專(zhuān)利名稱：一種將兩個(gè)雙向可控硅芯片集成在一個(gè)光電耦合器中的封裝制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電耦合器產(chǎn)品的封裝方法，提供了一種提高單個(gè)光電耦合器產(chǎn)品輸出端耐高壓指標(biāo)的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著各種自動(dòng)化電器設(shè)備的小型化需求，市場(chǎng)出現(xiàn)需要一個(gè)雙向可控硅光電耦合器的耐高壓指標(biāo)成倍提高的要求，由于市場(chǎng)沒(méi)有這樣的輸出芯片，在電路設(shè)計(jì)時(shí)只能采用兩個(gè)相同的雙向可控硅光電耦合器串聯(lián)在具體電路中來(lái)達(dá)到要求，但是卻增加了空間體積，一些小型化的電路器件不得不重新設(shè)計(jì)而往往又增加了空間體積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過(guò)在一個(gè)原有的雙向可控硅光電耦合器的框架上封裝兩個(gè)雙向可控硅光電耦合器的輸出芯片并在這個(gè)框架上將它們串聯(lián)起來(lái)，使得輸出芯片的耐高壓指標(biāo)成倍提高，產(chǎn)品封裝后的體積還是原來(lái)一個(gè)雙向可控娃光電I禹合器的體積。由于光電I禹合器的輸出芯片的耐高壓指標(biāo)在制造上很難繼續(xù)提高，本發(fā)明的方法為市場(chǎng)提供了一種高性能的提高單個(gè)光電耦合器輸出端芯片耐高壓指標(biāo)的產(chǎn)品。本發(fā)明的有益效果是，在不增加空間體積的情況下為市場(chǎng)提供了一種高性能的提聞單個(gè)光電稱合器輸出端芯片耐聞壓指標(biāo)的廣品。


圖I為一個(gè)常規(guī)雙向可控硅光電耦合器的內(nèi)部器件在框架上的電路示意圖。(I)為輸入端，⑵為輸入端，⑶為空端，⑷為輸出端，(5)為空端，(6)為輸出端，(10)為零電壓交匯觸發(fā)電路，圖中箭頭為從發(fā)光二極管照向輸出芯片的光照向。圖2為一個(gè)常規(guī)雙向可控娃光電I禹合器的產(chǎn)品立體圖。圖3為一個(gè)常規(guī)雙向可控娃光電f禹合器的內(nèi)部器件在框架上的不意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為空端，(6)為輸出端，(7)為焊接好的金屬線，(8)為輸入芯片，(9)為輸出芯片。圖4為本發(fā)明采用兩個(gè)輸出芯片的雙向可控硅光電耦合器的內(nèi)部器件在框架上的電路示意圖。(I)為輸入端，⑵為輸入端，⑶為空端，⑷為輸出端，(5)為串聯(lián)端，(6)為輸出端，(10)為零電壓交匯觸發(fā)電路，圖中箭頭為從發(fā)光二極管照向輸出芯片的光照向。圖5為本發(fā)明米用兩個(gè)輸出芯片的雙向可控娃光電f禹合器的內(nèi)部器件在框架上的示意圖。(I)為輸入端，(2)為輸入端，(3)為空端，(4)為輸出端，(5)為串聯(lián)端，(6)為輸出端，(7)為焊接好的金屬線，(8)為輸入芯片，(9)為輸出芯片，有兩個(gè)進(jìn)行串聯(lián)。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所指的框架為金屬框架。圖I、圖2、圖3、圖4、圖5的(I)和(2)為輸入端管腳和紅外發(fā)光二極管芯片相連，(4)和(6)為輸出端管腳和感光雙向可控娃輸出芯片相連。本發(fā)明見(jiàn)圖4、圖5，其中輸出端金屬框架位置(5)上安裝兩個(gè)感光雙向可控硅輸出芯片，它們各自的一個(gè)主電極和框架輸出端管腳(5)連接達(dá)到串聯(lián)作用，它們各自的另外一個(gè)主電極分別和框架輸出端管腳(4)和(6)連接,安裝時(shí)兩個(gè)感光雙向可控娃輸出芯片與輸出端金屬框架位置(5)之間必須用絕緣膠固定，串聯(lián)作用時(shí)輸出端管腳(5)為空端，只起到提供串聯(lián)的連接作用，同時(shí)在這個(gè)光電耦合器的金屬框架輸入端位置上安裝一個(gè)發(fā)光二 極管芯片，發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極通過(guò)金屬線分別連接到框架的兩個(gè)輸入引腳端，然后通過(guò)模壓封裝制造成一個(gè)含有兩個(gè)雙向可控硅輸出芯片的光電耦合器產(chǎn)品。當(dāng)用戶使用輸出端管腳(5)時(shí),輸出端框架上安裝兩個(gè)感光雙向可控娃芯片將作為并聯(lián)使用。
權(quán)利要求
1.一種將兩個(gè)雙向可控娃芯片集成在一個(gè)光電稱合器中的封裝制造方法,其特征在于在光 電I禹合器的金屬框架輸出端位置上安裝兩個(gè)雙向可控娃輸出芯片，芯片和框架之間用絕緣膠固定，兩個(gè)雙向可控硅輸出芯片的各自一個(gè)主電極分別通過(guò)金屬線焊接連接到引腳框架上達(dá)到串聯(lián)作用，這兩個(gè)雙向可控硅輸出芯片的各自另外一個(gè)主電極通過(guò)金屬線焊接分別連接到框架的兩個(gè)輸出引腳端，同時(shí)在這個(gè)光電耦合器的金屬框架輸入端位置上安裝一個(gè)發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片的兩個(gè)電極通過(guò)金屬線分別連接到框架的兩個(gè)輸入弓I腳端，然后通過(guò)模壓封裝制造成一個(gè)含有兩個(gè)雙向可控硅輸出芯片的光電耦合器產(chǎn)品。
全文摘要
一種將兩個(gè)雙向可控硅芯片集成在一個(gè)光電耦合器中的封裝制造方法，通過(guò)在一個(gè)原有的雙向可控硅光電耦合器的框架上封裝兩個(gè)雙向可控硅光電耦合器的輸出芯片并在這個(gè)框架上將它們串聯(lián)起來(lái)，制造出一種高性能的提高單個(gè)光電耦合器輸出端芯片耐高壓指標(biāo)的產(chǎn)品。
文檔編號(hào)H01L25/16GK102931181SQ20121040887
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月12日
發(fā)明者沈震強(qiáng) 申請(qǐng)人:沈震強(qiáng)