專利名稱：一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置。
背景技術(shù)：
隨著國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，硅晶圓襯底材料的需求量也越來越大，質(zhì)量要求越來越嚴格，為了防止重摻雜硅片在外延生產(chǎn)過程中引起雜質(zhì)的外擴散和自摻雜，弓丨入了背封工藝，背封通常是在晶圓襯底片的背面生長一層封二氧化硅薄膜，由于雜質(zhì)在封二氧化硅中的擴散系數(shù)遠小于在硅中的擴散系數(shù)，因此可以對晶圓襯底片中的雜質(zhì)進行有效封堵，顧名思義稱之為背封。二氧化硅薄膜雖然背封效果較好，但引進封二氧化硅背封工藝的同時，二氧化硅薄膜的生長也成為一個不斷研究的課題，現(xiàn)在比較常用的是采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)的方式進行生長，一般采用水平臥式爐。但是在生長過程中，傳統(tǒng)的方式是采用水平承載裝置，硅片立放在承載裝置上，一般水平承載裝置需要四個槽棒來固定硅片，這樣在生長過程中硅片與承載裝置接觸的位置晶圓兩面都會有差異，雖然晶圓正面印記對我們沒有影響，但晶圓背面即背封面的3 5cm的印記無法克服，不僅嚴重影響薄膜的均勻性，薄膜片內(nèi)均勻性在5%左右，整爐片間均勻性在10%左右，而且在外觀檢測時，表面的四個印記嚴重影響外觀，良率在70%左右，同時會對后道IC工藝的晶圓使用率降低，不能完全滿足工藝要求。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置，以生長出更加優(yōu)質(zhì)的二氧化硅背封膜。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案:一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置，包括圓形的上基座和下基座，以及安裝在上、下基座之間的三個承載棒，每個承載棒上均勻分布數(shù)個承載槽。所述承載棒與所述上基座之間所成角度為10 20度。每個承載棒上設(shè)有25個承載槽，所述承載槽的開口與承載棒之間所成角度為75 85度。所述承載槽的槽深為4 6mm,槽間距為4.5 5.5mm,槽底寬為0.6 0.9mm。所述承載棒的截面半徑為5 6mm。所述上基座和下基座的半徑分別為105 155mm。所述上、下基座上分別設(shè)有兩個定位棒,該些定位棒的高度為10 15cm,同一基座上的兩個定位棒之間的間距為8 12cm。所述硅片承載裝置的材質(zhì)為電子級石英材料。[0014]本實用新型的優(yōu)點在于:本實用新型的硅片承載裝置改變了傳統(tǒng)的晶圓立式放置方式，改為晶圓水平放置，由于水平放置所以只有晶圓正面與承載裝置槽下表面接觸，改變了原來雙面接觸，生長出的二氧化硅膜背封面沒有印記，表面均勻一致，膜厚片內(nèi)均勻性在I %以內(nèi)，整爐片間均勻性在3%以內(nèi)，外觀良率100%合格；同時傳統(tǒng)的生長方式每爐只能生長100片晶圓，采用本實用新型的硅片承載裝置每爐可生長150片晶圓，產(chǎn)能提升50%，成本降低30%，同時在后道IC使用過程中利用率提高10%，真正達到了工藝簡化、質(zhì)量提升和成本降低的目的。

圖1為本實用新型的硅片承載裝置的主視圖。圖2為圖1中A處的放大圖。圖3為本實用新型的硅片承載裝置的側(cè)視圖。圖4為圖3中Al處的放大圖。圖5為本實用新型的硅片承載裝置的俯視圖。圖6為安裝本實用新型的硅片承載裝置的化學(xué)氣相沉積水平臥式爐的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為采用本實用新型的硅片承載裝置生長二氧化硅背封膜的工藝流程圖。
具體實施方式
如圖1 3所不，本實用新型的娃片承載裝直包括圓形的上基座I和下基座2,以及安裝在上、下基座之間的三個承載棒3，每個承載棒上均勻分布數(shù)個承載槽4。所述承載棒3與所述上基座I之間所成角度為10 20度。每個承載棒3上設(shè)有25個承載槽4，所述承載槽4的開口與承載棒3之間所成角度為75 85度。所述承載槽4的槽深為4 6mm,槽間距為4.5 5.5mm,槽底寬為0.6 0.9mm。所述承載棒3的截面半徑為5 6mm。所述上基座I和下基座2的半徑分別為105 155mm。所述上、下基座上分別設(shè)有兩個定位棒5,該些定位棒的高度為10 15cm,同一基座上的兩個定位棒之間的間距為8 12cm。如圖4 5所示，采用上述硅片承載裝置生長二氧化硅背封膜時，將若干個硅片承載裝置安裝在化學(xué)氣相沉積水平臥式爐6的沉積腔體內(nèi)，然后將硅片導(dǎo)入該些硅片承載裝置；設(shè)定沉積腔體內(nèi)的溫度和壓力，設(shè)定正硅酸乙酯(TEOS)蒸汽的流量，控制沉積時間；沉積完成后，進行腔體凈化，取出硅片，測定片內(nèi)和片間均勻性；整爐硅片進行外觀表面檢測，計算良率。實施例1采用理片機將硅片理好，硅片參考面向下；將硅片用倒片機導(dǎo)入6個硅片承載裝置內(nèi)，每個硅片承載裝置可裝載25片4英寸晶圓，共計150片；將裝載有150片硅片的6個承載裝置放入水平爐內(nèi)，調(diào)整TEOS流量為100SCCM，溫度為650°C，沉積壓力為550MT，進行生長，生長時間為90min，生長后取出硅片，測試膜厚為5200 5400埃，片內(nèi)均勻性(均勻性測試完全按SEMI標準)為0.52% (要求10% )，100片硅片片間均勻性為1.52% (要求10 % )，對150片硅片在強光燈下外觀檢測，整個表面均勻一致，無印記，合格率100 %，完全滿足要求。[0027]實施例2采用理片機將硅片理好，硅片參考面向下；將硅片用倒片機導(dǎo)入6個硅片承載裝置內(nèi)，每個硅片承載裝置可裝載25片5英寸晶圓，共計150片；將裝載有150片硅片的6個承載裝置放入水平爐內(nèi)，調(diào)整TEOS流量為150SCCM，溫度為668 °C，沉積壓力為700MT0RR (毫托)，進行生長，生長時間為90min，生長后取出硅片，測試膜厚為5300 5500埃，片內(nèi)均勻性(均勻性測試完全按SEMI標準)為0.46%要求10% )，100片硅片片間均勻性為1.23% (要求10% )，對150片硅片在強光燈下外觀檢測，整個表面均勻一致，無印記，合格率100%，完全滿足要求。實施例3采用理片機將硅片理好，硅片參考面向下；將硅片用倒片機導(dǎo)入6個硅片承載裝置內(nèi)，每個硅片承載裝置可裝載25片6英寸晶圓，共計150片；將裝載有150片硅片的6個承載裝置放入水平爐內(nèi)，調(diào)整TEOS流量為150SCCM，溫度為668°C，沉積壓力為700MT0RR(毫托)，進行生長，生長時間為90min，生長后取出硅片，測試膜厚為5300 5500埃，片內(nèi)均勻性(均勻性測試完全按SEMI標準)為0.86% (要求10% )，100片硅片片間均勻性為2.01% (要求10% )，對150片硅片在強光燈下外觀檢測，整個表面均勻一致，無印記，合格率100%，完全滿足要求。實施例4采用理片機將硅片理好，硅片參考面向下；將硅片用倒片機導(dǎo)入6個硅片承載裝置內(nèi)，每個硅片承載裝置可裝載25片4英寸晶圓，共計150片；將裝載有150片硅片的6個承載裝置放入水平爐內(nèi)，調(diào)整TEOS流量為160SCCM，溫度為680°C，沉積壓力為750MT，進行生長，生長時間為90min，生長后取出硅片，測試膜厚為5500 5700埃，片內(nèi)均勻性(均勻性測試完全按SEMI標準)為0.33% (要求10% )，100片硅片片間均勻性為1.41% (要求10 % )，對150片硅片在強光燈下外觀檢測，整個表面均勻一致，無印記，合格率100 %，完全滿足要求。
權(quán)利要求1.一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置，其特征在于，包括圓形的上基座和下基座，以及安裝在上、下基座之間的三個承載棒，每個承載棒上均勻分布數(shù)個承載槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述承載棒與所述上基座之間所成角度為10 20度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，每個承載棒上設(shè)有25個承載槽，所述承載槽的開口與承載棒之間所成角度為75 85度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述承載槽的槽深為4 6_，槽間距為4.5 5.5mm,槽底寬為0.6 0.9mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述承載棒的截面半徑為5 6mm ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述上基座和下基座的半徑分別為105 155mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述上、下基座上分別設(shè)有兩個定位棒，該些定位棒的高度為10 15cm,同一基座上的兩個定位棒之間的間距為8 12cm0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片承載裝置，其特征在于，所述硅片承載裝置的材質(zhì)為電子級石英材料。
專利摘要本實用新型提供一種新型的用于晶圓二氧化硅背封膜生長過程的硅片承載裝置，包括圓形的上基座和下基座，以及安裝在上、下基座之間的三個承載棒，每個承載棒上均勻分布數(shù)個承載槽。通過該硅片承載裝置在水平爐上可以實現(xiàn)晶圓單面接觸生長二氧化硅背封膜，生長出來的背封二氧化硅背封膜邊緣沒有印記，整個表面均勻一致；膜質(zhì)質(zhì)量大幅提升。
文檔編號H01L21/673GK202977388SQ201220651780
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者徐繼平, 孫洪波, 劉斌, 李耀東, 黨宇星, 耿緒雷, 王雷, 張亮, 葉松芳 申請人:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司