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有機發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法

文檔序號:7147234閱讀:302來源:國知局
專利名稱:有機發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器件,并且更具體地涉及一種能夠顯示具有改進的質(zhì)量的圖像的有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)
近來,具有低功耗的輕薄平板顯示器已經(jīng)被開發(fā)并且應(yīng)用于各種技術(shù)領(lǐng)域。
在有機發(fā)光二極管(0LED)顯示器件中,電荷被注入到形成在作為電子注入電極的陰極電極與作為空穴注入電極的陽極電極之間的發(fā)光層中,以形成電子空穴對,并且當(dāng)電子空穴對消失時發(fā)射光。OLED顯示器件能夠形成在諸如塑料基板的柔性基板上,由于自發(fā)光特性而提供了優(yōu)異的顏色,并且還由于能夠以低電壓(低于10V)來驅(qū)動而具有低功耗。
OLED顯示器件包括對應(yīng)于例如紅光子像素區(qū)域、綠光子像素區(qū)域和藍光子像素區(qū)域的紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層和藍光發(fā)光層。
下面將參考

圖1描述現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器件。圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器件的截面圖。
如圖1中所示,紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B限定在基板I上。
而且,在基板I上,第一電極2形成為對應(yīng)于紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B。
空穴傳輸層3形成為覆蓋整個第一電極2。
在空穴傳輸層3上,紅光發(fā)光層4、綠光發(fā)光層5和藍光發(fā)光層6分別形成為對應(yīng)于紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B。
電子傳輸層7形成在紅光發(fā)光層4、綠光發(fā)光層5和藍光發(fā)光層6上,并且第二電極8形成在電子傳輸層7上。
下面,將參考圖2簡要描述制造現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器件的方法。圖2是示意性地示出了制造現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器件的方法的圖。圖2示出了紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B以及對應(yīng)于紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B的紅光精細金屬掩模RFMM、綠光精細金屬掩模GFMM和藍光精細金屬掩模BFMM0
參考圖2,各紅光精細金屬掩模RFMM、綠光精細金屬掩模GFMM和藍光精細金屬掩模BFMM具有對應(yīng)于子像素區(qū)域R、G和B的紅光圖案RP、綠光圖案GP和藍光圖案BP。
首先,制備其上限定有紅光子像素區(qū)域R、綠光子像素區(qū)域G和藍光子像素區(qū)域B的基板(圖1的I)(Si),并且然后使用具有對應(yīng)于紅光子像素區(qū)域R的紅光圖案RP的紅光精細金屬掩模RFMM形成紅光發(fā)光層(圖1的4)(s2)。接下來,使用具有對應(yīng)于綠光子像素區(qū)域G的綠光圖案GP的綠光精細金屬掩模GFMM形成綠光發(fā)光層(圖1的5) (s3),并且最終,使用具有對應(yīng)于藍光子像素區(qū)域B的藍光圖案BP的藍光精細金屬掩模BFMM形成藍光發(fā)光層(圖1的6) (s4)。
S卩,在現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示器件中,各發(fā)光層4、5和6形成為對應(yīng)于各子像素區(qū)域R、G和B。換言之,子像素區(qū)域R、G和B以1:1的方式對應(yīng)于發(fā)光層4、5和6。
然而,OLED顯示器件不滿足表示高清電視(HDTV)的顏色再現(xiàn)范圍的顏色坐標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)ITU-RBT.709 (國際電信聯(lián)盟的無線電通訊部門廣播電視服務(wù).709)。
一般來說,OLED顯示器件根據(jù)ITU-R BT.709處理圖像,然而,處理后的圖像被基于是模擬圖像標(biāo)準(zhǔn)的NTSC (國家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會)來進行發(fā)送,并且NTSC的顏色再現(xiàn)范圍不同于ITU-R BT.709的顏色再現(xiàn)范圍。
下表1示出了基于由CIE (國際照明委員會)在1931年指定的坐標(biāo)值的NTSC和ITU-R BT.709的顏色坐標(biāo)值。
[表 1]
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器件,所述有機發(fā)光二極管顯示器件包括: 第一基板,在所述第一基板上限定有多個子像素區(qū)域; 多個第一電極,所述多個第一電極分別位于所述多個子像素區(qū)域中;以及 多個發(fā)光層,所述多個發(fā)光層位于所述多個第一電極上并且分別對應(yīng)于所述多個子像素區(qū)域; 其中,所述多個發(fā)光層中的至少一個發(fā)光層延伸到所述多個子像素區(qū)域中的相鄰子像素區(qū)域,并且在所述相鄰子像素區(qū)域中具有占用區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其中,所述占用區(qū)域被調(diào)整為使得所述相鄰子像素區(qū)域具有ITU-R BT.709的顏色再現(xiàn)范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其中,所述多個子像素區(qū)域包括順序地布置的第一子像素區(qū)域、第二子像素區(qū)域和第三子像素區(qū)域, 其中,所述多個發(fā)光層包括順序地布置的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第三發(fā)光層, 其中,所述第二子像素區(qū)域包括與所述第一子像素區(qū)域相鄰的第一區(qū)域和與所述第三子像素區(qū)域相鄰的第二區(qū)域, 其中,所述第三子像素區(qū)域包括與所述第二子像素區(qū)域相鄰的第三區(qū)域,并且還包括第四區(qū)域, 其中,所述第一發(fā)光層形成為對應(yīng)于所述第一子像素區(qū)域和所述第一區(qū)域,以及 其中,所述第二發(fā)光層形成為對應(yīng)于所述第二區(qū)域,或者對應(yīng)于所述第二區(qū)域和所述第三區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其中,所述第一區(qū)域是所述第二子像素區(qū)域的大約3%至大約8%,并且所述第三區(qū)域是所述第三子像素區(qū)域的大約15%至大約 20%ο
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光二極管顯示器件,其中,所述第一子像素區(qū)域、所述第二子像素區(qū)域和所述第三子像素區(qū)域分別是藍光子像素區(qū)域、紅光子像素區(qū)域和綠光子像素區(qū)域。
6.一種制造有機發(fā)光二極管顯示器件的方法,所述有機發(fā)光二極管顯示器件包括:其中限定有多個子像素區(qū)域的第一基板、位于所述多個子像素區(qū)域中的多個第一電極,以及位于所述多個第一電極之上并且分別對應(yīng)于所述多個子像素區(qū)域的多個發(fā)光層,其中,所述多個發(fā)光層中的至少一個發(fā)光層延伸到所述多個子像素區(qū)域中的相鄰子像素區(qū)域,并且在所述相鄰子像素區(qū)域中具有占用區(qū)域,所述方法包括: 在所述基板上對齊對應(yīng)于所述第一發(fā)光層并且具有比所述第一子像素區(qū)域更寬的圖案的精細金屬掩模,并且沉積用于形成所述第一發(fā)光層的主體和摻雜物以形成所述第一發(fā)光層; 在所述基板上對齊對應(yīng)于所述第二發(fā)光層并且具有比所述第二子像素區(qū)域更窄的圖案的精細金屬掩模,并且沉積用于形成所述第二發(fā)光層的主體和摻雜物以形成所述第二發(fā)光層;以及 在所述基板上對齊具有對應(yīng)于所述第三發(fā)光層的圖案的精細金屬掩模,并且沉積用于形成所述第三發(fā)光層的主體和摻雜物以形成所述第三發(fā)光層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法。該有機發(fā)光二極管顯示器件包括其上限定有多個子像素區(qū)域的第一基板;分別位于多個子像素區(qū)域中的多個第一電極;以及多個發(fā)光層,該多個發(fā)光層位于多個第一電極上并且分別對應(yīng)于多個子像素區(qū)域;其中,多個發(fā)光層中的至少一個發(fā)光層延伸到多個子像素區(qū)域中的相鄰子像素區(qū)域,并且在該相鄰子像素區(qū)域中具有占用區(qū)域。
文檔編號H01L51/56GK103165647SQ20121052414
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者李世熙, 權(quán)純甲 申請人:樂金顯示有限公司
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