增強(qiáng)的finfet工藝覆蓋標(biāo)記的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種適用于制造非平面電路器件的覆蓋標(biāo)記以及形成該覆蓋標(biāo)記的方法。示例性實(shí)施例包括接收具有有源器件區(qū)域和覆蓋區(qū)域的襯底。在襯底上形成一個(gè)或多個(gè)介電層和硬掩模。圖案化硬掩模以形成被配置成限定覆蓋標(biāo)記鰭的硬掩模層部件。在圖案化硬掩模層上形成間隔件。該間隔件進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭和有源器件鰭。切割該覆蓋標(biāo)記鰭以形成用于限定覆蓋計(jì)量的參考位置的鰭線端部。蝕刻介電層和襯底以進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭。本發(fā)明還提供了增強(qiáng)的FINFET工藝覆蓋標(biāo)記。
【專利說明】增強(qiáng)的FINFET工藝覆蓋標(biāo)記
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地來說，涉及一種集成電路器件及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在追求較高器件密度、較高性能和較低成本過程中，由于半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)發(fā)展到納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)，因此來自制造和設(shè)計(jì)問題的挑戰(zhàn)的結(jié)果是諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維設(shè)計(jì)的發(fā)展。通過從襯底延伸(例如，蝕刻到襯底的硅層中)的薄“鰭”來制造典型的FinFET。FET的溝道形成在該豎直鰭中。柵極設(shè)置在該鰭上方(例如，環(huán)繞(wrapping))。有利地是在溝道的兩側(cè)上具有柵極，從而允許柵極從兩側(cè)控制溝道。FinFET器件的優(yōu)點(diǎn)包括降低短溝道效應(yīng)和較高的電流。
[0003]由于非平面器件(諸如，F(xiàn)inFET)固有的復(fù)雜性，在制造平面晶體管中所使用的很多技術(shù)都必須重新設(shè)計(jì)為用于制造非平面器件。例如，掩模覆蓋技術(shù)和對(duì)準(zhǔn)技術(shù)需要進(jìn)一步的設(shè)計(jì)嘗試。通常通過使用一系列的光刻掩模在半導(dǎo)體晶圓上層疊部件來裝配IC(集成電路)。在該系列光刻掩模的每個(gè)掩模均具有通過透射區(qū)域或反射區(qū)域所形成的圖案。在光刻曝光期間，諸如紫外線光的輻射在照射涂覆在晶圓上的光刻膠之前穿過或反射離開掩模。該掩模將圖案轉(zhuǎn)印到光刻膠上，然后，選擇性地去除光刻膠來顯示該圖案。然后，該晶圓經(jīng)受充分利用剩余光刻膠的形狀在晶圓上制造電路部件的工藝步驟。當(dāng)工藝步驟完成時(shí)，再次去除光刻膠，并且使用接下來的掩模對(duì)晶圓進(jìn)行曝光。通過該方法，層疊這些部件來制造最終電路。
[0004]不管掩模是否存在誤差，如果整個(gè)掩?；蛘卟糠盅谀]有完全對(duì)準(zhǔn)，則最終部件也不能與相鄰層正確對(duì)準(zhǔn)。這會(huì)導(dǎo)致降低器件性能或者器件完全失效。為了測(cè)量掩模對(duì)準(zhǔn)，在晶圓上形成覆蓋(OVL)標(biāo)記(overlay mark)。覆蓋標(biāo)記通常包括布置為圖案的材料層，這些圖案不但可識(shí)別而且提供可辨認(rèn)的參考點(diǎn)。雖然現(xiàn)有的覆蓋標(biāo)記通常足以滿足平面器件的要求，但是現(xiàn)有的覆蓋標(biāo)記不能完全滿足制造非平面器件的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種集成電路器件，包括:襯底，具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域；以及多個(gè)鰭，設(shè)置在所述襯底上的所述覆蓋標(biāo)記區(qū)域中，所述多個(gè)鰭中的每個(gè)鰭均包括縱向本體和鰭線端部，所述鰭線端部限定用于由覆蓋計(jì)量系統(tǒng)實(shí)施的掩模覆蓋分析的參考位置。
[0006]在該集成電路器件中，所述多個(gè)鰭中的每個(gè)鰭都進(jìn)一步包括凸起的襯底區(qū)域。
[0007]在該集成電路器件中，所述多個(gè)鰭中的第一鰭具有沿著第一軸線定向的線端部，并且所述多個(gè)鰭中的第二鰭具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的線端部。
[0008]在該集成電路器件中，所述多個(gè)鰭中的鰭包括沿著第一軸線定向的第一線端部和沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的第二線端部。[0009]在該集成電路器件中，所述多個(gè)鰭的間距小于所述覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離。
[0010]在該集成電路器件中，所述多個(gè)鰭中的鰭包括第一鰭線端部和第二鰭線端部，所述第一線端部限定第一覆蓋標(biāo)記的參考位置，所述第二線端部限定第二覆蓋標(biāo)記的參考位置；以及所述第一覆蓋標(biāo)記與所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰。
[0011]在該集成電路器件中，所述襯底的所述覆蓋標(biāo)記區(qū)域包括對(duì)應(yīng)于第一覆蓋標(biāo)記的第一標(biāo)記區(qū)域和對(duì)應(yīng)于第二覆蓋標(biāo)記的第二標(biāo)記區(qū)域；所述第一覆蓋標(biāo)記與所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰；以及所述多個(gè)鰭中的鰭從所述第一標(biāo)記區(qū)域延伸到所述第二標(biāo)記區(qū)域。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種方法，包括:接收具有覆蓋區(qū)域的襯底；在所述襯底上形成一個(gè)或多個(gè)介電層；在所述一個(gè)或多個(gè)介電層上形成硬掩模層；圖案化所述硬掩模層以形成硬掩模層部件，所述硬掩模層部件被配置成限定設(shè)置在所述覆蓋區(qū)域中的覆蓋標(biāo)記鰭；在圖案化的硬掩模層上形成間隔件，所述間隔件進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；切割所述覆蓋標(biāo)記鰭以形成限定用于掩模覆蓋計(jì)量的參考位置的鰭線端部；使用所述間隔件蝕刻所述一個(gè)或多個(gè)介電層，所述介電層的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；以及使用蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層來蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭。
[0013]在該方法中，所述硬掩模層部件是第一硬掩模層部件并且被配置成限定具有沿著第一軸線定向的縱向主體的第一覆蓋標(biāo)記鰭；以及圖案化所述硬掩模層進(jìn)一步形成第二硬掩模層部件，所述第二硬掩模層部件被配置成限定設(shè)置在所述覆蓋區(qū)域中并且具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的縱向主體的第二覆蓋標(biāo)記鰭。
[0014]在該方法中，所述硬掩模層部件被配置成限定具有沿著第一軸線定向的縱向主體并具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的第二縱向主體的所述覆蓋標(biāo)記鰭。
[0015]在該方法中，所述硬掩模層部件被配置成限定以小于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離的距離設(shè)置的第一覆蓋標(biāo)記鰭和第二覆蓋標(biāo)記鰭。
[0016]在該方法中，所述襯底的所述覆蓋區(qū)域包括對(duì)應(yīng)于第一覆蓋標(biāo)記的第一覆蓋區(qū)域和對(duì)應(yīng)于第二覆蓋標(biāo)記的第二覆蓋區(qū)域；所述第一覆蓋標(biāo)記和所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰；以及所述覆蓋標(biāo)記鰭設(shè)置在所述第一覆蓋區(qū)域和所述第二覆蓋區(qū)域中。
[0017]該方法進(jìn)一步包括:在蝕刻所述襯底之后去除剩余的一個(gè)或多個(gè)介電層。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:接收具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域的襯底，所述襯底進(jìn)一步具有形成在所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)介電層和硬掩模層；圖案化所述硬掩模層以形成限定覆蓋標(biāo)記鰭的硬掩模層部件，其中，所述圖案化進(jìn)一步形成被配置成提供覆蓋計(jì)量參考位置的硬掩模層溝槽；在圖案化的硬掩模層上形成第一間隔件，所述第一間隔件進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；使用所述第一間隔件蝕刻所述一個(gè)或多個(gè)介電層，介電層的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；以及使用被蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭。
[0019]在該方法中，圖案化所述硬掩模層進(jìn)一步限定對(duì)應(yīng)于有源器件鰭的有源器件掩模部件；形成所述第一間隔件進(jìn)一步形成第二間隔件，所述第二間隔件進(jìn)一步限定所述有源器件鰭；以及蝕刻所述一個(gè)或多個(gè)介電層進(jìn)一步限定所述有源器件鰭。
[0020]在該方法中，所述硬掩模層溝槽被定向?yàn)闄M向垂直于所述硬掩模層部件。
[0021 ] 在該方法中，所述硬掩模層溝槽限定沿著第一軸線定向的鰭線端部和沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的鰭線端部。
[0022]在該方法中，所述硬掩模層部件被配置成制造以小于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離的距離設(shè)置的第一覆蓋標(biāo)記鰭和第二覆蓋標(biāo)記鰭。
[0023]在該方法中，所述覆蓋標(biāo)記區(qū)域包括對(duì)應(yīng)于第一覆蓋標(biāo)記的第一覆蓋區(qū)域和對(duì)應(yīng)于第二覆蓋標(biāo)記的第二覆蓋區(qū)域；所述第一覆蓋標(biāo)記和所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰；以及所述覆蓋標(biāo)記鰭設(shè)置在所述第一覆蓋區(qū)域和所述第二覆蓋區(qū)域中。
[0024]該方法進(jìn)一步包括:在蝕刻所述襯底之后去除剩余的一個(gè)或多個(gè)介電層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0026]圖1是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記的立體圖；
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的多方面的具有兩軸線段的覆蓋標(biāo)記的俯視圖；
[0028]圖3是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
[0029]圖4是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記區(qū)域的部分被切去的俯視圖；
[0030]圖5是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記區(qū)域的俯視圖；
[0031]圖6是根據(jù)本發(fā)明的多方面的用于形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法流程圖；
[0032]圖7至圖11是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法的IC前體的截面圖；
[0033]圖12是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法的IC前體的覆蓋區(qū)域的立體圖；
[0034]圖13至圖15是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法的IC前體的截面圖；
[0035]圖16是根據(jù)本發(fā)明的多方面的形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法的流程圖；
[0036]圖17是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法的IC前體的截面圖；
[0037]圖18是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法的IC前體的覆蓋區(qū)域的立體圖；以及
[0038]圖19至圖24是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法的IC前體的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]本發(fā)明通常涉及用于IC器件的制造的覆蓋標(biāo)記，更具體地說，涉及適用于非平面器件的制造的覆蓋標(biāo)記及用于制造該覆蓋標(biāo)記的方法。
[0040]以下
【發(fā)明內(nèi)容】
提供了多種不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于說明本文中的概念。以下描述部件和布置的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括以直接接觸的方式形成第一部件和第二部件的實(shí)施例，也可以包括其他部件可以形成在第一部件和第二部件之間使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明可以在多個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)用于簡(jiǎn)化和清楚的目的，并且其本身并沒有規(guī)定所述多個(gè)實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0041]此外，本文中為了容易地描述，可以使用諸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、以及“上部”等的空間相對(duì)位置術(shù)語(yǔ)，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除圖中所示的定向之外，空間相對(duì)位置術(shù)語(yǔ)旨在包括使用或操作中的裝置的各種不同的定向。例如，如果翻轉(zhuǎn)附圖中的裝置，則被描述為位于其他元件或部件“下方”或“之下”的元件將被定位為位于其他元件或部件的“之上”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下方”包括在上面和在下面的定向。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)，并且相應(yīng)地解釋本文中所使用的空間相對(duì)位置描述符。
[0042]圖1是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記100的立體圖。為了清楚起見，已經(jīng)簡(jiǎn)化了圖1。示出的覆蓋標(biāo)記100包含許多不同類型的覆蓋標(biāo)記。在一些實(shí)施例中，覆蓋標(biāo)記100是高級(jí)圖像計(jì)量(advanced image metrology,AIM)覆蓋標(biāo)記。在一些實(shí)施例中，覆蓋標(biāo)記100代表框中框式(box-1Nbox) (BIB)覆蓋標(biāo)記。覆蓋標(biāo)記100包括形成在襯底102上的覆蓋鰭104陣列。稍后將詳細(xì)描述襯底102和覆蓋鰭104的組合以及形成覆蓋鰭104的方法。
[0043]當(dāng)通過覆蓋計(jì)量系統(tǒng)進(jìn)行觀測(cè)時(shí)，覆蓋鰭104和外露襯底102之間的邊界提供了用于測(cè)量其他掩模圖案對(duì)準(zhǔn)的參考位置。這種參考位置的實(shí)例為圖1的參考位置110。為了精確測(cè)量對(duì)準(zhǔn)，覆蓋計(jì)量系統(tǒng)必須識(shí)別參考位置處的覆蓋鰭104和襯底102之間的差別(contrast)。在一些應(yīng)用中，與使用諸如凸臺(tái)(plateau)的其他拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的覆蓋標(biāo)記相比，使用覆蓋鰭104的實(shí)施例能夠提供與襯底102更大的差別。通過該方式，允許快速識(shí)別以及精確測(cè)量鰭。在實(shí)施例中，鰭間距小于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)可以分辨的最小可分辨距離。該亞分辨率(sub-resolution)鰭密度可以防止系統(tǒng)測(cè)量不正確的參考位置(諸如，覆蓋鰭104之間的外露襯底)并且有助于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)定位正確參考位置(諸如參考位置110)。這可以進(jìn)一步提高速度和準(zhǔn)確性。
[0044]除了提供更大差別外，在一些實(shí)施例中，覆蓋鰭104能提供優(yōu)于傳統(tǒng)覆蓋標(biāo)記設(shè)計(jì)的其他優(yōu)點(diǎn)。例如，在一些實(shí)施例中，鰭對(duì)于使基于凸臺(tái)的覆蓋標(biāo)記變形的制造工藝來說具有較好的抵御能力。在這樣一個(gè)實(shí)施例中，硬掩模加載系數(shù)(hard mask loadingfactor)影響凸臺(tái)邊緣的線性度，而鰭由于具有比凸臺(tái)小的掩模材料的不間斷區(qū)域而不易受到影響。在另一個(gè)這樣的實(shí)施例中，襯底暴露于使凸臺(tái)邊緣變形的退火工藝。相反，鰭，尤其是鰭的線端部區(qū)域114可以在整個(gè)熱處理過程中更加可靠并且保持不變。在這些和其他實(shí)施例中，結(jié)合有鰭的覆蓋標(biāo)記可以保持比較好的外形。
[0045]雖然覆蓋鰭104可以證實(shí)比傳統(tǒng)的覆蓋部件更可靠并且更精確，但是在一些應(yīng)用中，覆蓋鰭104對(duì)某些工藝仍然很敏感。這會(huì)導(dǎo)致鰭104沿著其縱軸扭曲并彎曲和/或?qū)е脉捬刂湄Q直軸變形(wilt)。在實(shí)施例中，將覆蓋鰭104定向?yàn)檠刂嘤谝粋€(gè)軸線具有線端部區(qū)域114。通過由具有基本垂直定向的鰭104形成覆蓋標(biāo)記，耐用的鰭線端部區(qū)域114可以用于沿著其他鰭/襯底邊界進(jìn)行測(cè)量。
[0046]圖2是根據(jù)本發(fā)明的多方面的具有兩軸線段的覆蓋標(biāo)記200的俯視圖。為了清楚起見，已經(jīng)簡(jiǎn)化了圖2。所示的覆蓋標(biāo)記200代表BIB覆蓋標(biāo)記，但是可以理解為包含多種不同的覆蓋標(biāo)記(包括AIM覆蓋標(biāo)記)。在實(shí)施例中，覆蓋鰭104被布置為沿著第一軸線和第二軸線具有線端部。在一些這樣的實(shí)施例中，這可以通過制造基本垂直的覆蓋鰭組來完成。例如，覆蓋鰭104a具有沿著第一軸線的長(zhǎng)度，并且相應(yīng)的覆蓋鰭104b具有沿著第二軸線的長(zhǎng)度。在另一個(gè)實(shí)施例中，單個(gè)覆蓋鰭104c具有沿著兩個(gè)軸的長(zhǎng)度。在又一個(gè)實(shí)施例中，覆蓋標(biāo)記200包括單軸成對(duì)鰭和沿著兩個(gè)軸具有長(zhǎng)度的鰭的組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，覆蓋標(biāo)記200沿著多個(gè)鰭/襯底邊界提供鰭線端部。例如，可以在參考點(diǎn)202和參考點(diǎn)204處進(jìn)行覆蓋測(cè)量。由于覆蓋鰭的結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)鰭線端部進(jìn)行這兩種測(cè)量。
[0047]圖3和圖5是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記區(qū)域300的俯視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的多方面的覆蓋標(biāo)記區(qū)域300的局部被切去的俯視圖。為了清楚起見，已經(jīng)簡(jiǎn)化了圖3、圖4和圖5。在一些實(shí)施例中，有利于在鰭材料中形成覆蓋標(biāo)記。例如，與去除襯底材料相比，相關(guān)蝕刻工藝可以更好的去除鰭材料，從而顯示出，鰭材料是用于覆蓋標(biāo)記最優(yōu)介質(zhì)。由于該原因和其他原因，如圖3至圖5所示,覆蓋鰭104可以從第一覆蓋標(biāo)記區(qū)域延伸到第二覆蓋標(biāo)記區(qū)域，而不是形成兩個(gè)分立的鰭組。在所示出的實(shí)施例中，鰭104具有兩軸的線端部。在又一些實(shí)施例中，覆蓋鰭104僅具有沿著第一軸線的線端部。
[0048]參照?qǐng)D3，在一些實(shí)施例中，覆蓋鰭104延伸超過指定用于第一覆蓋標(biāo)記306的第一覆蓋標(biāo)記區(qū)域302并且進(jìn)入指定用于第二覆蓋標(biāo)記的區(qū)域304。第一覆蓋標(biāo)記和第二覆蓋標(biāo)記可以具有不同的組成和結(jié)構(gòu)，因此第一覆蓋標(biāo)記和第二覆蓋標(biāo)記對(duì)應(yīng)于不同的層、部件和/或工藝。
[0049]參照?qǐng)D4，形成并圖案化掩模400 (示出部分被切去)作為在襯底102上形成有源器件的工藝步驟的一部分。在形成層并且這些層被成形為制造有源器件時(shí)，可以將相應(yīng)的工藝應(yīng)用于覆蓋標(biāo)記。因此，可以圖案化掩模400材料以形成有源器件和覆蓋標(biāo)記。在一些實(shí)施例中，該設(shè)計(jì)方法和/或相關(guān)工藝步驟的性質(zhì)規(guī)定覆蓋標(biāo)記是否形成在第一區(qū)域302中、第二區(qū)域304中或形成在這兩個(gè)區(qū)域中。在所示的實(shí)施例中，圖案化掩模400以在第二區(qū)域304中形成覆蓋標(biāo)記。
[0050]參照?qǐng)D5，蝕刻工藝去除鰭材料，因此在第二區(qū)域304中形成第二覆蓋標(biāo)記500。在一些實(shí)施例中，盡管第一覆蓋標(biāo)記和第二覆蓋標(biāo)記(306和500)并不鄰接，但是一個(gè)或多個(gè)覆蓋鰭(例如，覆蓋鰭104d)從第一覆蓋標(biāo)記區(qū)域302延伸至第二覆蓋標(biāo)記區(qū)域304。在一些實(shí)施例中，盡管覆蓋標(biāo)記并不鄰接，但是一個(gè)或多個(gè)覆蓋鰭(例如，覆蓋鰭104d)具有限定第一覆蓋標(biāo)記306的參考位置的線端部和限定第二覆蓋標(biāo)記500的參考位置的線端部。
[0051]前述的僅僅是應(yīng)用及相關(guān)益處的一個(gè)實(shí)施例?？梢灶A(yù)期其他實(shí)施例，延伸或形成越過第一覆蓋標(biāo)記區(qū)域302并且進(jìn)入第二覆蓋區(qū)域304的覆蓋鰭104以促進(jìn)除了蝕刻之外的工藝步驟并且用于除了轉(zhuǎn)印掩模圖案之外的設(shè)計(jì)目的。
[0052]本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明的覆蓋標(biāo)記在加工期間為覆蓋計(jì)量分析提供具有高差別和抗變形的可靠的、精確的參考點(diǎn)。應(yīng)該理解的是，不同的實(shí)施例提供不同優(yōu)點(diǎn)，并且沒有特定優(yōu)點(diǎn)是任何一個(gè)實(shí)施例都需要具備的。
[0053]在一些實(shí)施例中，有利的是，僅使用用于形成有源器件的處理步驟形成覆蓋鰭104。例如，在用于制造諸如FinFET的非平面電路器件的方法中，可以與對(duì)應(yīng)于電路器件的鰭同時(shí)形成覆蓋鰭104。這種有源器件鰭可以包括非平面電路器件的凸起的源極/漏極區(qū)域。[0054]結(jié)合圖6至圖15描述在IC前體700上形成覆蓋鰭104和有源器件鰭的方法600。圖6是根據(jù)本發(fā)明的多方面的用于形成覆蓋鰭104和有源器件鰭的方法600的流程圖。應(yīng)該理解的是，可以在方法600之前、期間以及之后提供額外的步驟，并且對(duì)于該方法的其他實(shí)施例來說，可以替換或刪除所描述的一些步驟。圖7至圖11和圖13至圖15是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法600的IC前體的截面圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋鰭和有源器件鰭的方法600的IC前體的覆蓋區(qū)域的立體圖。
[0055]參照?qǐng)D7，方法600從框602開始，其中，接收包括襯底102的IC FinFET前體700。襯底102可以是晶圓、半導(dǎo)體襯底、或任何基體材料(在其上實(shí)施工藝來制造材料層、圖案部件和/或集成電路)。襯底102可以是體硅襯底?？蛇x地，襯底102可以包括元素半導(dǎo)體(諸如，晶體結(jié)構(gòu)的硅或鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，硅鍺、碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、銻化銦)、和/或它們的組合。可能的襯底102還包括絕緣體上硅(SOI)襯底。使用注氧隔離(SIMOX)、晶圓接合和/或其他合適的方法來制造SOI襯底。
[0056]一些示例性襯底102包括絕緣層。該絕緣層包括任何合適的材料(包括氧化娃、藍(lán)寶石、其他合適的絕緣材料和/或它們的組合)。示例性絕緣層可以是隱埋氧化物層(BOX)。該絕緣體通過任何合適的工藝形成，諸如，注入(例如，SIM0X)、氧化、沉積和/或其他合適的工藝。在一些示例性襯底102中，絕緣層是絕緣體上硅襯底的部件(例如，層)。
[0057]該襯底102包含用于形成有源器件的有源器件區(qū)域702并且包含用于形成覆蓋標(biāo)記的覆蓋區(qū)域704。在一些實(shí)施例中，在位于有源器件區(qū)域702周圍的框架區(qū)域中包含該覆蓋區(qū)域704。
[0058]襯底102可以包括取決于本領(lǐng)域技公知的設(shè)計(jì)需求(例如，P型阱或η型阱)的各種摻雜區(qū)域。這些摻雜區(qū)域摻雜有諸如硼或BF2的P型摻雜劑；諸如磷或砷的η型摻雜劑；或它們的組合?？梢砸訮阱結(jié)構(gòu)、N阱結(jié)構(gòu)、雙阱結(jié)構(gòu)或者使用凸起結(jié)構(gòu)在襯底102上直接形成這些摻雜區(qū)域。該半導(dǎo)體襯底102可以進(jìn)一步包括多種有源區(qū)域，諸如，配置為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管器件的區(qū)域和配置為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管器件的區(qū)域。
[0059]在框604中，可以在襯底102上形成一個(gè)或多個(gè)介電層。再次參照?qǐng)D7，在示例性實(shí)施例中，介電層包括界面層714、第一中間介電層716、第二中間介電層718和保護(hù)層720?？梢曰谠S多標(biāo)準(zhǔn)來選擇介電層的材料。例如，可以基于相關(guān)的蝕刻劑來選擇材料。尤其在(但不限于)蝕刻介電層而沒有蝕刻相鄰層的實(shí)施例中，諸如當(dāng)相鄰層用作引導(dǎo)蝕刻的掩模時(shí)，相應(yīng)地選擇材料。稀釋氫氟酸以顯著高于氮化硅的較高速率蝕刻氧化硅?？蛇x地，磷酸以高于氧化硅的較高速率選擇性地蝕刻氮化硅。為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，蝕刻包括灰化工藝。與其他可能的電介質(zhì)相比，灰化可去除的電介質(zhì)(ashing removable dielectric,ARD)對(duì)灰化工藝(例如，O2灰化、N2灰化或H2灰化)更敏感。因此，介電層可以包括ARD。
[0060]也可以基于介電常數(shù)選擇用于介電層的材料并且這些材料可以被分類為傳統(tǒng)介電材料、高k介電材料、低K(LK)、極低K(ELK)和/或超低k(XLK)材料?？梢岳斫獾氖牵@些分類僅是實(shí)例，可以預(yù)期并且同樣可以使用基于材料的介電常數(shù)的其他分類。傳統(tǒng)介電材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和/或它們的組合。高k介電材料的實(shí)例包括Hf02、HfSiO, HfSiON, HfTaO, HfTiO, HfZrO、氧化鋯、三氧化二鋁、二氧化鉿-氧化鋁(HfO2-Al2O3)合金或它們的組合。LK、ELK和/或XLK介電材料包括諸如氮化硅、氮氧化硅、旋涂玻璃(SOG)、非摻雜的硅玻璃(USG)、摻氟硅玻璃(FSG)、碳摻氧化硅(例如，SiCOH)、含碳的材料、Black Diamond? (黑鉆)(加利福尼亞的圣克拉拉的應(yīng)用材料(Applied MaterialsofSanta Clara, California))、干凝膠、氣凝膠、非晶氟碳、聚對(duì)二甲苯、BCB(苯并環(huán)丁烯)、Flare、SiLK (密歇根州米德蘭的陶氏化學(xué)(Dow ChemicalofMidland, Michigan))、聚酰亞胺、其他合適的介電材料和/或它們的組合。
[0061]可以基于其他任何的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)來選擇用于介電層的材料，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)例包括材料的結(jié)構(gòu)性質(zhì)和/或蝕刻輪廓。在示例性實(shí)施例中，界面層714包括氧化硅，第一中間介電層716包括氮化硅，第二中間介電層718包括ARD，以及保護(hù)層720包括氮化硅。
[0062]通過包括旋涂、物理汽相沉積(PVD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、高密度等離子體CVD(HDP-CVD)以及原子層沉積(ALD)的任何合適的技術(shù)來形成包括界面層714、第一中間介電層716、第二中間介電層718和保護(hù)層720的介電層，并且介電層可以形成為具有任何合適的深度。
[0063]參照?qǐng)D7和框606，在襯底102上形成硬掩模層722。該硬掩模層722由任何合適的材料形成，該材料的實(shí)例包括氮化硅、SiON, SiC, SiOC、旋涂玻璃(SOG)、低k薄膜、正硅酸乙酯(TEOS)、等離子體增強(qiáng)CVD氧化物(PE-氧化物)、高縱橫比工藝(HARP)形成的氧化物、其他合適的材料和/或它們的組合。在實(shí)施例中，硬掩模層為多層薄膜。
[0064]參照?qǐng)D8，在框608中，圖案化硬掩模層722。在實(shí)施例中，使用光刻圖案化工藝圖案化硬掩模層722。光刻工藝可以包括光刻膠涂覆(例如，旋涂)、軟烘、掩模對(duì)準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影光刻膠、沖洗、烘干(例如，硬烘)以及使用曝光并被顯影的光刻膠蝕刻硬掩模層722。合適的蝕刻工藝包括干蝕刻、濕蝕刻、和/或其他蝕刻方法(例如，反應(yīng)離子蝕刻)?？蛇x地，可以通過其他方法(諸如，無掩模光刻、電子束寫入以及離子束寫入)來實(shí)施、補(bǔ)充或替換光刻工藝。從圖案化硬掩模層722開始限定覆蓋鰭104的工藝。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造具有沿著第一軸線的縱向主體的覆蓋鰭104和具有沿著第二軸線的縱向主體的覆蓋鰭104。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造覆蓋鰭104,其中，每個(gè)覆蓋鰭均具有沿著第一軸線定向的第一縱向主體和沿著第二軸線定向的第二縱向主體。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造小于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離的覆蓋鰭間距。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層以制造位于覆蓋區(qū)域704中的覆蓋鰭104和位于有源器件區(qū)域702中的有源器件鰭。
[0065]參考圖9，在框610中，在圖案化硬掩模層722上沉積間隔件層900。在實(shí)施例中，間隔件層900包括介電材料，諸如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合適的材料和/或它們的組合。在一些實(shí)施例中，選擇間隔件層900電介質(zhì)以具有與硬掩模層722不同的蝕刻敏感性。在又一些實(shí)施例中，基于對(duì)各向異性蝕刻劑的敏感性來選擇介電材料?？梢酝ㄟ^熱沉積、原子層沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積、本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他工藝和/或它們的組合來沉積間隔件層900。以形成鄰近于硬掩模層722的部件的間隔件910的方式應(yīng)用間隔件層900。在這種實(shí)施例中，間隔件層900的沉積適用于控制間隔件910的厚度。
[0066]參照?qǐng)D10，在框612中，實(shí)施蝕刻以去除間隔件層900的多部分。在實(shí)施例中，進(jìn)行各向異性蝕刻以去除間隔件層900的未對(duì)應(yīng)于間隔件910的區(qū)域。各向異性蝕刻依賴于定向并且可以用于方向性蝕刻間隔件層900。使用CH2O2實(shí)施示例性的各向異性蝕刻。其他各向異性蝕刻劑包括ΤΜΑΗ、Κ0Η和EDP (乙二胺鄰苯二酚)。也可以使用諸如DRIE (深反應(yīng)離子蝕刻)的機(jī)械裝置來實(shí)施各向異性干蝕刻。
[0067]參照?qǐng)D11，在框614中，實(shí)施蝕刻以進(jìn)一步蝕刻硬掩模層722。為了不蝕刻間隔件910，可以使用選擇性蝕刻劑。在一些實(shí)施例中，硬掩模層722包括氮化硅，間隔件層900包括氧化硅。在一個(gè)這樣的實(shí)施例中，使用磷酸來蝕刻硬掩模層722而不會(huì)蝕刻間隔件910。在一些實(shí)施例中，使用稀釋氫氟酸來蝕刻氧化硅硬掩模層722而保留氮化硅間隔件910。諸如硬掩模層722的部件的犧牲形狀通常稱為芯軸(mandrel)。因此，該蝕刻工藝可以稱為芯軸蝕刻。如圖11所示，識(shí)別覆蓋鰭104的初始元件以及有源器件鰭1100的初始元件。
[0068]參照?qǐng)D12，在框616中，例如，切割覆蓋鰭104，以限定覆蓋標(biāo)記的溝槽。在所示實(shí)施例中，橫向切割鰭104形狀。在另一個(gè)實(shí)施例中，切割工藝沿著不同于橫軸的方向劃分鰭104。在又一個(gè)實(shí)施例中，切割工藝完全去除鰭104。在又一個(gè)實(shí)施例中，切割工藝沿著橫軸劃分鰭，在不同于橫軸的方向劃分鰭并且去除鰭?？梢詫⒃撉懈罟に嚺渲贸捎糜谛纬删哂醒刂谝惠S線、沿著與第一軸線基本垂直的第二軸線或者沿著第一軸線和第二軸線兩者具有線端部的鰭104。
[0069]可以使用任何合適的蝕刻工藝實(shí)施該切割工藝。在實(shí)施例中，將光掩模施加至襯底。經(jīng)由光刻曝光和顯影來圖案化光掩模，以暴露包括要被去除的間隔件910的區(qū)域。然后，使用蝕刻工藝以去除或切割指定的間隔件材料。在可選實(shí)施例中，使用蝕刻工藝以去除或切割指定的間隔件材料和下面的介電層。
[0070]參照?qǐng)D13和框618，實(shí)施鰭蝕刻以將鰭的形狀轉(zhuǎn)印到諸如界面層714、第一中間介電層716、第二中間介電層718和保護(hù)層720的介電層。鰭蝕刻可以包括以特定層為目標(biāo)的多種不同的蝕刻工藝。每種蝕刻工藝都可以使用相鄰層作為掩模來限定要被蝕刻的區(qū)域。不再需要用于掩模的層可以在蝕刻單獨(dú)介電層的過程中被蝕刻掉。在實(shí)施例中，氧化硅間隔件910在蝕刻期間用于遮蔽氮化硅保護(hù)層720的區(qū)域。使用諸如磷酸的選擇性蝕刻劑來蝕刻保護(hù)層720的暴露部分。在示例性實(shí)施例中，通過使用間隔件910和保護(hù)層720遮蔽正蝕刻的包含ARD的第二中間介電層718來繼續(xù)進(jìn)行鰭蝕刻工藝?；一に嚦浞掷肁RD的敏感性并僅去除第二中間介電層718的暴露區(qū)域。該實(shí)施例使用磷酸繼續(xù)另一蝕刻工藝以使用間隔件910、保護(hù)層720和/或第二中間介電層718限定要被蝕刻的第一中間介電層716的區(qū)域來蝕刻氮化娃第一中間介電層716。該蝕刻劑可以底切(undercut)保護(hù)層720的氮化硅，以去除保護(hù)層720和間隔件910。然而，第二中間介電層718仍舊用作合適的掩模。該實(shí)施例使用稀釋氫氟酸并且使用間隔件和/或其他介電層作為掩模繼續(xù)進(jìn)行氧化硅界面層714的選擇性蝕刻。該蝕刻可以蝕刻未使用的掩模層，諸如，在本實(shí)施例中的氧化硅間隔件910。在不同的其他實(shí)施例中，鰭蝕刻包括諸如濕蝕刻工藝、干蝕刻工藝和/或它們的組合的其他蝕刻工藝。蝕刻工藝也可以使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和/或其他合適的工藝。
[0071]參照?qǐng)D14和框620，可以蝕刻襯底102以形成凸起的襯底區(qū)域1400。在實(shí)施例中，剩余的介電層用于圖案化襯底102。蝕刻可以使用包括濕蝕刻、干蝕刻和/或RIE的任何合適的蝕刻工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，用于蝕刻襯底102的干蝕刻工藝包括諸如CF4、SF6,NF3或其他合適氣體的含氟的氣體化學(xué)物質(zhì)。
[0072]參照?qǐng)D15和框622，可以去除剩余的介電層。在多種實(shí)施例中，去除保護(hù)層720、第二中間介電層718、第一中間介電層716和/或界面層714被。在一些實(shí)施例中，在去除工藝之后，通過凸起的襯底區(qū)域1400來限定覆蓋鰭104?？梢允褂冒裎g刻、干蝕刻和/或RIE的任何合適的蝕刻工藝來實(shí)施介電層的去除。
[0073]在框624中，實(shí)施用于形成有源IC器件的剩余工藝步驟。在各種實(shí)施例中，這些工藝步驟包括形成凸起的源極/漏極結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)工藝、注入工藝、諸如沉積淺溝槽隔離部件的沉積工藝、退火工藝、和化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)工藝。
[0074]參照?qǐng)D16至圖24描述在IC前體700上形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法1600。圖16是根據(jù)本發(fā)明的多方面的用于形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法1600的流程圖。應(yīng)該理解，可以在該方法1600之前、期間和之后提供額外的步驟，并且對(duì)于該方法的其他實(shí)施例來說，可以替換或去除所描述的一些步驟。圖17和圖19至圖24是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法1600的IC前體的截面圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明的多方面的經(jīng)歷形成覆蓋標(biāo)記和有源器件結(jié)構(gòu)的方法1600的IC前體的覆蓋區(qū)域的立體圖。
[0075]參照?qǐng)D17，方法1600開始于框1602，其中，接收包括襯底102的ICFinFET前體700。該襯底可以是晶圓、半導(dǎo)體襯底、或在其上實(shí)施工藝來制造材料層、圖案部件和/或集成電路的任何基體材料。該襯底102包括器件區(qū)域702和覆蓋標(biāo)記區(qū)域704。
[0076]在框1604中，可以在襯底102上形成一個(gè)或多個(gè)介電層。在一些實(shí)施例中，介電層包括界面層714、第一中間介電層716、第二中間介電層718和/或保護(hù)層720。通過包括旋涂、物理汽相沉積(PVD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)、高密度等離子體CVD(HDP-CVD)、以及原子層沉積(ALD)的任何合適的技術(shù)來形成介電層，并且介電層可以形成為具有任何合適的深度。參照?qǐng)D17和框1606，在襯底102上形成硬掩模層722。該硬掩模層722由任何合適的材料形成，該實(shí)例包括氮化硅、SiON, SiC, SiOC、旋涂玻璃(SOG)、低k薄膜、正硅酸乙酯(TEOS)、等離子體增強(qiáng)CVD氧化物(PE-氧化物)、高縱橫比工藝(HARP)形成的氧化物、其他合適的材料和/或它們的組合。在實(shí)施例中，硬掩模層為多層薄膜。
[0077]參照?qǐng)D18，在框1608中，圖案化硬掩模層722。在實(shí)施例中，使用光刻圖案化工藝圖案化硬掩模層722。光刻工藝可以包括光刻膠涂覆(例如，旋涂)、軟烤、掩模對(duì)準(zhǔn)、曝光、曝光后烘烤、顯影光刻膠、沖洗、烘干(例如，硬烘)以及使用曝光并被顯影的光刻膠蝕刻硬掩模層722。合適的蝕刻工藝包括干蝕刻、濕蝕刻和/或其他蝕刻方法(例如，反應(yīng)離子蝕刻)。可選地，可以通過其他方法(諸如，無掩模光刻、電子束寫入和離子束寫入)來實(shí)施、補(bǔ)充或替換光刻工藝。
[0078]從圖案化硬掩模層722開始限定覆蓋鰭104的工藝。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造具有沿著第一軸線的縱向主體的覆蓋鰭104和具有沿著第二軸線的縱向主體的覆蓋鰭104。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造覆蓋鰭104，每個(gè)覆蓋鰭均具有沿著第一軸線定向的第一縱向主體和沿著第二軸線定向的第二縱向主體。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以制造小于覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離的覆蓋鰭間距。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層以制造位于覆蓋區(qū)域704中的覆蓋鰭104和位于有源器件區(qū)域702中的有源器件鰭。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722以限定與一個(gè)或多個(gè)覆蓋鰭104的縱向主體橫向垂直的溝槽1800。該溝槽最終可以形成由鰭線端部限定的參考位置110。在一些這樣的實(shí)施例中，在用于圖案化掩模層722的數(shù)據(jù)庫(kù)中限定溝槽1800。例如，溝槽1800的特征在于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的附圖形狀。在一些實(shí)施例中，圖案化硬掩模層722形成一個(gè)或多個(gè)溝槽1800，從而生成沿著第一軸線、沿著與第一軸線基本垂直的第二軸線或者沿著兩個(gè)基本垂直的軸線的鰭線端部。
[0079]參考圖19，在框1610中，在圖案化的硬掩模層722上沉積間隔件層900。在實(shí)施例中，間隔件層900包括諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合適的材料和/或它們的組合的介電材料?？梢酝ㄟ^熱沉積、原子層沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積、本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他工藝和/或它們的組合來沉積間隔件層900。以形成鄰近于硬掩模層722的部件的間隔件910的方式應(yīng)用間隔件層900。
[0080]參照?qǐng)D20，在框1612中，實(shí)施蝕刻以去除間隔件層900的多部分。在實(shí)施例中，實(shí)施各向異性蝕刻以去除間隔件層900未對(duì)應(yīng)于間隔件910的區(qū)域。在多種示例性實(shí)施例中，使用CH202、TMAH、K0H和/或EDP實(shí)施各向異性蝕刻。也可以使用諸如DRIE(深反應(yīng)離子蝕刻)的機(jī)械裝置來實(shí)施各向異性干蝕刻。
[0081]參照?qǐng)D21，在框1614中，實(shí)施蝕刻以蝕刻硬掩模層722。為了不蝕刻間隔件910，可以使用選擇性蝕刻劑。在所示的實(shí)施例中，蝕刻展現(xiàn)覆蓋鰭104的初始元件以及有源器件鰭1100的初始元件。
[0082]參照?qǐng)D22和框1616，實(shí)施鰭蝕刻以將鰭形狀轉(zhuǎn)印到諸如界面層714、第一中間介電層716、第二中間介電層718和保護(hù)層720的介電層。鰭蝕刻包括每個(gè)均以特定層為目標(biāo)的多種不同的蝕刻工藝。蝕刻工藝可以使用相鄰層作為掩模來限定要被蝕刻的區(qū)域。不再需要用于掩模的層可以在蝕刻獨(dú)立的介電層的過程中被蝕刻掉。在多種實(shí)施例中，鰭蝕刻包括諸如濕蝕刻工藝、干蝕刻工藝、灰化和/或它們的組合的蝕刻工藝。蝕刻工藝也可以使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和/或其他合適的工藝。
[0083]參照?qǐng)D23和框1618，可以蝕刻襯底102以形成凸起的襯底區(qū)域1400。在實(shí)施例中，剩余的介電層用于圖案化襯底102。蝕刻可以使用包括濕蝕刻、干蝕刻和/或RIE的任何合適的蝕刻工藝。在一個(gè)實(shí)例中，用于蝕刻襯底102的干蝕刻工藝包括諸如CF4、SF6、NF3或其他合適氣體的含氟的氣體化學(xué)物質(zhì)。
[0084]參照?qǐng)D24和框1620，可以去除剩余的介電層。在多種實(shí)施例中，去除保護(hù)層720、第二中間介電層718、第一中間介電層716和/或界面層714。在一些實(shí)施例中，在去除工藝之后，通過凸起的襯底區(qū)域1400來限定覆蓋鰭104?？梢允褂冒裎g刻、干蝕刻和/或RIE的任何合適的蝕刻工藝來介電層的去除。
[0085]在框1622中，實(shí)施用于形成有源IC器件的剩余的工藝步驟。在各種實(shí)施例中，這些工藝步驟包括形成凸起的源極/漏極結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)工藝、注入工藝、諸如沉積淺溝槽隔離部件的沉積工藝、退火工藝和化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)工藝。
[0086]因此，本發(fā)明提供適用于非平面器件的制造的覆蓋標(biāo)記和用于制造覆蓋標(biāo)記的方法。
[0087]在一個(gè)實(shí)施例中，集成電路器件包括:具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域的襯底；以及設(shè)置在襯底上的覆蓋標(biāo)記區(qū)域中的多個(gè)鰭，多個(gè)鰭中的每個(gè)均包括縱向主體和鰭線端部，其中，鰭線端部限定用于要由覆蓋計(jì)量系統(tǒng)實(shí)施的標(biāo)記覆蓋分析的參考位置。
[0088]在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法包括:接收具有覆蓋區(qū)域的襯底；在襯底上形成一個(gè)或多個(gè)介電層；在一個(gè)或多個(gè)介電層上形成硬掩模層；圖案化硬掩模層以形成硬掩模層部件，該硬掩模層部件被配置成限定位于覆蓋區(qū)域中的覆蓋標(biāo)記鰭；在圖案化硬掩模層上形成間隔件，該間隔件進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭；切割覆蓋標(biāo)記鰭以形成限定用于標(biāo)記覆蓋計(jì)量的參考位置的鰭線端部；使用間隔件蝕刻一個(gè)或多個(gè)介電層，介電層的蝕刻進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭；以及使用被蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層蝕刻襯底，襯底的蝕刻進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭。
[0089]在又一個(gè)實(shí)施例中，方法包括:接收具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域的襯底，該襯底進(jìn)一步具有形成在襯底上的一個(gè)或多個(gè)介電層和硬掩模層；圖案化該硬掩模層以形成限定覆蓋標(biāo)記鰭的硬掩模層部件，其中，該圖案化進(jìn)一步形成硬掩模層溝槽，該硬掩模層溝槽被配置成提供覆蓋計(jì)量參考位置；在圖案化硬掩模層上形成第一間隔件，第一間隔件進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭；使用第一間隔件蝕刻該一個(gè)或多個(gè)介電層，介電層的蝕刻進(jìn)一步限定了覆蓋標(biāo)記鰭；以及使用蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層來蝕刻襯底，該襯底的蝕刻進(jìn)一步限定覆蓋標(biāo)記鰭。
[0090]以上論述了多個(gè)實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該想到，可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)相同目的和/或?qū)崿F(xiàn)在此介紹的實(shí)施例的相同優(yōu)點(diǎn)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這種等效結(jié)構(gòu)沒有背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此可以作出多種改變、替換和變更。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路器件，包括: 襯底，具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域；以及 多個(gè)鰭，設(shè)置在所述襯底上的所述覆蓋標(biāo)記區(qū)域中，所述多個(gè)鰭中的每個(gè)鰭均包括縱向本體和鰭線端部，所述鰭線端部限定用于由覆蓋計(jì)量系統(tǒng)實(shí)施的掩模覆蓋分析的參考位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個(gè)鰭中的每個(gè)鰭都進(jìn)一步包括凸起的襯底區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個(gè)鰭中的第一鰭具有沿著第一軸線定向的線端部，并且所述多個(gè)鰭中的第二鰭具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的線端部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個(gè)鰭中的鰭包括沿著第一軸線定向的第一線端部和沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的第二線端部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個(gè)鰭的間距小于所述覆蓋計(jì)量系統(tǒng)的最小可分辨距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，所述多個(gè)鰭中的鰭包括第一鰭線端部和第二鰭線端部，所述第一線端部限定第一覆蓋標(biāo)記的參考位置，所述第二線端部限定第二覆蓋標(biāo)記的參考位置；以及 所述第一覆蓋標(biāo)記與所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述`的集成電路器件，其中， 所述襯底的所述覆蓋標(biāo)記區(qū)域包括對(duì)應(yīng)于第一覆蓋標(biāo)記的第一標(biāo)記區(qū)域和對(duì)應(yīng)于第二覆蓋標(biāo)記的第二標(biāo)記區(qū)域； 所述第一覆蓋標(biāo)記與所述第二覆蓋標(biāo)記不相鄰；以及 所述多個(gè)鰭中的鰭從所述第一標(biāo)記區(qū)域延伸到所述第二標(biāo)記區(qū)域。
8.一種方法，包括: 接收具有覆蓋區(qū)域的襯底； 在所述襯底上形成一個(gè)或多個(gè)介電層； 在所述一個(gè)或多個(gè)介電層上形成硬掩模層； 圖案化所述硬掩模層以形成硬掩模層部件，所述硬掩模層部件被配置成限定設(shè)置在所述覆蓋區(qū)域中的覆蓋標(biāo)記鰭； 在圖案化的硬掩模層上形成間隔件，所述間隔件進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭； 切割所述覆蓋標(biāo)記鰭以形成限定用于掩模覆蓋計(jì)量的參考位置的鰭線端部； 使用所述間隔件蝕刻所述一個(gè)或多個(gè)介電層，所述介電層的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；以及 使用蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層來蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中， 所述硬掩模層部件是第一硬掩模層部件并且被配置成限定具有沿著第一軸線定向的縱向主體的第一覆蓋標(biāo)記鰭；以及 圖案化所述硬掩模層進(jìn)一步形成第二硬掩模層部件，所述第二硬掩模層部件被配置成限定設(shè)置在所述覆蓋區(qū)域中并且具有沿著基本垂直于所述第一軸線的第二軸線定向的縱向主體的第二覆蓋標(biāo)記鰭。
10.一種方法，包括: 接收具有有源器件區(qū)域和覆蓋標(biāo)記區(qū)域的襯底，所述襯底進(jìn)一步具有形成在所述襯底上的一個(gè)或多個(gè)介電層和硬掩模層； 圖案化所述硬掩模層以形成限定覆蓋標(biāo)記鰭的硬掩模層部件，其中，所述圖案化進(jìn)一步形成被配置成提供覆蓋計(jì)量參考位置的硬掩模層溝槽； 在圖案化的硬掩模層上形成第一間隔件，所述第一間隔件進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭； 使用所述第一間隔件蝕刻所述一個(gè)或多個(gè)介電層，介電層的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭；以及 使用被蝕刻的一個(gè)或多個(gè)介電層蝕刻所述襯底，所述襯底的蝕刻進(jìn)一步限定所述覆蓋標(biāo)記鰭 。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK103681622SQ201210511012
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月4日
【發(fā)明者】謝啟文, 張岐康, 劉家助, 陳孟偉, 陳桂順 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司