一種后柵極工藝晶體管及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種后柵極工藝晶體管及其形成方法，采用先形成第一N區(qū)側(cè)墻，接著形成硅鍺層，再形成第一P區(qū)側(cè)墻的方法，不需要形成緩沖氧化層，避免了現(xiàn)有工藝中采用兩次濕法刻蝕工藝進(jìn)行清洗，從而對(duì)側(cè)墻影響極大（側(cè)墻高度消耗較大）的問(wèn)題，即避免了柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊暴露出來(lái)。由此，能夠使得形成源/漏極硅化物層時(shí)，柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊不被影響，即避免了多晶硅體塊上形成硅聚合殘余物而影響器件的性能，大大的提高了制造工藝的精密度和有效性。
【專利說(shuō)明】一種后柵極工藝晶體管及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種后柵極工藝晶體管及其形成方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG (高K絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù)。不過(guò)在采用HKMG技術(shù)制造晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大意見，分別是Gate-first (先柵極)工藝流派和Gate-1ast (后柵極)工藝流派。
[0003]一般來(lái)說(shuō)使用Gate-1ast工藝在制造過(guò)程中的蝕刻過(guò)程會(huì)遇到一些難題。如圖f圖5所示，其為現(xiàn)有的后柵極工藝晶體管形成方法的主要過(guò)程示意圖。請(qǐng)參考圖1，在襯底100’中形成N阱100a’和P阱100b’，在所述N阱100a’和P阱100b’交接處形成淺溝道隔離105’，在所述N阱100a’上形成一個(gè)或多個(gè)PMOS元件，所述P阱100b’上形成一個(gè)或多個(gè)NMOS元件，所述PMOS元件和NMOS元件均包括:柵極結(jié)構(gòu)102’，緊靠柵極結(jié)構(gòu)102’兩側(cè)的側(cè)墻101’，其中所述柵極結(jié)構(gòu)102’包括多晶硅體塊103’和氮化硅體塊104’，所述側(cè)墻101’的高度大于所述多晶硅體塊103’的高度。
[0004]請(qǐng)參考圖2，形成緩沖氧化層200’，所述緩沖氧化層200’覆蓋所述襯底100’ ,PMOS元件和NMOS元件。之后在P阱100b’上形成光阻層201’，所述光阻層201’覆蓋所述NMOS元件。
[0005]接著，如圖3所示，刻蝕所述N阱100a’形成溝槽300’，所述溝槽300’位于相鄰兩個(gè)PMOS元件之間。
[0006]接著，如圖4所示，經(jīng)第一次濕法刻蝕工藝去除所述光阻層并清洗溝槽，之后在溝槽內(nèi)形成硅鍺層400’，此時(shí)，PMOS元件的側(cè)墻將會(huì)受到影響，其相比NMOS元件的側(cè)墻會(huì)出現(xiàn)一個(gè)高度差401’。之后，采用第二次濕法刻蝕工藝去除所述P阱100b’上的緩沖氧化層及清洗以去除N阱100a’上所殘留的緩沖氧化層，請(qǐng)參考圖5，第二次濕法刻蝕工藝將進(jìn)一步侵蝕PMOS元件的側(cè)墻，形成更大的高度差500’。經(jīng)上述兩次刻蝕，PMOS元件的側(cè)墻將暴露出多晶硅體塊103’。
[0007]然而，在后柵極工藝晶體管的制造工藝中，側(cè)墻是用來(lái)保護(hù)多晶硅體塊以免在后續(xù)形成源/漏極硅化物層(如硅鍺層、硅鎳層等)時(shí)源/漏極硅化物與多晶硅體塊結(jié)合。上述兩次刻蝕工藝顯然的影響了或者破壞了側(cè)墻所起到的作用。如圖6所示，在刻蝕工藝后在硅鍺層300’上形成源/漏極硅化物600’，此時(shí)，多晶硅體塊103’遠(yuǎn)離襯底的兩個(gè)角處很容易形成硅聚合殘余物601’，所述聚合物601’是不能夠經(jīng)現(xiàn)有工藝去除，那么這將對(duì)生產(chǎn)工藝產(chǎn)生巨大的影響，不能夠產(chǎn)生出合適的器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種后柵極工藝晶體管及其形成方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻受到破壞而產(chǎn)生硅聚合殘余物的問(wèn)題。
[0009]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種后柵極工藝晶體管的形成方法，包括:[0010]提供襯底；
[0011 ] 在所述襯底中形成N阱和P講，在所述N阱和P阱交接處形成淺溝道隔離，在所述N阱和P阱上均形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；
[0012]形成第一側(cè)墻材料層，所述第一側(cè)墻材料層覆蓋所述N阱、P阱、淺溝道隔離和柵極結(jié)構(gòu)；
[0013]刻蝕所述N阱上的第一側(cè)墻材料層，形成第一 N區(qū)側(cè)墻；
[0014]在所述N阱中形成硅鍺層，所述硅鍺層位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間；
[0015]刻蝕所述P阱上的第一側(cè)墻材料層，形成第一 P區(qū)側(cè)墻；
[0016]在所述N阱上的相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間形成源/漏極硅化物層。
[0017]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，所述柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅體塊及位于所述多晶硅體塊上的氮化硅體塊。
[0018]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，形成柵極結(jié)構(gòu)的工藝包括如下步驟:
[0019]在所述襯底上形成多晶硅層；
[0020]在所述多晶硅層上形成掩膜層；
[0021 ] 刻蝕所述掩膜層形成氮化硅體塊；
[0022]刻蝕所述多晶硅層形成多晶硅體塊。
[0023]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，形成硅鍺層的工藝包括如下步驟:
[0024]刻蝕所述N阱形成溝槽，所述溝槽位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間；
[0025]在所述溝槽內(nèi)沉積硅鍺形成硅鍺層。
[0026]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，所述第一側(cè)墻材料層包括:
[0027]第一氧化層和第一氮化硅層，所述第一氮化硅層覆蓋所述第一氧化層。
[0028]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，在形成第一側(cè)墻材料層之后，形成第一 N區(qū)側(cè)墻之前，還包括如下步驟:
[0029]形成第一光阻層，所述第一光阻層覆蓋P阱上的第一側(cè)墻材料層。
[0030]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，在形成硅鍺層之后，形成第一 P區(qū)側(cè)墻之前，包括如下步驟:
[0031]去除所述第一光阻層；
[0032]形成第二光阻層，所述第二光阻層覆蓋包括所述N阱、硅鍺層、第一 N區(qū)側(cè)墻和N阱上的柵極結(jié)構(gòu)。
[0033]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，形成第一 P區(qū)側(cè)墻之后，形成源/漏極硅化物層之前，包括如下工藝步驟:
[0034]去除所述第二光阻層；
[0035]形成第二側(cè)墻材料層，所述第二側(cè)墻材料層覆蓋所述N阱、P阱、淺溝道隔離、柵極結(jié)構(gòu)、第一 N區(qū)側(cè)墻和第一 P區(qū)側(cè)墻；[0036]刻蝕所述第二側(cè)墻材料層形成第二 N區(qū)側(cè)墻和第二 P區(qū)側(cè)墻，所述第二 N區(qū)側(cè)墻緊靠第一 N區(qū)側(cè)墻，所述第二 P區(qū)側(cè)墻緊靠第一 P區(qū)側(cè)墻；。
[0037]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，所述第二側(cè)墻材料層包括:
[0038]第二氧化層和第二氮化硅層，所述第二氮化硅層覆蓋所述第二氧化層。
[0039]本發(fā)明提供一種如上述方法制得的后柵極工藝晶體管，包括:
[0040]襯底，所述襯底包括N阱和P阱；
[0041]位于所述N阱和P阱交接處的淺溝道隔離；
[0042]形成于所述N阱和P阱上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)；
[0043]緊靠所述N阱上柵極結(jié)構(gòu)的第一 N區(qū)側(cè)墻；
[0044]位于所述N阱中且位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間的硅鍺層；
[0045]位于所述N阱上的相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間的源/漏極硅化物層；
[0046]緊靠所述P阱上柵極結(jié)構(gòu)的第一 P區(qū)側(cè)墻。
[0047]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管，還包括:緊靠所述第一 N區(qū)側(cè)墻的第二N區(qū)側(cè)墻，緊靠所述第一 P區(qū)側(cè)墻的第二 P區(qū)側(cè)墻。
[0048]進(jìn)一步的，對(duì)于所述的后柵極工藝晶體管，所述源/漏極硅化物層位于緊靠所述相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻的相鄰兩個(gè)第二 N區(qū)側(cè)墻之間。
[0049]與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明提供的后柵極工藝晶體管及其形成方法中，采用先形成第一 N區(qū)側(cè)墻，接著形成硅鍺層，再形成第一 P區(qū)側(cè)墻的方法，不需要形成緩沖氧化層，避免了現(xiàn)有工藝中采用兩次濕法刻蝕工藝進(jìn)行清洗，從而對(duì)側(cè)墻影響極大(側(cè)墻高度消耗較大)的問(wèn)題，即避免了柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊暴露出來(lái)。由此，能夠使得形成源/漏極硅化物層時(shí)，柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊不被影響，即避免了多晶硅體塊上形成硅聚合殘余物而影響器件的性能，大大的提高了制造工藝的精密度和有效性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0050]圖廣圖6為現(xiàn)有工藝形成后柵極工藝晶體管的過(guò)程示意圖；
[0051]圖疒圖19為本發(fā)明實(shí)施例形成后柵極工藝晶體管的過(guò)程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0052]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的后柵極工藝晶體管的形成方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0053]請(qǐng)參考圖7，提供襯底700，例如硅襯底，絕緣體上硅(SOI)等，所述襯底包括高K介質(zhì)層。接著，如圖8所示，對(duì)半導(dǎo)體襯底700進(jìn)行摻雜，形成N阱800和P阱801 ;在所述N阱800和P阱801交接處形成淺溝道隔離(STI)802。其中，所述N阱800經(jīng)五價(jià)離子摻雜物摻雜形成，包括磷、砷、銻等的一種或多種；所述P阱801經(jīng)三價(jià)離子摻雜物摻雜形成，包括硼、鎵、銦、鉈等的一種或多種。上述N阱800、P阱801及淺溝道隔離802可經(jīng)現(xiàn)有任何工藝形成。相應(yīng)的，N阱800 (P阱801)及其上區(qū)域記為N區(qū)800’(P區(qū)801’)，這包涵后續(xù)形成于其上的各層(各結(jié)構(gòu))。
[0054]請(qǐng)參考圖9，形成多晶硅層900和掩膜層901，可經(jīng)化學(xué)氣相沉積工藝(CVD)形成，所述掩膜層901可以為氮化娃(SiN)層。優(yōu)選的,米用光刻工藝在掩膜層901上形成一光阻層(未示出)。之后以光阻層為掩膜，刻蝕掩膜層901形成氮化硅體塊，暴露出部分多晶硅層900。去除光阻層，刻蝕多晶硅層900形成多晶硅體塊(poly)，S卩如圖10所示，形成柵極結(jié)構(gòu)1000，所述柵極結(jié)構(gòu)1000包括位于襯底700上的多晶硅體塊1001和位于所述多晶硅體塊1001上的氮化硅體塊1002。所述柵極結(jié)構(gòu)1000位于所述淺溝道隔離802兩側(cè)，其中，所述N阱801和P阱802上形成一個(gè)或多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)1000，所述柵極結(jié)構(gòu)1000間的距離可以不同。
[0055]請(qǐng)參考圖11，在所述襯底700上形成第一側(cè)墻材料層1100，所述第一側(cè)墻材料層1100覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)1000，具體的，第一側(cè)墻材料層1100覆蓋N阱800、P阱801、淺溝道隔離802及柵極結(jié)構(gòu)1000。其中，所述第一側(cè)墻材料層1100包括第一氧化層1101和第一氮化硅層1102，所述第一氮化硅層1102覆蓋所述第一氧化層1101，所述第一側(cè)墻材料層1100可以由化學(xué)氣相沉積工藝形成。
[0056]接著，請(qǐng)參考圖12，采用光刻工藝在位于P區(qū)801'中的第一側(cè)墻材料層1100上形成第一光阻層1200，即所述第一光阻層1200覆蓋P區(qū)801’中的第一氮化硅層1102。
[0057]請(qǐng)參考圖13，以所述第一光阻層1200為掩膜，采用干法刻蝕和/或濕法刻蝕工藝刻蝕所述N區(qū)800’中第一氮化硅層和第一氧化層，形成緊靠所述柵極結(jié)構(gòu)1000的第一 N區(qū)側(cè)墻1300，所述第一 N區(qū)側(cè)墻1300包括L型第一氧化層1101’和D型第一氮化硅層1102’。接著，在N阱800內(nèi)經(jīng)刻蝕工藝形成溝槽1301，所述溝槽1301位于N區(qū)800’的相鄰兩個(gè)柵極1000的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻1300之間。需要說(shuō)明的是，所述溝槽1301不止一個(gè)，且由于所述柵極結(jié)構(gòu)1000間的距離可能不同，所述溝槽1301的寬度也會(huì)不同，圖13并未示出。
[0058]請(qǐng)參考圖14，在所述溝槽內(nèi)沉積硅鍺形成硅鍺層1400，所述硅鍺層1400位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻1300之間。具體的，可采用化學(xué)氣相沉積工藝或爐管工藝形成所述硅鍺層1400 ;接著，去除所述第一光阻層并進(jìn)行清洗，此時(shí)，由于刻蝕工藝的影響，所述N區(qū)800’上的第一N區(qū)側(cè)墻1300的高度下降，相比刻蝕之前具有高度差1401。
[0059]請(qǐng)參考圖15，采用光刻工藝在N阱800上形成第二光阻層1500，所述第二光阻層1500覆蓋所述N阱800、硅鍺層1400、第一 N區(qū)側(cè)墻1300和N阱800上的柵極結(jié)構(gòu)1000，接著，刻蝕所述P阱上的第一氮化硅層和第一氧化層形成第一 P區(qū)側(cè)墻1501，所述第一 P區(qū)側(cè)墻1501包括L型第一氧化層1101’ a和D型第一氮化硅層1102’ a(此處與第一 N區(qū)側(cè)墻的L型第一氧化層和D型第一氮化硅層相同，標(biāo)號(hào)不同僅為了區(qū)別位于N區(qū)或P區(qū))。
[0060]如圖16所示，刻蝕去除第二光阻層，在圖16中可見，刻蝕去除第二光阻層后，所述P區(qū)801’上的第一 P區(qū)側(cè)墻1501的高度下降，相比刻蝕之前具有高度差1600，然而比現(xiàn)有工藝兩次刻蝕所引起的高度差要小得多，能夠覆蓋多晶硅體塊1001。
[0061]進(jìn)一步的，請(qǐng)參考圖17，形成第二側(cè)墻材料層1700，所述第二側(cè)墻材料層1700覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)，具體的，第二側(cè)墻材料層1700覆蓋N阱800、P阱801、淺溝道隔離802、柵極結(jié)構(gòu)1000、第一 N區(qū)側(cè)墻1300和第一 P區(qū)側(cè)墻1501。其中，所述第二側(cè)墻材料層1700包括第二氧化層1701和第二氮化硅層1702，所述第二氮化硅層1702覆蓋所述第二氧化層1701，所述第二側(cè)墻材料層1700可以由化學(xué)氣相沉積工藝形成。
[0062]請(qǐng)參考圖18，刻蝕所述第二側(cè)墻材料層的第二氮化硅層和第二氧化層形成位于N區(qū)800’的第二 N區(qū)側(cè)墻1800和位于P區(qū)801’的第二 P區(qū)側(cè)墻1801。其中，第二 N區(qū)側(cè)墻1800包括覆蓋第一 N區(qū)側(cè)墻1300的第二氧化層1701’和緊靠第二氧化層1701’的第二氮化硅層1702’，第二 P區(qū)側(cè)墻1801包括覆蓋第一 P區(qū)側(cè)墻1501的第二氧化層1701’ a和緊靠第二氧化層1701’ a的第二氮化硅層1702’ a (此處與第二 N區(qū)側(cè)墻的結(jié)構(gòu)與第二 P區(qū)側(cè)墻的結(jié)構(gòu)相同，標(biāo)號(hào)不同僅為了區(qū)別位于N區(qū)或P區(qū))。
[0063]本發(fā)明第二側(cè)墻(第二 N區(qū)側(cè)墻和第二 P區(qū)側(cè)墻)有效的增加了第一側(cè)墻(第一 N區(qū)側(cè)墻和第一 P區(qū)側(cè)墻)的高度，進(jìn)一步保證了器件中側(cè)墻的保護(hù)作用，使得最終形成的側(cè)墻質(zhì)量佳，避免了側(cè)墻變低而在多晶硅體塊上形成硅聚合殘余物而對(duì)器件產(chǎn)生不良影響的問(wèn)題。
[0064]第二 N區(qū)側(cè)墻與第二 P區(qū)側(cè)墻形成后，本發(fā)明后柵極工藝晶體管的PMOS元件和NMOS元件主要工藝完成，其中，所述PMOS元件/NMOS元件包括:柵極結(jié)構(gòu)1000，第一 N區(qū)側(cè)墻1300/第一 P區(qū)側(cè)墻1501和第二 N區(qū)側(cè)墻1800/第二 P區(qū)側(cè)墻1801。本發(fā)明亦需形成源/漏極區(qū)域，可采用現(xiàn)有工序形成，此處不做贅述。
[0065]請(qǐng)參考圖19，在所述N阱800上的相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)1000之間的相鄰兩個(gè)第二 N區(qū)側(cè)墻1800之間形成源/漏極硅化物層1900。
[0066]上述實(shí)施例提供的后柵極工藝晶體管及其形成方法中，采用先形成第一 N區(qū)側(cè)墻，接著形成硅鍺層，再形成第一 P區(qū)側(cè)墻的方法，不需要形成緩沖氧化層，避免了現(xiàn)有工藝中采用兩次濕法刻蝕工藝進(jìn)行清洗，從而對(duì)側(cè)墻影響極大(側(cè)墻高度消耗較大)的問(wèn)題，即避免了柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊暴露出來(lái)。由此，能夠使得形成源/漏極硅化物層時(shí)，柵極結(jié)構(gòu)的多晶硅體塊不被影響，即避免了多晶硅體塊上形成硅聚合殘余物而影響器件的性能，大大的提高了制造工藝的精密度和有效性。
[0067]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，包括: 提供襯底； 在所述襯底中形成N阱和P阱，在所述N阱和P阱交接處形成淺溝道隔離，在所述N阱和P阱上均形成多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)； 形成第一側(cè)墻材料層，所述第一側(cè)墻材料層覆蓋所述N阱、P阱、淺溝道隔離和柵極結(jié)構(gòu)； 刻蝕所述N阱上的第一側(cè)墻材料層，形成第一 N區(qū)側(cè)墻； 在所述N阱中形成硅鍺層，所述硅鍺層位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間； 刻蝕所述P阱上的第一側(cè)墻材料層，形成第一 P區(qū)側(cè)墻； 在所述N阱上的相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間形成源/漏極硅化物層。
2.如權(quán)利要求1所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括多晶硅體塊及位于所述多晶硅體塊上的氮化硅體塊。
3.如權(quán)利要求2所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，形成柵極結(jié)構(gòu)的工藝包括如下步驟: 在所述襯底上形成多晶硅層； 在所述多晶硅層上形成掩膜層； 刻蝕所述掩膜層形成氮化硅體塊； 刻蝕所述多晶硅層形成多晶硅體塊。
4.如權(quán)利要求1所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，形成硅鍺層的工藝包括如下步驟: 刻蝕所述N阱形成溝槽，所述溝槽位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)之間； 在所述溝槽內(nèi)沉積硅鍺形成硅鍺層。
5.如權(quán)利要求1所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻材料層包括: 第一氧化層和第一氮化娃層，所述第一氮化娃層覆蓋所述第一氧化層。
6.如權(quán)利要求5所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，在形成第一側(cè)墻材料層之后，形成第一 N區(qū)側(cè)墻之前，還包括如下步驟: 形成第一光阻層，所述第一光阻層覆蓋P阱上的第一側(cè)墻材料層。
7.如權(quán)利要求6所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，在形成硅鍺層之后，形成第一 P區(qū)側(cè)墻之前，包括如下步驟: 去除所述第一光阻層； 形成第二光阻層，所述第二光阻層覆蓋包括所述N阱、硅鍺層、第一 N區(qū)側(cè)墻和N阱上的柵極結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求7所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，形成第一P區(qū)側(cè)墻之后，形成源/漏極硅化物層之前，包括如下工藝步驟: 去除所述第二光阻層； 形成第二側(cè)墻材料層，所述第二側(cè)墻材料層覆蓋所述N阱、P阱、淺溝道隔離、柵極結(jié)構(gòu)、第一 N區(qū)側(cè)墻和第一 P區(qū)側(cè)墻； 刻蝕所述第二側(cè)墻材料層形成第二 N區(qū)側(cè)墻和第二 P區(qū)側(cè)墻，所述第二 N區(qū)側(cè)墻緊靠第一 N區(qū)側(cè)墻，所述第二 P區(qū)側(cè)墻緊靠第一 P區(qū)側(cè)墻。
9.如權(quán)利要求8所述的后柵極工藝晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二側(cè)墻材料層包括: 第二氧化層和第二氮化硅層，所述第二氮化硅層覆蓋所述第二氧化層。
10.一種如權(quán)利要求1、所制得的后柵極工藝晶體管，其特征在于，包括: 襯底，所述襯底包括N阱和P阱； 位于所述N阱和P阱交接處的淺溝道隔離； 形成于所述N阱和P阱上的多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)； 緊靠所述N阱上柵極結(jié)構(gòu)的第一 N區(qū)側(cè)墻； 位于所述N阱中且位于相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間的硅鍺層； 位于所述N阱上的相鄰兩個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻之間的源/漏極硅化物層； 緊靠所述P阱上柵極結(jié)構(gòu)的第一 P區(qū)側(cè)墻。
11.如權(quán)利要求10所述`的后柵極工藝晶體管，其特征在于，還包括:緊靠所述第一N區(qū)側(cè)墻的第二 N區(qū)側(cè)墻，緊靠所述第一 P區(qū)側(cè)墻的第二 P區(qū)側(cè)墻。
12.如權(quán)利要求11所述的后柵極工藝晶體管，其特征在于，所述源/漏極硅化物層位于緊靠所述相鄰兩個(gè)第一 N區(qū)側(cè)墻的相鄰兩個(gè)第二 N區(qū)側(cè)墻之間。
【文檔編號(hào)】H01L29/423GK103515210SQ201210206327
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月20日
【發(fā)明者】韋慶松, 韓秋華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司