劑。溶劑的量可相對于所需粘度進行調(diào)節(jié)。例如，當通過絲網(wǎng)印刷來施涂導電漿料時，導電漿料粘度可以為50至350帕斯卡每秒(Pa.S)。所述粘度可使用具有14號錠子的Brookfield HBT粘度計在IOrpm和25°C下測量。
[0072]基于所述導電漿料的總重量計，有機介質(zhì)的含量可以為5至50重量％。
[0073]有機介質(zhì)可在焙燒步驟期間燒盡，使得ρ型電極理想地不含有機殘留物。然而，實際上所得的P型電極中可殘留一定量的殘留物，只要其不降低P型電極的電性能即可。
[0074]添加劑
[0075]在需要時，可向?qū)щ姖{料中加入添加劑諸如增稠劑、穩(wěn)定劑、分散劑、粘度調(diào)節(jié)劑和表面活性劑。添加劑的量取決于所得導電漿料的期望特性并可由業(yè)內(nèi)人士選擇。可向?qū)щ姖{料中加入多種添加劑。
[0076]盡管上文描述了導電漿料的組分，但是導電漿料可包含來自原料或受制造加工期間污染的雜質(zhì)。然而，應(yīng)允許雜質(zhì)存在(定義為良性)，只要其不顯著改變導電漿料的預(yù)期性能即可。例如，即使導電漿料包含良性雜質(zhì)，用所述導電漿料制造的P型電極也可實現(xiàn)本文所述的足夠的電性能。
[0077]SM
[0078]本發(fā)明通過但不限于下列實例來說明。
[0079]導電漿料的制備
[0080]通過使用以下材料根據(jù)以下工序來制備形成ρ型電極的導電漿料。
[0081]-導電粉末:利用由激光散射型粒度分布測量儀器測定的具有3μπι粒徑(D50)的球形銀(Ag)粉。
[0082]-鋁(Al)粉:利用由激光散射型粒度分布測量儀器測定的具有3.5 μ m粒徑(D50)的球形鋁(Al)粉。
[0083]-玻璃料:玻璃料包含50.0摩爾％的PbO、22.0摩爾％的SiO2、2.0摩爾％的A1203、26.0摩爾%的BA。通過DTA測定的軟化點為4340C。
[0084]-有機介質(zhì):乙基纖維素的酯醇-12溶液。
[0085]-添加劑:粘度調(diào)節(jié)劑。
[0086]將有機介質(zhì)與粘度調(diào)節(jié)劑混合15分鐘。
[0087]為了使少量鋁粉能夠均勻分散在導電漿料中，可將銀粉和鋁粉分別分散在有機介質(zhì)中以在此后混合在一起。首先，將招粉分散在一些有機介質(zhì)中并混合15分鐘以制備招漿。其次，將玻璃料分散在剩余的有機介質(zhì)中并混合15分鐘，然后遞增地加入銀粉以制備銀漿。接著，用三輥研磨機反復碾壓混合物，壓力從O逐漸增加至400psi。輥的間隙調(diào)節(jié)為I密耳。
[0088]然后將銀漿和鋁漿混合在一起以制備導電漿料。最后，將附加的有機介質(zhì)或稀釋劑混合以調(diào)節(jié)漿料的粘度?；谒鰧щ姖{料的總重量計，導電漿料中的有機介質(zhì)為12重量％。銀粉、招粉和玻璃料的含量示出于表I中。
[0089]利用具有14號轉(zhuǎn)子的Brookfield HBT粘度計在IOrpm和25°C下測量的粘度為260Pa.S。通過研磨細度測量的分散度為20/10或更小。
[0090]表I(重量份)
[0091]
【權(quán)利要求】
1.制造P型電極的方法，包括以下步驟: 制備N型基底半導體基板，所述N型基底半導體基板包括η基底層、所述η基底層上的P型發(fā)射器、所述P型發(fā)射器上的第一鈍化層、以及所述η基底層上的第二鈍化層； 將導電漿料施涂到所述第一鈍化層上，其中所述導電漿料包含: (i)100重量份的導電粉末，所述導電粉末包括選自銀、鎳、銅以及它們的混合物的金屬， (ii)0.3至8重量份的具有3至11 μ m粒徑的鋁粉， (iii)3至22重量份的玻璃料，和 (iv)有機介質(zhì)；以及 焙燒所述導電漿料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中所述玻璃料包括含鉛玻璃料或無鉛玻璃料，所述含鉛玻璃料包含選自下列的氧化物中的一種或多種:氧化鉛(PbO)、氧化硅(Si02)、氧化硼(B2O3)和氧化鋁(Al2O3);所述無鉛玻璃料包含選自下列的氧化物的一種或多種:氧化硼(B203)、氧化鋅(2]10)、氧化秘(8;[203)、氧化娃(5;[02)、氧化招(41203)、以及氧化鋇(BaO)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中所述玻璃料的軟化點為300至600。。。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中焙燒時間為30秒至5分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中所述焙燒步驟中的焙燒峰值溫度為 800 至 IOOO0Co
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中所述第一鈍化層為10至2000A厚。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，其中所述第一鈍化層的材料為氮化硅(SiNx)、碳化硅(SiCx)、氧化鈦(Ti02)、氧化鋁(A1203)、氧化硅(SiOx)、銦氧化錫(ΙΤ0)、或它們的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造P型電極的方法，還包括將第二導電漿料施涂到所述第二鈍化層上的步驟，并且其中共同焙燒施涂到所述第一鈍化層上的導電漿料和施涂到所述第二鈍化層上的所述第二導電漿料。
9.N型基底太陽能電池，包括由權(quán)利要求1所述的方法形成的P型電極。
【文檔編號】H01B1/22GK103430243SQ201280014331
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月6日
【發(fā)明者】武田憲彥 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司