專利名稱：Rfid標簽的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及射頻識別技術(Radio Frequency Identification,縮寫RFID),特別涉及是一種RFID標簽。
背景技術：
射頻識別技術(Radio Frequency Identification,縮寫RFID)是一項利用射頻信號通過空間耦合(交變磁場或電磁場)實現無接觸信息傳遞并通過所傳遞的信息達到識別目的的技術。與傳統(tǒng)識別技術(二維碼、條形碼等)相比，RFID技術具有標示唯一、信息容量大、讀取快捷方便、多標簽讀取、可進行數據加密的特點。經過多年發(fā)展已廣泛應用于物品跟蹤、航空行李分揀、工廠裝配流水線、汽車防盜、電子票證、動物管理、商品防偽等領域。RFID由于載波頻段不同，可以劃分為低頻(3(T300kHz)、中頻(300kHz 3MHz)、高頻(3 30MHz)和超高頻(300MHC3GHZ)。其中，超高頻(UHF)頻段的有效作用距離最大，可以達到8 20m，可廣泛應用于商業(yè)物流和交通運輸領域。超高頻射頻識別系統(tǒng)的協(xié)議目前有很多種，主要可以分為兩大協(xié)議制定者:一是ISO(國際標準化組織)；二是EPC Global。ISO組織目前針對UHF頻段制定了射頻識別協(xié)議IS018000-6，而EPC Global組織則制定了針對產品電子編碼超高頻射頻識別系統(tǒng)的標準EPC Cl G2 UHF RFID。RFID系統(tǒng)包括讀寫器、標簽，一個完整RFID標簽包括標簽天線和標簽芯片及將它們模塑的外部樹脂，RFID標簽芯片具有發(fā)送接收部、控制部和存儲器。在存儲器中存儲有固有的識別代碼(唯一 ID)，讀寫器對RFID標簽的唯一 ID的讀出，借助RFID標簽用天線通過無線通信(無線信息交換)進行，該無線信息交換有電波方式和電磁感應方式。現有的一種RFID標簽如圖1所示，標簽芯片21、標簽天線22和阻抗調節(jié)部23形成在基板12上，基板12利用PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)材料或紙等構成。標簽芯片21形成于基板12的表面的大致中央，標簽天線22是偶極天線，形成于標簽芯片21的兩側，標簽天線22通過在基板12的表面上實施蝕刻和焊膏印刷等形成，阻抗調節(jié)部23是導體，是為了調節(jié)標簽天線22的阻抗特性而設置的。在RFID標簽I對應于UHF頻帶等高頻電波時，其阻抗成分可以利用環(huán)狀導體形成，因此阻抗調節(jié)部23與左右的標簽天線22連接，形成為高頻和超高頻在圖書管理方面均有所應用，但由于圖書管理標簽要求體積小、具有抗磁條性能，應用時圖書厚薄不一，又有環(huán)境的影響?，F有如上述結構的RFID標簽，由于厚度較大，抗磁條性能較差，難以普及應用。

實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種RFID標簽，厚度薄，抗磁條性能強，便于夾貼于圖書中。為解決上述技術問題,本實用新型提供的RFID標簽,其包括絕緣膜、標簽天線、標簽芯片；[0009]所述標簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面；所述標簽天線，包括左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線；所述左矩形金屬貼片同所述左一彎折線的左端相連接；所述右矩形金屬貼片同所述右一彎折線的右端相連接；所述標簽芯片接在所述左匹配線右端同所述右匹配線左端之間；所述左匹配線左端接所述左二彎折線的右端；所述右匹配線右端接所述右二彎折線的左端；所述左一彎折線的右端接所述左二彎折線的左端及所述閉環(huán)線的左端；所述右一彎折線的左端接所述右二彎折線的右端及所述閉環(huán)線的右端；所述左一彎折線同右一彎折線的高度、寬度相等；所述左二彎折線同右二彎折線的高度、寬度相等；所述左二彎折線的高度小于所述左一彎折線的高度。 較佳的，所述左矩形金屬貼片、右矩形金屬貼片、左一彎折線及右一彎折線的高度相等。較佳的，所述左一彎折線及右一彎折線的寬度為0.5mm到1.5mm ；所述左二彎折線及右二彎折線的寬度為0.3mm到1mm。較佳的，所述RFID標簽為超高頻RFID標簽；所述標簽天線為偶極振子天線；所述標簽芯片以倒扣的方式與左匹配線右端及右匹配線左端焊接在一起；所述絕緣膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜，厚度為10 200 μ m ;所述左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm。較佳的,所述RFID標簽還包括標簽紙；所述標簽紙通過不干膠粘貼在所述標簽天線及標簽芯片上方；所述絕緣膜的下表面附著不干膠。本實用新型公開了一種RFID標簽，標簽天線是由矩形金屬貼片、兩種彎折線、匹配線、閉環(huán)線連接形成，呈細長形狀，標簽天線附著在絕緣膜上，整個RFID標簽厚度薄、重量輕，適合夾于書中作為隱蔽式圖書標簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標簽方便的粘貼到圖書上，調節(jié)彎折線的寬度和長短可改變該標簽天線的阻抗特性和增益性能，調節(jié)閉環(huán)線的長短也可改變該天線的阻抗特性，彎折線形式可減少標簽天線的尺寸，左一彎折線及右一彎折線寬度較大可提高標簽天線的輻射性能，左二彎折線及右二彎折線的寬度較小便于精確改變該標簽天線的阻抗特性。在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片，刻蝕金屬貼片在絕緣膜的上表面形成標簽天線，將附著有標簽天線、標簽芯片的絕緣膜的下表面附著不干膠即可形成本實用新型的RFID標簽，制造RFID標簽的精度高，操作簡單，易于大批量生產。

為了更清楚地說明本實用新型的技術方案，下面對本實用新型所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現有的一種RFID標簽示意圖；圖2是實用新型的RFID標簽一實施例示意圖；圖3是本實用新型的RFID標簽的制造方法一實施例示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖，對本實用新型中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一RFID標簽,如圖2所示,包括絕緣膜1、標簽天線、標簽芯片6 ；所述標簽天線，附著在所述絕緣膜I的上表面；所述標簽天線，包括左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線
41、右匹配線42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5；所述左矩形金屬貼片11同所述左一彎折線21的左端相連接；所述右矩形金屬貼片12同所述右一彎折線22的右端相連接；所述標簽芯片6接在所述左匹配線41右端同所述右匹配線42左端之間；所述左匹配線41左端接所述左二彎折線31的右端；所述右匹配線44右端接所述右二彎折線32的左端；所述左一彎折線21的右端接所述左二彎折線31的左端及所述閉環(huán)線5的左端；所述右一彎折線22的左端接所述右二彎折線32的右端及所述閉環(huán)線5的右端；所述左一彎折線21同右一彎折線22的高度、寬度相等；所述左二彎折線31同右二彎折線32的高度、寬度相等；所述左二彎折線31的高度小于所述左一彎折線21的高度。較佳的，所述左矩形金屬貼片11、右矩形金屬貼片12、左一彎折線21及右一彎折線22的高度相等；較佳的，所述左一彎折線21及右一彎折線22的寬度為0.5mm到1.5mm ;所述左二彎折線31及右二彎折線32的寬度為0.3mm到1mm。實施例二基于實施例一，所述RFID標簽為超高頻(UHF) RFID標簽；所述標簽天線2為偶極振子天線；所述標簽芯片以倒扣的方式與左匹配線41右端及右匹配線42左端焊接在一起；所述絕緣膜I為PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜或PI (聚酰亞胺)膜，厚度為10 200 μ m ；所述左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線41、右匹配線
42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.0l 0.1mm。實施例三基于實施例二,所述RFID標簽還包括標簽紙；所述標簽紙通過不干膠粘貼在所述標簽天線及標簽芯片6上方；所述絕緣膜I的下表面附著不干膠。實施例四RFID標簽的制造方法，如圖3所示，包括以下步驟:一.在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片；較佳的，所述絕緣膜為PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜或PI (聚酰亞胺)膜，厚度為 10 200 μ m ；較佳的，所述金屬貼片為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm ;二.刻蝕所述金屬貼片，在所述絕緣膜I的上表面形成標簽天線；三.將標簽芯片與所述標簽天線焊接在一起；四.將標簽紙通過不干膠粘貼在所述標簽天線及標簽芯片6上方，并在所述絕緣膜I的下表面附著不干膠，形成RFID標簽。實施例五基于實施例三，所述RFID標簽為超高頻(UHF) RFID標簽；所述標簽天線為偶極振子天線；所述標簽天線，包括左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線41、右匹配線42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5 ;所述左矩形金屬貼片11同所述左一彎折線21的左端相連接；所述右矩形金屬貼片12同所述右一彎折線22的右端相連接；所述標簽芯片6以倒扣的方式與左匹配線41右端及右匹配線42左端焊接在一起;所述左匹配線41左端接所述左二彎折線31的右端；所述右匹配線44右端接所述右二彎折線32的左端；所述左一彎折線21的右端接所述左二彎折線31的左端及所述閉環(huán)線5的左端；所述右一彎折線22的左端接所述右二彎折線32的右端及所述閉環(huán)線5的右端；所述左一彎折線21同右一彎折線22的高度、寬度相等；所述左二彎折線31同右二彎折線32的高度、寬度相等；所述左二彎折線31的高度小于所述左一彎折線21的高度。較佳的，所述左矩形金屬貼片11、右矩形金屬貼片12、左一彎折線21及右一彎折線22的高度相等；較佳的，所述左一彎折線21及右一彎折線22的寬度為0.5mm到1.5mm ;所述左二彎折線31及右二彎折線32的寬度為0.3mm到1mm。本實用新型的RFID標簽，標簽天線是由左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線連接形成，呈細長形狀，標簽天線附著在絕緣膜上，整個RFID標簽厚度薄、重量輕，適合夾于書中作為隱蔽式圖書標簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標簽方便的附著到圖書上。本實用新型的RFID標簽，調節(jié)彎折線的寬度和長短可改變該標簽天線的阻抗特性和增益性能，調節(jié)閉環(huán)線的長短也可改變該天線的阻抗特性，彎折線形式可減少標簽天線的尺寸，左一彎折線及右一彎折線寬度較大可提高標簽天線的輻射性能，左二彎折線及右二彎折線的寬度較小便于精確改變該標簽天線的阻抗特性和增益性能。在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片，刻蝕金屬貼片在絕緣膜的上表面形成標簽天線，將附著有標簽天線、標簽芯片的絕緣膜的下表面附著不干膠即可形成本實用新型的RFID標簽，制造RFID標簽的精度高，操作簡單，易于大批量生產。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型保護的范圍之內。
權利要求1.一種RFID標簽，其特征在于，包括絕緣膜、標簽天線、標簽芯片； 所述標簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面； 所述標簽天線，包括左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線； 所述左矩形金屬貼片同所述左一彎折線的左端相連接； 所述右矩形金屬貼片同所述右一彎折線的右端相連接； 所述標簽芯片接在所述左匹配線右端同所述右匹配線左端之間； 所述左匹配線左端接所述左二彎折線的右端； 所述右匹配線右端接所述右二彎折線的左端； 所述左一彎折線的右端接所述左二彎折線的左端及所述閉環(huán)線的左端； 所述右一彎折線的左端接所述右二彎折線的右端及所述閉環(huán)線的右端； 所述左一彎折線同右一彎折線的高度、寬度相等； 所述左二彎折線同右二彎折線的高度、寬度相等； 所述左二彎折線的高度小于所述左一彎折線的高度。
2.根據權利要求1所述的RFID標簽，其特征在于， 所述左矩形金屬貼片、右矩形金屬貼片、左一彎折線及右一彎折線的高度相等。
3.根據權利要求2所述的RFID標簽，其特征在于， 所述左一彎折線及右一彎折線的寬度為0.5mm到1.5mm ； 所述左二彎折線及右二彎折線的寬度為0.3mm到1_。
4.根據權利要求1所述的RFID標簽，其特征在于， 所述RFID標簽為超高頻RFID標簽； 所述標簽天線為偶極振子天線； 所述標簽芯片以倒扣的方式與左匹配線右端及右匹配線左端焊接在一起； 所述絕緣膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜，厚度為10 200μπι ; 所述左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm。
5.根據權利要求1所述的RFID標簽，其特征在于， 所述RFID標簽還包括標簽紙； 所述標簽紙通過不干膠粘貼在所述標簽天線及標簽芯片上方；所述絕緣膜的下表面附著不干膠。
專利摘要本實用新型公開了一種RFID標簽，標簽天線是由矩形金屬貼片、兩種彎折線、匹配線、閉環(huán)線連接形成，呈細長形狀，標簽天線附著在絕緣膜上，整個RFID標簽厚度薄、重量輕，適合夾于書中作為隱蔽式圖書標簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標簽方便的粘貼到圖書上，調節(jié)彎折線的寬度和長短可改變該標簽天線的阻抗特性和增益性能，調節(jié)閉環(huán)線的長短也可改變該天線的阻抗特性，彎折線形式可減少標簽天線的尺寸，一種彎折線寬度較大可提高標簽天線的輻射性能，另一種彎折線寬度較小便于精確改變該標簽天線的阻抗特性。本實用新型的RFID標簽，厚度薄，抗磁條性能強，便于夾貼于圖書中。
文檔編號H01Q1/38GK203012771SQ20122072116
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月24日 優(yōu)先權日2012年12月24日
發(fā)明者張志勇 申請人:上海中科高等研究院